JPH0465523B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0465523B2 JPH0465523B2 JP2101602A JP10160290A JPH0465523B2 JP H0465523 B2 JPH0465523 B2 JP H0465523B2 JP 2101602 A JP2101602 A JP 2101602A JP 10160290 A JP10160290 A JP 10160290A JP H0465523 B2 JPH0465523 B2 JP H0465523B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- composition
- coercive force
- curie point
- magneto
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
（産業上の利用分野）
本発明は、光磁気メモリー、磁気記録表示素子
などに用いられる光磁気記録媒体に係わるもの
で、具体的には膜面と垂直な方向に磁化容易軸を
有し、円形あるいは任意の形状の反転磁区を作る
ことにより情報を記録することができ、磁気カー
効果などの磁気光学効果を利用して読み出すこと
のできる磁性薄膜記録媒体に関するものである。 （従来技術） 磁化容易軸が膜面と垂直な方向にある強磁性薄
膜では、Ｓ極あるいはＮ極に一様に磁化された膜
面中に一様磁化極性と逆向きの磁極をもつ小さな
反転磁区を作ることができる。この反転磁区の有
無を「１」，「０」に対応させれば、このような強
磁性薄膜を高密度の光磁気記録媒体として用いる
ことができる。このような強磁性薄膜のうち、室
温にて大きな保磁力を有し、かつキユーリー点ま
たは磁気的補償温度が比較的室温に近い薄膜は、
キユーリー点または磁気的補償温度を利用して光
ビームにより、任意の位置に反転磁区を作ること
によつて情報を記録させることができるため、一
般にビーム・アドレツサブルフイルとして用いら
れている。 従来、公知である膜面と垂直な方向に磁化容易
軸を有し、かつビーム・アドレツサブルフアイル
として使用可能な強磁性薄膜としては、MnBiに
代表される多結晶金属薄膜、Gd−Co，Gd−Fe，
Tb−Fe、Dy−Fe等の非晶質金属薄膜、GIGに代
表される化合物単結晶薄膜があるが、それぞれ以
下に述べるような利点及び欠点を有している。
MnBiに代表されるキユーリー点を利用して書き
込みを行なう多結晶金属薄膜は、室温で数kOeの
大きな保磁力を有している点では光磁気記録媒体
として優れているが、キユーリー点が高い
（MnBiではTc＝360℃）ために書き込みに大きな
エネルギーを必要とする欠点がある。また、多結
晶体であるため化学量論的な組成の薄膜を作製す
る必要があり、薄膜の作製が技術的に難しいとい
う欠点もある。また、Gd−Co，Gd−Feの磁気
的補償点を利用して書き込みを行なう非晶質金属
薄膜は、非晶質であるため任意の基板上に作製可
能であり、多少の不純物を加えることによつてあ
る程度磁気的補償温度を任意に制御できる等の利
点を有するが、室温における保磁力が小さく
（300〜500Oe）、記録された情報が不安定である
という欠点を有する。しかも、この程度の保磁力
を有する薄膜を作製するためにも組成をほぼ
latom％以内に制御する必要があり、薄膜作製面
でも容易でない。 さらに、GIGに代表される化合物単結晶薄膜は
他のものに比べて非常にコスト高になるという大
きな欠点を有する。 また、これらの欠点を除去した新しい磁性薄膜
記録媒体として提案された15atom％〜30atom％
のTbまたはDyを含むTbFeやDyFeの非晶質合金
薄膜は、次のような利点を有している。 膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有し、室温
において数kOeの大きな保磁力を有するため、
高密度の情報記録が可能で、記録された情報が
極めて安定である。 保磁力が大きく所望の形状の磁区を書き込む
ことが可能である。 幅広い組成範囲にわたつて大きな保磁力を有
しており、記録媒体として優れた特性を持つて
いる組成範囲もまた広いため、組成の厳しく限
定された薄膜を作る必要がなく非常に容易に作
製でき、歩留まりも良い。 キユーリー点がTbFeでは120℃、DyFeでは
60℃と低いため、キユーリー点を利用して熱書
き込みを行なう場合には非常に小さなエネルギ
ーにより書き込みを行なうことができる。 （発明が解決しようとする問題点） しかしながら、このTbFe、DyFe等の非晶質
合金薄膜は次のような欠点がある。即ち、キユー
リー点が低いと確かに小さなエネルギーで書き込
みは出来るが、光で読み出すときのＳ／Ｎは逆に
悪くなる。図１には、非晶質合金薄膜の光再生時
の光再生出力（Ｓ）及び信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）
を照射レーザーパワー（Io）の関数として示して
あるが、記録媒体として良い特性を有する
TbFe、DyFeは光再生の点では記録媒体として
良くないGdFeよりも悪いことがわかる。これは
この記録媒体を光磁気メモリーとして考える場合
には非常に大きな欠点となる。 本発明の目的は、上記のような膜面と垂直な方
向に磁化容易軸を有する従来のDy−Fe二元系の
非晶質金属薄膜の保磁力を大にし、かつ効率よく
光再生出力を取り出し得る光磁気記録媒体を提供
することにある。 （問題点を解決するための手段） 本発明の光磁気記録媒体は、膜面と垂直な方向
に磁化容易軸を有する非晶質Dy−Fe−Co三元系
合金薄膜を有し、Dyx（Fe1-yCoy）1-xとしたとき、
ｘが0.15≦ｘ≦0.35の範囲で、ｙが0.00＜ｙ≦
0.50の範囲であり、かつキユーリー点が120℃以
上でキユーリー点を利用した熱書き込みを行う範
囲内にして、Dy−Fe二元系非晶質合金薄膜に比
べて保磁力を大にし、効率よく光再生出力を取り
出し得るように構成されたことを特徴とするもの
である。 以下に、本発明を詳細に説明する。 本発明の光磁気記録媒体は、膜面に垂直な方向
が磁化容易軸であるとともに、120℃〜200℃の間
のキユーリー点を有するDy−Fe−Coの非晶質合
金薄膜である。膜面に垂直な方向に磁化を向ける
に充分な磁気異方性をもたせるには、非晶質にす
ることが必要であるが、この条件はスパツタリン
グ法あるいは真空蒸着法によつて薄膜作製を行な
うことによつて達成される。また、磁化を安定し
て膜面に垂直な方向に向かせるためには、膜の厚
さを100Å以上とし、前記のようにDyとFeとCo
の組成をDyx（Fe1-yCoy）1-xとして、ｘが0.15≦ｘ
≦0.35の範囲であり、ｙが0.00＜ｙ≦0.50の範囲
にすることが必要である。なお、0.50＜ｙでは、
キユーリー点または磁気的補償温度の組成依存性
が大きく、実用性がない。また、ｘの範囲をこの
組成範囲外にした光磁気記録媒体は、膜面に垂直
方向に磁化容易軸を揃えることが困難であり、角
型ヒステリシス特性が劣化するので、実用性のあ
る記録再生特性は得られないことになる。 本発明の磁気光学記録媒体は120〜200℃程度の
比較的低いキユーリー点を有するにもかかわら
ず、磁気カー効果を利用した光再生出力が同程度
のキユーリー点を有するDyFeのものより大きい
ことを特徴としている。 （実施例） 図２は、本発明によるDy−Fe−Co三元系合金
薄膜のCoの添加量とカー回転角Θkとの特性図で
ある。図は膜厚が1000Åで、DyFe二元系のFeの
一部をCoに置換した場合の特性図を示しており、
約10atom％添加することにより、カー回転角は
２倍の0.2度となるため、DyFe二元系に比べて読
み出し特性を大幅に改善出来ることがわかる。な
お、図２のDyの組成は、室温が補償温度となる
ように定めた。図のようにCoの添加量を増やし
ていつた場合、Coの添加量が約40atom％からそ
の増加傾向が鈍化するが、Coの増加に伴つてカ
ー回転角も増大する。また、Dyの組成割合を増
加させた場合、カー回転角はDyの割合が増える
に従つて低下する。 一方、図３は本発明によるDy−Fe−Co三元系
合金薄膜の各補償組成（室温が補償温度となる組
成）近傍におけるCoの添加量と保磁力Hcとの特
性図である。図で特性図はｙが0atom％である
DyFe二元系の場合（補償組成xa：Dy約23.7％）、
特性図はｙを10atom％添加した場合（補償組
成xb：Dy約24.3％）、特性図はｙを20atom％添
加した場合（補償組成xc：Dy約25.1％）、特性図
はｙを34atom％添加した場合（補償組成xd：
Dy約25.9％）、特性図はｙを50atom％添加した
場合（補償組成Xe：Dy約26.8％）をそれぞれ示
している。保磁力が増加した場合の効果について
は、従来技術のところでも述べているように、高
密度の情報記録が可能で、記録された情報が極め
て安定し、所望の形状の磁区を書き込むことが可
能等の記録特性を向上させることができる。従つ
つて、本発明ではCoの添加量を増加することに
より、読み出し特性に関係するカー回転角と記録
特性に関係する保磁力とを共に増大させることが
できるので、記録及び光再生特性の双方を向上さ
せることができる。この光再生特性も改善される
ことを次のキユーリー温度Tcから説明する。 図４は本発明によるDy−Fe−Co三元系合金薄
膜のCoの添加量とキユーリー温度Tcとの特性図
である。キユーリー温度Tcは図のようにCoの添
加量に比例して大幅に高くなる。従つて、DyFe
二元系はキユーリー点が60℃と極めて低く、小さ
なエネルギーで書き込みが出来る反面光再生時の
Ｓ／Ｎの劣化を招いていたが、Coの添加によつ
てキユーリー点を120℃以上に高くすることがで
きる。なお、キユーリー点が逆に360℃以上と高
くなつた場合には、書き込みに用いる半導体レー
ザ等の光源の出力が不足してキユーリー点書き込
みが不可能となり、Gd−Fe系のごとき磁気的補
償点書込みが必要となるが、磁気的補償点書き込
みでは従来技術で述べたような欠点が生じる。 表１はDy−Fe二元系と本発明のDy−Fe−Co
三元系とを比較するための表であり、Coの組成
割合を変化させた場合の各補償組成近傍における
キユーリー温度Tc，保磁力Hc、及びカー回転角
Θkのそれぞれを示す。再生Ｃ（キヤリヤ）／Ｎ
（ノイズ）の測定条件は、ビツト長3μmで、測定
帯域幅が30kHzでの値である。表１から明らかな
ように、Coの添加量が少ない場合には、キユー
リー温度及び保磁力が小さいため、十分な再生
Ｃ／Ｎが得られないが、約10％以上にした場合に
はＣ／Ｎが大幅に向上する。なお、一般にCoの
添加量が一定の場合、Dyの組成割合を多くした
時には、カー回転角、保磁力及びキユーリー温度
がそれぞれ低下する方向に作用する。
などに用いられる光磁気記録媒体に係わるもの
で、具体的には膜面と垂直な方向に磁化容易軸を
有し、円形あるいは任意の形状の反転磁区を作る
ことにより情報を記録することができ、磁気カー
効果などの磁気光学効果を利用して読み出すこと
のできる磁性薄膜記録媒体に関するものである。 （従来技術） 磁化容易軸が膜面と垂直な方向にある強磁性薄
膜では、Ｓ極あるいはＮ極に一様に磁化された膜
面中に一様磁化極性と逆向きの磁極をもつ小さな
反転磁区を作ることができる。この反転磁区の有
無を「１」，「０」に対応させれば、このような強
磁性薄膜を高密度の光磁気記録媒体として用いる
ことができる。このような強磁性薄膜のうち、室
温にて大きな保磁力を有し、かつキユーリー点ま
たは磁気的補償温度が比較的室温に近い薄膜は、
キユーリー点または磁気的補償温度を利用して光
ビームにより、任意の位置に反転磁区を作ること
によつて情報を記録させることができるため、一
般にビーム・アドレツサブルフイルとして用いら
れている。 従来、公知である膜面と垂直な方向に磁化容易
軸を有し、かつビーム・アドレツサブルフアイル
として使用可能な強磁性薄膜としては、MnBiに
代表される多結晶金属薄膜、Gd−Co，Gd−Fe，
Tb−Fe、Dy−Fe等の非晶質金属薄膜、GIGに代
表される化合物単結晶薄膜があるが、それぞれ以
下に述べるような利点及び欠点を有している。
MnBiに代表されるキユーリー点を利用して書き
込みを行なう多結晶金属薄膜は、室温で数kOeの
大きな保磁力を有している点では光磁気記録媒体
として優れているが、キユーリー点が高い
（MnBiではTc＝360℃）ために書き込みに大きな
エネルギーを必要とする欠点がある。また、多結
晶体であるため化学量論的な組成の薄膜を作製す
る必要があり、薄膜の作製が技術的に難しいとい
う欠点もある。また、Gd−Co，Gd−Feの磁気
的補償点を利用して書き込みを行なう非晶質金属
薄膜は、非晶質であるため任意の基板上に作製可
能であり、多少の不純物を加えることによつてあ
る程度磁気的補償温度を任意に制御できる等の利
点を有するが、室温における保磁力が小さく
（300〜500Oe）、記録された情報が不安定である
という欠点を有する。しかも、この程度の保磁力
を有する薄膜を作製するためにも組成をほぼ
latom％以内に制御する必要があり、薄膜作製面
でも容易でない。 さらに、GIGに代表される化合物単結晶薄膜は
他のものに比べて非常にコスト高になるという大
きな欠点を有する。 また、これらの欠点を除去した新しい磁性薄膜
記録媒体として提案された15atom％〜30atom％
のTbまたはDyを含むTbFeやDyFeの非晶質合金
薄膜は、次のような利点を有している。 膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有し、室温
において数kOeの大きな保磁力を有するため、
高密度の情報記録が可能で、記録された情報が
極めて安定である。 保磁力が大きく所望の形状の磁区を書き込む
ことが可能である。 幅広い組成範囲にわたつて大きな保磁力を有
しており、記録媒体として優れた特性を持つて
いる組成範囲もまた広いため、組成の厳しく限
定された薄膜を作る必要がなく非常に容易に作
製でき、歩留まりも良い。 キユーリー点がTbFeでは120℃、DyFeでは
60℃と低いため、キユーリー点を利用して熱書
き込みを行なう場合には非常に小さなエネルギ
ーにより書き込みを行なうことができる。 （発明が解決しようとする問題点） しかしながら、このTbFe、DyFe等の非晶質
合金薄膜は次のような欠点がある。即ち、キユー
リー点が低いと確かに小さなエネルギーで書き込
みは出来るが、光で読み出すときのＳ／Ｎは逆に
悪くなる。図１には、非晶質合金薄膜の光再生時
の光再生出力（Ｓ）及び信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）
を照射レーザーパワー（Io）の関数として示して
あるが、記録媒体として良い特性を有する
TbFe、DyFeは光再生の点では記録媒体として
良くないGdFeよりも悪いことがわかる。これは
この記録媒体を光磁気メモリーとして考える場合
には非常に大きな欠点となる。 本発明の目的は、上記のような膜面と垂直な方
向に磁化容易軸を有する従来のDy−Fe二元系の
非晶質金属薄膜の保磁力を大にし、かつ効率よく
光再生出力を取り出し得る光磁気記録媒体を提供
することにある。 （問題点を解決するための手段） 本発明の光磁気記録媒体は、膜面と垂直な方向
に磁化容易軸を有する非晶質Dy−Fe−Co三元系
合金薄膜を有し、Dyx（Fe1-yCoy）1-xとしたとき、
ｘが0.15≦ｘ≦0.35の範囲で、ｙが0.00＜ｙ≦
0.50の範囲であり、かつキユーリー点が120℃以
上でキユーリー点を利用した熱書き込みを行う範
囲内にして、Dy−Fe二元系非晶質合金薄膜に比
べて保磁力を大にし、効率よく光再生出力を取り
出し得るように構成されたことを特徴とするもの
である。 以下に、本発明を詳細に説明する。 本発明の光磁気記録媒体は、膜面に垂直な方向
が磁化容易軸であるとともに、120℃〜200℃の間
のキユーリー点を有するDy−Fe−Coの非晶質合
金薄膜である。膜面に垂直な方向に磁化を向ける
に充分な磁気異方性をもたせるには、非晶質にす
ることが必要であるが、この条件はスパツタリン
グ法あるいは真空蒸着法によつて薄膜作製を行な
うことによつて達成される。また、磁化を安定し
て膜面に垂直な方向に向かせるためには、膜の厚
さを100Å以上とし、前記のようにDyとFeとCo
の組成をDyx（Fe1-yCoy）1-xとして、ｘが0.15≦ｘ
≦0.35の範囲であり、ｙが0.00＜ｙ≦0.50の範囲
にすることが必要である。なお、0.50＜ｙでは、
キユーリー点または磁気的補償温度の組成依存性
が大きく、実用性がない。また、ｘの範囲をこの
組成範囲外にした光磁気記録媒体は、膜面に垂直
方向に磁化容易軸を揃えることが困難であり、角
型ヒステリシス特性が劣化するので、実用性のあ
る記録再生特性は得られないことになる。 本発明の磁気光学記録媒体は120〜200℃程度の
比較的低いキユーリー点を有するにもかかわら
ず、磁気カー効果を利用した光再生出力が同程度
のキユーリー点を有するDyFeのものより大きい
ことを特徴としている。 （実施例） 図２は、本発明によるDy−Fe−Co三元系合金
薄膜のCoの添加量とカー回転角Θkとの特性図で
ある。図は膜厚が1000Åで、DyFe二元系のFeの
一部をCoに置換した場合の特性図を示しており、
約10atom％添加することにより、カー回転角は
２倍の0.2度となるため、DyFe二元系に比べて読
み出し特性を大幅に改善出来ることがわかる。な
お、図２のDyの組成は、室温が補償温度となる
ように定めた。図のようにCoの添加量を増やし
ていつた場合、Coの添加量が約40atom％からそ
の増加傾向が鈍化するが、Coの増加に伴つてカ
ー回転角も増大する。また、Dyの組成割合を増
加させた場合、カー回転角はDyの割合が増える
に従つて低下する。 一方、図３は本発明によるDy−Fe−Co三元系
合金薄膜の各補償組成（室温が補償温度となる組
成）近傍におけるCoの添加量と保磁力Hcとの特
性図である。図で特性図はｙが0atom％である
DyFe二元系の場合（補償組成xa：Dy約23.7％）、
特性図はｙを10atom％添加した場合（補償組
成xb：Dy約24.3％）、特性図はｙを20atom％添
加した場合（補償組成xc：Dy約25.1％）、特性図
はｙを34atom％添加した場合（補償組成xd：
Dy約25.9％）、特性図はｙを50atom％添加した
場合（補償組成Xe：Dy約26.8％）をそれぞれ示
している。保磁力が増加した場合の効果について
は、従来技術のところでも述べているように、高
密度の情報記録が可能で、記録された情報が極め
て安定し、所望の形状の磁区を書き込むことが可
能等の記録特性を向上させることができる。従つ
つて、本発明ではCoの添加量を増加することに
より、読み出し特性に関係するカー回転角と記録
特性に関係する保磁力とを共に増大させることが
できるので、記録及び光再生特性の双方を向上さ
せることができる。この光再生特性も改善される
ことを次のキユーリー温度Tcから説明する。 図４は本発明によるDy−Fe−Co三元系合金薄
膜のCoの添加量とキユーリー温度Tcとの特性図
である。キユーリー温度Tcは図のようにCoの添
加量に比例して大幅に高くなる。従つて、DyFe
二元系はキユーリー点が60℃と極めて低く、小さ
なエネルギーで書き込みが出来る反面光再生時の
Ｓ／Ｎの劣化を招いていたが、Coの添加によつ
てキユーリー点を120℃以上に高くすることがで
きる。なお、キユーリー点が逆に360℃以上と高
くなつた場合には、書き込みに用いる半導体レー
ザ等の光源の出力が不足してキユーリー点書き込
みが不可能となり、Gd−Fe系のごとき磁気的補
償点書込みが必要となるが、磁気的補償点書き込
みでは従来技術で述べたような欠点が生じる。 表１はDy−Fe二元系と本発明のDy−Fe−Co
三元系とを比較するための表であり、Coの組成
割合を変化させた場合の各補償組成近傍における
キユーリー温度Tc，保磁力Hc、及びカー回転角
Θkのそれぞれを示す。再生Ｃ（キヤリヤ）／Ｎ
（ノイズ）の測定条件は、ビツト長3μmで、測定
帯域幅が30kHzでの値である。表１から明らかな
ように、Coの添加量が少ない場合には、キユー
リー温度及び保磁力が小さいため、十分な再生
Ｃ／Ｎが得られないが、約10％以上にした場合に
はＣ／Ｎが大幅に向上する。なお、一般にCoの
添加量が一定の場合、Dyの組成割合を多くした
時には、カー回転角、保磁力及びキユーリー温度
がそれぞれ低下する方向に作用する。
【表】
【表】
表１から明らかなように、補償組成からのDy
組成のずれ量がほぼ等しい場合、ｙ−Fe二元系
にCoを僅かに添加したDy−Fe−Co三元系では、
キユーリー温度Tc，保磁力Hc、カー回転角Θk及
び再生Ｃ／Ｎが改善されるが、その効果が顕著に
現れるのはキユーリー温度が120℃以上の時であ
る。特に、キユーリー温度とカー回転角はDyの
組成によつても変わり、一般にDyの組成割合が
減少するとキユーリー温度とカー回転角が増加す
る傾向にある。 （発明の効果） 以上のように、本発明の光磁気記録媒体は良く
知られた非晶質合成薄膜DyFeと同じく膜面に垂
直な方向に磁化容易軸を有し、かつ室温で大きな
保磁力を有し、作製も容易であるという非晶質合
金薄膜の利点を有しており、しかも効率よく光再
生出力を取り出すことができる。従つて、光ビー
ムを用いて書き込み、カー効果を利用して読み出
しを行なう、いわゆる光磁気メモリの貯蔵媒体と
して使用すれば、極めて高密度でＳ／Ｎの大きい
優れたメモリ装置を実現することができる。書き
込み方法としては光ビームに限らず、針型磁気ヘ
ツド、熱ペン、電子ビームなどの反転磁区を生じ
せしめるのに必要なエネルギーを供給するいかな
る方法で行なつても良い。
組成のずれ量がほぼ等しい場合、ｙ−Fe二元系
にCoを僅かに添加したDy−Fe−Co三元系では、
キユーリー温度Tc，保磁力Hc、カー回転角Θk及
び再生Ｃ／Ｎが改善されるが、その効果が顕著に
現れるのはキユーリー温度が120℃以上の時であ
る。特に、キユーリー温度とカー回転角はDyの
組成によつても変わり、一般にDyの組成割合が
減少するとキユーリー温度とカー回転角が増加す
る傾向にある。 （発明の効果） 以上のように、本発明の光磁気記録媒体は良く
知られた非晶質合成薄膜DyFeと同じく膜面に垂
直な方向に磁化容易軸を有し、かつ室温で大きな
保磁力を有し、作製も容易であるという非晶質合
金薄膜の利点を有しており、しかも効率よく光再
生出力を取り出すことができる。従つて、光ビー
ムを用いて書き込み、カー効果を利用して読み出
しを行なう、いわゆる光磁気メモリの貯蔵媒体と
して使用すれば、極めて高密度でＳ／Ｎの大きい
優れたメモリ装置を実現することができる。書き
込み方法としては光ビームに限らず、針型磁気ヘ
ツド、熱ペン、電子ビームなどの反転磁区を生じ
せしめるのに必要なエネルギーを供給するいかな
る方法で行なつても良い。
図１は従来の非晶質合金薄膜の光再生特性図、
図２は本発明によるDyFeCo薄膜のCo添加量とカ
ー回転角との特性図、図３は本発明による
DyFeCo薄膜のCo添加量と保磁力との特性図、図
４は本発明によるDyFeCo薄膜のCo添加量とキユ
ーリー温度との特性図である。
図２は本発明によるDyFeCo薄膜のCo添加量とカ
ー回転角との特性図、図３は本発明による
DyFeCo薄膜のCo添加量と保磁力との特性図、図
４は本発明によるDyFeCo薄膜のCo添加量とキユ
ーリー温度との特性図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有する非晶
質Dy−Fe−Co三元系合金薄膜を有し、 Dyx（Fe1-yCoy）1-xとしたとき、ｘが0.15≦ｘ≦
0.35の範囲で、ｙが0.00＜ｙ≦0.50の範囲にあり、
かつキユーリー点が120℃以上で該キユーリー点
を利用した熱書き込みを行う範囲内にして、Dy
−Fe二元系非晶質合金薄膜に比べて保磁力を大
にし、効率よく光再生出力を取り出し得るように
構成されたことを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10160290A JPH0316049A (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10160290A JPH0316049A (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | 光磁気記録媒体 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17083781A Division JPS5873746A (ja) | 1981-10-27 | 1981-10-27 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0316049A JPH0316049A (ja) | 1991-01-24 |
| JPH0465523B2 true JPH0465523B2 (ja) | 1992-10-20 |
Family
ID=14304939
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10160290A Granted JPH0316049A (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0316049A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5229096A (en) * | 1990-11-19 | 1993-07-20 | Scm Chemicals, Inc. | Silica gel |
| JPH0773516A (ja) * | 1993-09-02 | 1995-03-17 | Nikon Corp | 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 |
| JP3360717B2 (ja) * | 1997-09-29 | 2002-12-24 | 日本電気株式会社 | ダイナミック型半導体記憶装置 |
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Family Cites Families (7)
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| JPS5674843A (en) * | 1979-11-21 | 1981-06-20 | Fuji Photo Film Co Ltd | Photomagnetic recording medium |
| JPS5873746A (ja) * | 1981-10-27 | 1983-05-04 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 光磁気記録媒体 |
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| JP2579489B2 (ja) * | 1987-07-13 | 1997-02-05 | 順彦 佐藤 | 粘着物による袋口の開閉保持具 |
-
1990
- 1990-04-19 JP JP10160290A patent/JPH0316049A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0316049A (ja) | 1991-01-24 |
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