JPH0465375A - 電子部品用パラジウム薄膜形成方法 - Google Patents
電子部品用パラジウム薄膜形成方法Info
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- JPH0465375A JPH0465375A JP17863890A JP17863890A JPH0465375A JP H0465375 A JPH0465375 A JP H0465375A JP 17863890 A JP17863890 A JP 17863890A JP 17863890 A JP17863890 A JP 17863890A JP H0465375 A JPH0465375 A JP H0465375A
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- Japan
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- palladium
- acid
- thin film
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- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、電子部品材料として使用されるガラスまたは
セラミックスの基材上にパラジウム薄膜を形成する方法
に関するものである。
セラミックスの基材上にパラジウム薄膜を形成する方法
に関するものである。
（従来技術とその問題点）
従来、ガラス、またはセラミックスの基材上−二パラジ
ウムの厚膜ペーストを用いて厚膜を形成し、コンデンサ
ー等に用いられているか、膜厚か２〜３μｍと厚く、１
μｍ以下の薄膜を実現するための努力かなされているか
、パラジウムの微粉末か用いられており、その粒径は０
． ５μｍ以上であるため緻密な薄膜を形成するのか困
難てあり、二のためコンデンサー等のファインパターン
化およびコンパクト化か困難となっている。
ウムの厚膜ペーストを用いて厚膜を形成し、コンデンサ
ー等に用いられているか、膜厚か２〜３μｍと厚く、１
μｍ以下の薄膜を実現するための努力かなされているか
、パラジウムの微粉末か用いられており、その粒径は０
． ５μｍ以上であるため緻密な薄膜を形成するのか困
難てあり、二のためコンデンサー等のファインパターン
化およびコンパクト化か困難となっている。
また、該パラジウムペーストは懸濁液であるためスクリ
ーン印刷法でのみ塗布か可能なため、複雑な形状物上の
塗布については困難であるという欠点かあった。
ーン印刷法でのみ塗布か可能なため、複雑な形状物上の
塗布については困難であるという欠点かあった。
他に、真空スパッタリング法や蒸着法ではパラジウム薄
膜形成の生産性か低く（約２０〜３０％）装置も高価で
あり工業生産上での経済的に欠けるというものであった
。
膜形成の生産性か低く（約２０〜３０％）装置も高価で
あり工業生産上での経済的に欠けるというものであった
。
また、既に有機パラジウムを利用した薄膜形成方法か報
告されているが、従来のものはイオウまたはメルカプタ
ンを含むものであり、このものは他の金属例えば銀電極
等と硫化物を形成するなど不都合を生じ、実質上工業的
には使用不可能であった。
告されているが、従来のものはイオウまたはメルカプタ
ンを含むものであり、このものは他の金属例えば銀電極
等と硫化物を形成するなど不都合を生じ、実質上工業的
には使用不可能であった。
特に、硫化物は非常にもろく、耐久性に欠けるものであ
る。
る。
（発明の目的）
本発明は、上記従来法の欠点を解消するために成された
もので、イ才つを含まない有機パラジウム化合物を用い
て簡便な方法と装置で膜の厚みを従来法の１／２以下に
し、緻密でピンホールのない、均一な１μｍ以下のパラ
ジウム薄膜を形成する方法を提供することを目的とする
。
もので、イ才つを含まない有機パラジウム化合物を用い
て簡便な方法と装置で膜の厚みを従来法の１／２以下に
し、緻密でピンホールのない、均一な１μｍ以下のパラ
ジウム薄膜を形成する方法を提供することを目的とする
。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、ガラス、セラミックスまたは金属の基材上に
有機パラジウム化合物と有機バインダとしての樹脂と有
機溶剤を含む混合溶液を塗布、乾燥、焼成することによ
り、該ガラス、セラミックスまたは金属の基材上に１ミ
クロン以下のパラジウム薄膜を形成することを特徴とす
るパラジウム薄膜形成方法であり、前記有機パランラム
化合物かナフテン酸、アビエチン酸、ステアリン酸、ネ
オデカン酸、デカン酸、またはオクタン酸の有機酸塩あ
るいはアセチルアセトンのパラジウム錯体の１種以上を
含むものである。また、前記混合溶液の塗布方法かスク
リーン印刷、凹版、平版印刷、スピンコーティング、デ
ィッピング法、筆塗り、スタンプ法より選はれるパラジ
ウム薄膜形成方法である。
有機パラジウム化合物と有機バインダとしての樹脂と有
機溶剤を含む混合溶液を塗布、乾燥、焼成することによ
り、該ガラス、セラミックスまたは金属の基材上に１ミ
クロン以下のパラジウム薄膜を形成することを特徴とす
るパラジウム薄膜形成方法であり、前記有機パランラム
化合物かナフテン酸、アビエチン酸、ステアリン酸、ネ
オデカン酸、デカン酸、またはオクタン酸の有機酸塩あ
るいはアセチルアセトンのパラジウム錯体の１種以上を
含むものである。また、前記混合溶液の塗布方法かスク
リーン印刷、凹版、平版印刷、スピンコーティング、デ
ィッピング法、筆塗り、スタンプ法より選はれるパラジ
ウム薄膜形成方法である。
以下本発明の詳細について説明する。
該パラジウムの有機酸塩かパラジウム錯体とするのはそ
れぞれ熱分解温度か３００°Ｃ以下で金属パラジウムに
分解することかてきるとともに、有機バインダとしての
樹脂と共通の有機溶剤で溶解する二とかでき、しかも焼
成すると不純物か残る二とかないからである。
れぞれ熱分解温度か３００°Ｃ以下で金属パラジウムに
分解することかてきるとともに、有機バインダとしての
樹脂と共通の有機溶剤で溶解する二とかでき、しかも焼
成すると不純物か残る二とかないからである。
また、必要により鉛、ビスマス、ケイ素、クロム、ホウ
素、アンチモン、バナジウム、カルシウム、マグネシウ
ム、マンガン、亜鉛、ジルコニウム、バリウム、ストロ
ンチウム、ランタン、およびニオブから成る群よりえら
ばれた１種または２種以上の金属の樹脂酸金属塩を適量
加えることでパラジウム薄膜の密着性を高めることがで
きる。
素、アンチモン、バナジウム、カルシウム、マグネシウ
ム、マンガン、亜鉛、ジルコニウム、バリウム、ストロ
ンチウム、ランタン、およびニオブから成る群よりえら
ばれた１種または２種以上の金属の樹脂酸金属塩を適量
加えることでパラジウム薄膜の密着性を高めることがで
きる。
有機バインダとしての樹脂はエポキシ樹脂、アクリル樹
脂、アルキド樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、ロジン誘
導体樹脂、およびテルペン樹脂から成る群から１種以上
を選び、パラジウム薄膜を均一な厚みに形成するために
塗布、乾燥時にダレ等のない適度の粘性を得ることがで
きるからである。
脂、アルキド樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、ロジン誘
導体樹脂、およびテルペン樹脂から成る群から１種以上
を選び、パラジウム薄膜を均一な厚みに形成するために
塗布、乾燥時にダレ等のない適度の粘性を得ることがで
きるからである。
また、有機溶媒としては、メンタノール、ターピネオー
ル、ブチルカルピトール、メチルエチルケトン、酢酸エ
チル、エチレングリコール、アミルアセテート、セルソ
ルブ、石油エーテル、クロロホルム、ジペンテン、四塩
化炭素、精油等より選んだ１種以上で前記有機パラジウ
ム化合物と樹脂金属塩と有機バインダとしての樹脂を溶
解して均一な溶液状にすることかできるものである。
ル、ブチルカルピトール、メチルエチルケトン、酢酸エ
チル、エチレングリコール、アミルアセテート、セルソ
ルブ、石油エーテル、クロロホルム、ジペンテン、四塩
化炭素、精油等より選んだ１種以上で前記有機パラジウ
ム化合物と樹脂金属塩と有機バインダとしての樹脂を溶
解して均一な溶液状にすることかできるものである。
以上のように有機パラジウム化合物を含む混合溶液の成
分にはイオウか含有していないので、有害となるイオウ
化合物は生成しない。
分にはイオウか含有していないので、有害となるイオウ
化合物は生成しない。
該有機パラジウム化合物を含む混合溶液の成分割合はお
おむね、主成分としての有機パラジウム化合物か１０〜
６５ｗｔ％て、有機バインダとしての樹脂か５〜２０ｗ
ｔ％て、有機溶媒が３０〜４５ｗｔ％である。
おむね、主成分としての有機パラジウム化合物か１０〜
６５ｗｔ％て、有機バインダとしての樹脂か５〜２０ｗ
ｔ％て、有機溶媒が３０〜４５ｗｔ％である。
ガラスまたはセラミックス基材に対しパラジウム薄膜の
密着性を保つため他の金属樹脂酸を加えるか、その場合
の成分割合はおおむね、主成分としての有機パランラム
化合物か１０〜６５ｗｔ％て、他の樹脂酸金属塩か０．
１〜５ ｗ ｔ ’Ｎ５で、有機バインダとしての樹
脂か５〜２０ｗｔ％て、有機溶媒か２５〜４０ｗｔ％で
ある。
密着性を保つため他の金属樹脂酸を加えるか、その場合
の成分割合はおおむね、主成分としての有機パランラム
化合物か１０〜６５ｗｔ％て、他の樹脂酸金属塩か０．
１〜５ ｗ ｔ ’Ｎ５で、有機バインダとしての樹
脂か５〜２０ｗｔ％て、有機溶媒か２５〜４０ｗｔ％で
ある。
上記の成分割合から成る有機パラジウム化合物を含む混
合溶液を例えばスクリーン印刷で塗布、乾燥、焼成する
とパラジウム薄膜として約０．１〜吐 ５μｍの厚みの
ものを得ることかできる。
合溶液を例えばスクリーン印刷で塗布、乾燥、焼成する
とパラジウム薄膜として約０．１〜吐 ５μｍの厚みの
ものを得ることかできる。
また、乾燥温度は１００〜１２５°Ｃて、１０分間で、
焼成温度は７５０〜８５０°Ｃで、１０分間行えばよい
。
焼成温度は７５０〜８５０°Ｃで、１０分間行えばよい
。
塗布方法についても前記スクリーン印刷法の他の方法で
ある凹版、平版印刷、ディッピング、筆塗法、スタンプ
、スピンコーティングなどが可能であり、何れかを用い
ればよいものできる。
ある凹版、平版印刷、ディッピング、筆塗法、スタンプ
、スピンコーティングなどが可能であり、何れかを用い
ればよいものできる。
該有機パラジウム化合物を含む混合溶液を用いて、塗布
、乾燥、焼成して従来法の欠点を解消することかできる
のは、該有機パラジウム化合物を含む混合溶液か均一な
溶液状であるため成分組成か均一で乾燥した場合でも部
分凝集することもなく、焼成した際には有機パラジウム
化合物であるため熱分解しそれぞれか原子レベルで金属
成分と結合し基材上にパラジウム薄膜を均一に形成する
ことかてきるからである。
、乾燥、焼成して従来法の欠点を解消することかできる
のは、該有機パラジウム化合物を含む混合溶液か均一な
溶液状であるため成分組成か均一で乾燥した場合でも部
分凝集することもなく、焼成した際には有機パラジウム
化合物であるため熱分解しそれぞれか原子レベルで金属
成分と結合し基材上にパラジウム薄膜を均一に形成する
ことかてきるからである。
なお、パラジウム薄膜の厚みを調節するには有機パラジ
ウム化合物の割合を調節するか、印刷条件を調節するか
、塗布、乾燥、焼成の操作を繰り返すことて可能である
か繰り返し回数は３回以下か好ましい、その理由は生産
性か落ちるからである。
ウム化合物の割合を調節するか、印刷条件を調節するか
、塗布、乾燥、焼成の操作を繰り返すことて可能である
か繰り返し回数は３回以下か好ましい、その理由は生産
性か落ちるからである。
以下、本発明に係わる実施例を記載するか、該実施例は
本発明を限定するものてはない。
本発明を限定するものてはない。
（実施例１）
９６％アルミナ基板（１００市×１００罷×厚さ０．６
３５ｍｍ）に、ネオデカン酸パラジウム（Ｐｄ２０ｗｔ
％）４０ｗｔ！％、２−エチルヘキサン酸ビスマス（Ｂ
ｉ ２９４５） １０ｗｔ％、フェノール樹脂２０
ｗ ｔ％、α−ターピネオール３０ｗｔ％て調製した有
機パラジウム化合物を含む混合溶液をスクリーン印刷で
塗布し、室温で１０分間乾燥し、１２０°Ｃて１０分間
加熱乾燥し、次いて８００°Ｃで１０分間焼成して、９
６％アルミナ基板上にパラジウムの厚み０５μｍの薄膜
を形成した。
３５ｍｍ）に、ネオデカン酸パラジウム（Ｐｄ２０ｗｔ
％）４０ｗｔ！％、２−エチルヘキサン酸ビスマス（Ｂ
ｉ ２９４５） １０ｗｔ％、フェノール樹脂２０
ｗ ｔ％、α−ターピネオール３０ｗｔ％て調製した有
機パラジウム化合物を含む混合溶液をスクリーン印刷で
塗布し、室温で１０分間乾燥し、１２０°Ｃて１０分間
加熱乾燥し、次いて８００°Ｃで１０分間焼成して、９
６％アルミナ基板上にパラジウムの厚み０５μｍの薄膜
を形成した。
（実施例２）
アルミナペレット（直径２〜３ｍｍ）に、ロジン酸パラ
ジウム（Ｐｄ２０ｗｔ％）４０ｗｔ％、酢酸エチル２０
ｗｔ％で調製した有機パラジウム化合物を含む混合溶液
をディッピングにより塗布し、室温で１０分間乾燥し、
次いて８３０°Ｃで１０分間焼成して厚み０．１〜０２
μｍのパラジウム薄膜を形成した。
ジウム（Ｐｄ２０ｗｔ％）４０ｗｔ％、酢酸エチル２０
ｗｔ％で調製した有機パラジウム化合物を含む混合溶液
をディッピングにより塗布し、室温で１０分間乾燥し、
次いて８３０°Ｃで１０分間焼成して厚み０．１〜０２
μｍのパラジウム薄膜を形成した。
（実施例３）
ガラスグレーズ基板（４００ｍｍＸ２５０順×１ｍｍ）
上に、２−エチルへキサン酸パラジウム（Ｐｄ１５％）
３０ｗｔ％、ロジン酸ビスマス（ＢｉｌＯ％）１０ｗｔ
％、アルキッド樹脂 １５ｗｔ％、α−ターピネオール
３０ｗｔ％、ブチルカルピトール １５ｗｔ％て調製
した有機パラジウム化合物を含む混合溶液を凹版印刷に
てラインアンドスペースか５０μｍ−５０μｍのファイ
ンパターンを直接印刷後、室温で１０分間乾燥後、１２
０°Ｃ，１０分間加熱乾燥し、次いて８３０°Ｃで１０
分間焼成して０．２μｍの膜厚のパラジウムのラインア
ンドスペースか７０μｍ−３０μｍのファインパターン
か得られた。
上に、２−エチルへキサン酸パラジウム（Ｐｄ１５％）
３０ｗｔ％、ロジン酸ビスマス（ＢｉｌＯ％）１０ｗｔ
％、アルキッド樹脂 １５ｗｔ％、α−ターピネオール
３０ｗｔ％、ブチルカルピトール １５ｗｔ％て調製
した有機パラジウム化合物を含む混合溶液を凹版印刷に
てラインアンドスペースか５０μｍ−５０μｍのファイ
ンパターンを直接印刷後、室温で１０分間乾燥後、１２
０°Ｃ，１０分間加熱乾燥し、次いて８３０°Ｃで１０
分間焼成して０．２μｍの膜厚のパラジウムのラインア
ンドスペースか７０μｍ−３０μｍのファインパターン
か得られた。
（発明の効果）
本発明は、従来法としての厚膜ペースト法では得られな
かった１μｍＪ）、下のパラジウム薄膜を真空装置なし
て塗布、乾燥、焼成という簡便な方法で形成することか
でき、得られたパラジウム薄膜は緻密でピンホールのな
い均一な膜であり密着力も強く、凹版印刷等により印刷
条件によってはエツチングなしてラインアンドスペース
か２５−５０μｍのファインパターンを直接描くことも
可能で、さらに、複雑な形状の基材上に各種の塗布方法
を用いて行うことて、パラジウム薄膜層を形成すること
かでき経済的で極めて効果の高いものであると言える。
かった１μｍＪ）、下のパラジウム薄膜を真空装置なし
て塗布、乾燥、焼成という簡便な方法で形成することか
でき、得られたパラジウム薄膜は緻密でピンホールのな
い均一な膜であり密着力も強く、凹版印刷等により印刷
条件によってはエツチングなしてラインアンドスペース
か２５−５０μｍのファインパターンを直接描くことも
可能で、さらに、複雑な形状の基材上に各種の塗布方法
を用いて行うことて、パラジウム薄膜層を形成すること
かでき経済的で極めて効果の高いものであると言える。
出願人 田中貴金属工業株式会社
Claims (3)
- （１）ガラス、またはセラミックスの基材上に有機パラ
ジウム化合物と有機バインダとしての樹脂と有機溶剤を
含む混合溶液を塗布、乾燥、焼成することにより、該ガ
ラス、またはセラミックスの基材上に１ミクロン以下の
パラジウム薄膜を形成することを特徴とするパラジウム
薄膜形成方法。 - （２）前記有機パラジウム化合物がナフテン酸、アビエ
チン酸、ステアリン酸、ネオデカン酸、デカン酸、また
はオクタン酸の有機酸塩あるいはアセチルアセトンのパ
ラジウム錯体の１種以上を含むものである請求項１に記
載のパラジウム薄膜形成方法。 - （３）前記混合溶液の塗布方法がスクリーン印刷、凹版
、平版印刷、スピンコーティング、ディッピング法、筆
塗り、スタンプ法より選ばれる請求項１および２に記載
のパラジウム薄膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02178638A JP3075287B2 (ja) | 1990-07-06 | 1990-07-06 | 電子部品用パラジウム薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02178638A JP3075287B2 (ja) | 1990-07-06 | 1990-07-06 | 電子部品用パラジウム薄膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0465375A true JPH0465375A (ja) | 1992-03-02 |
| JP3075287B2 JP3075287B2 (ja) | 2000-08-14 |
Family
ID=16051960
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02178638A Expired - Lifetime JP3075287B2 (ja) | 1990-07-06 | 1990-07-06 | 電子部品用パラジウム薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3075287B2 (ja) |
-
1990
- 1990-07-06 JP JP02178638A patent/JP3075287B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3075287B2 (ja) | 2000-08-14 |
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