JPH0264099A - Ｔ１−Ｃａ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系高温超電導材料の単結晶製造方法 - Google Patents
Ｔ１−Ｃａ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系高温超電導材料の単結晶製造方法Info
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- JPH0264099A JPH0264099A JP21777388A JP21777388A JPH0264099A JP H0264099 A JPH0264099 A JP H0264099A JP 21777388 A JP21777388 A JP 21777388A JP 21777388 A JP21777388 A JP 21777388A JP H0264099 A JPH0264099 A JP H0264099A
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はＴｌ−Ｃａ−Ｂａ−Ｃｕ−０系高温超電導材料
の単結晶製造方法に関するものである。
の単結晶製造方法に関するものである。
［従来技術］
Ｔ Ｉ −Ｃａ−Ｂ ａ−Ｃｕ−０系では曲の酸１ヒ物
超電導材料と同様 ＣｕＯやＣｕＯ＋（Ｃａ、Ｂａ）０
をフラックスとして使用した単結晶の成長が試みられた
が、安定して製造することが難しい状態にあった。
超電導材料と同様 ＣｕＯやＣｕＯ＋（Ｃａ、Ｂａ）０
をフラックスとして使用した単結晶の成長が試みられた
が、安定して製造することが難しい状態にあった。
〔発明が解決しようとする課題］
従来の原料組成ではいわゆる高温和と呼ばれるＴｃの高
いｍｍサイズの結晶が得られなかった。これは高温相の
晶出する組成や生成する構造が不明であったため製造条
件がずれていたことによるからであった。
いｍｍサイズの結晶が得られなかった。これは高温相の
晶出する組成や生成する構造が不明であったため製造条
件がずれていたことによるからであった。
［問題点を解決するための手段とその効果］そこで発明
者らはかかる課題を解決せんとして精力的に努力した結
果、特許請求の範囲に記載の製造方法を見い出したもの
であって、 ■結晶成長に使用する原料中の（Ｃａ＋Ｃｕ）の原子比
が５０〜８０ａｔ％、ＴｌとＢａの原子比がｌ：１でか
つ１０ａｔ％〜２５ａｔ％となるよう配合比を調整する
こと ■原料融合ｆ＆９１０〜８６０℃の温度範囲内で１〜１
２時間温度を保持すること を要件にしたものである。
者らはかかる課題を解決せんとして精力的に努力した結
果、特許請求の範囲に記載の製造方法を見い出したもの
であって、 ■結晶成長に使用する原料中の（Ｃａ＋Ｃｕ）の原子比
が５０〜８０ａｔ％、ＴｌとＢａの原子比がｌ：１でか
つ１０ａｔ％〜２５ａｔ％となるよう配合比を調整する
こと ■原料融合ｆ＆９１０〜８６０℃の温度範囲内で１〜１
２時間温度を保持すること を要件にしたものである。
即ち、Ｔｌ系超超電導体高温相の原子比はＴｌ：Ｃａ：
Ｂａ：Ｃｕ＝２：２：２：３であるが、フラックス法に
よる単結晶育成には原料として２２２３組成比にさらに
フラックス材を添加する必要がある０発明者らはフラッ
クス材として。
Ｂａ：Ｃｕ＝２：２：２：３であるが、フラックス法に
よる単結晶育成には原料として２２２３組成比にさらに
フラックス材を添加する必要がある０発明者らはフラッ
クス材として。
（ＣａＯ＋Ｃｕ０）を使用し、その添加量の最適化を図
った。
った。
その結果は第１図に示す通りで、原料としてＴｌ：Ｃａ
：Ｂａ：Ｃｕ＝２：６：２：６の時に最も高いＴｃを有
する結晶が得られることが判明した。
：Ｂａ：Ｃｕ＝２：６：２：６の時に最も高いＴｃを有
する結晶が得られることが判明した。
これはこの組成比が丁度高温相結晶が晶出する組成範囲
にあるためである。また、（Ｃａ＋Ｃｕ）が５０〜８０
ａｔ％内のその他の組成でも原料溶融後９１０〜８６０
℃の温度内で１〜１２時間保持することにより高温相の
生成が進行することが判明した。これは高温相が上記温
度内で包晶反応により生成するためである。保持時間は
組成比や温度によって異なるが９００℃では１時間程度
、８６０℃付近では１２時間程度の反応時間が必要であ
る。
にあるためである。また、（Ｃａ＋Ｃｕ）が５０〜８０
ａｔ％内のその他の組成でも原料溶融後９１０〜８６０
℃の温度内で１〜１２時間保持することにより高温相の
生成が進行することが判明した。これは高温相が上記温
度内で包晶反応により生成するためである。保持時間は
組成比や温度によって異なるが９００℃では１時間程度
、８６０℃付近では１２時間程度の反応時間が必要であ
る。
［実施例］
各原料組成比におけるＴｃ （Ｋ）は次の通りであった
。すなわち。
。すなわち。
原料組成比 Ｔｃ （Ｋ）Ｔｌ：Ｃａ
：Ｂａ：Ｃｕ ２ ３ ２ ３．７５ １１４−１１５２ ４
２ ４．５ １１５ ２ ５ ２ ５．２５ １１８ ２ ７ ２ ６．７５ １１５ ２ ８ ２ ７゜５ ９４ 上記組成比でＴ １２０３ 、ＣａＯ、ＢａＯ２，Ｃｕ
Ｏを混合、約１〜２ｔ ｏ ｎ ／ ｃ ｍ・でペレッ
ト成形したものを原料とした。原料は内径１０〜１２ｍ
ｍφのＡｕパイプ中に封入し、さらにこの、Ａ ｕパイ
プをｐするつぼ内に挿入し、炉内に入れ、結晶を成長さ
せた。成長条件は第２図に示すとおりである。炉内は流
量２００〜５００ｍ１／分のｏ２ガスフローとし、原料
チャージ量は２〜５ｇとした。冷却ｔＩｉＩ料を扮砕
フラックスより結晶を取り出したところ、結晶は０．５
〜２．５ｍｍ口のサイズのものが得られた。これらの結
晶をＤＣ帯磁４！測定によりＴｃを測定したところ１０
８〜１２０にの種々のＴｃを持つ結晶が得られた。この
うち１１８〜１２０にのＴｃを示す結晶は０．５〜１．
５ｍｍ口程度であった９ ［本発明の効果］ これまでＴｌ−Ｃａ−Ｂａ−Ｃｕ−０系超電導体の低Ｔ
ｃ相単結晶しか得られながったが、本発明によりｍｍサ
イズの大型の高温和（Ｔｃ＝１１８〜１２０Ｋ＞の単結
晶が安定して得られるようになり、産業上における実施
範囲が格段に広がる効果は極めて大きい。
：Ｂａ：Ｃｕ ２ ３ ２ ３．７５ １１４−１１５２ ４
２ ４．５ １１５ ２ ５ ２ ５．２５ １１８ ２ ７ ２ ６．７５ １１５ ２ ８ ２ ７゜５ ９４ 上記組成比でＴ １２０３ 、ＣａＯ、ＢａＯ２，Ｃｕ
Ｏを混合、約１〜２ｔ ｏ ｎ ／ ｃ ｍ・でペレッ
ト成形したものを原料とした。原料は内径１０〜１２ｍ
ｍφのＡｕパイプ中に封入し、さらにこの、Ａ ｕパイ
プをｐするつぼ内に挿入し、炉内に入れ、結晶を成長さ
せた。成長条件は第２図に示すとおりである。炉内は流
量２００〜５００ｍ１／分のｏ２ガスフローとし、原料
チャージ量は２〜５ｇとした。冷却ｔＩｉＩ料を扮砕
フラックスより結晶を取り出したところ、結晶は０．５
〜２．５ｍｍ口のサイズのものが得られた。これらの結
晶をＤＣ帯磁４！測定によりＴｃを測定したところ１０
８〜１２０にの種々のＴｃを持つ結晶が得られた。この
うち１１８〜１２０にのＴｃを示す結晶は０．５〜１．
５ｍｍ口程度であった９ ［本発明の効果］ これまでＴｌ−Ｃａ−Ｂａ−Ｃｕ−０系超電導体の低Ｔ
ｃ相単結晶しか得られながったが、本発明によりｍｍサ
イズの大型の高温和（Ｔｃ＝１１８〜１２０Ｋ＞の単結
晶が安定して得られるようになり、産業上における実施
範囲が格段に広がる効果は極めて大きい。
Claims (2)
- （１）、Ｔｌ、Ｃａ、Ｂａ、Ｃｕを構成元素として含む
酸化物超電導材料の単結晶をフラックス法により製造す
る際に、出発原料中の（Ｃａ＋Ｃｕ）の組成が５０ａｔ
％〜８０ａｔ％、ＴｌとＢａの原子比が１：１でかつ１
０ａｔ％〜２５ａｔ％であることを特徴とするＴｌ−Ｃ
ａ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系高温超電導材料の単結晶製造方法
。 - （２）、原料融解後９１０〜８６０℃の温度範囲内で１
〜１２時間原料の温度を保持する請求第１項のＴｌ−Ｃ
ａ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系高温超電導材料の単結晶製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63217773A JPH0818911B2 (ja) | 1988-08-30 | 1988-08-30 | Ｔ１−Ｃａ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系高温超電導材料の単結晶製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63217773A JPH0818911B2 (ja) | 1988-08-30 | 1988-08-30 | Ｔ１−Ｃａ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系高温超電導材料の単結晶製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0264099A true JPH0264099A (ja) | 1990-03-05 |
| JPH0818911B2 JPH0818911B2 (ja) | 1996-02-28 |
Family
ID=16709505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63217773A Expired - Lifetime JPH0818911B2 (ja) | 1988-08-30 | 1988-08-30 | Ｔ１−Ｃａ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系高温超電導材料の単結晶製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0818911B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH026330A (ja) * | 1988-03-07 | 1990-01-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 超電導材料及び超電導体単結晶の製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3832089B2 (ja) | 1997-05-26 | 2006-10-11 | セイコーエプソン株式会社 | デジタルカメラおよび印刷システム |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6353043A (ja) * | 1986-08-22 | 1988-03-07 | Tokyo Electric Co Ltd | レ−ザプリンタのレ−ザダイオ−ド駆動制御回路 |
| JPH026330A (ja) * | 1988-03-07 | 1990-01-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 超電導材料及び超電導体単結晶の製造方法 |
-
1988
- 1988-08-30 JP JP63217773A patent/JPH0818911B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6353043A (ja) * | 1986-08-22 | 1988-03-07 | Tokyo Electric Co Ltd | レ−ザプリンタのレ−ザダイオ−ド駆動制御回路 |
| JPH026330A (ja) * | 1988-03-07 | 1990-01-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 超電導材料及び超電導体単結晶の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH026330A (ja) * | 1988-03-07 | 1990-01-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 超電導材料及び超電導体単結晶の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0818911B2 (ja) | 1996-02-28 |
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