JPH0465644A - 圧力センサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は圧力センサに関し、特に、基板に設けられた
ダイヤフラム領域上に形成された複数の歪ゲージ間の接
続に関する。

〔従来の技術〕

第２図はダイヤフラム領域を有する従来の圧力センサチ
ップの上面図である。半導体基板１に形成された正方形
のダイヤフラム領域２の各辺中央部には各々ゲージ抵抗
３か形成されている。ゲージ抵抗３は不純物拡散層によ
り形成されている。

ゲージ抵抗３の両端は各々アルミ配線４によりコンタク
トかとられており、４つのゲージ抵抗３によりブリッジ
回路が形成される。

次に動作について説明する。ダイヤフラム領域２に応力
が加えられるとゲージ抵抗３の抵抗値か応力の大きさに
応じて変化し、この抵抗値に応した電圧が出力される。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来の圧力センサは以上のように構成され、応力を受け
るダイヤフラム領域２上に、ゲージ抵抗３とアルミ配線
４のコンタクト部が８ケ所存在し、応力によりコンタク
ト部に歪みが生しノイズが生じやすい。また、コンタク
ト部自身もノイズの原因となりやすいという問題点があ
った。

この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、ノイズの生じにくい圧力センサを得ることを
目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

この発明に係る圧力センサは、半導体基板と、前記半導
体基板に形成されたダイヤフラム領域と、前記ダイヤフ
ラム領域上に形成され、前記ダイヤフラム領域に加えら
れた応力を電気信号に変換する複数の歪ゲージと、前記
半導体基板上に形成され、前記複数の歪ケージ間の接続
を行うための拡散配線層を備えている。

〔作用〕

この発明においてはダイヤフラム領域上に形成された複
数の歪ゲージ、の接続を拡散配線層で行ったのて、ダイ
ヤフラム領域上に歪ゲージとアルミ配線とのコンタクト
部をなくすことができる。

〔実施例〕

第１図はこの発明に係る圧力センサの一実施例を示す上
面図である。図において、第２図に示した従来例との相
違点は、ゲージ抵抗３の接続をアルミ配線４てなく拡散
配線層５により行い、ダイヤフラム領域２外で拡散配線
層５とアルミ配線４とのコンタクトをとったことである
。拡散配線層５はケージ抵抗３に隣接するように半導体
基板１に不純物を拡散させることにより形成する。アル
ミ配線４は該圧力センサに電源電圧■。ＣやＧＮＤ電位
を与えたり、出力の引き出しの役目をする。

動作については従来と同様である。すなわち、ダイヤフ
ラム領域２に応力が加えられるとケージ抵抗３の抵抗値
か変化し、この抵抗値に応した電圧が出力される。複数
のゲージ抵抗３間の接続を拡散配線層５により行い、ダ
イヤフラム領域２上にはアルミ配線４とのコンタクト部
か存在しない。

そのため、ダイヤフラム領域２に応力を加えた場合、従
来のようにゲージ抵抗３とアルミ配線４とのコンタクト
部に歪みが生しることはなく、ノイスか低減する。また
、拡散配線層５とアルミ配線４とのコンタクト部は図に
示すように４ケ所となり、コンタクト部自体も数か半分
になっているので、さらにノイズが低減する。

なお、上記実施例ではダイヤフラム領域２に加えられた
応力を電気信号に変換する歪ゲージとしてゲージ抵抗を
示したか、その他のものでもよい。

〔発明の効果〕

以上のようにこの発明によれば、ダイヤフラム領域上に
形成された複数の歪ゲージ間の接続を行うための拡散配
線層を設けたのて、ダイヤフラム領域上に歪ケージとア
ルミ配線とのコンタクト部をなくすことかできる。その
結果、コンタクト部に応力か加わることかなく、ノイズ
が低減するという効果かある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明に係る圧力センサの一実施例を示す上
面図、第２図は従来の圧力センサの上面図である。 図において、１は半導体基板、２はダイヤフラム領域、
３はゲージ抵抗、５は拡散配線層である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 第　１　崗 第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体基板と、 前記半導体基板に形成されたダイヤフラム領域と、 前記ダイヤフラム領域上に形成され、前記ダイヤフラム
   領域に加えられた応力を電気信号に変換する複数の歪ゲ
   ージと、 前記半導体基板上に形成され、前記複数の歪ゲージ間の
   接続を行うための拡散配線層を備えた圧力センサ。