JPH0467263B2 - - Google Patents
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- JPH0467263B2 JPH0467263B2 JP58227293A JP22729383A JPH0467263B2 JP H0467263 B2 JPH0467263 B2 JP H0467263B2 JP 58227293 A JP58227293 A JP 58227293A JP 22729383 A JP22729383 A JP 22729383A JP H0467263 B2 JPH0467263 B2 JP H0467263B2
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
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-
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Description
＜技術分野＞
本発明はレーザ光により情報の記録・再生・消
去が可能な磁気光学記憶素子に関する。 ＜従来技術＞ 近年、高密度・大容量・高速アクセス等種々の
要求を満足し得る光メモリ装置の研究開発が活発
に推進されている。中でも記録材料として膜面に
垂直な方向に磁化容易軸を有する磁性体膜を用い
た磁気光学記憶素子は不要になつた情報を消去し
新しい情報を再記録出来るという事から注目され
ているものである。しかし上記利点を有する一方
で磁気光学記憶素子は再生信号レベルが低いとい
う欠点があり、磁気光学記憶素子からの反射光の
力−回転角を利用して情報の再生を行なう場合、
上記力−回転角が小さいために信号雑音比（Ｓ／
Ｎ比）を高める事が困難であつた。 従来の膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する
磁性体膜としてはMnBi，MnCuBi等の多結晶材
料、GdCo，GdTbFe，TbFe等の希土類遷移金属
の非品質材料、GIG等の化合物単結晶材料が知ら
れているが、何れも信号雑音比が十分で無かつ
た。しかしその中で希土類遷移金属の非晶質材料
による薄膜は、非晶質である為大面積に作るこ
とが可能である、保磁力を大きくすることが可
能であり微小ビツトを安定に書込める為高密度記
録が可能である、キユリー温度を適当な値に選
ぶことが可能である、等の利点から特に注目され
ているものである。 ここで、従来では希土類鉄の合金にCo（コバル
ト）を添加して磁気光学効果を増大させる試みが
行なわれている。例えばよく知られているTbFe
の希土類鉄合金にCoを添加することによつて力
−回転角は0.13°（TbFeのみ）から0.28°（TbFe＋
Co）に増大することが確認されている。しかし
一方でCoを添加すればキユリー温度も急激に上
昇し、120℃（TbFeのみ）から300℃以上
（TbFe＋Co）に上昇することが確認されている。
しかしこの様にキユリー温度が上昇すれば当然な
がらレーザによる書込温度が上昇する為に記録感
度の低下が発生する。 ＜目的＞ 本発明は以上の従来点に鑑みなされたものであ
り、キユリー温度の極端な上昇を伴なうことなく
力−回転角を増大せしめる磁気光学記憶素子の磁
性体膜材料の改良を行なうことを目的とするもの
である。 ＜実施例＞ 以下本発明に係る磁気光学記憶素子の一実施例
について図面を用いて詳細に説明を行なう。第１
図は本発明に係る磁気光学記憶素子の一実施例の
側面断面図である。１はガラス基板、２はガラス
基板１の表面にスパツタリングによつて形成され
た非晶質合金薄膜である。この薄膜２の材質は非
晶質Nd−Gd−Fe三元系合金である。次にこの非
晶質Nd−Gd−Fe三元系合金の各種組成に於ける
磁気的特性及び磁気光学特性のデータを第１表に
示す。
去が可能な磁気光学記憶素子に関する。 ＜従来技術＞ 近年、高密度・大容量・高速アクセス等種々の
要求を満足し得る光メモリ装置の研究開発が活発
に推進されている。中でも記録材料として膜面に
垂直な方向に磁化容易軸を有する磁性体膜を用い
た磁気光学記憶素子は不要になつた情報を消去し
新しい情報を再記録出来るという事から注目され
ているものである。しかし上記利点を有する一方
で磁気光学記憶素子は再生信号レベルが低いとい
う欠点があり、磁気光学記憶素子からの反射光の
力−回転角を利用して情報の再生を行なう場合、
上記力−回転角が小さいために信号雑音比（Ｓ／
Ｎ比）を高める事が困難であつた。 従来の膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する
磁性体膜としてはMnBi，MnCuBi等の多結晶材
料、GdCo，GdTbFe，TbFe等の希土類遷移金属
の非品質材料、GIG等の化合物単結晶材料が知ら
れているが、何れも信号雑音比が十分で無かつ
た。しかしその中で希土類遷移金属の非晶質材料
による薄膜は、非晶質である為大面積に作るこ
とが可能である、保磁力を大きくすることが可
能であり微小ビツトを安定に書込める為高密度記
録が可能である、キユリー温度を適当な値に選
ぶことが可能である、等の利点から特に注目され
ているものである。 ここで、従来では希土類鉄の合金にCo（コバル
ト）を添加して磁気光学効果を増大させる試みが
行なわれている。例えばよく知られているTbFe
の希土類鉄合金にCoを添加することによつて力
−回転角は0.13°（TbFeのみ）から0.28°（TbFe＋
Co）に増大することが確認されている。しかし
一方でCoを添加すればキユリー温度も急激に上
昇し、120℃（TbFeのみ）から300℃以上
（TbFe＋Co）に上昇することが確認されている。
しかしこの様にキユリー温度が上昇すれば当然な
がらレーザによる書込温度が上昇する為に記録感
度の低下が発生する。 ＜目的＞ 本発明は以上の従来点に鑑みなされたものであ
り、キユリー温度の極端な上昇を伴なうことなく
力−回転角を増大せしめる磁気光学記憶素子の磁
性体膜材料の改良を行なうことを目的とするもの
である。 ＜実施例＞ 以下本発明に係る磁気光学記憶素子の一実施例
について図面を用いて詳細に説明を行なう。第１
図は本発明に係る磁気光学記憶素子の一実施例の
側面断面図である。１はガラス基板、２はガラス
基板１の表面にスパツタリングによつて形成され
た非晶質合金薄膜である。この薄膜２の材質は非
晶質Nd−Gd−Fe三元系合金である。次にこの非
晶質Nd−Gd−Fe三元系合金の各種組成に於ける
磁気的特性及び磁気光学特性のデータを第１表に
示す。
【表】
この第１表でHC（KOe）は保磁力、「角形」は
磁気特性のヒステリシスループの角形形状の状
態、θKは薄膜２側（矢印Ａ）から測定した力−回
転角、θK′はガラス基板１側（矢印Ｂ）から測定
した力−回転力、TCはキユリー温度を示してい
る。又、合金組成の数値データは膜作成時にスパ
ツタリングのターゲツト上に置かれた試料片の数
であるが、経験的に試料片の数と組成の％は近似
していたので略組成の％と解して構わない。尚、
薄膜２の成膜時のスパツタリングでのアルゴン圧
は10mtorrである。 第１表によれば非晶質Nd−Gd−Fe三元系合金
薄膜は極めて良好な磁気光学特性を有しているこ
とが判る。特に膜は過去の磁性体膜に比して最
も好ましい特性を示した。即ち保磁力HCは適性
であり（１〜2KOe程度が書き込みのし易さ、記
録データの安定性の点で好ましい。）、磁気的特性
のヒステリシスループの形状は良好な角形を示し
力−回転角θK，θK′は高いレベルを示している。 又、更に力−回転角を向上させるべく第２図の
様な構造とすることは極めて有用である。同図で
１はガラス基板、２は非晶質Nd−Gd−Fe三元系
合金薄膜、３はAl等からなる反射膜、４，４は
AlN等からなる透明誘電体膜である。同図の構
成によれば合金薄膜２表面でのレーザ光の反射に
よる力−効果と、合金薄膜２を透過したレーザ光
によるフアラデー効果との相互作用によつて見か
けの力−回転角を増大せしめることができる。 ＜効果＞ 本発明によればキユリー温度及び力−回転角共
に良好な磁気光学記憶素子を得る。
磁気特性のヒステリシスループの角形形状の状
態、θKは薄膜２側（矢印Ａ）から測定した力−回
転角、θK′はガラス基板１側（矢印Ｂ）から測定
した力−回転力、TCはキユリー温度を示してい
る。又、合金組成の数値データは膜作成時にスパ
ツタリングのターゲツト上に置かれた試料片の数
であるが、経験的に試料片の数と組成の％は近似
していたので略組成の％と解して構わない。尚、
薄膜２の成膜時のスパツタリングでのアルゴン圧
は10mtorrである。 第１表によれば非晶質Nd−Gd−Fe三元系合金
薄膜は極めて良好な磁気光学特性を有しているこ
とが判る。特に膜は過去の磁性体膜に比して最
も好ましい特性を示した。即ち保磁力HCは適性
であり（１〜2KOe程度が書き込みのし易さ、記
録データの安定性の点で好ましい。）、磁気的特性
のヒステリシスループの形状は良好な角形を示し
力−回転角θK，θK′は高いレベルを示している。 又、更に力−回転角を向上させるべく第２図の
様な構造とすることは極めて有用である。同図で
１はガラス基板、２は非晶質Nd−Gd−Fe三元系
合金薄膜、３はAl等からなる反射膜、４，４は
AlN等からなる透明誘電体膜である。同図の構
成によれば合金薄膜２表面でのレーザ光の反射に
よる力−効果と、合金薄膜２を透過したレーザ光
によるフアラデー効果との相互作用によつて見か
けの力−回転角を増大せしめることができる。 ＜効果＞ 本発明によればキユリー温度及び力−回転角共
に良好な磁気光学記憶素子を得る。
第１図は本発明に係る磁気光学記憶素子の一実
施例の側面断面図、第２図は他の実施例の側面断
面図を示す。 図中、１……ガラス基板、２……非晶質Nd−
Gd−Fe三元系合金薄膜、３……反射膜、４……
透明誘電体膜。
施例の側面断面図、第２図は他の実施例の側面断
面図を示す。 図中、１……ガラス基板、２……非晶質Nd−
Gd−Fe三元系合金薄膜、３……反射膜、４……
透明誘電体膜。
Claims (1)
- １ 膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する非晶
質Nd−Gd−Fe三元系合金薄膜を記録媒体とした
ことを特徴とする磁気光学記憶素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58227293A JPS60117436A (ja) | 1983-11-29 | 1983-11-29 | 磁気光学記憶素子 |
| CA000468606A CA1226672A (en) | 1983-11-29 | 1984-11-26 | Magneto-optical memory element |
| US06/675,850 US4695514A (en) | 1983-11-29 | 1984-11-28 | Magneto-optical memory element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58227293A JPS60117436A (ja) | 1983-11-29 | 1983-11-29 | 磁気光学記憶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60117436A JPS60117436A (ja) | 1985-06-24 |
| JPH0467263B2 true JPH0467263B2 (ja) | 1992-10-27 |
Family
ID=16858538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58227293A Granted JPS60117436A (ja) | 1983-11-29 | 1983-11-29 | 磁気光学記憶素子 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4695514A (ja) |
| JP (1) | JPS60117436A (ja) |
| CA (1) | CA1226672A (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5529854A (en) * | 1984-09-12 | 1996-06-25 | Seiko Epson Corporation | Magneto-optic recording systems |
| US5100741A (en) * | 1984-09-12 | 1992-03-31 | Seiko Epson Corporation | Magneto-optic recording systems |
| EP0184034B1 (en) * | 1984-11-12 | 1991-01-16 | Sumitomo Special Metals Co., Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium and method of producing same |
| JPH0670924B2 (ja) * | 1984-11-12 | 1994-09-07 | 住友特殊金属株式会社 | 垂直磁気記録媒体 |
| JPS6212941A (ja) * | 1985-07-09 | 1987-01-21 | Seiko Epson Corp | 光磁気記録媒体 |
| FR2601175B1 (fr) * | 1986-04-04 | 1993-11-12 | Seiko Epson Corp | Cible de pulverisation cathodique et support d'enregistrement utilisant une telle cible. |
| JPS62267950A (ja) * | 1986-05-16 | 1987-11-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 磁気光学記録媒体 |
| WO1988001425A1 (fr) * | 1986-08-22 | 1988-02-25 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | Support d'enregistrement optomagnetique et procede de fabrication |
| US5270987A (en) * | 1988-02-08 | 1993-12-14 | Hitachi, Ltd. | Magneto-optical recording and reproducing method, magneto-optical memory apparatus and magneto-optical recording medium therefor |
| JP2685888B2 (ja) * | 1989-04-07 | 1997-12-03 | シャープ株式会社 | 磁気光学記録媒体 |
| EP0393652B1 (en) * | 1989-04-19 | 1996-11-06 | Hitachi, Ltd. | Magneto-optical recording and reproducing method, magnetooptical memory apparatus |
| JP2574911B2 (ja) * | 1990-01-10 | 1997-01-22 | シャープ株式会社 | 光磁気記録方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4170689A (en) * | 1974-12-25 | 1979-10-09 | Nippon Telegraph And Telephone Public Corporation | Magneto-optic thin film for memory devices |
| US4467383A (en) * | 1980-02-23 | 1984-08-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magnetooptic memory medium |
| US4414650A (en) * | 1980-06-23 | 1983-11-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optic memory element |
| CA1185013A (en) * | 1981-01-14 | 1985-04-02 | Kenji Ohta | Magneto-optic memory medium |
| JPS5984358A (ja) * | 1982-11-04 | 1984-05-16 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPS59108304A (ja) * | 1982-12-14 | 1984-06-22 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPS59195809A (ja) * | 1983-04-21 | 1984-11-07 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 光磁気記録媒体 |
| US4544443A (en) * | 1983-05-13 | 1985-10-01 | Shap Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing an optical memory element |
| JPH0636253B2 (ja) * | 1983-08-18 | 1994-05-11 | シャープ株式会社 | 光メモリ円板 |
| CA1224270A (en) * | 1983-09-16 | 1987-07-14 | Junji Hirokane | Magneto-optic memory element |
-
1983
- 1983-11-29 JP JP58227293A patent/JPS60117436A/ja active Granted
-
1984
- 1984-11-26 CA CA000468606A patent/CA1226672A/en not_active Expired
- 1984-11-28 US US06/675,850 patent/US4695514A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60117436A (ja) | 1985-06-24 |
| US4695514A (en) | 1987-09-22 |
| CA1226672A (en) | 1987-09-08 |
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