JPH0468078A - 低速電子線用発光組成物 - Google Patents
低速電子線用発光組成物Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、硫化物を母体とする蛍光体と導電性を有する
物質（以下、導電性物質という）との混合物から成り、
特に加速電圧１ｋＶ以下の低速電子線励起下で高輝度の
発光を示す低速電子線用発光組成物（以下、単に「発光
組成物」という）の改良に関する。
物質（以下、導電性物質という）との混合物から成り、
特に加速電圧１ｋＶ以下の低速電子線励起下で高輝度の
発光を示す低速電子線用発光組成物（以下、単に「発光
組成物」という）の改良に関する。
（従来の技術）
組成式（ＺｎＩ−ｘ 、 Ｃｄｘ ） Ｓ （但し、
Ｘは○≦Ｘ≦１なる条件を満たす数である）で表わされ
る硫化物を母体とし、これに亜鉛（Ｚ ｎ）、銀（Ａｇ
）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、マンガン（Ｍｎ）等を付
活し、さらに必要に応じてハロゲン、アルミニウム（Ａ
Ｎ ） 、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉ ｎ）等
を共付活してなる一連の硫化物系蛍光体に、酸化インジ
ウム（Ｉ ｎ２Ｏ２ ） 、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化
錫（Ｓｎ０２）等の導電性物質を混合してなる発光組成
物は、加速電圧が１ｋＶ以下の低速電子線励起により、
その発光組成物の主成分である該硫化物系蛍光体に固有
の青色〜赤色にわたる高輝度の可視発光を呈する（特公
昭５９−３３１５３号、特公昭５９−３３１５５号、特
公昭６２−４４０３５号、特公昭６２−５３５５４号等
参照）ところから、緑白色発光を示す蛍光体として古く
から実用されているＺｎＯ：Ｚｎと組合わせて、多色表
示ができる、車載用（タロツク、カーオーディオ、速度
メーター、タコメーター等の表示用）、オーディオ用、
ＶＴＲ用等の蛍光表示管の蛍光膜として近年多用される
ようになってきた。
Ｘは○≦Ｘ≦１なる条件を満たす数である）で表わされ
る硫化物を母体とし、これに亜鉛（Ｚ ｎ）、銀（Ａｇ
）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、マンガン（Ｍｎ）等を付
活し、さらに必要に応じてハロゲン、アルミニウム（Ａ
Ｎ ） 、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉ ｎ）等
を共付活してなる一連の硫化物系蛍光体に、酸化インジ
ウム（Ｉ ｎ２Ｏ２ ） 、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化
錫（Ｓｎ０２）等の導電性物質を混合してなる発光組成
物は、加速電圧が１ｋＶ以下の低速電子線励起により、
その発光組成物の主成分である該硫化物系蛍光体に固有
の青色〜赤色にわたる高輝度の可視発光を呈する（特公
昭５９−３３１５３号、特公昭５９−３３１５５号、特
公昭６２−４４０３５号、特公昭６２−５３５５４号等
参照）ところから、緑白色発光を示す蛍光体として古く
から実用されているＺｎＯ：Ｚｎと組合わせて、多色表
示ができる、車載用（タロツク、カーオーディオ、速度
メーター、タコメーター等の表示用）、オーディオ用、
ＶＴＲ用等の蛍光表示管の蛍光膜として近年多用される
ようになってきた。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、特に車載用蛍光表示管の場合、使用され
る電源の関係から蛍光表示管の加速電圧に制限があるた
め、従来の技術では蛍光表示管の発光輝度が不十分で特
に昼間の外光下での視認性に欠け、車の運転上の安全性
という面から問題があるというのが現状である。
る電源の関係から蛍光表示管の加速電圧に制限があるた
め、従来の技術では蛍光表示管の発光輝度が不十分で特
に昼間の外光下での視認性に欠け、車の運転上の安全性
という面から問題があるというのが現状である。
本発明は上述のような状況に鑑みてなされたものであり
、特に加速電圧１ｋＶ以下の低速電子線で励起した時、
より高輝度の発光を示す発光組成物を提供することを目
的とするものである。
、特に加速電圧１ｋＶ以下の低速電子線で励起した時、
より高輝度の発光を示す発光組成物を提供することを目
的とするものである。
（課題を解決するだめの手段）
本発明者等は、上記目的を達成するために、現在、多色
表示の可能な蛍光表示管用として使用されている、硫化
物蛍光体と導電性物質との混合物から成る発光組成物の
一構成部分である硫化物蛍光体について、その物性等と
、得られる発光組成物の発光輝度との関係について鋭意
研究した結果、加速電圧１、ｋＶ以下の低速電子線で励
起した場合に限り、用いられる硫化物蛍光体の結晶性の
違いによって得られる発光組成物の発光輝度が大きく変
化し、硫化物蛍光体の結晶性を特定の範囲に制御するこ
とによって、特に高輝度の発光組成物が得られることを
見出した。
表示の可能な蛍光表示管用として使用されている、硫化
物蛍光体と導電性物質との混合物から成る発光組成物の
一構成部分である硫化物蛍光体について、その物性等と
、得られる発光組成物の発光輝度との関係について鋭意
研究した結果、加速電圧１、ｋＶ以下の低速電子線で励
起した場合に限り、用いられる硫化物蛍光体の結晶性の
違いによって得られる発光組成物の発光輝度が大きく変
化し、硫化物蛍光体の結晶性を特定の範囲に制御するこ
とによって、特に高輝度の発光組成物が得られることを
見出した。
即ち、結晶体のＸ線回折スペクトル（結晶体にＸ線を照
射した時の、結晶によるＸ線の回折角（θ）の２倍角（
２θ）と回折線の強度との関係を示す）における回折線
の半値幅（２θ）とその結晶体の結晶化の度合いとの間
には相関がある（半値幅が狭いほど結晶化の度合いが大
である）ため、合成条件を変化させた種々の硫化物蛍光
体についてＸ線回折スペクトルを測定し、夫々の硫化物
蛍光体の、面指数（１００）面での回折線の中の最強回
折線（本明細書ではこれを単に「最強回折線」というこ
とにする）の半値幅を求めるとともに、この半値幅とこ
れらの硫化物蛍光体を用いた各発光組成物の低速電子線
励起下での発光特性との相関を調べたところ、Ｘ線回折
スペクトルにおける最強回折線の半値幅（２θ）がｏ、
０５°〜０．１６°の範囲にある硫化物蛍光体を用いた
時、特に高輝度の発光組成物が得られることを見出し、
本発明を完成するに至った。
射した時の、結晶によるＸ線の回折角（θ）の２倍角（
２θ）と回折線の強度との関係を示す）における回折線
の半値幅（２θ）とその結晶体の結晶化の度合いとの間
には相関がある（半値幅が狭いほど結晶化の度合いが大
である）ため、合成条件を変化させた種々の硫化物蛍光
体についてＸ線回折スペクトルを測定し、夫々の硫化物
蛍光体の、面指数（１００）面での回折線の中の最強回
折線（本明細書ではこれを単に「最強回折線」というこ
とにする）の半値幅を求めるとともに、この半値幅とこ
れらの硫化物蛍光体を用いた各発光組成物の低速電子線
励起下での発光特性との相関を調べたところ、Ｘ線回折
スペクトルにおける最強回折線の半値幅（２θ）がｏ、
０５°〜０．１６°の範囲にある硫化物蛍光体を用いた
時、特に高輝度の発光組成物が得られることを見出し、
本発明を完成するに至った。
即ち、本発明の発光組成物は、組成式が（Ｚｎ＋−ｘ
、Ｃｄ、）Ｓ （但し、Ｘは０≦Ｘ≦１なる条件を満た
す数）で表わされる硫化物を母体とする蛍光体と、導電
性物質とを混合または互いに付着させてなる発光組成物
であって、上記硫化物蛍光体のＸ線回折スペクトルにお
ける最強回折線の半値幅（２θ）が０．０５”乃至０．
１６”の範囲にあることを特徴とするものである。
、Ｃｄ、）Ｓ （但し、Ｘは０≦Ｘ≦１なる条件を満た
す数）で表わされる硫化物を母体とする蛍光体と、導電
性物質とを混合または互いに付着させてなる発光組成物
であって、上記硫化物蛍光体のＸ線回折スペクトルにお
ける最強回折線の半値幅（２θ）が０．０５”乃至０．
１６”の範囲にあることを特徴とするものである。
以下、本発明の発光組成物の製造方法について説明する
。
。
本発明の発光組成物の一方の構成成分として用いられる
（Ｚｎ＋−、、Ｃｄ−）Ｓ系硫化物蛍光体としては、Ｚ
ｎＳ：Ｚｎ、ＺｎＳ：Ａｇ、Ｃｇ。
（Ｚｎ＋−、、Ｃｄ−）Ｓ系硫化物蛍光体としては、Ｚ
ｎＳ：Ｚｎ、ＺｎＳ：Ａｇ、Ｃｇ。
ＺｎＳ：Ａｇ、Ｃ９，Ｌｉ５ＺｎＳ：Ａｇ、Ａｇ。
ＺｎＳ：Ｍｎ、Ｃ１ｌ、（Ｚｎ 、 Ｃｄ）Ｓ ：
Ｃｕ 。
Ｃｕ 。
ＡＩ、（Ｚｎ 、Ｃｄ）Ｓ ： Ａｕ、ＡＩ、（Ｚｎ
。
。
Ｃｄ）Ｓ ：Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌｌ、ＣｄＳ ：Ａｇ等を
はじめとする、組成式が（Ｚｎ、−ｘ 、ＣｃＬ ）Ｓ
で表わされる硫化物母体を亜鉛（Ｚｎ）、銀（Ａｇ）、
銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、マンガン（Ｍｎ ）等の付活
剤で付活し、更に、必要に応じてこれにアルミニウム（
ＡＩ）、ハロゲン元素（Ｃｇ、Ｂｒ、Ｉ又はＦ）等の第
１の共付活剤並びにアルカリ金属元素ＣＬｊ、Ｎａ、に
、Ｒｂ、又はＣｓ）、ガリウム（Ｇ ａ） 、インジウ
ム（Ｉ ｎ）等の第２の共付活剤で共付活してなる硫化
物蛍光体の中から、これらのＸ線回折スペクトルの最強
回折線の半値幅（２θ）が０．０５°〜ｏ、ｔｅ’の範
囲にある硫化物蛍光体が選択的に用いられる。
はじめとする、組成式が（Ｚｎ、−ｘ 、ＣｃＬ ）Ｓ
で表わされる硫化物母体を亜鉛（Ｚｎ）、銀（Ａｇ）、
銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、マンガン（Ｍｎ ）等の付活
剤で付活し、更に、必要に応じてこれにアルミニウム（
ＡＩ）、ハロゲン元素（Ｃｇ、Ｂｒ、Ｉ又はＦ）等の第
１の共付活剤並びにアルカリ金属元素ＣＬｊ、Ｎａ、に
、Ｒｂ、又はＣｓ）、ガリウム（Ｇ ａ） 、インジウ
ム（Ｉ ｎ）等の第２の共付活剤で共付活してなる硫化
物蛍光体の中から、これらのＸ線回折スペクトルの最強
回折線の半値幅（２θ）が０．０５°〜ｏ、ｔｅ’の範
囲にある硫化物蛍光体が選択的に用いられる。
その中でも、この半値幅が０．０７°〜０，１４°の範
囲にある硫化物蛍光体を用いた時、特に高輝度の発光組
成物が得られる。また、Ｘ線回折スペクトルの最強回折
線の半値幅（２θ）が０．０５°〜０．１６°である上
記硫化物蛍光体の中でも上記組成式中のＸ値の範囲が０
．４≦Ｘ≦０．８５にある、ＺｎＳとＣｄＳとの固溶体
を母体とする硫化物蛍光体を用いるのが良く、さらに好
ましくは、Ｘ値が上記の範囲にあって、かつ、母体１ｇ
当り２Ｏ０〜２Ｏ００μｇのＡｇで付活してなる（ Ｚ
ｎ １−ｘ 、 Ｃｄ、）Ｓ：Ａｇ系の硫化物蛍光
体を用いた時、特に高輝度の発光組成物が得られる。
囲にある硫化物蛍光体を用いた時、特に高輝度の発光組
成物が得られる。また、Ｘ線回折スペクトルの最強回折
線の半値幅（２θ）が０．０５°〜０．１６°である上
記硫化物蛍光体の中でも上記組成式中のＸ値の範囲が０
．４≦Ｘ≦０．８５にある、ＺｎＳとＣｄＳとの固溶体
を母体とする硫化物蛍光体を用いるのが良く、さらに好
ましくは、Ｘ値が上記の範囲にあって、かつ、母体１ｇ
当り２Ｏ０〜２Ｏ００μｇのＡｇで付活してなる（ Ｚ
ｎ １−ｘ 、 Ｃｄ、）Ｓ：Ａｇ系の硫化物蛍光
体を用いた時、特に高輝度の発光組成物が得られる。
本発明の発光組成物に用いられる組成式がＣＺｎ１−ｘ
、Ｃｄｘ ）Ｓ （但し０≦Ｘ≦１）であられされる
硫化物を母体とする、（Ｚ ｎ １−ｘ 。
、Ｃｄｘ ）Ｓ （但し０≦Ｘ≦１）であられされる
硫化物を母体とする、（Ｚ ｎ １−ｘ 。
Ｃｄｘ）Ｓ系硫化蛍光体は、一般に、以下に述べるよう
な方法によって製造される。すなわち、蛍光体母体原料
である硫化亜鉛（ＺｎＳ）と、硫化カドミウム（Ｃｄ
Ｓ）とを、ＣｄＳがＸモルに対して、ＺｎＳが（１−ｘ
）モルとなる割合（但し、０≦Ｘ≦１）で混合してなる
混合硫化物原料に、硝酸銀（ＡｇＮＯ３）、硫酸銅（Ｃ
ｕＳＯ４）、塩化金酸（ＨＡ ｕ Ｃｊｌｌ ４ ）
、炭酸マンガン（ＭｎＣＯ３）等をはじめとする、付活
剤となる元素の硝酸塩、硫酸塩、ハロゲン化物、炭酸塩
等の化合物と、第１の共付活剤となるアルミニウム（ｌ
ｌ ）やハロゲン元素（Ｃρ、 Ｂｒ、 Ｉ、 Ｆ
）を含む化合物とを所定量秤取し、更に必要に応じてこ
れに第２の共付活剤となるアルカリ金属元素（Ｌｉ 。
な方法によって製造される。すなわち、蛍光体母体原料
である硫化亜鉛（ＺｎＳ）と、硫化カドミウム（Ｃｄ
Ｓ）とを、ＣｄＳがＸモルに対して、ＺｎＳが（１−ｘ
）モルとなる割合（但し、０≦Ｘ≦１）で混合してなる
混合硫化物原料に、硝酸銀（ＡｇＮＯ３）、硫酸銅（Ｃ
ｕＳＯ４）、塩化金酸（ＨＡ ｕ Ｃｊｌｌ ４ ）
、炭酸マンガン（ＭｎＣＯ３）等をはじめとする、付活
剤となる元素の硝酸塩、硫酸塩、ハロゲン化物、炭酸塩
等の化合物と、第１の共付活剤となるアルミニウム（ｌ
ｌ ）やハロゲン元素（Ｃρ、 Ｂｒ、 Ｉ、 Ｆ
）を含む化合物とを所定量秤取し、更に必要に応じてこ
れに第２の共付活剤となるアルカリ金属元素（Ｌｉ 。
Ｎａ、に、Ｒｂ、及びＣｓの少なくとも１つ）やガリウ
ム（Ｇａ）インジウム（Ｉｎ）等を含む化合物及び融剤
としての塩化ナトリウム（Ｎａ（Ｊｌ）・硫酸リチウム
（Ｌｉ２ＳＯ４）、燐酸リチウム（Ｌ ｉ３ Ｐ ０４
） 、沃化カリウム（Ｋｌ）、塩化アンモニウム（Ｎ
Ｈ４ＣＤ ）等の化合物を所定量混合し、耐熱性容器に
詰めて空気中、又は硫化水素ガス雰囲気、二硫化炭素ガ
ス雰囲気等の硫化性雰囲気中において、７５０〜１００
０℃の温度で１〜１０時間焼成する。
ム（Ｇａ）インジウム（Ｉｎ）等を含む化合物及び融剤
としての塩化ナトリウム（Ｎａ（Ｊｌ）・硫酸リチウム
（Ｌｉ２ＳＯ４）、燐酸リチウム（Ｌ ｉ３ Ｐ ０４
） 、沃化カリウム（Ｋｌ）、塩化アンモニウム（Ｎ
Ｈ４ＣＤ ）等の化合物を所定量混合し、耐熱性容器に
詰めて空気中、又は硫化水素ガス雰囲気、二硫化炭素ガ
ス雰囲気等の硫化性雰囲気中において、７５０〜１００
０℃の温度で１〜１０時間焼成する。
次いで、このようにして得られた（ Ｚ ｎ １−ｘ
。
。
Ｃｄ、）Ｓ系硫化物蛍光体についてＸ線回折装置により
回折Ｘ線スペクトルを求め、その最強回折線の半値幅（
２θ）が０６０５°乃至０．１６’の範囲内にある蛍光
体が使用される。
回折Ｘ線スペクトルを求め、その最強回折線の半値幅（
２θ）が０６０５°乃至０．１６’の範囲内にある蛍光
体が使用される。
一方、本発明の発光組成物に用いられる導電性物質とし
ては酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化亜鉛（ＺｎＯ
）、酸化錫（Ｓ ｎ Ｏ２） 、酸化チタン（Ｔ ｉｏ
２ ） 、酸化タングステン（ＷＯ３）、酸化ニオブ
（Ｎｂ２Ｏ．）、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、硫化銅（
ＣｕＳ）等、従来の低速電子線用発光組成物に用いられ
ているものであればいずれも使用できる。これらの導電
性物質の中でも、一般に市販されているＩ ｎ２Ｏ３試
薬、Ｉｎ（ＮＯ３）ｉ、ＩｎＣ１１３等のＩｎ塩を焼成
して得たＩｎ２Ｏ３、例えば特開昭５５−１１’ｏ１ｇ
１号等に開示されているＥｕ、Ｃｅ等の希土類で付活さ
れたＩｎ２Ｏ３，Ｉｎ２Ｏ３とＳｎＯ□との固溶体等、
Ｉｎ２Ｏ３又はＩｎ２Ｏ，を含む化合物を用いた時、特
に高輝度の発光組成物が得られる。
ては酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化亜鉛（ＺｎＯ
）、酸化錫（Ｓ ｎ Ｏ２） 、酸化チタン（Ｔ ｉｏ
２ ） 、酸化タングステン（ＷＯ３）、酸化ニオブ
（Ｎｂ２Ｏ．）、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、硫化銅（
ＣｕＳ）等、従来の低速電子線用発光組成物に用いられ
ているものであればいずれも使用できる。これらの導電
性物質の中でも、一般に市販されているＩ ｎ２Ｏ３試
薬、Ｉｎ（ＮＯ３）ｉ、ＩｎＣ１１３等のＩｎ塩を焼成
して得たＩｎ２Ｏ３、例えば特開昭５５−１１’ｏ１ｇ
１号等に開示されているＥｕ、Ｃｅ等の希土類で付活さ
れたＩｎ２Ｏ３，Ｉｎ２Ｏ３とＳｎＯ□との固溶体等、
Ｉｎ２Ｏ３又はＩｎ２Ｏ，を含む化合物を用いた時、特
に高輝度の発光組成物が得られる。
本発明の発光組成物を製造するには、所定の割合で秤取
された上述の導電性物質と所望の蛍光体とを乳鉢、ボー
ルミル、ミキサーミル等を使用したり、篩にかける等の
方法により充分に混合するか、あるいは上述の蛍光体粒
子の表面に例えば接着剤としてゼラチンとアラビアゴム
を用いる方法（特公昭５４−３６７７号公報参照）、静
電塗布法（特公昭５４−４４２７５号公報参照）、エチ
レンセルロース、ニトロセルロース等の有機バイダーを
用いる方法（特公昭６２−３３２６６号公報参照）等の
公知の方法で上述の導電性物質を付着させることにより
本発明の発光組成物を得ることができる。この時、導電
性物質と蛍光体との混合重量比は、従来の高抵抗の蛍光
体と導電性物質から成る発光組成物の場合とほぼ同様で
あって、得られる発光組成物の発光輝度の点から導電性
物質と蛍光体とを単に混合する場合には導電性物質／蛍
光体の比をおよそ１／９９乃至７／１３の重量比とし、
蛍光体粒子表面に導電性物質を付着させる場合には導電
性物質／蛍光体の比を１／ １９９乃至３／７の重量比
とするのが特に好ましい。
された上述の導電性物質と所望の蛍光体とを乳鉢、ボー
ルミル、ミキサーミル等を使用したり、篩にかける等の
方法により充分に混合するか、あるいは上述の蛍光体粒
子の表面に例えば接着剤としてゼラチンとアラビアゴム
を用いる方法（特公昭５４−３６７７号公報参照）、静
電塗布法（特公昭５４−４４２７５号公報参照）、エチ
レンセルロース、ニトロセルロース等の有機バイダーを
用いる方法（特公昭６２−３３２６６号公報参照）等の
公知の方法で上述の導電性物質を付着させることにより
本発明の発光組成物を得ることができる。この時、導電
性物質と蛍光体との混合重量比は、従来の高抵抗の蛍光
体と導電性物質から成る発光組成物の場合とほぼ同様で
あって、得られる発光組成物の発光輝度の点から導電性
物質と蛍光体とを単に混合する場合には導電性物質／蛍
光体の比をおよそ１／９９乃至７／１３の重量比とし、
蛍光体粒子表面に導電性物質を付着させる場合には導電
性物質／蛍光体の比を１／ １９９乃至３／７の重量比
とするのが特に好ましい。
次に、用いられる蛍光体の結晶化度と、本発明による低
速電子線用発光組成物を含む組成物の発光輝度との関係
を図面によって示す。
速電子線用発光組成物を含む組成物の発光輝度との関係
を図面によって示す。
第１図の曲線Ａは、結晶性の度合いの異なる（Ｚｎｏ２
．＋ Ｃｄｏ７＋）Ｓ ：Ａｇ、ＣΩ蛍光体と、１ｎ
２Ｏａを、それぞれ９：１に混合してなる種々の発光組
成物について、用いられる蛍光体の結晶化度と、得られ
る発光組成物の低速電子線（加速電圧２ＯＶ）励起下で
の発光輝度との関係を例示したものであり、第１図の曲
線Ｂは上記の各発光組成物の構成成分である、（Ｚｎｏ
２．、Ｃｄｏ７＋）Ｓ：Ａｇ、Ｃｊｌｌ蛍光体について
各蛍光体の結晶化度と高速電子線（加速電圧１２ｋＶ）
励起下での発光輝度との関係を例示したものである。第
１図の横軸は用いれる（Ｚ ｎｏ、２９． Ｃｄｏ、
ｙ＋） Ｓ ： Ａｇ 。
．＋ Ｃｄｏ７＋）Ｓ ：Ａｇ、ＣΩ蛍光体と、１ｎ
２Ｏａを、それぞれ９：１に混合してなる種々の発光組
成物について、用いられる蛍光体の結晶化度と、得られ
る発光組成物の低速電子線（加速電圧２ＯＶ）励起下で
の発光輝度との関係を例示したものであり、第１図の曲
線Ｂは上記の各発光組成物の構成成分である、（Ｚｎｏ
２．、Ｃｄｏ７＋）Ｓ：Ａｇ、Ｃｊｌｌ蛍光体について
各蛍光体の結晶化度と高速電子線（加速電圧１２ｋＶ）
励起下での発光輝度との関係を例示したものである。第
１図の横軸は用いれる（Ｚ ｎｏ、２９． Ｃｄｏ、
ｙ＋） Ｓ ： Ａｇ 。
ＣΩ蛍光体の結晶化度の目安となるもので、（２ｎｏ２
ｅ、Ｃｄｏ７＋）Ａｇ、Ｃ３のＸ線回折スペクトルにお
ける最強回折の半値幅（２θ）であり、曲線Ａの縦軸及
び曲線Ｂの縦軸は、Ｘ線回折スペクトルにおける最強回
折線の半値幅が０．１８°である（Ｚｎｏ２９．Ｃｄｏ
７＋）Ｓ ： Ａｇ 、ＣＤを用いた従来の発光組成物
の発光輝度を１００とした時の、各発光組成物の発光輝
度を相対値で示したもの、及びＸ線回折線の半値幅（２
θ）が０．１８°である（Ｚ’ｎ０．２９． Ｃｄｏ７
＋） Ｓ ： Ａｇ 、 Ｃ１ｌ蛍光体の発光輝度を
１００とした時の相対値で示したものである。
ｅ、Ｃｄｏ７＋）Ａｇ、Ｃ３のＸ線回折スペクトルにお
ける最強回折の半値幅（２θ）であり、曲線Ａの縦軸及
び曲線Ｂの縦軸は、Ｘ線回折スペクトルにおける最強回
折線の半値幅が０．１８°である（Ｚｎｏ２９．Ｃｄｏ
７＋）Ｓ ： Ａｇ 、ＣＤを用いた従来の発光組成物
の発光輝度を１００とした時の、各発光組成物の発光輝
度を相対値で示したもの、及びＸ線回折線の半値幅（２
θ）が０．１８°である（Ｚ’ｎ０．２９． Ｃｄｏ７
＋） Ｓ ： Ａｇ 、 Ｃ１ｌ蛍光体の発光輝度を
１００とした時の相対値で示したものである。
第１図の曲線ＡとＢかられかるように、結晶化度が異な
り、Ｘ線回折スペクトルの最強回折線の半値幅が異なる
（Ｚｎｏ２．＋ Ｃｄ０．７＋） Ｓ ： Ａｇ 。
り、Ｘ線回折スペクトルの最強回折線の半値幅が異なる
（Ｚｎｏ２．＋ Ｃｄ０．７＋） Ｓ ： Ａｇ 。
ＣΩ蛍光体を高速電子線で励起した時の発光輝度は回折
線の半値幅がある一定の範囲内にある時、はとんど変化
しないにもかかわらず（曲線Ｂ）、これらの蛍光体を用
いた発光組成物を低速電子線で励起した場合、用いられ
る蛍光体の結晶化度によってその発光輝度が大きく変わ
り（曲線Ａ）、Ｘ線回折スペクトルの最強回折線の半値
幅（２θ）がおよそ０．０５〜０．１６”である（Ｚｎ
ｏ、２９＋ ＣｄＯ，７１） Ｓ ： Ａｇ 、 Ｃ
Ｆ蛍光体とＩｎ２Ｏ，からなる発光組成物は低速電子線
励起下では特に高輝度であって、中でも最強回折線の半
値幅（２θ）が０．０７〜０．１４°である（Ｚ ｎｏ
２ｅ、 Ｃｄｏ７＋） Ｓ ：Ａｇ、Ｃｆｉ蛍光体と
Ｉｎ２Ｏ，から成る発光組成物はより高輝度である。
線の半値幅がある一定の範囲内にある時、はとんど変化
しないにもかかわらず（曲線Ｂ）、これらの蛍光体を用
いた発光組成物を低速電子線で励起した場合、用いられ
る蛍光体の結晶化度によってその発光輝度が大きく変わ
り（曲線Ａ）、Ｘ線回折スペクトルの最強回折線の半値
幅（２θ）がおよそ０．０５〜０．１６”である（Ｚｎ
ｏ、２９＋ ＣｄＯ，７１） Ｓ ： Ａｇ 、 Ｃ
Ｆ蛍光体とＩｎ２Ｏ，からなる発光組成物は低速電子線
励起下では特に高輝度であって、中でも最強回折線の半
値幅（２θ）が０．０７〜０．１４°である（Ｚ ｎｏ
２ｅ、 Ｃｄｏ７＋） Ｓ ：Ａｇ、Ｃｆｉ蛍光体と
Ｉｎ２Ｏ，から成る発光組成物はより高輝度である。
なお、（Ｚｎｏ２９．Ｃｄｏ７＋）Ｓ ： Ａｇ 、Ｃ
Ω蛍光体以外の硫化物系蛍光体の場合にも高速電子線励
起下では曲線Ｂに示すようにこの蛍光体の回折Ｘ線の半
値幅が変わってもその発光輝度はほとんど変わらないに
もかかわらず、この蛍光体とＩｎ２Ｏ，とからなる発光
組成物を低速電子線で励起した時の発光輝度は曲線Ａに
示した発光組成物の場合と同様、用いられる硫化物系蛍
光体の回折Ｘ線スペクトルの最強回折線の半値幅（２θ
）がほぼ０．０５’〜０．１６°の範囲にある時、特に
高輝度であり、この傾向は１ｎ２Ｏ＊以外の導電性物質
を用いた場合にも類似であることが確認された。
Ω蛍光体以外の硫化物系蛍光体の場合にも高速電子線励
起下では曲線Ｂに示すようにこの蛍光体の回折Ｘ線の半
値幅が変わってもその発光輝度はほとんど変わらないに
もかかわらず、この蛍光体とＩｎ２Ｏ，とからなる発光
組成物を低速電子線で励起した時の発光輝度は曲線Ａに
示した発光組成物の場合と同様、用いられる硫化物系蛍
光体の回折Ｘ線スペクトルの最強回折線の半値幅（２θ
）がほぼ０．０５’〜０．１６°の範囲にある時、特に
高輝度であり、この傾向は１ｎ２Ｏ＊以外の導電性物質
を用いた場合にも類似であることが確認された。
従って、本発明の発光組成物の一構成成分として用いら
れる硫化物系蛍光体は、夫々の蛍光体のＸ線回折スペク
トルにおける最強回折線の半値幅（２θ）が０．０５’
〜０．１６’の範囲にあるのが好ましく、得られる発光
組成物の発光輝度の点から、特に回折線の半値幅（２θ
）が０．０７”〜０．１４’の範囲にある硫化物系蛍光
体を用いるのがより好ましい。
れる硫化物系蛍光体は、夫々の蛍光体のＸ線回折スペク
トルにおける最強回折線の半値幅（２θ）が０．０５’
〜０．１６’の範囲にあるのが好ましく、得られる発光
組成物の発光輝度の点から、特に回折線の半値幅（２θ
）が０．０７”〜０．１４’の範囲にある硫化物系蛍光
体を用いるのがより好ましい。
次に実施例により本発明を説明する。
（実施例１）
硫化亜鉛（ＺｎＳ）（蛍光体グレード試薬）５５ｇ、硫
化カドミウム（ＣｄＳ）（蛍光体グレード試薬）１９５
ｇ、硝酸銀（Ａｇ、Ｎ０３）（試薬特級）ｏ、ｏｇｇ及
び塩化ナトリウム（ＮａＣ１））（試薬特級）３．Ｏｇ
から成る蛍光体原料を充分に混合し、ルツボ本体と蓋と
の接触面が平滑で密着性の良い蓋付きの石英ルツボに充
填した。これを電気炉に入れて空気中において８２Ｏ℃
で２時間焼成し、水篩を行った後上澄液の電導度が１０
μｓ／ｃｍ以下となる迄水洗を行い、脱水乾燥すること
によりＡｇの濃度が蛍光体１ｇ当り２Ｏ０ｇｇである（
Ｚ ｎ ０．２９１Ｃｄ ０．７＋） Ｓ ： Ａｇ
、 Ｃｊ！蛍光体（硫化物蛍光体〔Ｉ〕）を製造した
。
化カドミウム（ＣｄＳ）（蛍光体グレード試薬）１９５
ｇ、硝酸銀（Ａｇ、Ｎ０３）（試薬特級）ｏ、ｏｇｇ及
び塩化ナトリウム（ＮａＣ１））（試薬特級）３．Ｏｇ
から成る蛍光体原料を充分に混合し、ルツボ本体と蓋と
の接触面が平滑で密着性の良い蓋付きの石英ルツボに充
填した。これを電気炉に入れて空気中において８２Ｏ℃
で２時間焼成し、水篩を行った後上澄液の電導度が１０
μｓ／ｃｍ以下となる迄水洗を行い、脱水乾燥すること
によりＡｇの濃度が蛍光体１ｇ当り２Ｏ０ｇｇである（
Ｚ ｎ ０．２９１Ｃｄ ０．７＋） Ｓ ： Ａｇ
、 Ｃｊ！蛍光体（硫化物蛍光体〔Ｉ〕）を製造した
。
一方これとは別に、蛍光体原料として３．０ｇのＮａＣ
ｌに代えて２．５ｇを用いること、石英ルツボの蓋とル
ツボ本体との接触面を粗面化して蓋とルツボ本体との密
着性を悪くすること及び焼成温度を８００℃とすること
以外は上記硫化物蛍光体ＣＩ）と同様にしてＡｇの濃度
が蛍光体１ｇ当り２Ｏ０、ｃｚｒである（Ｚｎｏ２９＋
Ｃｄ０．７＋） Ｓ ： Ａｇ 。
ｌに代えて２．５ｇを用いること、石英ルツボの蓋とル
ツボ本体との接触面を粗面化して蓋とルツボ本体との密
着性を悪くすること及び焼成温度を８００℃とすること
以外は上記硫化物蛍光体ＣＩ）と同様にしてＡｇの濃度
が蛍光体１ｇ当り２Ｏ０、ｃｚｒである（Ｚｎｏ２９＋
Ｃｄ０．７＋） Ｓ ： Ａｇ 。
Ｃｇ蛍光体（硫化物蛍光体ＣＩ−Ｒ））を製造した。
これらの硫化物蛍光体ＣＩ）及びＣＩ−Ｒ）についてＸ
線回折装置（理学電機株式会社製）を用いて回折Ｘ腺ス
ペクトルを測定し、夫々の最強回折線の半値幅（２θ）
を求めたところ夫々０．１１゜及び０．１８°であった
。
線回折装置（理学電機株式会社製）を用いて回折Ｘ腺ス
ペクトルを測定し、夫々の最強回折線の半値幅（２θ）
を求めたところ夫々０．１１゜及び０．１８°であった
。
次に、この硫化物蛍光体ＣＩ）９３重量部と市販のＩｎ
２Ｏ３７重量部をボールミルを用いて十分混合し、発光
組成物［１）を製造した。
２Ｏ３７重量部をボールミルを用いて十分混合し、発光
組成物［１）を製造した。
また、硫化物蛍光体（１）に代えて硫化物蛍光体［１−
Ｒ）を用いる以外は発光組成物［１）と同様にして発光
組成物ＣＩ−Ｒ）を製造した。
Ｒ）を用いる以外は発光組成物［１）と同様にして発光
組成物ＣＩ−Ｒ）を製造した。
このようにして得られた各発光組成物を加速電圧２ＯＶ
の低速電子線で励起し、発光させてその時の発光輝度を
相対的に比較したところ、発光組成物（１）の発光輝度
は、発光組成物（１−Ｒ）の約１．３倍であった。
の低速電子線で励起し、発光させてその時の発光輝度を
相対的に比較したところ、発光組成物（１）の発光輝度
は、発光組成物（１−Ｒ）の約１．３倍であった。
（実施例２）
硫化亜鉛（ＺｎＳ）（蛍光体グレード試薬）２５０ｇ、
塩化ナトリウム（ＮａＣＮ）（試薬特級）２．５ｇ、塩
化アンモニウム（ＮＨ４ｃＤ＞ ＜試薬特級） ６．
２５ｇ及び硫黄（Ｓ）（試薬特級） ５．０ ｇから成
る蛍光体原料を充分に混合し電気炉に入れて空気中にお
いて８５０℃で２．５時間焼成する以外は実施例１の硫
化物蛍光体〔Ｉ〕と同様にして自己付活のＺｎＳ：Ｚｎ
蛍光体（硫化物蛍光体〔■〕）を製造した。
塩化ナトリウム（ＮａＣＮ）（試薬特級）２．５ｇ、塩
化アンモニウム（ＮＨ４ｃＤ＞ ＜試薬特級） ６．
２５ｇ及び硫黄（Ｓ）（試薬特級） ５．０ ｇから成
る蛍光体原料を充分に混合し電気炉に入れて空気中にお
いて８５０℃で２．５時間焼成する以外は実施例１の硫
化物蛍光体〔Ｉ〕と同様にして自己付活のＺｎＳ：Ｚｎ
蛍光体（硫化物蛍光体〔■〕）を製造した。
一方、これとは別に石英ルツボの蓋とルツボ本体との接
触面を粗面化して蓋とルツボ本体との密着性を悪くする
こと及び焼成時間を２時間とすること以外は上記硫化物
蛍光体〔■〕と同様にして自己付活のＺｎＳ：Ｚｎ蛍光
体（硫化物蛍光体（ＩＩ−Ｒ））を製造した。
触面を粗面化して蓋とルツボ本体との密着性を悪くする
こと及び焼成時間を２時間とすること以外は上記硫化物
蛍光体〔■〕と同様にして自己付活のＺｎＳ：Ｚｎ蛍光
体（硫化物蛍光体（ＩＩ−Ｒ））を製造した。
これらの硫化物蛍光体［１１）及び［ＩＩ −Ｒ）につ
いてＸ線回折装置（理学電機株式会社製）を用いて回折
Ｘ線スペクトルを測定し、それらの各最強回折線の半値
幅（２θ）を求めたところ、それぞれ０．１０°及び０
．１７’であった。
いてＸ線回折装置（理学電機株式会社製）を用いて回折
Ｘ線スペクトルを測定し、それらの各最強回折線の半値
幅（２θ）を求めたところ、それぞれ０．１０°及び０
．１７’であった。
次にゼラチン０，６重量部を４０℃の温水中に溶解し、
０．３％ゼラチン水溶液を作成した後、この中に８５重
量部の硫化物蛍光体（ｎｌを添加して十分に撹拌し、蛍
光体分散液を得た。
０．３％ゼラチン水溶液を作成した後、この中に８５重
量部の硫化物蛍光体（ｎｌを添加して十分に撹拌し、蛍
光体分散液を得た。
一方、アラビアゴム０．４重量部を水に溶解し、０．３
％アラビアゴム水溶液を作成し、この中に１５重量部の
Ｉｎ２Ｏ３を添加して充分に撹拌し、Ｉｎ２Ｏ３粒子の
分散液を作成した。
％アラビアゴム水溶液を作成し、この中に１５重量部の
Ｉｎ２Ｏ３を添加して充分に撹拌し、Ｉｎ２Ｏ３粒子の
分散液を作成した。
次いで上記蛍光体分散液と、Ｉｎ２Ｏ３粒子の分散液と
を撹拌しながら混合し、混合液のｐＨを４に調整し、１
０℃以下に冷却した後、ホルマリン１重量部を撹拌しな
がら徐々に滴下した。上澄み液をデカンテーションにて
取除き、水洗後、固形分を乾燥してＺｎＳ：Ｚｎ蛍光体
にＩｎ２Ｏ３を付着させた発光組成物［ＩＩ）を製造し
た。
を撹拌しながら混合し、混合液のｐＨを４に調整し、１
０℃以下に冷却した後、ホルマリン１重量部を撹拌しな
がら徐々に滴下した。上澄み液をデカンテーションにて
取除き、水洗後、固形分を乾燥してＺｎＳ：Ｚｎ蛍光体
にＩｎ２Ｏ３を付着させた発光組成物［ＩＩ）を製造し
た。
また、硫化物蛍光体ＣＩＩＩに代えて硫化物蛍光体（Ｉ
Ｉ −Ｒ〕を用いる以外は各発光組成物〔■〕と同様に
して発生組成物（ＩＩ−Ｒ）を製造した。
Ｉ −Ｒ〕を用いる以外は各発光組成物〔■〕と同様に
して発生組成物（ＩＩ−Ｒ）を製造した。
このようにして得られた各発光組成物を加速電圧２ＯＶ
の低速電子線で励起し、発光させてその時の発光輝度と
相対的に比較したところ、発光組成物［１１）の発光輝
度は発光組成物［：ＩＩ −Ｒ）の約１．２倍であった
。
の低速電子線で励起し、発光させてその時の発光輝度と
相対的に比較したところ、発光組成物［１１）の発光輝
度は発光組成物［：ＩＩ −Ｒ）の約１．２倍であった
。
（実施例３）
硫化亜鉛（ＺｎＳ）（蛍光体グレード試薬）１２５ｇ、
硫化カドミウム（ＣｄＳ）（蛍光体グレード試薬）
１２５ｇ、硝酸銀（ＡｇＮＯ３）０．０８ｇ及び塩化リ
チウム（Ｌ ｉ ＣＤ ）２．５ｇから成る蛍光体原料
を充分に混合し、電気炉に入れて空気中において８００
℃で１．５時間焼成する以外は実施例１の硫化物蛍光体
［Ｉ］と同様にして得た蛍光体を再度石英ルツボに詰め
た電気炉に入れ、窒素ガス雰囲気中において８００℃で
１時間再焼成し、水篩を行った後、上澄液の電導度が１
０μｓ／ｃｆｆｌ以下になるまで水洗し、乾燥して、Ａ
ｇの濃度が蛍光体１ｇ当り２Ｏ０μｇである（Ｚｎｏ３
＋＋ Ｃｄｏ、６Ｊ Ｓ ：Ａｇ、ＣＤ蛍光体く硫化
物蛍光体〔■〕）を製造した。
硫化カドミウム（ＣｄＳ）（蛍光体グレード試薬）
１２５ｇ、硝酸銀（ＡｇＮＯ３）０．０８ｇ及び塩化リ
チウム（Ｌ ｉ ＣＤ ）２．５ｇから成る蛍光体原料
を充分に混合し、電気炉に入れて空気中において８００
℃で１．５時間焼成する以外は実施例１の硫化物蛍光体
［Ｉ］と同様にして得た蛍光体を再度石英ルツボに詰め
た電気炉に入れ、窒素ガス雰囲気中において８００℃で
１時間再焼成し、水篩を行った後、上澄液の電導度が１
０μｓ／ｃｆｆｌ以下になるまで水洗し、乾燥して、Ａ
ｇの濃度が蛍光体１ｇ当り２Ｏ０μｇである（Ｚｎｏ３
＋＋ Ｃｄｏ、６Ｊ Ｓ ：Ａｇ、ＣＤ蛍光体く硫化
物蛍光体〔■〕）を製造した。
これとは別に石英ルツボの蓋とルツボ本体との接触面を
粗面化して蓋とルツボ本体との密着性を悪くすること、
焼成時間を１時間とし、窒素ガス中での再焼成を行わな
いこと以外は硫化物蛍光体〔■〕と同様にして硫化物蛍
光体［１１１−Ｒ）を製造した。
粗面化して蓋とルツボ本体との密着性を悪くすること、
焼成時間を１時間とし、窒素ガス中での再焼成を行わな
いこと以外は硫化物蛍光体〔■〕と同様にして硫化物蛍
光体［１１１−Ｒ）を製造した。
これらの硫化物蛍光体（ｍ）及び［：ｍ−Ｒ：ｌについ
てＸ線回折装置（理学電機株式会社製）を用いて回折Ｘ
線スペクトルを測定し、それらの各最強回折線半値幅（
２θ）を求めたところそれぞれ０．１２°及び０，１８
°であった。
てＸ線回折装置（理学電機株式会社製）を用いて回折Ｘ
線スペクトルを測定し、それらの各最強回折線半値幅（
２θ）を求めたところそれぞれ０．１２°及び０，１８
°であった。
次にこの硫化物蛍光体［１１１１） ９５重量部と市販
の酸化亜鉛（ＺｎＯ）５重量部をボールミルを用いて十
分混合し発光組成物〔■〕を製造した。
の酸化亜鉛（ＺｎＯ）５重量部をボールミルを用いて十
分混合し発光組成物〔■〕を製造した。
また、硫化物蛍光体（ＩＩＩ）に代えて硫化物蛍光体Ｃ
ｍ−Ｒ）を用いる以外は発光組成物〔■〕と同様にして
発光組成物（ＩＩＩ −Ｒ〕を製造した。
ｍ−Ｒ）を用いる以外は発光組成物〔■〕と同様にして
発光組成物（ＩＩＩ −Ｒ〕を製造した。
このようにして得られた各発光組成物を加速電圧２ＯＶ
の低速電子線で励起し、発光させてその時の発光輝度を
相対的に比較したところ、発光組成物〔■〕の発光輝度
は発光組成物（ｍ−Ｒ）の約１．１５倍であった。
の低速電子線で励起し、発光させてその時の発光輝度を
相対的に比較したところ、発光組成物〔■〕の発光輝度
は発光組成物（ｍ−Ｒ）の約１．１５倍であった。
（発明の効果）
以上詳述したように硫化物系蛍光体と導電性物質との混
合物からなる発光組成物において、回折Ｘ線スペクトル
における最強回折線の半値幅（２θ）がほぼ０．０５°
〜０．１６°の範囲にある硫化物系蛍光体をその構成成
分として用いることによって得られる発光組成物は、加
速電圧１ｋＶ以下の低速電子線励起下での発光輝度が著
しく向上し、蛍光表示管用蛍光材料としてきわめて有用
である。
合物からなる発光組成物において、回折Ｘ線スペクトル
における最強回折線の半値幅（２θ）がほぼ０．０５°
〜０．１６°の範囲にある硫化物系蛍光体をその構成成
分として用いることによって得られる発光組成物は、加
速電圧１ｋＶ以下の低速電子線励起下での発光輝度が著
しく向上し、蛍光表示管用蛍光材料としてきわめて有用
である。
第１図曲線Ａは（Ｚｎ Ｏ，２９，Ｃｄ Ｏ，７＋）
Ｓ ： Ａｇ、ｃＮ蛍光体と１ｎ２Ｏ３からなる発光組
成物に用いられる（Ｚｎ Ｏ，２９，Ｃｄ Ｏ，７＋）
Ｓ ： Ａｇ 。 Ｃ１１蛍光体の回折Ｘ線スペクトルにおける最強回折線
の半値幅（２θ）とこの発光組成物の低速電子線励起下
での発光輝度との関係を示すグラフである。 第１図曲線Ｂは（Ｚｎ Ｏ，２９，Ｃｄ Ｏ，７＋）
Ｓ ： Ａｇ、ＣΩ蛍光体の回折Ｘ線スペクトルにおけ
る最強回折線の半値幅（２θ）と高速電子線励起下での
発光輝度との関係を示すグラフである。
Ｓ ： Ａｇ、ｃＮ蛍光体と１ｎ２Ｏ３からなる発光組
成物に用いられる（Ｚｎ Ｏ，２９，Ｃｄ Ｏ，７＋）
Ｓ ： Ａｇ 。 Ｃ１１蛍光体の回折Ｘ線スペクトルにおける最強回折線
の半値幅（２θ）とこの発光組成物の低速電子線励起下
での発光輝度との関係を示すグラフである。 第１図曲線Ｂは（Ｚｎ Ｏ，２９，Ｃｄ Ｏ，７＋）
Ｓ ： Ａｇ、ＣΩ蛍光体の回折Ｘ線スペクトルにおけ
る最強回折線の半値幅（２θ）と高速電子線励起下での
発光輝度との関係を示すグラフである。
Claims (3)
- （１）組成式が（Ｚｎ＿１＿−＿ｘ，Ｃｄ＿ｘ）Ｓ（但
しｘは０≦ｘ≦１なる条件を満たす数）で表わされる硫
化物を母体とする蛍光体と、導電性物質とを混合または
互いに付着させてなる低速電子線用発光組成物であって
、上記硫化物のＸ線回折スペクトルにおける最強回折線
の半値幅（２θ）が、０．０５°乃至０．１６°の範囲
にあることを特徴とする低速電子線用発光組成物。 - （２）前記半値幅が、０．０７°乃至０．１４°範囲に
あることを特徴とする請求項１記載の低速電子線用発光
組成物。 - （３）前記導電性物質が、酸化インジウム（Ｉｎ＿２Ｏ
＿３）であることを特徴とする請求項１記載の低速電子
線用発光組成物。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2180970A JP3007893B2 (ja) | 1990-07-09 | 1990-07-09 | 低速電子線用発光組成物 |
| KR1019910011175A KR0161986B1 (ko) | 1990-07-09 | 1991-07-02 | 저속전자선용 발광조성물 |
| DE69102501T DE69102501T2 (de) | 1990-07-09 | 1991-07-05 | Fluoreszente Zusammensetzung für Elektronenstrahlanregung mit niedriger Geschwindigkeit. |
| EP91111244A EP0466053B1 (en) | 1990-07-09 | 1991-07-05 | Fluorescent composition for low velocity electron beam excitation |
| US07/727,450 US5132044A (en) | 1990-07-09 | 1991-07-09 | Fluorescent composition for low velocity electron beam excitation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2180970A JP3007893B2 (ja) | 1990-07-09 | 1990-07-09 | 低速電子線用発光組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0468078A true JPH0468078A (ja) | 1992-03-03 |
| JP3007893B2 JP3007893B2 (ja) | 2000-02-07 |
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ID=16092463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2180970A Expired - Fee Related JP3007893B2 (ja) | 1990-07-09 | 1990-07-09 | 低速電子線用発光組成物 |
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|---|---|
| US (1) | US5132044A (ja) |
| EP (1) | EP0466053B1 (ja) |
| JP (1) | JP3007893B2 (ja) |
| KR (1) | KR0161986B1 (ja) |
| DE (1) | DE69102501T2 (ja) |
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