JPH0465396A - 超電導単結晶の製造方法 - Google Patents
超電導単結晶の製造方法Info
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- JPH0465396A JPH0465396A JP2177124A JP17712490A JPH0465396A JP H0465396 A JPH0465396 A JP H0465396A JP 2177124 A JP2177124 A JP 2177124A JP 17712490 A JP17712490 A JP 17712490A JP H0465396 A JPH0465396 A JP H0465396A
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Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ll上Wn!
本発明は、超電導単結晶およびその製造方法に関する。
′ とその ヨ点
近年酸化物高温超電導体が発見されて以来、種々の応用
分野において、その実用化への開発研究が盛んに行われ
ている。
分野において、その実用化への開発研究が盛んに行われ
ている。
より具体的には、例えば、S Q U I D (Su
perconductingQuantum Inte
rference Device)或はジョセフソン素
子を使用するコンピューターなどのデイバイス、素子類
においては、酸化物超電導材料の薄膜化技術が必要であ
る。この薄膜化に関しては、スパッタリング法、蒸着法
、CVD法などにより、臨界電流密度がl O6A /
am2を越える程度の十分実用化に供し得る特性を備
えた粒界の存在しないS結晶4膜が製造可能であると報
告されている。
perconductingQuantum Inte
rference Device)或はジョセフソン素
子を使用するコンピューターなどのデイバイス、素子類
においては、酸化物超電導材料の薄膜化技術が必要であ
る。この薄膜化に関しては、スパッタリング法、蒸着法
、CVD法などにより、臨界電流密度がl O6A /
am2を越える程度の十分実用化に供し得る特性を備
えた粒界の存在しないS結晶4膜が製造可能であると報
告されている。
一方、酸化物超電導体の特性を利用する電力貯蔵、電力
輸送、強力な磁場発生などへの応用のためには、その線
材化を行なう必要があり、酸化物超電導体の仮焼粉末を
銀シースに詰めて再熱処理を行なう方法、ゾルゲル法、
酸化物超電導体の粉末を高分子溶液に懸濁させて線引き
する方法、酸化物超電導体の融液から線引きする方法な
どが試みられている。しかしながら、これらの方法によ
り得られた線材は、いずれも多結晶体であって、低密度
で且つ粒界を有しているため、実用化レベルの特性を有
するものは得られていない。また、この様な線材は、多
結晶体としての特性でもある脆さ、加工性の悪さ、曲げ
強度の低さなどの欠点を有している。
輸送、強力な磁場発生などへの応用のためには、その線
材化を行なう必要があり、酸化物超電導体の仮焼粉末を
銀シースに詰めて再熱処理を行なう方法、ゾルゲル法、
酸化物超電導体の粉末を高分子溶液に懸濁させて線引き
する方法、酸化物超電導体の融液から線引きする方法な
どが試みられている。しかしながら、これらの方法によ
り得られた線材は、いずれも多結晶体であって、低密度
で且つ粒界を有しているため、実用化レベルの特性を有
するものは得られていない。また、この様な線材は、多
結晶体としての特性でもある脆さ、加工性の悪さ、曲げ
強度の低さなどの欠点を有している。
また、酸化物超電導体のある種のものの臨界温度が液体
窒素温度を越えることが報告されているが、このことは
、冷却コストと関連して大きな意義を有している。この
様な臨界温度が液体窒素温度よりも高い酸化物超電導体
としては、Bi系、Y系、 Tl系が挙げられる。
窒素温度を越えることが報告されているが、このことは
、冷却コストと関連して大きな意義を有している。この
様な臨界温度が液体窒素温度よりも高い酸化物超電導体
としては、Bi系、Y系、 Tl系が挙げられる。
Bi系としては、 Bi25r2Cu+Oa相(220
1相)、B i2S rac aCu208相(221
2相)、およびB i2S r2 Ca2c u30I
6相(2223相)の3種の相が存在しており、それぞ
れの臨界温度から、20に相、80に相およびll0K
相とも呼ばれている。特に、臨界温度の最も高い222
3相は。
1相)、B i2S rac aCu208相(221
2相)、およびB i2S r2 Ca2c u30I
6相(2223相)の3種の相が存在しており、それぞ
れの臨界温度から、20に相、80に相およびll0K
相とも呼ばれている。特に、臨界温度の最も高い222
3相は。
液体窒素温度との間で大きな温度マージンがとれること
などの点で、実用化に最も適した材料と考えられている
が、現実には、その単相化が困難であり、2212相ま
たは2201相との混合相になりやすいという問題点が
ある。固相反応法によれば、厳密な組成制御および焼成
雰囲気制御下に2223相の単相化が一応達成されるも
のの、得られるのは、粉末或いは多結晶性の焼結体であ
り、低密度で、多くの結晶粒界を有している。従って、
すでに大型の単結晶、単結晶性の繊維状結晶などが得ら
れている2201相および22]2相の場合と同様に、
2223相の大型の単結晶、単結晶性の繊維状結晶など
が得られれば、極めて有用である。
などの点で、実用化に最も適した材料と考えられている
が、現実には、その単相化が困難であり、2212相ま
たは2201相との混合相になりやすいという問題点が
ある。固相反応法によれば、厳密な組成制御および焼成
雰囲気制御下に2223相の単相化が一応達成されるも
のの、得られるのは、粉末或いは多結晶性の焼結体であ
り、低密度で、多くの結晶粒界を有している。従って、
すでに大型の単結晶、単結晶性の繊維状結晶などが得ら
れている2201相および22]2相の場合と同様に、
2223相の大型の単結晶、単結晶性の繊維状結晶など
が得られれば、極めて有用である。
を るだめの
本発明者は、この様な技術の現状に鑑みて種々研究を重
ねた結果、B i2S rac u+06構造またはB
i25r2CaCu20a構造を有する単結晶を、Bi
、Sr、 Ca、 Cuおよびpbを含む特定組成
の酸化物粉末中で特定の条件下に熱処理する場合には、
当初の単結晶形態を保持した状態で、その結晶構造がB
i25 r2ca2cu30 Il+構造に変化し、臨
界温度が液体酸素温度以上に上昇することを見出した。
ねた結果、B i2S rac u+06構造またはB
i25r2CaCu20a構造を有する単結晶を、Bi
、Sr、 Ca、 Cuおよびpbを含む特定組成
の酸化物粉末中で特定の条件下に熱処理する場合には、
当初の単結晶形態を保持した状態で、その結晶構造がB
i25 r2ca2cu30 Il+構造に変化し、臨
界温度が液体酸素温度以上に上昇することを見出した。
即ち、本発明は、下記の超電導単結晶およびその製造方
法を提供するものである: (1)Bi、 Sr、 Ca、 Cu、 Pb
および0からなり、その原子の組成比が B j2−x P L S r+、e−2,+ Cal
、9−2.I Cu30 y(○<x<0.4.10.
○<y<11.0)であり、 B i2S rac a
2c u301θ構造(2223相)を有する超電導単
結晶。
法を提供するものである: (1)Bi、 Sr、 Ca、 Cu、 Pb
および0からなり、その原子の組成比が B j2−x P L S r+、e−2,+ Cal
、9−2.I Cu30 y(○<x<0.4.10.
○<y<11.0)であり、 B i2S rac a
2c u301θ構造(2223相)を有する超電導単
結晶。
■ Bi、Sr、 Ca、 Cuおよび○がらなり
、Bi25r2CaCu20a構造(2212相)を有
する単結晶、または Bi、Sr、Cuおよび○からなり、 Bi25r2Cu+Oe構造(2201相)を有する単
結晶を、原子の組成比が Bi=1. 0 Sr=O05〜1.5 Ca=1. 0−3. 0 Cu=1. 0−5. 0 Pb=0. 2〜1. 0 である酸化物粉末中に埋め込み、830〜860゛Cで
熱処理することを特徴どする。原子の組成比が Bip−yPbxsr+、e−2+Ca+9−2.+c
u3c)。
、Bi25r2CaCu20a構造(2212相)を有
する単結晶、または Bi、Sr、Cuおよび○からなり、 Bi25r2Cu+Oe構造(2201相)を有する単
結晶を、原子の組成比が Bi=1. 0 Sr=O05〜1.5 Ca=1. 0−3. 0 Cu=1. 0−5. 0 Pb=0. 2〜1. 0 である酸化物粉末中に埋め込み、830〜860゛Cで
熱処理することを特徴どする。原子の組成比が Bip−yPbxsr+、e−2+Ca+9−2.+c
u3c)。
(0<x<0.4.10. 0<y、<11. 0)で
あり、 Bi25r2Ca2Cu301e構造(222
3相)を有する超電導単結晶の製造方法。
あり、 Bi25r2Ca2Cu301e構造(222
3相)を有する超電導単結晶の製造方法。
本発明で熱処理の対象となる材料は、 (イ)Bi、
Sr、 Ca、 Cuおよび○からなり、Bi2
5r2Ca+Cu20s構造(2212相)を有する単
結晶、および(ロ) Bi、 Sr、 Cuおよび
Oからなり、Bi25r2CuO6構造(2201相)
を有する単結晶を含む材料である。これら(イ)および
(ロ)の単結晶においては、2212相および2201
相のBiサイトがpbにより一部置換されていても良い
。これら(イ)および(ロ)の単結晶は、いずれも公知
のものであるわ 本発明の超電導単結晶の製造に際しては、まず、原子組
成比で、Bi=1.00として、 5r=0.5〜
1.5、Ca=1. 0〜3、O,Cu=1、 0〜5
. O,Pb=0. 2.〜1. Olとなる様に
原料物質を混合した後、焼成する。原料物質は。
Sr、 Ca、 Cuおよび○からなり、Bi2
5r2Ca+Cu20s構造(2212相)を有する単
結晶、および(ロ) Bi、 Sr、 Cuおよび
Oからなり、Bi25r2CuO6構造(2201相)
を有する単結晶を含む材料である。これら(イ)および
(ロ)の単結晶においては、2212相および2201
相のBiサイトがpbにより一部置換されていても良い
。これら(イ)および(ロ)の単結晶は、いずれも公知
のものであるわ 本発明の超電導単結晶の製造に際しては、まず、原子組
成比で、Bi=1.00として、 5r=0.5〜
1.5、Ca=1. 0〜3、O,Cu=1、 0〜5
. O,Pb=0. 2.〜1. Olとなる様に
原料物質を混合した後、焼成する。原料物質は。
焼成により酸化物を形成し得るものであれば、特に限定
されず、金属単体、酸化物、各種の化合物(炭酸塩など
)が使用できる。原料物質としては、上記の原子を2種
以上含む化合物を使用しても良い。溶融を大気中などの
酸素雰囲気下で行なう場合および原料物質自体が十分量
の酸素を含んでいる場合には、酸素源となる原料物質を
使用する必要はない。焼成温度および時間は、使用する
原料物質の種類、組成比などにより異なるが、通常80
0〜860 ’C程度で、5〜100時間程度時間開内
にあり、−例として、840℃程度で20時間程度であ
る。焼成手段も特に限定されず、電気加熱炉、ガス加熱
炉など任意の手段を採用し得る。次いで、形成された焼
成物を十分に粉砕し、粉末化する。
されず、金属単体、酸化物、各種の化合物(炭酸塩など
)が使用できる。原料物質としては、上記の原子を2種
以上含む化合物を使用しても良い。溶融を大気中などの
酸素雰囲気下で行なう場合および原料物質自体が十分量
の酸素を含んでいる場合には、酸素源となる原料物質を
使用する必要はない。焼成温度および時間は、使用する
原料物質の種類、組成比などにより異なるが、通常80
0〜860 ’C程度で、5〜100時間程度時間開内
にあり、−例として、840℃程度で20時間程度であ
る。焼成手段も特に限定されず、電気加熱炉、ガス加熱
炉など任意の手段を採用し得る。次いで、形成された焼
成物を十分に粉砕し、粉末化する。
次いで、前記(イ)または(ロ)の単結晶を上記で得ら
れた酸化物粉末(以下埋込み粉末ということがある)中
に埋め込み、熱処理する。熱処理温度および時間は、使
用する埋込み粉末の組成比、熱処理される単結晶の大き
さなどにより異なるが、通常830〜860°C程度で
50〜200時間程度の範囲内にあり、−例として、
840℃程度で120時間程度である。熱処理手段も
特に限定されず、電気加熱炉、ガス加熱炉、光加熱炉な
ど任意のものを採用し得る。
れた酸化物粉末(以下埋込み粉末ということがある)中
に埋め込み、熱処理する。熱処理温度および時間は、使
用する埋込み粉末の組成比、熱処理される単結晶の大き
さなどにより異なるが、通常830〜860°C程度で
50〜200時間程度の範囲内にあり、−例として、
840℃程度で120時間程度である。熱処理手段も
特に限定されず、電気加熱炉、ガス加熱炉、光加熱炉な
ど任意のものを採用し得る。
熱処理終了後、埋込み粉末から被加熱物を取り出すこと
により、 B 12−xP bxs r+、e−2,+ca+9−
2.+c u30゜(0<x<0. 4.10.○<y
ell、O)なる組成比を有し、B i2s r2ca
2cua○1[1構造(2223相)を有する超電導単
結晶を得る。この単結晶の大きさ、形状などは、熱処理
前のそれらと変わりない。
により、 B 12−xP bxs r+、e−2,+ca+9−
2.+c u30゜(0<x<0. 4.10.○<y
ell、O)なる組成比を有し、B i2s r2ca
2cua○1[1構造(2223相)を有する超電導単
結晶を得る。この単結晶の大きさ、形状などは、熱処理
前のそれらと変わりない。
本発明においては、下記の(a)乃至(b)の条件を充
足することを必須とする。
足することを必須とする。
(a)特定組成範囲の成分比を有する埋込み粉末を使用
すること;埋込みに使用する酸化物粉末の組成が、仮に
一種でも規定範囲外となった場合には、単結晶の222
3相苺化は、困難乃至不可能あっても、熱処理温度が規
定範囲外となる場合には、単結晶の2223相化は、や
はり困難乃至不可能となる。
すること;埋込みに使用する酸化物粉末の組成が、仮に
一種でも規定範囲外となった場合には、単結晶の222
3相苺化は、困難乃至不可能あっても、熱処理温度が規
定範囲外となる場合には、単結晶の2223相化は、や
はり困難乃至不可能となる。
本発明方法において、2201相単結晶或いは2212
相単結晶が2223相化する機構は、未だ十分に解明さ
れていないが、以下のようなものであろうと推考される
。22o1相単結晶或いは2212相単結晶の2223
相化には、CaおよびCu(これらの単結晶が pbを
含まない場合には、ざらにpb)の供給が必要である。
相単結晶が2223相化する機構は、未だ十分に解明さ
れていないが、以下のようなものであろうと推考される
。22o1相単結晶或いは2212相単結晶の2223
相化には、CaおよびCu(これらの単結晶が pbを
含まない場合には、ざらにpb)の供給が必要である。
本発明方法において、埋込みに使用する酸化物粉末中で
の単結晶の熱処理温度(830〜860℃)は、粉末の
部分溶融温度に対応している。熱処理温度が高すぎる場
合には、酸化物粉末の液相部分が多くなり、単結晶と酸
化物粉末とが融着するので、単結晶を酸化物粉末から分
離して、取り出すことが困難となる。一方、熱処理温度
が酸化物粉末の部分溶融温度よりも低い場合には、単結
晶と酸化物粉末との間で相互作用が生じないので、22
23相化は達成されない。しかるに、上記の温度範囲で
熱処理を行なう場合には、単結晶の近辺に適度な液相が
存在し、この液相を介して埋込み用の酸化物粉末から単
結晶にCaおよびCuが供給され、2223相化が達成
されるものと考えられる。
の単結晶の熱処理温度(830〜860℃)は、粉末の
部分溶融温度に対応している。熱処理温度が高すぎる場
合には、酸化物粉末の液相部分が多くなり、単結晶と酸
化物粉末とが融着するので、単結晶を酸化物粉末から分
離して、取り出すことが困難となる。一方、熱処理温度
が酸化物粉末の部分溶融温度よりも低い場合には、単結
晶と酸化物粉末との間で相互作用が生じないので、22
23相化は達成されない。しかるに、上記の温度範囲で
熱処理を行なう場合には、単結晶の近辺に適度な液相が
存在し、この液相を介して埋込み用の酸化物粉末から単
結晶にCaおよびCuが供給され、2223相化が達成
されるものと考えられる。
兄」1Φ」1禾
本発明によれば、
B12−yP bxs r+9−2.+ca+9−2.
+cu30y(○< x <0.4.10.0<y<1
1.0)なる組成比を有し、B i2S r+Ca2C
u30Il+構造(2223相)を有する超電導単結晶
が得られる。
+cu30y(○< x <0.4.10.0<y<1
1.0)なる組成比を有し、B i2S r+Ca2C
u30Il+構造(2223相)を有する超電導単結晶
が得られる。
本発明の超電導単結晶は、100Kを越える臨界温度を
有するので、液体窒素中で使用可能である。また、単結
晶ゆえの品質の高さから、物質の基礎物性の解明から、
液体窒素中で使用できる、ポイントコンタクトのジョセ
フソン素子、あるいは電波受信素子などの広範囲の分野
での利用が期待される。
有するので、液体窒素中で使用可能である。また、単結
晶ゆえの品質の高さから、物質の基礎物性の解明から、
液体窒素中で使用できる、ポイントコンタクトのジョセ
フソン素子、あるいは電波受信素子などの広範囲の分野
での利用が期待される。
去」1例
以下に実施例を示し、本発明の特徴とするところをより
一層明確にする。
一層明確にする。
実施例1
下記第1表に示す原子組成比となる様に出発原料を十分
に混合した後、その15gをアルミナルツボに入れ、電
気炉中で840℃で20時間焼成し、得られた焼成物を
十分に粉砕して、埋込み用酸化物粉末を得た。
に混合した後、その15gをアルミナルツボに入れ、電
気炉中で840℃で20時間焼成し、得られた焼成物を
十分に粉砕して、埋込み用酸化物粉末を得た。
次いで、第1図に模式的な断面図として示す様1ニ ア
ルミナボート(3)上に置かれた上記埋込み用酸化物粉
末(2)中に予め調整しておいたBi25r2Ca+C
u20a構造(2212相)を有する120時間熱処理
した。熱処理奪了後、単結晶と埋込み粉末とを分離した
。
ルミナボート(3)上に置かれた上記埋込み用酸化物粉
末(2)中に予め調整しておいたBi25r2Ca+C
u20a構造(2212相)を有する120時間熱処理
した。熱処理奪了後、単結晶と埋込み粉末とを分離した
。
Cと
結晶がB i2S r2c a2c u30Ill構造
(2223相)を有していることが確認された。
(2223相)を有していることが確認された。
また、直流四端子法で測定したこの単結晶の電気抵抗と
絶対温度との関係は、第3図に示す通りであった。また
、電気抵抗がゼロとなる温度は103にであった。
絶対温度との関係は、第3図に示す通りであった。また
、電気抵抗がゼロとなる温度は103にであった。
なお、本実施例および以下の実施例において使用した埋
込み用酸化物粉末の製造原料は、下記のものであった。
込み用酸化物粉末の製造原料は、下記のものであった。
本Bl源 酸化ビスマス(Bi203)本Sr源
炭酸ストロンチウム(SrCO2)mCa源 炭酸カ
ルシウム(CaCO3)*Cu源 酸化銅(CaO) 本Pb原 酸化鉛(pbo) 実施例2〜6 実施例1の手法に準じて、第1表に示す2212相構造
または2201相構造の単結晶を酸化物粉末に埋込み、
電気炉中所定の温度で120時間熱処理した。
炭酸ストロンチウム(SrCO2)mCa源 炭酸カ
ルシウム(CaCO3)*Cu源 酸化銅(CaO) 本Pb原 酸化鉛(pbo) 実施例2〜6 実施例1の手法に準じて、第1表に示す2212相構造
または2201相構造の単結晶を酸化物粉末に埋込み、
電気炉中所定の温度で120時間熱処理した。
これらの熱処理後の単結晶は、いずれも実施例1のもの
と同様の結晶構造及び超電導特性を有していることが確
認された。
と同様の結晶構造及び超電導特性を有していることが確
認された。
実施例1〜6に関して、第1表に熱処理前の単結晶の相
構造および酸化物粉末の組成を示し、第2表に熱処理温
度、 び臨界温度を示す。
構造および酸化物粉末の組成を示し、第2表に熱処理温
度、 び臨界温度を示す。
熱処理後の単結晶の構造およ
1例
才結晶I
駁1
第1表
U廚」…
Bi Pb Sr Ca
1 0.251 2
1 050.752.5
1 1 1.53
1 0.21.53
1 0.20.51
1 0.251 3
実り
熱処理温度
(°C)
84、
第
2表
率結晶構造
熱処理後
臨界温度
(K)
101!+
第1図は、本発明における単結晶の熱処理の概要を示す
模式断面図である。 第2図は、本発明により得られた単結晶のX線回折パタ
ーンの一例を示す図面である。 第3図は、本発明により得られた単結晶の絶対温度と電
気抵抗との関係を示す図面であるゎ堵 図 λ31コ
模式断面図である。 第2図は、本発明により得られた単結晶のX線回折パタ
ーンの一例を示す図面である。 第3図は、本発明により得られた単結晶の絶対温度と電
気抵抗との関係を示す図面であるゎ堵 図 λ31コ
Claims (2)
- (1)Bi、Sr、Ca、Cu、PをおよびOからなり
、その原子の組成比が Bi_2_−_xPb_xSr_1_._9_〜_2_
._1Ca_1_._9_〜_2_._1Cu_3O_
y(0<x<0.4、10.0<y<11.0)であり
、Bi_2Sr_2Ca_2Cu_3O_1_0構造(
2223相)を有する超電導単結晶。 - (2)Bi、Sr、Ca、CuおよびOからなり、Bi
_2Sr_2CaCu_2O_8構造(2212相)を
有する単結晶、または Bi、Sr、CuおよびOからなり、 Bi_2Sr_2Cu_1O_6構造(2201相)を
有する単結晶を、原子の組成比がBi=1.0 Sr=0.5〜1.5 Ca=1.0〜3.0 Cu=1.0〜5.0 Pb=0.2〜1.0 である酸化物粉末中に埋め込み、830〜860℃で熱
処理することを特徴とする、原子の組成比が Bi_2_−_xPb_xSr_1_._9_〜_2_
._1Ca_1_._9_〜_2_._1Cu_3O_
y(0<x<0.4、10.0<y<11.0)であり
、Bi_2Sr_2Ca_2Cu_3O_1_0構造(
2223相)を有する超電導単結晶の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2177124A JPH0745358B2 (ja) | 1990-07-03 | 1990-07-03 | 超電導単結晶の製造方法 |
| US07/777,055 US5242896A (en) | 1990-03-07 | 1991-10-16 | Superconductor crystal and process for preparing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2177124A JPH0745358B2 (ja) | 1990-07-03 | 1990-07-03 | 超電導単結晶の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0465396A true JPH0465396A (ja) | 1992-03-02 |
| JPH0745358B2 JPH0745358B2 (ja) | 1995-05-17 |
Family
ID=16025591
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2177124A Expired - Lifetime JPH0745358B2 (ja) | 1990-03-07 | 1990-07-03 | 超電導単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0745358B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0255298A (ja) * | 1988-08-19 | 1990-02-23 | Toshiba Corp | 酸化物超電導体単結晶の育成方法 |
-
1990
- 1990-07-03 JP JP2177124A patent/JPH0745358B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0255298A (ja) * | 1988-08-19 | 1990-02-23 | Toshiba Corp | 酸化物超電導体単結晶の育成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0745358B2 (ja) | 1995-05-17 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |