JPH0465343A - 酸化物超伝導線材の製造方法 - Google Patents
酸化物超伝導線材の製造方法Info
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- JPH0465343A JPH0465343A JP2176867A JP17686790A JPH0465343A JP H0465343 A JPH0465343 A JP H0465343A JP 2176867 A JP2176867 A JP 2176867A JP 17686790 A JP17686790 A JP 17686790A JP H0465343 A JPH0465343 A JP H0465343A
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は、B1−Pb−5r−Ca−Cu −0系酸
化物超伝導体、具体的にはPbを含むBi zsrzc
azcus OF系、即ち(Bi、Pb)z(Sr、P
b)xcazcuxOyで表される(従来の技術) Bi −Pb−5r−Ca−Cu−0系酸化物超伝導体
には、臨界温度(Tc)が高い相[(Bi、Pb)r(
Sr、Pb)gcazcu*Oy、これを(2223)
相という]と、Tcの低い相((Bi、Pb)z(Sr
、Pb)zca+cuzO*、これを(2212)相と
いう)とがあって、高Tc相は液体窒素温度(71K>
よりも31にも高い108にで抵抗がOΩとなる。一方
、低Tc相では抵抗が0Ωになるのは80 Kである。
化物超伝導体、具体的にはPbを含むBi zsrzc
azcus OF系、即ち(Bi、Pb)z(Sr、P
b)xcazcuxOyで表される(従来の技術) Bi −Pb−5r−Ca−Cu−0系酸化物超伝導体
には、臨界温度(Tc)が高い相[(Bi、Pb)r(
Sr、Pb)gcazcu*Oy、これを(2223)
相という]と、Tcの低い相((Bi、Pb)z(Sr
、Pb)zca+cuzO*、これを(2212)相と
いう)とがあって、高Tc相は液体窒素温度(71K>
よりも31にも高い108にで抵抗がOΩとなる。一方
、低Tc相では抵抗が0Ωになるのは80 Kである。
従って、高Tc相と低Tc相の混合比によって臨界温度
は変化し前者が多いほど臨界温度は高くなる。
は変化し前者が多いほど臨界温度は高くなる。
高Tc相の比率が高い線材、例えば、体積比で95%以
上の線材が得られれば、リニアモーターのマグネット、
電気エネルギー貯蔵用のストレージなどに大きな市場が
開けるものと予想される。
上の線材が得られれば、リニアモーターのマグネット、
電気エネルギー貯蔵用のストレージなどに大きな市場が
開けるものと予想される。
従来のBi −Pb−3r−Ca−Cu−0系酸化物超
伝導物質の製造法は次のようなものである。即ち、まず
Bi2O2、Pbo、CaCO5,5rCO,、Cu、
Oの各粉末(本発明では、これらを「酸化物系原料粉末
」という)を旧:Pb:Sr:Ca:Cu=0.8:0
.2:0.8:1.0:1.4の割合で配合し、粉砕助
剤としてアセトンを添加して混合する。混合した原料粉
末を大気中で約800 ”C110時間程度の条件で焼
成し、得られた粉末をさらに粉砕する。この粉末を50
00kg/cm”程度の圧力でベレットに成形し、さら
に850〜875°C110〜50時間大気中で焼結す
る。 (例えば、Japanese Journalo
f Applied Physlcs+νol 28.
N1112.1989.PP、L2]82L2184参
照) 一方、Bi系酸化物超伝導物質の線材化に関しても多く
の研究成果が発表されている。一般に酸化物系超伝導物
質は、金属材料のようにそのままでは線引きができない
ので、銀シース法と呼ばれる方法が線材製造の主流であ
る。この方法は、銀のパイプに酸化物粉末を詰めて線引
きし、熱処理を施して超伝導線材にする方法である。
伝導物質の製造法は次のようなものである。即ち、まず
Bi2O2、Pbo、CaCO5,5rCO,、Cu、
Oの各粉末(本発明では、これらを「酸化物系原料粉末
」という)を旧:Pb:Sr:Ca:Cu=0.8:0
.2:0.8:1.0:1.4の割合で配合し、粉砕助
剤としてアセトンを添加して混合する。混合した原料粉
末を大気中で約800 ”C110時間程度の条件で焼
成し、得られた粉末をさらに粉砕する。この粉末を50
00kg/cm”程度の圧力でベレットに成形し、さら
に850〜875°C110〜50時間大気中で焼結す
る。 (例えば、Japanese Journalo
f Applied Physlcs+νol 28.
N1112.1989.PP、L2]82L2184参
照) 一方、Bi系酸化物超伝導物質の線材化に関しても多く
の研究成果が発表されている。一般に酸化物系超伝導物
質は、金属材料のようにそのままでは線引きができない
ので、銀シース法と呼ばれる方法が線材製造の主流であ
る。この方法は、銀のパイプに酸化物粉末を詰めて線引
きし、熱処理を施して超伝導線材にする方法である。
(発明が解決しようとする課!!!り
前記の従来法で焼結したB1−Pb−3r−Ca−Cu
−0系超伝導体では、高Tc用の体積割合は最大でも
80%前後であり、抵抗の温度変化を調べると104に
前後でしかOΩとならず、超伝導遷移幅が広い。
−0系超伝導体では、高Tc用の体積割合は最大でも
80%前後であり、抵抗の温度変化を調べると104に
前後でしかOΩとならず、超伝導遷移幅が広い。
二の原因は高Tc用が十分に成長していないことによる
と思われる。
と思われる。
線材においても同様であり、銀ンース管内の超伝導!!
!71質中の高Tc用の比率が低いため、臨界電流密度
は高くならない。
!71質中の高Tc用の比率が低いため、臨界電流密度
は高くならない。
本発明の目的は、高Tc用の比率が憂く、臨界温度およ
び臨界電流密度が高いB1−Pb−5r−Ca−CuO
系超伝導線材を得ることにある。
び臨界電流密度が高いB1−Pb−5r−Ca−CuO
系超伝導線材を得ることにある。
(課題を解決するための手段)
Bi −Pb−5r−Ca−Cu−0系酸化物超伝導体
において、高Tc用が体積割合で95%以上にならない
原因は、高Tc用の生成温度範囲が狭いこと、およびそ
の生成に異方性があるため薄い板状になり、未反応物が
多く残ることにあると考えられる。
において、高Tc用が体積割合で95%以上にならない
原因は、高Tc用の生成温度範囲が狭いこと、およびそ
の生成に異方性があるため薄い板状になり、未反応物が
多く残ることにあると考えられる。
通常の方法で作製した試料のミクロ&l1w1を観察す
ると、Ca1Cu03、Ca2PbO4、CuOなどの
未反応物の大きい粒子が残っている。仮焼粉や種々の温
度で焼成した試料を調べた結果、仮焼粉中には大きい粒
子の未反応物はなく焼結中に成長して大きくなったもの
であることがわかった。しかし、最初から高Tc用の組
成比に配合した原料を未反応相の粒成長が往しないよう
な低温で焼結しても高Tc用は生成しない、一方、低温
焼結した試料を分析して見ると、高Tc用は低Tc相(
2212)系とCazCuOl、CazPbOm、Cu
Oなどが反応して生成することが判明した。
ると、Ca1Cu03、Ca2PbO4、CuOなどの
未反応物の大きい粒子が残っている。仮焼粉や種々の温
度で焼成した試料を調べた結果、仮焼粉中には大きい粒
子の未反応物はなく焼結中に成長して大きくなったもの
であることがわかった。しかし、最初から高Tc用の組
成比に配合した原料を未反応相の粒成長が往しないよう
な低温で焼結しても高Tc用は生成しない、一方、低温
焼結した試料を分析して見ると、高Tc用は低Tc相(
2212)系とCazCuOl、CazPbOm、Cu
Oなどが反応して生成することが判明した。
そこで、まず低Tc相の組成となるように配合した原料
を比較的高温で焼結し、得られた低Tc相の粉末に残余
の原料(低Tc相の組成を補って、高Tc用を生成させ
るように配合された原料)を混合して、比較的低温で熱
処理すれば、高Tc用が高い比率で生成するものと予想
される。
を比較的高温で焼結し、得られた低Tc相の粉末に残余
の原料(低Tc相の組成を補って、高Tc用を生成させ
るように配合された原料)を混合して、比較的低温で熱
処理すれば、高Tc用が高い比率で生成するものと予想
される。
上記のような調査結果に基づいてなされた本発明は、下
記の工程を特徴とする高Tc用の比率の高い超伝導線材
の製造方法を要旨とする。
記の工程を特徴とする高Tc用の比率の高い超伝導線材
の製造方法を要旨とする。
■ Bigot、PbO,CaCO5,5rCO,、C
uxO等の酸化物系原料粉末を、(2212)相の組成
となるように配合し焼結し粉砕して、低Tc相、即ち(
2212)系の酸化物粉末(これを第1の粉末とする)
を作る。
uxO等の酸化物系原料粉末を、(2212)相の組成
となるように配合し焼結し粉砕して、低Tc相、即ち(
2212)系の酸化物粉末(これを第1の粉末とする)
を作る。
■ 別に上記の酸化物系原料粉末を、上記の第1の粉末
と配合されて高Tc用、即ち、(2223)の組成とな
るように配合して焼成して粉末(これを第2の粉末とす
る)を作る。
と配合されて高Tc用、即ち、(2223)の組成とな
るように配合して焼成して粉末(これを第2の粉末とす
る)を作る。
■ 第1の粉末と第2の粉末を混合して銀のシース管に
詰め、抽伸、圧延などによって線材とする。
詰め、抽伸、圧延などによって線材とする。
この場合、線材はテープ状とし、プレス加工等によって
内部の超伝導体の層をできるだけ薄くするのが望ましい
。
内部の超伝導体の層をできるだけ薄くするのが望ましい
。
■ その後に前記■の焼結温度よりも低い温度で熱処理
を施す。
を施す。
第1回は、本発明方法を説明する工程概略ズである0図
示のとおり、本発明方法は、第1の粉末(低Tc相の粉
末)と、第2の粉末とを別々に製造するのが大きな特徴
である。
示のとおり、本発明方法は、第1の粉末(低Tc相の粉
末)と、第2の粉末とを別々に製造するのが大きな特徴
である。
第1図の工程における(a)の焼成および(C)の成形
は、必須ではないが、後の工程における原料粉末の反応
性を高めるためにこの工程を経るのが望ましい、(a)
の焼成温度は、700〜800°Cとするのがよい、(
C)の成形と(d3の焼結によって反応性に冨む低Tc
相が生成する。(C)および(d)の成形と焼結は、間
に粉砕工程を挾んで2回以上繰り返してもよい。
は、必須ではないが、後の工程における原料粉末の反応
性を高めるためにこの工程を経るのが望ましい、(a)
の焼成温度は、700〜800°Cとするのがよい、(
C)の成形と(d3の焼結によって反応性に冨む低Tc
相が生成する。(C)および(d)の成形と焼結は、間
に粉砕工程を挾んで2回以上繰り返してもよい。
(b)の焼成は、750〜850°Cで行うのが望まし
い。
い。
750°Cより低いと炭酸塩の分解が不十分であり、8
50“Cより高いと粒子が粗大化して粉砕混合が難しい
。
50“Cより高いと粒子が粗大化して粉砕混合が難しい
。
上記の工程でそれぞれ別々に製造した粉末を例えば、l
: 0.192 (重量比)の割合で混合する。
: 0.192 (重量比)の割合で混合する。
そうすると高Tc相(2223)の組成比になる。この
混合粉を銀シース管に充填しく(e)の工程)、抽伸、
圧延などにとって所定寸法の線材とする((f)の工程
)。
混合粉を銀シース管に充填しく(e)の工程)、抽伸、
圧延などにとって所定寸法の線材とする((f)の工程
)。
加工の後に、熱処理を施す((8)の工程)。この熱処
理は830〜840°Cで行う。従来の方法で最も多く
(2223)相が生成する845°Cという温度で熱
処理するとCatCuO+などを含む第2の粉末中の化
合物が粗大化する。
理は830〜840°Cで行う。従来の方法で最も多く
(2223)相が生成する845°Cという温度で熱
処理するとCatCuO+などを含む第2の粉末中の化
合物が粗大化する。
なお、(f)の加工と(g)の熱処理は、繰り返して複
数回実施してもよい。
数回実施してもよい。
(作用)
酸化物系原料粉末を最初から(2223)相となる組成
比に配合して焼成する通常の焼結法においては、焼成粉
中に生成している低Tc相が焼結過程で残りの成分(未
反応成分)と反応して高Tc相となる。
比に配合して焼成する通常の焼結法においては、焼成粉
中に生成している低Tc相が焼結過程で残りの成分(未
反応成分)と反応して高Tc相となる。
しかし、通常の焼結温度では、未反応成分からなる化合
物は粒成長し、低Tc相と反応する機会が減少する。こ
れが高Tc相が生成しにくくなる原因である。
物は粒成長し、低Tc相と反応する機会が減少する。こ
れが高Tc相が生成しにくくなる原因である。
ところが、低Tc相を予め前記の温度で焼結しておくと
低Tc相が反応しやすくなる。そこでこの低Tc相に残
余の成分を混合し、通常の温度よりも低い温度で熱処理
すると、残余成分からなる化合物の粒成長が抑えられ、
高Tc相が生成しやすくなるのである。
低Tc相が反応しやすくなる。そこでこの低Tc相に残
余の成分を混合し、通常の温度よりも低い温度で熱処理
すると、残余成分からなる化合物の粒成長が抑えられ、
高Tc相が生成しやすくなるのである。
以下、実施例により本発明の効果を具体的に説明する。
■第1の粉末の作製;
BixOx、PbO5SrCO*、CaCO5、CuO
粉末をBil、y+Pl)o、ssr+、sca+、5
cuz o、 (組成1)となるように混合し、800
″Cで24時間焼成した後、粉砕し、15mmφ×11
tに圧縮成形して840°C×24時間焼結して粉砕し
た。こうして得た第1の粉末はほぼ全体が低Tc相であ
った。
粉末をBil、y+Pl)o、ssr+、sca+、5
cuz o、 (組成1)となるように混合し、800
″Cで24時間焼成した後、粉砕し、15mmφ×11
tに圧縮成形して840°C×24時間焼結して粉砕し
た。こうして得た第1の粉末はほぼ全体が低Tc相であ
った。
■第2の粉末の作製:
上記の原料粉末を
Pbo、 +xSro、 z+cao、 bacu+
Oy (u成2)となるように混合し、800°Cで2
4時間焼成し粉砕して第2粉末を作製した。この粉末は
CazPbO,、CazCu03、CuOの混合物であ
った。
Oy (u成2)となるように混合し、800°Cで2
4時間焼成し粉砕して第2粉末を作製した。この粉末は
CazPbO,、CazCu03、CuOの混合物であ
った。
■線材の製造:
■の工程で得られた粉末と、■の工程で得られた粉末を
重量比で1:0.192に混合し、この混合粉末を内径
9mm、外径1111+1の銀パイプに充填した。
重量比で1:0.192に混合し、この混合粉末を内径
9mm、外径1111+1の銀パイプに充填した。
これをダイス伸線により1IIllφとし、さらにロー
ル圧延で厚さ0.10m5のテープ状とした6次いでこ
れに825〜845°Cで24時間の熱処理を施し、プ
レス加工して0.09su+厚とし、再度同じ条件で熱
処理を行った。こうして得たテープ状線材(超伝導酸化
物層の厚みは約50μm)の臨界電流密度を液体窒素中
で4端子法で測定した。測定結果を第2回に示す、第2
図の横軸は熱処理温度である。
ル圧延で厚さ0.10m5のテープ状とした6次いでこ
れに825〜845°Cで24時間の熱処理を施し、プ
レス加工して0.09su+厚とし、再度同じ条件で熱
処理を行った。こうして得たテープ状線材(超伝導酸化
物層の厚みは約50μm)の臨界電流密度を液体窒素中
で4端子法で測定した。測定結果を第2回に示す、第2
図の横軸は熱処理温度である。
(比較例]
Bi+、 7.Pbo、 43sr1. ff1cal
、C+gOyの組成となるようにBi、0.、Pbo
、SrCO3、CaCO3、CuO粉末を配合して混合
した。この混合粉末を大気中800°Cで24時間焼成
した。この焼成粉を実施例と同じく銀ソース管に充填し
、同じように加工と熱処理を施した。こうして得た線材
の臨界電流密度(測定条件も実施例と同じ)を第2図中
に併記する。
、C+gOyの組成となるようにBi、0.、Pbo
、SrCO3、CaCO3、CuO粉末を配合して混合
した。この混合粉末を大気中800°Cで24時間焼成
した。この焼成粉を実施例と同じく銀ソース管に充填し
、同じように加工と熱処理を施した。こうして得た線材
の臨界電流密度(測定条件も実施例と同じ)を第2図中
に併記する。
第2図から明らかなように、本発明方法で製造した線材
の臨界ii流密度は、比較例(従来の製法)によるもの
より大きい、特に、線材とした後の熱処理温度が、第1
の粉末(低Tc相)を製造する時の焼結温度(840°
C)よりも低い場合に大きな臨界電流密度が得られてい
る。
の臨界ii流密度は、比較例(従来の製法)によるもの
より大きい、特に、線材とした後の熱処理温度が、第1
の粉末(低Tc相)を製造する時の焼結温度(840°
C)よりも低い場合に大きな臨界電流密度が得られてい
る。
(発明の効果)
本発明方法によれば、高Tc相の比率が高く、液体窒素
温度での臨界電流密度が著しく高い超伝導線材が得られ
る。
温度での臨界電流密度が著しく高い超伝導線材が得られ
る。
第1図は、本発明方法の工程の概略図である。
第2図は、本発明方法および従来方法で製造した超伝導
線材の熱処理温度と液体窒素中での臨界電流密度との関
係を示す図である。
線材の熱処理温度と液体窒素中での臨界電流密度との関
係を示す図である。
Claims (1)
- 酸化物系原料粉末を臨界温度が低いBi_2Br_2
Ca_lCu_2O_x系の相の組成となるように配合
して焼結し粉砕した第1の粉末と、同じく酸化物系原料
粉末を、上記の臨界温度が低い相の組成を補って臨界温
度の高いBi_2Sr_2Ca_2Cu_3O_y系の
相の組成となるように配合して焼成した第2の粉末とを
別々に作製し、これらの粉末を混合して銀のシース管に
詰め、これを加工して線材とし、次いで前記臨界温度が
低い相の焼結温度よりも低い温度で熱処理を施すことを
特徴とするPbを含むBi系酸化物超伝導線材の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2176867A JPH0465343A (ja) | 1990-07-03 | 1990-07-03 | 酸化物超伝導線材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2176867A JPH0465343A (ja) | 1990-07-03 | 1990-07-03 | 酸化物超伝導線材の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0465343A true JPH0465343A (ja) | 1992-03-02 |
Family
ID=16021193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2176867A Pending JPH0465343A (ja) | 1990-07-03 | 1990-07-03 | 酸化物超伝導線材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0465343A (ja) |
-
1990
- 1990-07-03 JP JP2176867A patent/JPH0465343A/ja active Pending
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