JPH0466373B2 - - Google Patents

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JPH0466373B2
JPH0466373B2 JP9559187A JP9559187A JPH0466373B2 JP H0466373 B2 JPH0466373 B2 JP H0466373B2 JP 9559187 A JP9559187 A JP 9559187A JP 9559187 A JP9559187 A JP 9559187A JP H0466373 B2 JPH0466373 B2 JP H0466373B2
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JP
Japan
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tcnq salt
solid electrolyte
tcnq
capacitor
salt
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Application number
JP9559187A
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Japanese (ja)
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JPS62252928A (en
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Shinichi Niwa
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Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
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Publication date
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  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
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Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

(イ) 産業上の利用分野 本発明はTCNQ塩を固体電解質とする固体電
解コンデンサに関する。 (ロ) 従来の技術 固体電解コンデンサは陽極酸化皮膜を有するア
ルミニウムなどの皮膜形成性金属に固体電解質を
付着した構造を有している。従来より量産化され
ているこの種コンデンサにおいて、それを構成す
る固体電解質はほとんど二酸化マンガンである
が、近年、二酸化マンガンの弱点、即ち二酸化マ
ンガン形成のための熱分解時に皮膜形成性金属の
陽極酸化皮膜が損傷を受けること、又二酸化マン
ガンによる陽極酸化皮膜の修復性が乏しいことな
どを改善する固体電解質として有機半導体、主に
TCNQ塩を用いることが提案された。こゝに、
TCNQとは7,7,8,8テトラシアノジメタ
ンを意味する。 しかし乍ら、TCNQ塩は通常粉末状の結晶で
あり、その結晶自体高い電導度が上記皮膜の良好
な修復性を示すものの、粉末状結晶であるがため
に加工性に難がある。即ち、皮膜形成性金属に
TCNQ塩の結晶をどの様にして付着するかとい
う問題がある。特に固体電解コンデンサに用いる
皮膜形成性金属は多孔質の場合が多いが、斯る多
孔質金属へのTCNQ塩の一様な含浸的付着は困
難を極める。更に重要なことは、TCNQ塩自体
がその付着作業時に常に変質などによる劣化の危
険性をはらんでいることである。 従来、提案されたTCNQ塩の付着方法は次の
3つに分類できる。 (1) DMF(ジメチルホルムアミド)などの溶媒に
TCNQ塩を溶かした溶液を上記金属に塗布し、
その後乾燥させて溶媒を飛散除去する方法。 (2) TCNQ塩をボールミル等により微細化した
結晶をアルコール等に分散せしめ、それを上記
金属に塗布し乾燥する方法。 (3) TCNQ塩を上記金属に真空蒸着する方法。 上記(1)の方法では、TCNQ塩に対する溶解度
の高いDMFを溶媒に用い、斯る溶媒を例えば100
℃に加熱したとしても、その溶解度は10%が限度
である。このことは箔状の上記金属に必要なだけ
の厚みの固体電解質を付着したり、あるいは多孔
質の上記金属に固体電解質を十分含浸的に付着す
るには何度も塗布、乾燥を繰り返す必要のあるこ
とを意味している。例えば定格1μF用の多孔質金
属の場合、5〜10回の塗布、乾燥で達せられる含
浸率は、二酸化マンガンを固体電解質に用いた場
合の含浸率を100%として、高々30%である。こ
の様な低い含浸率では、金属が多孔質であるにも
拘らずコンデンサの容量値を大きくできない。更
に溶媒を塗布した金属は上記乾燥の度に高温中に
放置されるが、このとき多かれ少なかれTCNQ
塩の変質が起こり、固体電解質の電導度劣化を招
く。加えて、この様にして上記金属に付着形成さ
れる固体電解質はTCNQ塩の微細結晶からなる
ため、実際に塗布溶液中にポリビニルピロリドン
などの凝固用樹脂が添加されて上記微細結晶の付
着強度の強度が図られるが、斯る凝固用樹脂は電
気的絶縁物であるため、上記電導度劣化を相俟つ
て固体電解質の電導度を更に低いもの(800Ωcm
程度(25℃))になす。 上記(2)の方法では、TCNQ塩の微細化にも限
界があり、上記金属への付着強度が特に弱いの
で、コンデンサの寿命試験において、TCNQ塩
からなる固体電解質が上記金属よりはがれたりし
て、特性の劣化、例えば、tanδの増加や容量減少
が見られる。上記付着強度の強化は、上に述べた
様に凝固用樹脂の採用によりある程度改善される
が、同様に固体電解質の電導度の低下を招く。
又、TCNQ塩からなる微細結晶の分散溶液を用
いるので、特に多孔質金属への含浸率が悪く、超
音波拡散含浸法を用いたとしてもその含浸率は
高々上記(1)の方法と同程度である。 上記(3)の方法では、真空蒸着作業が煩雑である
という問題がある。 (ハ) 発明が解決しようとする問題点 本発明は、上記従来技術の問題点、即ち
TCNQ塩の付着作業性の低い点、TCNQ塩の変
質による固体電解質の電導度劣化の点、付着強度
の低い点および真空蒸着作業の煩雑さを解決する
ものである。 (ニ) 問題点を解決するための手段 本発明は、巻取り素子を有しTCNQ塩を固体
電解質とする固体電解コンデンサにおいて、
TCNQ塩を融点以上280℃以下の温度で融解液化
するための容器をコンデンサ外皮ケースとして兼
用するものである。 本発明は、ある種のTCNQ塩、具体的には、
N−(イソプロピル)−キノリニウム、N−(n−
プロピル)−キノリニウム、N−(n−プロピル)
−イソキノリニウム、N−(イソプロピル)−イソ
キノリニウムのTCNQ塩は加熱融解しても、熱
分解するまでに短時間ではあるが、付着作業にと
つては十分な時間的余裕を呈し、従つて斯る時間
内に冷却固化すれば高い電導度を保持する
TCNQ塩からなる固体電解質を得られるという
全く新しい知見に基いている。 更に本発明は、上記TCNQ塩のうち、実施例
としてN−(n−プロピル)−イソキノリニウム又
は、N−(イソプロピル)−イソキノリニウムの
TCNQ塩を選択したことを特徴としている。 即ち、N−(n−プロピル)−イソキノリニウム
やN−(イソプロピル)−イソキノリニウムの
TCNQ塩の融点は210〜220℃であるが、これを
融点以上かつ約280℃以下で液化保持し、熱分解
する前、即ち液化完了後約4分以内に冷却開始す
れば再度結晶化し、20〜30Ωcm(25℃)の高い電
導度を示す固体電解質を形成する。 約280℃以上の温度で、又はそれ以下の温度で
も約1分以上、長くても4分以上の間、上記
TCNQ塩を液体状態に保持すれば、TCNQ塩は
激しく発煙し、ほゞ電気的絶縁物となる。 本発明により得られる固体電解質は上記従来法
(1)や(2)の場合の如きTCNQ塩の微細結晶の集り
ではなく、ほゞ非晶質状態に近い、又本発明によ
り得られる固体電解質は、TCNQ塩本来の性質、
例えば皮膜形成性金属表面の酸化皮膜に対する優
れた修復性を維持している。 本発明によれば、TCNQ塩を100%溶解した溶
液により皮膜形成性金属へのTCNQ塩の付着を
なすのと同じことであるから、上記従来方法(1)と
は全く異なり、ほとんど1回の付着作業で、上記
金属が箔状のみならず多孔質の場合でも、必要な
量の固体電解質を形成することができ、量産性の
向上はもとより、乾燥の度にTCNQ塩が劣化す
るといつた従来の欠点が克服される。更に、本発
明によれば、固体電解質は非晶質状態に近いか
ら、上記金属への付着力が十分大きく、従つて、
従来の如き凝固用樹脂を用いる必要がなく、固体
電解質の不所望な電導度の低下を避けることがで
きる。 更に本発明の如く、N−(n−プロピル)−イソ
キノリニウム又はN−(イソプロピル)−イソキノ
リニウムのTCNQ塩を用いた電解コンデンサは、
他のTCNQ塩、即ちN−(イソプロピル)−キノ
リニウム又はN−(n−プロピル)−キノリニウム
のTCNQ塩を用いた場合に較べて、静電容量値
(即ち含浸率)をより大きくなし、又高温(+85
℃)での静電容量変化率をより小さくするという
改善効果を示す。 (ホ) 作用 容器をコンデンサ外皮ケースとして兼用するの
で、この容器内でTCNQ塩の融解液化、巻取り
素子の含浸、TCNQ塩の冷却固化および樹脂封
口等の作業を能率よく円滑に行なうことができ
る。 (ヘ) 実施例 以下本発明一実施例について説明する。 まずN−(n−プロピル)−イソキノリニウムの
TCNQ塩が準備される。斯るTCNQ塩の作成自
体は、J.Am.Chem.Soc.、Vol.84、P.3374〜3387
(1962)の記載に基いて行えるが、簡単に述べれ
ば、n−プロピルヨードとイソキノリンとを反応
させて得られるN−(n−プロピル)−イソキノリ
ニウムヨードとTCNQとをアセトニトリル中で
ほゞ等モル比、例えば1:1.3のモル比で反応さ
せることにより粉末結晶状のN−(n−プロピル)
−イソキノリニウムのTCNQ塩が作られる。以
後この塩を単にTCNQ塩と称す。 一方、通常のアルミ焼結型固体電解コンデンサ
の製造方法に従つて、第1図に示す如く、アルミ
ニウム粉末の焼結体を陽極酸化処理し、酸化皮膜
を有する皮膜形成性金属としての多孔質コンデン
サ素子1が作成される。 上記準備の後、実行される工程は、コンデンサ
素子1にTCNQ塩からなる固体電解質を含浸付
着することである。即ち、準備されている粉末状
のTCNQ塩を第2図に示す如くアルミニウム容
器2に適度の加圧下で収納し、容器2を加熱する
ことにより融解液化したTCNQ塩浴3が設けら
れる。この浴の温度は250℃〜260℃に保持され
る。尚、アルミニウム容器2へのTCNQ塩収納
時の加圧は本質的なものではない。 続く工程では、第3図に示す如く、予め250℃
〜260℃に加熱保持されているコンデンサ素子1
をTCNQ塩浴3に浸漬し、直ちに容器2全体を
室温に自然冷却する。これにより、多孔質のコン
デンサ素子1に含浸したTCNQ塩が冷却固化し、
目的の固体電解質となる。上記TCNQ塩の液化
から冷却開始までの所要時間は約5秒である。尚
冷却開始から融点以下になるまでの所要時間は数
秒(例えば4秒)以内である。 残りの工程では、固体電解質を含浸したコンデ
ンサ素子1から容器2を剥がし、その後通常行な
われている様に、第4図に示す如く、含浸済みの
コンデンサ素子1′表面にグラフアイト層4、銀
塗料層5が順次被着され、最後に斯る素子1が陰
極リード線6と共にアルミニウム容器7内に収納
され、半田8及びエポキシ樹脂9にて固定され
る。 上記素子1として、従来の二酸化マンガンを固
体電解質とするコンデンサでは1μFの容量を示す
ものを用いたところ、完成されたコンデンサの容
量は約1μFであつた。これは二酸化マンガンの場
合の含浸率を100%として、それと同程度の含浸
率を意味する。 第1表及び第2表に本実施例コンデンサの温度
特性及び高温負荷特性を示す。又、同様にて比較
のための参考例として、上記実施例の固体電解質
のみをN−(n−プロピル)−キノリニウムの
TCNQ塩に変更して得られたコンデンサの特性
をも示す。尚、N−(n−プロピル)−キノリニウ
ムのTCNQ塩の作成は同様にして行なわれるが、
液化保持温度は260〜270℃であり、液化から冷却
までの時間は10秒程度である。
(a) Industrial Application Field The present invention relates to a solid electrolytic capacitor using TCNQ salt as a solid electrolyte. (b) Prior Art A solid electrolytic capacitor has a structure in which a solid electrolyte is attached to a film-forming metal such as aluminum having an anodized film. In this type of capacitor, which has traditionally been mass-produced, the solid electrolyte that makes up the capacitor is mostly manganese dioxide, but in recent years, the weak points of manganese dioxide, namely, the anodization of the film-forming metal during thermal decomposition to form manganese dioxide, have been discovered. Organic semiconductors, mainly used as solid electrolytes to improve the damage to the film and the poor repairability of the anodic oxide film with manganese dioxide.
It was proposed to use TCNQ salt. Here,
TCNQ means 7,7,8,8 tetracyanodimethane. However, TCNQ salt is usually in the form of powder crystals, and although the crystals themselves have high conductivity and exhibit good repairability for the above-mentioned film, because they are powder crystals, they have difficulty in processability. That is, film-forming metals
The problem is how to attach TCNQ salt crystals. In particular, film-forming metals used in solid electrolytic capacitors are often porous, but it is extremely difficult to uniformly impregnate TCNQ salt onto such porous metals. What is more important is that TCNQ salt itself always carries the risk of deterioration due to alteration during the adhesion process. Conventionally proposed methods for attaching TCNQ salt can be classified into the following three types. (1) In solvents such as DMF (dimethylformamide)
Apply a solution of TCNQ salt to the above metal,
The method is then dried to remove the solvent by scattering. (2) A method in which TCNQ salt is made into fine crystals using a ball mill, etc., dispersed in alcohol, etc., and then applied to the above metal and dried. (3) A method of vacuum evaporating TCNQ salt onto the above metal. In method (1) above, DMF, which has high solubility for TCNQ salt, is used as a solvent, and such a solvent is
Even when heated to ℃, its solubility is limited to 10%. This means that it is necessary to apply and dry the solid electrolyte many times in order to adhere the necessary thickness of solid electrolyte to the foil-shaped metal, or to apply the solid electrolyte to the porous metal in a sufficient impregnation manner. It means something. For example, in the case of a porous metal with a rating of 1 μF, the impregnation rate that can be achieved by applying 5 to 10 times and drying is at most 30%, assuming that the impregnation rate when manganese dioxide is used as the solid electrolyte is 100%. At such a low impregnation rate, the capacitance value of the capacitor cannot be increased even though the metal is porous. Furthermore, the metal coated with a solvent is left in a high temperature during each drying process, and at this time more or less TCNQ
Deterioration of the salt occurs, leading to deterioration of the conductivity of the solid electrolyte. In addition, since the solid electrolyte formed on the metal in this way consists of fine crystals of TCNQ salt, a coagulating resin such as polyvinylpyrrolidone is actually added to the coating solution to increase the adhesion strength of the fine crystals. However, since the coagulating resin is an electrical insulator, the conductivity of the solid electrolyte is lowered (800 Ω cm
(25℃)). In method (2) above, there is a limit to the miniaturization of the TCNQ salt, and the adhesion strength to the above metal is particularly weak, so the solid electrolyte made of TCNQ salt may peel off from the above metal during the capacitor life test. , deterioration of characteristics, such as an increase in tanδ and a decrease in capacity, is observed. Although the reinforcement of the adhesion strength can be improved to some extent by employing the coagulating resin as described above, it also causes a decrease in the electrical conductivity of the solid electrolyte.
Furthermore, since a dispersion solution of microcrystals made of TCNQ salt is used, the impregnation rate is particularly poor for porous metals, and even if an ultrasonic diffusion impregnation method is used, the impregnation rate is at most the same as method (1) above. It is. The method (3) above has a problem in that the vacuum evaporation work is complicated. (c) Problems to be solved by the invention The present invention solves the problems of the prior art described above, namely
This solution solves the problems of poor adhesion workability of TCNQ salt, deterioration of conductivity of solid electrolyte due to alteration of TCNQ salt, low adhesion strength, and complexity of vacuum evaporation work. (d) Means for solving the problems The present invention provides a solid electrolytic capacitor having a winding element and using TCNQ salt as a solid electrolyte.
A container for melting and liquefying TCNQ salt at a temperature above the melting point and below 280°C also serves as a capacitor outer case. The present invention provides certain TCNQ salts, specifically:
N-(isopropyl)-quinolinium, N-(n-
propyl)-quinolinium, N-(n-propyl)
-Isoquinolinium, N-(isopropyl)-Although it takes a short time for the TCNQ salt of isoquinolinium to thermally decompose even when it is heated and melted, it provides sufficient time for the adhesion process; Maintains high conductivity when cooled and solidified
This is based on the completely new knowledge that a solid electrolyte made of TCNQ salt can be obtained. Furthermore, the present invention provides examples of N-(n-propyl)-isoquinolinium or N-(isopropyl)-isoquinolinium among the above TCNQ salts.
It is characterized by the selection of TCNQ salt. That is, N-(n-propyl)-isoquinolinium and N-(isopropyl)-isoquinolinium
The melting point of TCNQ salt is 210 to 220°C, but if it is liquefied and maintained at a temperature above the melting point and below about 280°C, and cooling is started before thermal decomposition, that is, within about 4 minutes after the completion of liquefaction, it will crystallize again. Forms a solid electrolyte with high conductivity of ~30Ωcm (25°C). At a temperature of about 280°C or higher, or at a temperature lower than that, for at least 1 minute, or at most 4 minutes,
If TCNQ salt is kept in a liquid state, it will smoke heavily and become a near-electrical insulator. The solid electrolyte obtained by the present invention can be obtained by the conventional method described above.
The solid electrolyte obtained by the present invention is not a collection of fine crystals of TCNQ salt as in cases (1) and (2), but is almost in an amorphous state.
For example, it maintains excellent repairability against oxide films on film-forming metal surfaces. According to the present invention, it is the same as attaching TCNQ salt to a film-forming metal using a solution containing 100% TCNQ salt. During the adhesion process, the required amount of solid electrolyte can be formed not only when the metal is in the form of a foil but also when it is porous, which not only improves mass productivity but also eliminates the conventional problem of TCNQ salt deteriorating each time it is dried. disadvantages are overcome. Furthermore, according to the present invention, since the solid electrolyte is close to an amorphous state, the adhesion force to the metal is sufficiently large, and therefore,
There is no need to use a coagulating resin as in the prior art, and an undesirable decrease in the electrical conductivity of the solid electrolyte can be avoided. Further, as in the present invention, an electrolytic capacitor using N-(n-propyl)-isoquinolinium or a TCNQ salt of N-(isopropyl)-isoquinolinium,
Higher capacitance values (i.e., impregnation rate) and higher (+85
The improvement effect is to further reduce the rate of change in capacitance at temperatures (°C). (e) Function Since the container is also used as a capacitor outer case, operations such as melting and liquefying the TCNQ salt, impregnating the winding element, cooling and solidifying the TCNQ salt, and sealing with resin can be performed efficiently and smoothly in this container. . (f) Example An example of the present invention will be described below. First, N-(n-propyl)-isoquinolinium
TCNQ salt is prepared. The preparation of such TCNQ salt itself is described in J.Am.Chem.Soc., Vol.84, P.3374-3387.
(1962), but briefly, N-(n-propyl)-isoquinolinium iodine obtained by reacting n-propyliodine with isoquinoline and TCNQ are reacted in acetonitrile. By reacting in an equimolar ratio, for example, a molar ratio of 1:1.3, powdered crystalline N-(n-propyl) is produced.
- TCNQ salt of isoquinolinium is made. Hereinafter, this salt will be simply referred to as TCNQ salt. On the other hand, as shown in Fig. 1, a porous capacitor as a film-forming metal having an oxide film is produced by anodizing a sintered body of aluminum powder according to the usual manufacturing method of an aluminum sintered solid electrolytic capacitor. Element 1 is created. After the above preparation, the step performed is to impregnate the capacitor element 1 with a solid electrolyte consisting of TCNQ salt. That is, as shown in FIG. 2, the prepared powder TCNQ salt is stored in an aluminum container 2 under moderate pressure, and the container 2 is heated to provide a TCNQ salt bath 3 in which the TCNQ salt is melted and liquefied. The temperature of this bath is maintained at 250°C to 260°C. Note that pressurizing the aluminum container 2 when storing TCNQ salt is not essential. In the following process, as shown in Figure 3, the temperature is set at 250℃ in advance.
Capacitor element 1 heated and maintained at ~260℃
is immersed in the TCNQ salt bath 3, and the entire container 2 is immediately cooled naturally to room temperature. As a result, the TCNQ salt impregnated into the porous capacitor element 1 is cooled and solidified.
It becomes the desired solid electrolyte. The time required from the liquefaction of the TCNQ salt to the start of cooling is about 5 seconds. The time required from the start of cooling until the temperature drops below the melting point is within several seconds (for example, 4 seconds). In the remaining steps, the container 2 is peeled off from the capacitor element 1 impregnated with the solid electrolyte, and then a graphite layer 4 and a silver layer are deposited on the surface of the impregnated capacitor element 1', as shown in FIG. Paint layers 5 are sequentially applied, and finally the element 1 is housed together with the cathode lead wire 6 in an aluminum container 7 and fixed with solder 8 and epoxy resin 9. As the element 1, a conventional capacitor having a capacitance of 1 μF using manganese dioxide as a solid electrolyte was used, and the capacitance of the completed capacitor was approximately 1 μF. This means an impregnation rate comparable to that of manganese dioxide, which is 100%. Tables 1 and 2 show the temperature characteristics and high temperature load characteristics of the capacitor of this example. Similarly, as a reference example for comparison, only the solid electrolyte of the above example was replaced with N-(n-propyl)-quinolinium.
The characteristics of the capacitor obtained by changing to TCNQ salt are also shown. Note that the TCNQ salt of N-(n-propyl)-quinolinium is prepared in the same manner.
The liquefaction holding temperature is 260 to 270°C, and the time from liquefaction to cooling is about 10 seconds.

【表】【table】

【表】 上記表より参考例の場合、その容量値は約
0.8μF(20℃)であるから二酸化マンガンでの含浸
率を100%として、80%の含浸率となり、本実施
例の含浸率(100%)の優れていることが判る。
又温度特性においても高温側で本実施例の優位性
が明らかである。 本発明は上記実施例の如き粉末焼結型の素子1
を用いる代りに、アルミニウムのエツチング箔を
陰極とし、同じくその化成箔を陽極とし、これら
をセパレータ紙をはさんで巻取つた巻取り素子を
用いた場合でも有効に適用される。 即ち、準備されている粉末状のTCNQ塩をア
ルミニウム容器に収納し、容器を加熱しTCNQ
塩を融点以上280℃以下の温度で融解液化して
TCNQ塩浴が設けられる。次に予め250℃〜260
℃に加熱保持されている巻取り素子をTCNQ塩
浴に浸漬し、直ちに容器全体を室温にて自然冷却
する。この後樹脂封口することにより粉末焼結型
とほぼ同様の温度特性、高温負荷特性を有する電
解コンデンサを作成することができる。 尚、この場合、化成箔のカツト部、陽極リード
等の未化成部は予め含浸前に化成しておく必要が
あるが、容器2をそのまゝコンデンサ外皮ケース
とすることができ、又グラフアイト層や銀塗料層
は不要となる。 上記巻取り素子(従来の乾式電解コンデンサ
50V、2.2μFに使用されるのと同等物)にTCNQ
塩を含浸し、完成したコンデンサの特性は
1.45μF、tanδ1.8%、LC/30″0.04μA(25V印加)
である。 上記実施例では、素子1の金属はアルミニウム
であつたが、他の皮膜形成性金属、例えばタンタ
ルやニオブでも良い。更に、固体電解質として、
N−(イソプロピル)−イソキノリニウムの
TCNQ塩を用いても実施例と同様にしてコンデ
ンサが製造され得る。 (ト) 発明の効果 以上の説明より明らかな如く、本発明によれ
ば、有機半導体からなる固体電解質を用いた固体
電解コンデンサにおいて、固体電解質の皮膜形成
性金属への付着が簡単な作業で行なえ、かつ斯る
作業時に固体電解質の劣化も少なく、更にコンデ
ンサとしての特性も容量値が大きく、温度特性に
も優れた十分実用的なものが得られる。また容器
をコンデンサ外皮ケースとして兼用するので、各
工程の作業を能率よく円滑に行なうことができ
る。
[Table] From the table above, in the case of the reference example, the capacitance value is approximately
Since it is 0.8 μF (20° C.), the impregnation rate is 80%, assuming that the impregnation rate with manganese dioxide is 100%, and it can be seen that the impregnation rate (100%) of this example is excellent.
Also, in terms of temperature characteristics, the superiority of this example is clear on the high temperature side. The present invention provides a powder sintered element 1 as shown in the above embodiment.
Instead of using etched aluminum foil as a cathode, the same chemically formed foil as an anode, and a winding element in which these are wound with separator paper sandwiched therebetween can be effectively applied. That is, the prepared powdered TCNQ salt is stored in an aluminum container, the container is heated, and the TCNQ salt is heated.
Salt is melted and liquefied at a temperature above the melting point and below 280℃.
A TCNQ salt bath is provided. Next, preheat to 250℃~260℃
The winding element heated and maintained at °C is immersed in a TCNQ salt bath, and the entire container is immediately allowed to cool naturally at room temperature. By subsequently sealing with resin, an electrolytic capacitor having almost the same temperature characteristics and high-temperature load characteristics as the powder sintered type can be produced. In this case, it is necessary to chemically convert the cut portion of the chemically formed foil, the anode lead, etc. before impregnation, but the container 2 can be used as it is as a capacitor outer case, and graphite layer or silver paint layer is no longer necessary. The above winding element (conventional dry electrolytic capacitor)
TCNQ (equivalent to that used for 50V, 2.2μF)
The characteristics of the completed capacitor impregnated with salt are
1.45μF, tanδ1.8%, LC/30″0.04μA (25V applied)
It is. In the above embodiment, the metal of element 1 was aluminum, but other film-forming metals such as tantalum or niobium may be used. Furthermore, as a solid electrolyte,
N-(isopropyl)-isoquinolinium
A capacitor can be manufactured using TCNQ salt in the same manner as in the example. (G) Effects of the Invention As is clear from the above explanation, according to the present invention, in a solid electrolytic capacitor using a solid electrolyte made of an organic semiconductor, the solid electrolyte can be attached to the film-forming metal with a simple operation. , and the solid electrolyte undergoes little deterioration during such work, and furthermore, a sufficiently practical capacitor having a large capacitance value and excellent temperature characteristics can be obtained. Moreover, since the container is also used as a capacitor outer case, each process can be carried out efficiently and smoothly.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図〜第4図は本発明一実施例を説明する工
程別図であり、第1図はコンデンサ素子の側面
図、第2図はTCNQ塩浴を示す断面図、第3図
はTCNQ塩浴にコンデンサ素子を浸漬している
状態を示す断面図、第4図は完成したコンデンサ
素子の断面図である。 1……コンデンサ素子、3……TCNQ塩浴。
Figures 1 to 4 are step-by-step diagrams illustrating one embodiment of the present invention. Figure 1 is a side view of a capacitor element, Figure 2 is a sectional view showing a TCNQ salt bath, and Figure 3 is a TCNQ salt bath. A cross-sectional view showing a capacitor element immersed in a bath, and FIG. 4 is a cross-sectional view of a completed capacitor element. 1...Capacitor element, 3...TCNQ salt bath.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 巻取り素子を有しTCNQ塩を固体電解質と
する固体電解コンデンサにおいて、該TCNQ塩
を融点以上280℃以下の温度で融解液化するため
の容器をコンデンサ外皮ケースとして兼用するこ
とを特徴とする固体電解コンデンサ。
1. A solid electrolytic capacitor having a winding element and using TCNQ salt as a solid electrolyte, characterized in that a container for melting and liquefying the TCNQ salt at a temperature above the melting point and below 280°C also serves as the capacitor outer case. Electrolytic capacitor.
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