JPH0467357U - - Google Patents

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JPH0467357U
JPH0467357U JP10980590U JP10980590U JPH0467357U JP H0467357 U JPH0467357 U JP H0467357U JP 10980590 U JP10980590 U JP 10980590U JP 10980590 U JP10980590 U JP 10980590U JP H0467357 U JPH0467357 U JP H0467357U
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drain region
offset drain
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oxide film
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  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第１図、第２図は本考案高耐圧ＭＯＳ半導体装
置の一つの実施例を説明するためのもので、第１
図は高耐圧ＭＯＳ半導体装置の断面図、第２図Ａ
乃至Ｃは高耐圧ＭＯＳ半導体装置の製造方法の要
部を工程順に示す断面図、第３図は高耐圧ＭＯＳ
半導体装置の従来例を示す断面図である。 符号の説明、１……半導体基板、２……オフセ
ツトドレイン領域、３……選択酸化膜、４……ド
レイン領域、４……ドレイン領域、５……ソース
領域、８……電界緩和領域。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 ドレイン領域の周囲のそれより低不純物濃度の
    オフセツトドレイン領域を選択酸化膜下に設けた
    高耐圧ＭＯＳ半導体装置において、 オフセツトドレイン領域の外周部のうち選択酸
    化膜内側領域下に露出する部分に、該オフセツト
    ドレイン領域自身を形成するための不純物のイオ
    ン打込みにより形成された領域と該オフセツトド
    レイン領域より外側にそれと逆導電型のチヤンネ
    ルストツパを形成するための不純物のイオン打込
    みにより形成された領域とが重なつた低不純物濃
    度の電界緩和領域を有する ことを特徴とする高耐圧ＭＯＳ半導体装置。
JP10980590U 1990-10-20 1990-10-20 Pending JPH0467357U (ja)

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JPH0467357U true JPH0467357U (ja) 1992-06-15

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