JPH0467691A - Ｔｉ系超伝導材料 - Google Patents
Ｔｉ系超伝導材料Info
- Publication number
- JPH0467691A JPH0467691A JP2181205A JP18120590A JPH0467691A JP H0467691 A JPH0467691 A JP H0467691A JP 2181205 A JP2181205 A JP 2181205A JP 18120590 A JP18120590 A JP 18120590A JP H0467691 A JPH0467691 A JP H0467691A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- superconducting
- superconducting material
- current density
- critical current
- materials
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は配線、電磁波センサー 超伝導トランジスタ、
電流制御素子、超伝導マグネット等に用いる超伝導材料
に関する。
電流制御素子、超伝導マグネット等に用いる超伝導材料
に関する。
［従来の技術］
現在安定性、再現性共にあり世界で公認されている最も
高い臨界温度を持つ超伝導物質はＡｒｋａｎｓ ａｓ大
学のＡ、Ｍ、Ｈｅｒｍａｎｎらの発見したＴ ｌ −Ｍ
−Ｃｕ−○系（ここでＭはアルカリ土類を示す）であ
る。主たる化合物の組成はＴｌ２Ｂａ２Ｃａ２Ｃｕ３０
ｘであり詳細はＰｈｙｓｉｃａ Ｒｅｖｉｅｗ Ｌ
ｅｔｔｅｒｓ Ｖｏｌ、６０ Ｎｏ１６ ｐｐ１
６５７、ＪａｐａｎｅｓｅＪｏｕｎａｌ Ｏｆ Ａ
ｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｖｏｌ、２７
Ｎｏ５ １９８８ ＰｐＬ８０４等に述べられている
。この物質は１２０に以上の臨界温度を持つため液体窒
素（７７Ｋ）を冷却剤として使用した場合Ｙ系やＢｉ系
に較べ大きなマージンがとれ幅広い応用が期待されてい
る。
高い臨界温度を持つ超伝導物質はＡｒｋａｎｓ ａｓ大
学のＡ、Ｍ、Ｈｅｒｍａｎｎらの発見したＴ ｌ −Ｍ
−Ｃｕ−○系（ここでＭはアルカリ土類を示す）であ
る。主たる化合物の組成はＴｌ２Ｂａ２Ｃａ２Ｃｕ３０
ｘであり詳細はＰｈｙｓｉｃａ Ｒｅｖｉｅｗ Ｌ
ｅｔｔｅｒｓ Ｖｏｌ、６０ Ｎｏ１６ ｐｐ１
６５７、ＪａｐａｎｅｓｅＪｏｕｎａｌ Ｏｆ Ａ
ｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｖｏｌ、２７
Ｎｏ５ １９８８ ＰｐＬ８０４等に述べられている
。この物質は１２０に以上の臨界温度を持つため液体窒
素（７７Ｋ）を冷却剤として使用した場合Ｙ系やＢｉ系
に較べ大きなマージンがとれ幅広い応用が期待されてい
る。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら前記超伝導材料の臨界電流密度は■多結晶
になり易い材料であると共に結晶粒界部に電流を阻害す
る第２相が析出し易い。
になり易い材料であると共に結晶粒界部に電流を阻害す
る第２相が析出し易い。
■コヒーレンス長さが短いため粒界部の影響を受は易い
。
。
■異方性が強い。 （結晶を配向させる必要がある）
等の理由により大変低いものであった。その値はコンス
タントに得られる値で薄膜は１０’Ａ／ｃｍ２台、線材
は１０ ” Ａ ／ ｃ ｍ ２台前半が一般的であっ
た。 通常臨界電流密度は薄膜を主体としたエレクトロ
ニクスへの応用で１０’Ａ／ｃｍ２以上、線材を主体と
した重電機器への応用で１０５Ａ／ｃｍ２以上必要と言
われているがこの様に値はまだ２桁も差がある。これら
の対策として超伝導物質の単結晶化があるが単結晶化は
大口径化が困難であるだけでなくコストが非常に高くな
るため実用化に向けては多結晶に於て臨界電流密度を上
げる必要がある。
タントに得られる値で薄膜は１０’Ａ／ｃｍ２台、線材
は１０ ” Ａ ／ ｃ ｍ ２台前半が一般的であっ
た。 通常臨界電流密度は薄膜を主体としたエレクトロ
ニクスへの応用で１０’Ａ／ｃｍ２以上、線材を主体と
した重電機器への応用で１０５Ａ／ｃｍ２以上必要と言
われているがこの様に値はまだ２桁も差がある。これら
の対策として超伝導物質の単結晶化があるが単結晶化は
大口径化が困難であるだけでなくコストが非常に高くな
るため実用化に向けては多結晶に於て臨界電流密度を上
げる必要がある。
また超伝導トランジスターやジョセフソン素子では数ｎ
ｍと極めて薄い絶縁層や半導体層を形成しなくてはなら
ないため表面は平滑であることが必要であるが現状は数
＋ｎｍの凹凸を持っていた。
ｍと極めて薄い絶縁層や半導体層を形成しなくてはなら
ないため表面は平滑であることが必要であるが現状は数
＋ｎｍの凹凸を持っていた。
本発明はこの様な問題を解決するものであり、その目的
とするところは製造コストの安い多結晶体に於て高い臨
界電流密度を持つと共に薄膜ではデバイス化に必要な表
面モホロジーを確保したＴｌ系超伝導材料を得んとする
ものである。
とするところは製造コストの安い多結晶体に於て高い臨
界電流密度を持つと共に薄膜ではデバイス化に必要な表
面モホロジーを確保したＴｌ系超伝導材料を得んとする
ものである。
［課題を解決するための手段］
１）Ｔｌ−Ｍ−Ｃｕ−０系超伝導物質（ここでＭはアル
カリ土類元素を示す）にＩｒを添加したこと２）Ｉｒ／
Ｃｕは０．００５〜０．０８の範囲内であることを特徴
とする。
カリ土類元素を示す）にＩｒを添加したこと２）Ｉｒ／
Ｃｕは０．００５〜０．０８の範囲内であることを特徴
とする。
［実施例］
以下実施例に従い本発明の詳細な説明する。
先ずターゲットを作る。所定量の酸化第二銅、三二酸化
タリウム、炭酸バリウム、炭酸カルシューム、酸化イリ
ジウムをボールミルにより混合分散させる。次にこの粉
末を３００ｋｇ／ｃｍ’で加圧成形した後８００°Ｃ〜
８８０ ’Ｃ酸素ガス雰囲気中で１時間焼成、表面層を
切削除去し２インチ厚ξ３ｍｍのターゲットを得る。
タリウム、炭酸バリウム、炭酸カルシューム、酸化イリ
ジウムをボールミルにより混合分散させる。次にこの粉
末を３００ｋｇ／ｃｍ’で加圧成形した後８００°Ｃ〜
８８０ ’Ｃ酸素ガス雰囲気中で１時間焼成、表面層を
切削除去し２インチ厚ξ３ｍｍのターゲットを得る。
次にＲＦマグネトロンスパッタでＭｇＯ（１００）単結
晶基板上に上記ターゲットを用い薄膜を形成する。この
時の成膜条件は、初期真空度： １・８〜２．３＊ＩＣ
１７Ｔｏｒｒ、使用ガス： アルゴン（７０％）酸素（
３０％）の混合ガス、出力１００〜１５５Ｗ、スパッタ
時のガス圧：１．５〜３．２＊１Ｏ−３Ｔｏｒｒ、基板
温度：１５０’Ｃ１成膜速度： ４〜８ｎｍ／ｍ１Ｊ
１、膜厚３ｏｏｏ〜３５００人である。尚基板は表面粗
さのバラツキによる臨界電流密度への影響を押さえるた
め研磨面ではなくへきかい面を用いた。
晶基板上に上記ターゲットを用い薄膜を形成する。この
時の成膜条件は、初期真空度： １・８〜２．３＊ＩＣ
１７Ｔｏｒｒ、使用ガス： アルゴン（７０％）酸素（
３０％）の混合ガス、出力１００〜１５５Ｗ、スパッタ
時のガス圧：１．５〜３．２＊１Ｏ−３Ｔｏｒｒ、基板
温度：１５０’Ｃ１成膜速度： ４〜８ｎｍ／ｍ１Ｊ
１、膜厚３ｏｏｏ〜３５００人である。尚基板は表面粗
さのバラツキによる臨界電流密度への影響を押さえるた
め研磨面ではなくへきかい面を用いた。
次に８８０°Ｃ酸素ガス雰囲気中で５分画アニル処理、
酸素プラズマ中で１５時間酸素導入処理を行い酸化物超
伝導薄膜を得た。ここで酸素プラズマにより酸素を導入
しているのは加熱処理ではＴｌが飛び組成がずれるため
である。
酸素プラズマ中で１５時間酸素導入処理を行い酸化物超
伝導薄膜を得た。ここで酸素プラズマにより酸素を導入
しているのは加熱処理ではＴｌが飛び組成がずれるため
である。
得られた超伝導薄膜をイオンビームエツチングによりバ
ターニングした後臨界電流密度を４端子法により測定し
た。測定雰囲気はＨｅカス中（Ｈｅは熱伝導が良く試料
温度を均一化出来ると共に不活性であり試料の変質を防
ぐことが出来る）？！ＩＩ＋定温度は７７にで冷却には
極低温冷凍機（ダイキン工業製）を用いた。結果を比較
例（■ｒｇ加無し、添加量が適正範囲外のもの）と共に
第１表にボした。
ターニングした後臨界電流密度を４端子法により測定し
た。測定雰囲気はＨｅカス中（Ｈｅは熱伝導が良く試料
温度を均一化出来ると共に不活性であり試料の変質を防
ぐことが出来る）？！ＩＩ＋定温度は７７にで冷却には
極低温冷凍機（ダイキン工業製）を用いた。結果を比較
例（■ｒｇ加無し、添加量が適正範囲外のもの）と共に
第１表にボした。
第１表
表より判るように実際の応用にはまだ僅が足りないもの
もあるがＴｌ−Ｍ−Ｃｕ系超伝導材料（Ｍはアルカリ土
類元素）にＩｒを添加することより顕著に臨界電流密度
が向上している。これは工ｒの添加により電流を阻害す
る第２相の析出を抑制しているためと薄膜を平滑なもの
にしているためと考えられる。尚添加量はＩ ｒ ／
Ｃｕの比で０゜００５〜０．０８の範囲内が好ましい。
もあるがＴｌ−Ｍ−Ｃｕ系超伝導材料（Ｍはアルカリ土
類元素）にＩｒを添加することより顕著に臨界電流密度
が向上している。これは工ｒの添加により電流を阻害す
る第２相の析出を抑制しているためと薄膜を平滑なもの
にしているためと考えられる。尚添加量はＩ ｒ ／
Ｃｕの比で０゜００５〜０．０８の範囲内が好ましい。
添加量は少ないと効果はなく、多すぎると超伝導物質の
構造を破壊するため逆に臨界電流密度は但下する。
構造を破壊するため逆に臨界電流密度は但下する。
また臨界電流密度向上の上でも役立っている平滑性向上
は前にも述べたようにデバイス化の上でも良い結果をも
たらす。
は前にも述べたようにデバイス化の上でも良い結果をも
たらす。
実施例では薄膜に於て述べたが線材やバルクでも効果は
同じであり何等差し支えない。但し値段が高いため材料
使用量の少ない薄膜の方が適しているといえる。また高
臨界温度相の安定化のためｐｂで元素の一部を置換した
系でも効果は同じであり何等差し支えない。
同じであり何等差し支えない。但し値段が高いため材料
使用量の少ない薄膜の方が適しているといえる。また高
臨界温度相の安定化のためｐｂで元素の一部を置換した
系でも効果は同じであり何等差し支えない。
［発明の効果コ
以上述べたように本発明によれば結晶の粒界部に析出し
電流を阻害する第２相を抑制すると共に材料を平滑化出
来るため製造コストの安い多結晶体でも高い臨界電流密
度を得ることが出来る。またデバイス化に必要な表面モ
ホロジーも良くなる。
電流を阻害する第２相を抑制すると共に材料を平滑化出
来るため製造コストの安い多結晶体でも高い臨界電流密
度を得ることが出来る。またデバイス化に必要な表面モ
ホロジーも良くなる。
尚この材料は配線、電磁波センサー 磁束メモリ、ジョ
セフソン素子、超伝導トランジスタ、磁気シールド材、
送電ケーブル、通信ケーブル、超伝導モータ、超伝導マ
グネット等に応用できる。
セフソン素子、超伝導トランジスタ、磁気シールド材、
送電ケーブル、通信ケーブル、超伝導モータ、超伝導マ
グネット等に応用できる。
以上
出願人 セイコーエプソン株式会社
代理人弁理士 鈴木喜三部 他１名
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）Ｔｌ−Ｍ−Ｃｕ−Ｏ系超伝導物質（ここでＭはアル
カリ土類元素を示す）にＩｒを添加したことを特徴とす
るＴｌ系超伝導材料。 ２）Ｉｒ／Ｃｕは０．００５〜０．０８の範囲内である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のＴｌ系超
伝導材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2181205A JPH0467691A (ja) | 1990-07-09 | 1990-07-09 | Ｔｉ系超伝導材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2181205A JPH0467691A (ja) | 1990-07-09 | 1990-07-09 | Ｔｉ系超伝導材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0467691A true JPH0467691A (ja) | 1992-03-03 |
Family
ID=16096674
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2181205A Pending JPH0467691A (ja) | 1990-07-09 | 1990-07-09 | Ｔｉ系超伝導材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0467691A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6268799B1 (en) | 1996-04-10 | 2001-07-31 | Seiko Epson Corporation | Light-source lamp unit, light-source device and projection-type display apparatus and method of use |
| JP2009152021A (ja) * | 2007-12-20 | 2009-07-09 | Nec Fielding Ltd | 映像投射装置、映像投射装置の光源寿命予測方法 |
-
1990
- 1990-07-09 JP JP2181205A patent/JPH0467691A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6268799B1 (en) | 1996-04-10 | 2001-07-31 | Seiko Epson Corporation | Light-source lamp unit, light-source device and projection-type display apparatus and method of use |
| US6690282B2 (en) | 1996-04-10 | 2004-02-10 | Seiko Epson Corporation | Light-source lamp unit, light-source device and projection-type display apparatus |
| US7006004B2 (en) | 1996-04-10 | 2006-02-28 | Seiko Epson Corporation | Light-source lamp unit, light-source device and projection-type display apparatus |
| JP2009152021A (ja) * | 2007-12-20 | 2009-07-09 | Nec Fielding Ltd | 映像投射装置、映像投射装置の光源寿命予測方法 |
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