JPH0465143A - ウェハテスト方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体ウェハに形成された半導体素子につ
いて、複数の測定項目の電気的特性を測定するウェハテ
スト方法に関する。

〔従来の技術〕

従来、ウェハテストを行う場合、第４図に示すように半
導体ウェハ１に形成された複数個の半導体素子２に測定
用探針を接触し、各半導体素子２ごとに複数の測定項目
の電気的特性を測定し、各半導体素子２それぞれの各測
定項目の測定値か規格を満たしているか否かを判定し、
測定値が規格を満たしていない場合には、規格を満たし
ていない半導体素子２に、不良であることを示すインク
マーク３を付ける。

ここで、第４図において、Ｐはウェハ１の中心点、Ｌは
ウェハ１の中心線を示す。

そして、第５図は、第４図に示すウェハ１の中心線りに
沿った半導体素子２のある測定項目の測定値をプロット
したものであり、横軸はウェハ１の中心点Ｐを基準とし
たときの距離を、縦軸は電圧値をそれぞれ表わしており
、ＴＨＵ及びＴ　Ｈｌ。

は電圧値の上限規格値及び下限規格値を示している。

ところで、従来のウェハテスト方法の具体的手順につい
て第４図を参照して説明すると、ウェハ１の端部の半導
体素子２から順に、各半導体素子２ごとに複数の測定項
目の電気的特性を１番目の項目から測定し、各測定項目
ごとに測定値が所定の規格値を満足しているか否を判定
し、満足していなければ不良品として当該半導体素子２
にインクマーク３を付け、規格値を満足していれば当該
半導体素子２を良品と判定し、インクマーク３は付けな
い。

そして、ある半導体素子２について各測定項目の電気的
特性の測定中に、ある測定項目において不良を検出しな
ければ次の測定項目に移行し、不良を検出すればそれ以
降の測定項目に移行せずに測定を中止するいわゆる「フ
ェイル・ストップ・モード」による測定が一般的であり
、従って良品の半導体素子２については全測定項目の測
定が行われることになる。

ところで、一般の半導体ウェハでは、半導体ウェハの端
部において不良素子が多く発生し、中央部では統計的に
ほとんど不良素子か発生することはなく、第５図に示す
ように、各電気的特性もウェハ端部では下限規格値を下
回るか、或いは上限規格値を上回る値になるが、中央部
では上限規格値と下限規格値のほぼ中間付近に安定して
分布している場合が多い。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来のウェハテスト方法では、ウニ／＼１に形成された
全半導体素子２についてフェイル・ストップ・モードに
よる測定が行われ、前述のように不良素子がまず発生す
ることのないウェハ１の中央部の半導体素子２について
は全測定項目の測定か必ず行われるため、１枚の半導体
ウエノ１全体の測定時間を短縮するには限界があり、ス
ループ・ソトの向上を図ることがてきないという問題点
があった。

この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、１枚の半導体ウェハ全体の測定時間を大幅
に短縮し、スルーブツトの向上を図れるようにすること
を目的とする。

〔課題を解決するだめの手段〕

この発明のウェハテスト方法は、半導体ウェハに形成さ
れた複数個の半導体素子に測定用探針を接触し、前記各
半導体素子ごとに複数の測定項目の電気的特性を順次に
測定し、前記各半導体素子それぞれの前記各測定項目の
測定値が規格を満たしているか否かを調べるウェハテス
ト方法において、前記半導体ウェハ上に所定の基準点を
定め、測定対象となる前記半導体素子の前記基準点に対
する位置によって電気的特性の測定項目を変えることを
特徴としている。

〔作用〕

この発明においては、半導体ウェハ上の所定の基準点に
対する測定対象となる半導体素子の位置によって、電気
的特性の測定項目を変えるため、所定の半導体素子につ
いて主要な測定項目以外の測定項目の省略が可能になり
、歩留り等にほとんど影響を与えることなく、１枚の半
導体ウェハ全体の測定時間の短縮か図れ、スループット
が大幅に向上する。

〔実施例〕

第１図はこの発明のウェハテスト方法の一実施例の平面
図である。

第１図に示すように、半導体ウエノ＼１の中心点Ｐを基
準点とし、間中の破線に示すような基準点Ｐから半径Ｒ
の円Ｃの内側（円Ｃ上も含む）の半導体素子２と外側の
半導体素子２とで電気的特性の測定項目を変える。

このとき、半径Ｒは、統計的に得られる最適な値に設定
される。

例えば全測定項目をＮＱ、１〜Ｎ０３０の３０項目とし
、統計上、ＮＯ，１６〜Ｎｏ、　３０の測定項目に対し
て、円Ｃの内側の半導体素子２が規格値を満足すること
が明らかである場合において、具体的なテスト手順を第
２図のフローチャートを参照して説明する。

いま、従来と同様にウェハ１の端部の半導体素子２から
テストを行うが、ある半導体素子２のテストがスタート
すると、センサの検知データから、測定する半導体素子
２が円Ｃの内側にあるかどうかの判定がなされ（ステッ
プＳｌ）円Ｃの外側にあると判定されれば、全測定項目
Ｎ０１１〜Ｎｏ、　３０の測定が実行され（ステップＳ
２）、円Ｃの内側ニあると判定されれば、Ｎｏ、１６〜
Ｎα３０の測定項目よりも不良の発生する確率の高いＮ
ｏ、　１〜Ｎα１５の測定項目の測定が実行される（ス
テップＳ３）。

その後、良品、不良品の測定がなされるが（ステップＳ
４）、前述の各測定項目の測定値が規格値を満足してい
れば良品と判定されて次の半導体素子２のテストに移行
し、いずれかの測定項目の測定値が規格値を満足してい
ないと判定された時点で、当該半導体素子２が不良品と
判断されてインクマークが捺印され（ステップＳ５）、
以後の測定項目の測定は中止されて次の半導体素子２の
テストに移行する。

従って、円Ｃの内側の半導体素子２については、従来の
ように全測定項目の測定は行われず、半分に相当するＮ
ｏ、　１〜Ｎｏ、　１５の測定項目の測定だけか行われ
るため、歩留り等にほとんど影響を与えず、１枚の半導
体ウェハ１の全体の測定に要する時間を短縮することが
でき、スルーブツトの向上ヲ図ることが可能となる。

第３図はこの発明の他の実施例のフローチャートであり
、以下に第１図及び第３図を参照してテスト手順につい
て説明する。

いま、ある半導体素子２のテストがスタートすると、セ
ンサの検出データから、測定する半導体素子２が半導体
ウニハコの中心点Ｐから半径Ｒの円Ｃの内側（円Ｃ上も
含む）にあるかどうかの判定がなされ（ステップＴ１）
、円Ｃの外側にあると判定されれば、全測定項目胤１〜
Ｎｆ１３０の測定が実行され（ステップＴ２）、円Ｃの
内側にあると判定されれば、それまでに円Ｃの内側の半
導体素子２を２０個以上測定したか否かの判定かなされ
る（ステップＴ３）。

そして、測定した円Ｃの内側の半導体素子２の個数が２
０個に達していなければ、円Ｃの内側の半導体素子２て
あってもＮ０９１〜Ｎ０３０の全測定項目の測定が実行
され（ステップＴ２）、２０個に達していると判定され
ると、すてに測定した円Ｃの内側の２０個の半導体素子
２に対する測定項目Ｎｏ、　１６〜Ｎｏ、　３０の測定
結果から、不良率かセロか否かの判定がなされ（ステッ
プＴ４）、不良率がゼロでなければ、即ち不良が発生し
ていれば、円Ｃの内側の半導体素子２であってもＮ０１
１〜Ｎｏ、３０の全測定項目の測定が実行される（ステ
ップＴ２）。

一方、不良率がゼロであれば、測定項目磁１６〜Ｎα３
０に対する円Ｃの内側の全半導体素子２の不良率はゼロ
であると判断され、円Ｃの内側の２１個目の以降の半導
体素子２については、測定項目Ｎα１６〜Ｎｏ、３０の
測定を行わずに、測定項目Ｎｏ。

１〜Ｎｏ、１５の測定のみが実行される（ステップＴ５
）。

その後、良品、不良品の判定かなされるが（ステップＴ
６）、前述の測定項目の測定値が規格値を満足していれ
ば良品と判定されて次の半導体素子２のテストに移行し
、いずれかの測定項目の測定値が規格値を満足していな
いと判定された時点て、当該半導体素子２が不良品と判
断されてインクマークが捺印され（ステップＴ７）、以
後の測定は中止されて次の半導体素子２のテストに移行
する。

ところで、この場合も従来と同様に半導体ウェハ１の端
部の半導体素子２から順次に測定される。

従って、このようなテスト方法により、円Ｃの内側の２
１個目以降の半導体素子２に対しては、測定項目陽、１
６〜Ｎｏ、　３０の測定は行われずに測定項目Ｎｏ、　
１〜Ｎα１５の測定のみが行われるため、歩留り等に影
響を与えることがなく、従来に比べて１枚の半導体ウェ
ハ１の全体の測定に要する時間を短縮することができ、
スルーブツトの向上を図ることが可能となる。

なお、上記実施例では、測定項目を省略する場合につい
て説明したか、簡易な内容の項目に変更するようにして
もよい。

また、上記実施例では、半導体ウェハ１の中心点を中心
とする円の内、外の半導体素子２て測定項目を変えるよ
うにしたか、これに限るものではなく、半導体ウェハ１
上の基準点に対する位置関係によって測定項目を変える
ようにすればよい。

さらに、測定項目の変更も、前述したように全項目とそ
の半分の項目とに限らず、他の統計的手法を応用して適
宜変更する測定項目を選択してもよいのは勿論である。

また、上記的の実施例において、円Ｃの内側の２０個の
半導体素子２について測定項目Ｎｏ、　１６　＝Ｎｏ、
　３０に対する不良率を判定したが、特に２０個に限ら
れるものでないのは言うまでもない。

〔発明の効果〕

以上のように、この発明のウェハテスト方法によれば、
半導体ウェハ上の所定の基準点に対する測定対象となる
半導体素子の位置によって、電気的特性の測定項目を変
えることにより、所定の半導体素子について主要な測定
項目以外の測定項目の省略か可能になるため、歩留り等
にほとんど影響を与えることかなく、１枚の半導体ウェ
ハ全体の測定時間を短縮することができ、スループット
を従来よりも大幅に向上することかできる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明のウェハテスト方法の一実施例の平面
図、第２図は第１図の動作説明用フロチャート、第３図
はこの発明の他の実施例の動作説明用フローチャート、
第４図は従来のウェハテスト方法に供される半導体ウェ
ハの平面図、第５図は第４図の半導体ウェハにおける測
定データの分布図である。 図において、］は半導体ウェハ、２は半導体素子、Ｐは
基準点である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）　半導体ウェハに形成された複数個の半導体素子
   に測定用探針を接触し、前記各半導体素子ごとに複数の
   測定項目の電気的特性を順次に測定し、前記各半導体素
   子それぞれの前記各測定項目の測定値が規格を満たして
   いるか否かを調べるウェハテスト方法において、 前記半導体ウェハ上に所定の基準点を定め、測定対象と
   なる前記半導体素子の前記基準点に対する位置によって
   電気的特性の測定項目を変えることを特徴とするウェハ
   テスト方法。