JPH0464170B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0464170B2 JPH0464170B2 JP58205236A JP20523683A JPH0464170B2 JP H0464170 B2 JPH0464170 B2 JP H0464170B2 JP 58205236 A JP58205236 A JP 58205236A JP 20523683 A JP20523683 A JP 20523683A JP H0464170 B2 JPH0464170 B2 JP H0464170B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- ray
- ultraviolet light
- resist
- photosensitive resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＸ線露光用マスクの製造方法、特にＸ
線吸収体パターンの形成方法に関するものであ
る。
線吸収体パターンの形成方法に関するものであ
る。
一般にＸ線吸収体パターンの膜厚は従来の膜厚
0.1μm以下を主体とした光学マスクのパターンと
は異なり約0.3〜1μmのようにきわめて厚いため、
パターン欠陥が発生した場合に、その修復が非常
にむずかしいという問題があつた。又従来、Ｘ線
吸収体パターン形成に用いられていたリフトオフ
プロセスやエツチングプロセスによれば、吸収体
パターン形成前のレジストパターン状態では、検
査も修復も事実上不可能であり、どうしても吸収
体パターン形成後に時間をかけ、かつ精度を落し
ても厚いＸ線吸収体パターンのパターン検査及び
修復を行う必要があり、これがＸ線露光実用化の
上で一つの大きな課題となつていた。
0.1μm以下を主体とした光学マスクのパターンと
は異なり約0.3〜1μmのようにきわめて厚いため、
パターン欠陥が発生した場合に、その修復が非常
にむずかしいという問題があつた。又従来、Ｘ線
吸収体パターン形成に用いられていたリフトオフ
プロセスやエツチングプロセスによれば、吸収体
パターン形成前のレジストパターン状態では、検
査も修復も事実上不可能であり、どうしても吸収
体パターン形成後に時間をかけ、かつ精度を落し
ても厚いＸ線吸収体パターンのパターン検査及び
修復を行う必要があり、これがＸ線露光実用化の
上で一つの大きな課題となつていた。
本発明の目的はＸ線吸収体パターンの基礎とな
る薄い遮光パターンを予じめ作成し、従来の光学
マスク修正技術を用いて、きわめて欠陥の少ない
Ｘ線露光マスクを提供することにある。
る薄い遮光パターンを予じめ作成し、従来の光学
マスク修正技術を用いて、きわめて欠陥の少ない
Ｘ線露光マスクを提供することにある。
すなわち、本発明は軟Ｘ線及び紫外光を透過す
るＸ線透過膜を支持構造体に固着する工程と、該
膜上に紫外光を遮光する所望パターンあるいは所
望パターンと相補のパターンを形成する工程と、
該パターン上に感光樹脂を堆積する工程と、Ｘ線
透過膜の前記遮光層のない面から紫外光を一括照
射し、現像プロセスにより感光樹脂パターンを形
成する工程と、感光樹脂にポジ型を用いた場合に
全面に軟Ｘ線吸収素材を堆積し、リフトオフ工程
により所望の厚膜Ｘ線吸収層を形成する工程、又
は感光樹脂にネガ型レジストを用いた場合に、リ
フトオフ若しくは連続した紫外遮光層を電導層と
して選択メツキにより厚膜Ｘ線吸収層を形成する
工程とからなることを特徴とするＸ線露光用マス
クの製造方法である。
るＸ線透過膜を支持構造体に固着する工程と、該
膜上に紫外光を遮光する所望パターンあるいは所
望パターンと相補のパターンを形成する工程と、
該パターン上に感光樹脂を堆積する工程と、Ｘ線
透過膜の前記遮光層のない面から紫外光を一括照
射し、現像プロセスにより感光樹脂パターンを形
成する工程と、感光樹脂にポジ型を用いた場合に
全面に軟Ｘ線吸収素材を堆積し、リフトオフ工程
により所望の厚膜Ｘ線吸収層を形成する工程、又
は感光樹脂にネガ型レジストを用いた場合に、リ
フトオフ若しくは連続した紫外遮光層を電導層と
して選択メツキにより厚膜Ｘ線吸収層を形成する
工程とからなることを特徴とするＸ線露光用マス
クの製造方法である。
以下に本発明の実施例を図面を参照して説明す
る。
る。
第１図に示すようにＸ線透過膜、例えば膜厚
5μmのマイラー膜１０２を支持構造、例えばパイ
レツクスリング１０１に引張して固定治具１０３
で固定し、その上面にレジスト１０４を膜厚約
0.2μm〜0.5μm塗布する。
5μmのマイラー膜１０２を支持構造、例えばパイ
レツクスリング１０１に引張して固定治具１０３
で固定し、その上面にレジスト１０４を膜厚約
0.2μm〜0.5μm塗布する。
ついて第２図に示すように紫外線露光により、
所望パターン形状のレジストを形成し、全面に膜
厚約0.1μmのクロム等の遮光材料２０１を真空蒸
着法等で堆積する。さらにレジスト剥離液に全体
を浸漬し、リフトオフ法により第３図に示すよう
に所望形状の遮光３０１を形成する。この時点で
従来の光学マスク検査及びレーザー等を用いたパ
ターン修正技術により完全なパターンを形成す
る。
所望パターン形状のレジストを形成し、全面に膜
厚約0.1μmのクロム等の遮光材料２０１を真空蒸
着法等で堆積する。さらにレジスト剥離液に全体
を浸漬し、リフトオフ法により第３図に示すよう
に所望形状の遮光３０１を形成する。この時点で
従来の光学マスク検査及びレーザー等を用いたパ
ターン修正技術により完全なパターンを形成す
る。
第４図において、再びレジスト膜４０１を堆積
するが、この際、膜厚が0.5〜2μmの厚さに塗布
し、その後、紫外光をＸ線ならびに紫外光透過膜
１０２の裏面より一括照射すると遮光層３０１と
レジスト膜４０１とが完全に密着した状態でエネ
ルギー照射を行うことができる。すなわち光を用
いていながら光の回折効果をなくすことができ
る。また紫外光での露光はコントラストが大きい
がため遮光材料２０１を薄くでき、パターン加工
精度も大きくしやすい。レジストが、例えばポジ
型であれば第５図に示すようなレジストパターン
５０１が得られる。その後、全面にＸ線吸収層素
材となる膜厚0.3μm〜0.8μmの重金属素材、例え
ばAu，Ag，Ｗ等の６０１を堆積する（第６図）。
するが、この際、膜厚が0.5〜2μmの厚さに塗布
し、その後、紫外光をＸ線ならびに紫外光透過膜
１０２の裏面より一括照射すると遮光層３０１と
レジスト膜４０１とが完全に密着した状態でエネ
ルギー照射を行うことができる。すなわち光を用
いていながら光の回折効果をなくすことができ
る。また紫外光での露光はコントラストが大きい
がため遮光材料２０１を薄くでき、パターン加工
精度も大きくしやすい。レジストが、例えばポジ
型であれば第５図に示すようなレジストパターン
５０１が得られる。その後、全面にＸ線吸収層素
材となる膜厚0.3μm〜0.8μmの重金属素材、例え
ばAu，Ag，Ｗ等の６０１を堆積する（第６図）。
ついで、リフトオフ工程と呼ばれるレジスト及
びレジスト上の不用の金属をレジスト剥離液によ
る除去を行い、所望のＸ線吸収体パターン７０１
を形成する（第７図）。紫外線遮光層３０１はウ
エツトエツチング等により除去してもよいが、膜
厚が薄いうえ、Ｘ線吸収率の低い素材を用いるこ
とができるためそのまま残存させておいてもよ
い。
びレジスト上の不用の金属をレジスト剥離液によ
る除去を行い、所望のＸ線吸収体パターン７０１
を形成する（第７図）。紫外線遮光層３０１はウ
エツトエツチング等により除去してもよいが、膜
厚が薄いうえ、Ｘ線吸収率の低い素材を用いるこ
とができるためそのまま残存させておいてもよ
い。
次に、紫外線露光用レジストにネガ型レジスト
を用いる場合の実施例を以下に示す。
を用いる場合の実施例を以下に示す。
第８図はＸ線及び紫外光透過膜８０２を支持構
造、例えば、Siリング８０１に固定するとともに
その周囲を治具８０３で保護固定し、透過膜８０
２上にメツキ電導層となる膜厚約0.1μmの金層８
０４及び膜厚0.2〜0.5μmのレジスト８０５を堆積
した状態を示す。
造、例えば、Siリング８０１に固定するとともに
その周囲を治具８０３で保護固定し、透過膜８０
２上にメツキ電導層となる膜厚約0.1μmの金層８
０４及び膜厚0.2〜0.5μmのレジスト８０５を堆積
した状態を示す。
第９図において、まず、電子線露光等によりレ
ジストパターン９０１を形成し、さらに該レジス
ト膜をマスクに下地のメツキ電導層をイオンミリ
ング等によりエツチング除去する。この時点で、
パターン検査を行い、必要に応じてパターン修正
を行う。第１０図にレジストを剥離した状態を示
す。１００１はパターン化したメツキ下地層兼紫
外光遮光パターンを示している。ついで第１１図
に示すように紫外線ネガレジスト１１０１を膜厚
0.5μm〜2μm堆積し、基板裏面から紫外光を一括
照射する。
ジストパターン９０１を形成し、さらに該レジス
ト膜をマスクに下地のメツキ電導層をイオンミリ
ング等によりエツチング除去する。この時点で、
パターン検査を行い、必要に応じてパターン修正
を行う。第１０図にレジストを剥離した状態を示
す。１００１はパターン化したメツキ下地層兼紫
外光遮光パターンを示している。ついで第１１図
に示すように紫外線ネガレジスト１１０１を膜厚
0.5μm〜2μm堆積し、基板裏面から紫外光を一括
照射する。
これを現像し、第１２図に示すごとくメツキ下
地層を除去して紫外光の透過してきた部分だけレ
ジスト１２０１が残存する。さらに、メツキ液に
浸漬メツキ、例えば膜厚0.3〜1μmに金メツキを
行うと、第１３図に示すようなＸ線吸収体パター
ン１３０１が得られる。金メツキをする必要のな
い部分はメツキ電導層がなく、しかも厚く急峻な
レジストでおおわれているため、良好な選択メツ
キを行うことができる。
地層を除去して紫外光の透過してきた部分だけレ
ジスト１２０１が残存する。さらに、メツキ液に
浸漬メツキ、例えば膜厚0.3〜1μmに金メツキを
行うと、第１３図に示すようなＸ線吸収体パター
ン１３０１が得られる。金メツキをする必要のな
い部分はメツキ電導層がなく、しかも厚く急峻な
レジストでおおわれているため、良好な選択メツ
キを行うことができる。
ついで、不用になつたレジストを除去すると、
第１４図に示すような所望のＸ線露光用マスク１
４０１が得られる。
第１４図に示すような所望のＸ線露光用マスク１
４０１が得られる。
本発明は、Ｘ線透過基板に紫外光透過材料を用
いるため、レジストと金属パターンとを完全に密
着した状態で裏面から紫外線照射を行い、厚いＸ
線吸収体パターン形成に必要な矩形性のよいレジ
ストパターンを得ることができる。
いるため、レジストと金属パターンとを完全に密
着した状態で裏面から紫外線照射を行い、厚いＸ
線吸収体パターン形成に必要な矩形性のよいレジ
ストパターンを得ることができる。
また、Ｘ線吸収体パターン形状又はそれと相補
の形状の紫外光遮光層を形成した段階でパターン
形成及び修正を行うことができ、しかも、従来の
光学検査手法ならびに修正方法を採用できる。
の形状の紫外光遮光層を形成した段階でパターン
形成及び修正を行うことができ、しかも、従来の
光学検査手法ならびに修正方法を採用できる。
さらに、精度を要する工程が紫外線遮光層の形
成工程となるため、きわめて薄い膜の加工で足
り、きわめて高精度に加工できる。例えば、Si等
の軽元素を用いることもできるのはもとより、膜
厚も500Å程度ですむため、堆積及び加工工程が
きわめて簡単となる。
成工程となるため、きわめて薄い膜の加工で足
り、きわめて高精度に加工できる。例えば、Si等
の軽元素を用いることもできるのはもとより、膜
厚も500Å程度ですむため、堆積及び加工工程が
きわめて簡単となる。
以上のように本発明によれば、パターン修正を
薄い金属膜状態で行えるため、従来の光学用マス
ク修正技術を用いることができ、しかもそれ以後
の工程はきわめて簡単となり、欠陥密度を増やす
ことなく厚膜Ｘ線吸収体パターンが形成でき、き
わめて高品質のＸ線マスクを簡単にうることがで
きる効果を有する。
薄い金属膜状態で行えるため、従来の光学用マス
ク修正技術を用いることができ、しかもそれ以後
の工程はきわめて簡単となり、欠陥密度を増やす
ことなく厚膜Ｘ線吸収体パターンが形成でき、き
わめて高品質のＸ線マスクを簡単にうることがで
きる効果を有する。
第１図〜第７図は本発明の第１の実施例の工程
の説明図、第８図〜第１４図は本発明の第２の実
施例の工程の説明図である。 １０１……支持構造，１０２……Ｘ線及び紫外
光透過膜、１０３……固定及び保護治具、１０４
……レジスト、２０１……紫外光遮光材、３０１
……紫外光遮光マスクパターン、４０１……紫外
線露光用レジスト、５０１……紫外線露光用レジ
ストのパターン、６０１……Ｘ線吸収素材、７０
１……Ｘ線吸収体パターン、８０１……支持構
造、８０２……Ｘ線及び紫外光透過膜、８０３…
…固定及び保護治具、８０４……メツキ下地層、
８０５……レジスト、９０１……レジストパター
ン、１００１……パターン化したメツキ下地層兼
紫外光遮光パターン、１１０１……紫外線露光用
レジスト、１２０１……紫外線露光用レジストの
パターン、１３０１……Ｘ線吸収体パターン、１
４０１……Ｘ線露光用マスク。
の説明図、第８図〜第１４図は本発明の第２の実
施例の工程の説明図である。 １０１……支持構造，１０２……Ｘ線及び紫外
光透過膜、１０３……固定及び保護治具、１０４
……レジスト、２０１……紫外光遮光材、３０１
……紫外光遮光マスクパターン、４０１……紫外
線露光用レジスト、５０１……紫外線露光用レジ
ストのパターン、６０１……Ｘ線吸収素材、７０
１……Ｘ線吸収体パターン、８０１……支持構
造、８０２……Ｘ線及び紫外光透過膜、８０３…
…固定及び保護治具、８０４……メツキ下地層、
８０５……レジスト、９０１……レジストパター
ン、１００１……パターン化したメツキ下地層兼
紫外光遮光パターン、１１０１……紫外線露光用
レジスト、１２０１……紫外線露光用レジストの
パターン、１３０１……Ｘ線吸収体パターン、１
４０１……Ｘ線露光用マスク。
Claims (1)
- １ 軟Ｘ線及び紫外光を透過するＸ線透過膜を支
持構造体に固定する工程と、該膜上に紫外光を遮
光する薄い所望パターンあるいは所望パターンと
相補の薄いパターンを形成する工程と、該パター
ン上に感光樹脂を堆積する工程と、Ｘ線透過膜の
前記遮光層のない面から紫外光を一括照射し、現
像プロセスにより感光樹脂パターンを形成する工
程と、感光樹脂にポジ型を用いた場合に全面に軟
Ｘ線吸収素材を堆積し、リフトオフ工程により所
望の厚膜Ｘ線吸収層を形成する工程、又は感光樹
脂にネガ型レジストを用いた場合にリフトオフ若
しくは連続した紫外遮光層を導電層として選択メ
ツキにより厚膜Ｘ線吸収層を形成する工程とから
なることを特徴とするＸ線露光用マスクの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58205236A JPS6097355A (ja) | 1983-11-01 | 1983-11-01 | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58205236A JPS6097355A (ja) | 1983-11-01 | 1983-11-01 | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6097355A JPS6097355A (ja) | 1985-05-31 |
| JPH0464170B2 true JPH0464170B2 (ja) | 1992-10-14 |
Family
ID=16503657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58205236A Granted JPS6097355A (ja) | 1983-11-01 | 1983-11-01 | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6097355A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0057268A3 (en) * | 1981-02-02 | 1982-11-10 | International Business Machines Corporation | Method of fabricating x-ray lithographic masks |
-
1983
- 1983-11-01 JP JP58205236A patent/JPS6097355A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6097355A (ja) | 1985-05-31 |
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