JPH0463464A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0463464A JPH0463464A JP17802090A JP17802090A JPH0463464A JP H0463464 A JPH0463464 A JP H0463464A JP 17802090 A JP17802090 A JP 17802090A JP 17802090 A JP17802090 A JP 17802090A JP H0463464 A JPH0463464 A JP H0463464A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat dissipation
- semiconductor element
- semiconductor device
- heat
- block
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、外部絶縁形の平形の半導体素子を圧接構造
にした半導体装置に関するものである。
にした半導体装置に関するものである。
［従来の技術１
従来、この種の半導体装置には第２図に示すようなもの
があった。
があった。
第２図において、１は放熱フィン、２は平形の半導体素
子、３はこの半導体素子２を圧接挟持する放熱ブロック
であり、この放熱ブロック３はボルト４およびナツト５
で締め付けられ、半導体素子２を圧接している。６はば
ねであり、７は絶縁ブツシュ、８は絶縁板である。そし
て、これらはケース９内に収容され、さらに放熱フィン
１の所定の深さの溝１ｂに収容されている。１Ｑはブス
バである。１１は前記絶縁板８と放熱フィン１の内壁と
の間にできた微少な隙間である。
子、３はこの半導体素子２を圧接挟持する放熱ブロック
であり、この放熱ブロック３はボルト４およびナツト５
で締め付けられ、半導体素子２を圧接している。６はば
ねであり、７は絶縁ブツシュ、８は絶縁板である。そし
て、これらはケース９内に収容され、さらに放熱フィン
１の所定の深さの溝１ｂに収容されている。１Ｑはブス
バである。１１は前記絶縁板８と放熱フィン１の内壁と
の間にできた微少な隙間である。
次に、動作について説明する。
半導体素子２は圧接する必要があるため、普通ばね６を
ボルト４．ナツト５．放熱ブロック３によって締め付け
て使用する。また、半導体素子２は通電特大量の熱を発
生するので、これをうま（外気中へ放熱する機構を設け
る必要がある。そのため、熱伝導の良好な絶縁板８を介
して放熱フィン１と密着しており、熱はこの絶縁板８か
ら放熱フィン１を通して外気中に放出される。また、取
り扱い上安全なように電気絶縁物であるケース９により
半導体素子２の陰極、陽極と通じるブスバ１０以外は外
部と電気的に遮断された構造となっている。
ボルト４．ナツト５．放熱ブロック３によって締め付け
て使用する。また、半導体素子２は通電特大量の熱を発
生するので、これをうま（外気中へ放熱する機構を設け
る必要がある。そのため、熱伝導の良好な絶縁板８を介
して放熱フィン１と密着しており、熱はこの絶縁板８か
ら放熱フィン１を通して外気中に放出される。また、取
り扱い上安全なように電気絶縁物であるケース９により
半導体素子２の陰極、陽極と通じるブスバ１０以外は外
部と電気的に遮断された構造となっている。
［発明が解決しようとする課題］
上記の外部絶縁形の半導体装置は、上記のように構成さ
れているが、半導体素子２の厚みのバラツキ、放熱ブロ
ック３の厚みのバラツキにより、放熱フィン１に設けら
れた満１ｂに半導体素子２を圧接した放熱ブロック３を
組み込んだ場合、満１ｂの内壁と放熱ブロック３．絶縁
板８の間に微少な隙間１１ができ、そのため熱伝導がう
まく行かず、放熱が不十分となり、温度上昇のため半導
体素子２の特性を十分に発揮することができなかった。
れているが、半導体素子２の厚みのバラツキ、放熱ブロ
ック３の厚みのバラツキにより、放熱フィン１に設けら
れた満１ｂに半導体素子２を圧接した放熱ブロック３を
組み込んだ場合、満１ｂの内壁と放熱ブロック３．絶縁
板８の間に微少な隙間１１ができ、そのため熱伝導がう
まく行かず、放熱が不十分となり、温度上昇のため半導
体素子２の特性を十分に発揮することができなかった。
この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたものであり、放熱フィンに設けられた溝に放熱ブロ
ックが完全に密着するような構造にして放熱効率を飛躍
的に向上させた半導体装置を得ることを目的とする。
れたものであり、放熱フィンに設けられた溝に放熱ブロ
ックが完全に密着するような構造にして放熱効率を飛躍
的に向上させた半導体装置を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体装置は、放熱フィンに、深くなる
に従って狭くなるような断面形状がｖ字状の溝を設ける
とともに、半導体素子を両側から圧接する放熱ブロック
にも、前記７字状の溝の傾斜と同じ傾斜を形成すること
により、両者を絶縁板を介して組み立てた時、必ず前記
７字状の溝の内壁に密着するように構成したものである
。
に従って狭くなるような断面形状がｖ字状の溝を設ける
とともに、半導体素子を両側から圧接する放熱ブロック
にも、前記７字状の溝の傾斜と同じ傾斜を形成すること
により、両者を絶縁板を介して組み立てた時、必ず前記
７字状の溝の内壁に密着するように構成したものである
。
［作用］
この発明においては、放熱ブロック、絶縁板および放熱
フィンが完全に７字状の溝の内壁に密着する構成とした
ことにより、半導体素子の動作時に発生する熱はすみや
かに外気中へ放熱される。
フィンが完全に７字状の溝の内壁に密着する構成とした
ことにより、半導体素子の動作時に発生する熱はすみや
かに外気中へ放熱される。
［実施例］
以下、この発明の一実施例を第１図について説明する。
第１図において、１は放熱フィンであり、１ａはこの放
熱フィン１に形成された溝で、この溝１ａは深さが深く
なるに従って狭くなる断面Ｖ字状に形成されている。ま
た、放熱ブロック３は放熱フィン１に設けた７字状の満
１ａの傾斜に等しい傾斜が外側に形成されている。なお
、その他は第２図と同様な構成となっている。
熱フィン１に形成された溝で、この溝１ａは深さが深く
なるに従って狭くなる断面Ｖ字状に形成されている。ま
た、放熱ブロック３は放熱フィン１に設けた７字状の満
１ａの傾斜に等しい傾斜が外側に形成されている。なお
、その他は第２図と同様な構成となっている。
次に、動作について説明する。
半導体素子２と放熱ブロック３をポルト４とナツト５に
よりばね６を介して締め付けた組立物は、半導体素子２
と放熱ブロック３の厚みのバラツキに応じたバラツキを
持ったものとなる。
よりばね６を介して締め付けた組立物は、半導体素子２
と放熱ブロック３の厚みのバラツキに応じたバラツキを
持ったものとなる。
しかし、放熱フィン１に設けた７字状の溝１ａは放熱ブ
ロック３と同様なテーパを有しているので、前記組立物
の厚みが大きい場合は上方へ、また、厚みが小さい場合
は下方ヘシフトするだけであり、放熱ブロック３と放熱
フィン１の溝１ａの内壁とはいつも絶縁板８を介して完
全に密着していることになる。
ロック３と同様なテーパを有しているので、前記組立物
の厚みが大きい場合は上方へ、また、厚みが小さい場合
は下方ヘシフトするだけであり、放熱ブロック３と放熱
フィン１の溝１ａの内壁とはいつも絶縁板８を介して完
全に密着していることになる。
そのため、半導体素子２の動作時に発生する熱は効率よ
く放熱ブロック３から絶縁板８を通り放熱フィン１に伝
達され、外気中へ放散される。
く放熱ブロック３から絶縁板８を通り放熱フィン１に伝
達され、外気中へ放散される。
なお、上記実施例では半導体素子２が１個の場合を示し
たが、２個以上であってもよ（、上記実施例と同様の効
果を奏する。
たが、２個以上であってもよ（、上記実施例と同様の効
果を奏する。
［発明の効果１
以上説明したように、この発明は、放熱フィンに設けら
れる溝を、その深さが深くなるに従って狭くなるような
断面形状を７字状に形成するとともに、放熱ブロックに
も７字状の溝の傾斜と同じ傾斜を形成したので、半導体
素子と放熱ブロックを組み合わせたとき、多少の寸法の
バラツキがあっても必ず熱伝導性の良好な絶縁板を介し
て７字状の溝の内壁面に密着する。したがって、常に良
好な放熱が実現でき、半導体素子の特性を十分発揮する
ことができる半導体装置が得られる効果がある。
れる溝を、その深さが深くなるに従って狭くなるような
断面形状を７字状に形成するとともに、放熱ブロックに
も７字状の溝の傾斜と同じ傾斜を形成したので、半導体
素子と放熱ブロックを組み合わせたとき、多少の寸法の
バラツキがあっても必ず熱伝導性の良好な絶縁板を介し
て７字状の溝の内壁面に密着する。したがって、常に良
好な放熱が実現でき、半導体素子の特性を十分発揮する
ことができる半導体装置が得られる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による半導体装置を示す断
面図、第２図は従来の半導体装置を示す断面図である。 図において、１は放熱フィン、１ａは溝、２は半導体素
子、３は放熱ブロック、４はボルト、５はナツト、６は
ばね、７は絶縁ブツシュ、８は絶縁板、９はケース、１
ｏはブスバである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
面図、第２図は従来の半導体装置を示す断面図である。 図において、１は放熱フィン、１ａは溝、２は半導体素
子、３は放熱ブロック、４はボルト、５はナツト、６は
ばね、７は絶縁ブツシュ、８は絶縁板、９はケース、１
ｏはブスバである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 放熱フィンに設けられた溝内に、平形の半導体素子を
放熱ブロックで圧接挟持して収容した外部絶縁形の半導
体装置において、前記放熱フィンに設けられる溝を、そ
の深さが深くなるに従って狭くなるように断面形状をＶ
字状に形成するとともに、前記放熱ブロックにも前記Ｖ
字状の溝の傾斜と同じ傾斜を形成したことを特徴とする
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17802090A JPH0463464A (ja) | 1990-07-03 | 1990-07-03 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17802090A JPH0463464A (ja) | 1990-07-03 | 1990-07-03 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0463464A true JPH0463464A (ja) | 1992-02-28 |
Family
ID=16041175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17802090A Pending JPH0463464A (ja) | 1990-07-03 | 1990-07-03 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0463464A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007192901A (ja) * | 2006-01-17 | 2007-08-02 | Fuji Xerox Co Ltd | 定着装置 |
| JPWO2024204310A1 (ja) * | 2023-03-31 | 2024-10-03 |
-
1990
- 1990-07-03 JP JP17802090A patent/JPH0463464A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007192901A (ja) * | 2006-01-17 | 2007-08-02 | Fuji Xerox Co Ltd | 定着装置 |
| JPWO2024204310A1 (ja) * | 2023-03-31 | 2024-10-03 | ||
| WO2024204310A1 (ja) * | 2023-03-31 | 2024-10-03 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、電力変換装置、インバータ基板、および放熱フィン |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5339519A (en) | Method of cooling an electrical device using a heat sink attached to a circuit board containing heat conductive layers and channels | |
| US4156458A (en) | Flexible thermal connector for enhancing conduction cooling | |
| US5229915A (en) | Power semiconductor device with heat dissipating property | |
| US4314270A (en) | Hybrid thick film integrated circuit heat dissipating and grounding assembly | |
| US3356904A (en) | Heat dissipating arrangement for electrical components | |
| CN217523130U (zh) | 散热基座均力结构 | |
| JPH0463464A (ja) | 半導体装置 | |
| CN114885590A (zh) | 散热基座均力结构 | |
| JPS60171751A (ja) | Ｉｃの放熱構造 | |
| JPH1030856A (ja) | 冷却装置 | |
| JP2019075415A (ja) | 半導体装置 | |
| US6062300A (en) | Evenly heat-dissipating apparatus | |
| JPH01132146A (ja) | 半導体装置 | |
| CN215181717U (zh) | 主控机箱 | |
| JPS60100456A (ja) | 発熱体モジユ−ルの放熱取付構造 | |
| JPS6339976Y2 (ja) | ||
| JPH0289352A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5846177B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH039335Y2 (ja) | ||
| JPH01248629A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH03232244A (ja) | 半導体装置 | |
| JP4604954B2 (ja) | 半導体モジュールの絶縁構造 | |
| JPH023405Y2 (ja) | ||
| JPH02232956A (ja) | 半導体装置 | |
| KR940003561B1 (ko) | 고출력용 반도체의 수지봉합장치 |