JPH0469805A - 磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、Ｖ　Ｔ　Ｒ等に使用される磁気−＼ラドの製
造方法に関する。

〔発明の概要〕

本発明は、ＶＴＲ等に使用される碩気ヘッｌ′の製造方
法において、１対の磁性グＬ７ソク゛１′体を非磁性膜
を介しで接合して磁気ギャップを形成した・・・ットブ
ＩＪ７りを形成する工程と、・＼ントプロ。

り状態−で該−・ソトブロツタに設けられたトう、／り
幅規制用溝内に磁気ギャップ部分に影宮を与えない低温
で３１磁性材を充填する工程を有することによっＣ１［
う、７り幅と磁気記録媒体との当り幅の異なる磁気ヘッ
ドの製造を容易にすると共に、特１、コｒＢ気ギャノゾ
に高飽和磁束密度Ｂｓの金属磁性膜を有シ１．た所謂メ
タルインギャップヘットの製造に好適ならしめたもので
ある。

〔従末の技術］ 耐久性を要求されるＶ　’１”　Ｒ用磁気・＼ソ［にお
い−では、磁気ギャップ等の接合箇所はガラス接合法が
望まし７いとされている。その理由は、ガラスが化学的
に安定な為、有機溶剤による洗浄が可能であり、また強
固な接合が得られる等の利点を有Ｌ２ているからである
。また、この磁気ヘッドは、狭トラツク化に伴い磁性コ
アにトラック幅規制用溝を形成すると共に、ヘットの磁
気記録媒体との当り幅を確保するために上記トラック幅
規制用溝内に非磁性材を充填する構成がとられている。

従って、通常、この種磁気ヘッドの製造においては、磁
気ギャップ部の接合を当り幅の確保を兼ねてガラス接合
が主流となっている。

しかし、ガラス接合方法は融着温度が５５０°Ｃ以上と
高いことから磁性コア即ち例えばフェライトコアへの歪
や反応層の生成、またガラスの磁性材への侵食といった
問題が発生している。しかも、磁気ギャップｇに高飽和
磁束密度Ｂｓの金属磁性膜を有して高抗磁力テープ（メ
タルテープ、蒸着テープ）の飽和記録を可能にしたメタ
ルインギヤツブヘッドにおいて、その金属磁性膜として
アモルファス合金膜を使用する場合はアモルファス合金
膜が結晶化しく結晶化温度５００″Ｃ程度）、ヘッド特
性が劣化するので、ガラス接合方法を用いることができ
ない。

一方、この点を改善するために、磁気ギヤツブ部の接合
として、ギャップ形成面に非磁性のＡｕ膜を被着し、低
温による１膜同志の相互拡散で接合を行い、トランク幅
規制用溝内の非磁性材の充填は接合前に予めトランク幅
規制用溝内に非磁性材をバンクしておくバック方式が考
えられている。

このパック方式は、第４図Ａに示すようにフェライトコ
ア半休（１）の−面に所定ピッチをおいて複数のトラッ
ク幅規制用溝（２）と、このトラック幅規制用溝（２）
と直交する１次巻線溝（３）とを形成し、その内面に高
飽和磁束密度の金属磁性膜例えばアモルファス合金膜（
４）を例えばスパッタにより被着形成する。

次に、第４ｔＤＢに示すように、各溝（２）、　（３）
に充填するようにフエライトブロンク半休（１）の内面
全面に非磁性材（例えばガラス）（５）をパックする。

次に、第４図Ｃに示すように、非磁性材（４）をポリッ
シングし、２次巻線（６）を形成した後、更にポリッシ
ングしてアモルファス合金膜（４）が露出するように平
坦加工する。この時点で既にトラ・ツク幅規制用溝（２
）内に非磁性材（５）が充填されている。

次に、ギャップ形成面にＡｕ膜（力をスパッタ等で被着
形成し、この様にして形成した１対のコアフロック半休
（１）を第４図りに示すように互に突合せ、４００”Ｃ
以下の低摩処理により両コアブロック半休（１）をその
Ａｕ膜（７）同志の相互拡散により接合合体して磁気ギ
ャップｇを有したヘッドプロ・ツク（８）を形成する。

このとき、低温処理であるため、アモルファス合金膜（
４）が結晶化することがない。しかる後、ヘッドブロッ
ク（８）を円筒研磨しで摺動面（９）を形成し、又、両
側に巻線溝（１０）を形成して各ヘッド素子毎に切断し
、第４図Ｅに示す目的の磁気ヘッド（ＩＩ）を作製する
。

この磁気へ・ンド（１１）によれば、予めトラック規制
用溝（２）内に非磁性材（ガラス材）（５）を充填した
後、低温処理による拡散接合で磁気ギャップｇを形成す
るので、アモルファス合金膜（４）は結晶化せずヘッド
特性のよい磁気ヘッドが得られる。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかし乍ら、第４図に示す製法においては、高精度の技
術が要求されたり、工程が増加する為、量産に不向きで
あった。

また、第４図りの工程のラッピングの際にアモルファス
合金膜（４）が薄くなる為、磁路を形成する上で不利に
なり、ヘッド特性が低下する。これを防くためにアモル
ファス合金膜（４）の膜厚を大にすることが考えられる
が、その場合には応力が増え膜剥れ等、機械的強度が低
下する。

本発明は、上述の点に鑑み、トラック幅と当り幅の異な
る磁気ヘッドの製造を容易にすると共に、例えば所謂メ
タルインギャップヘッドの製造に通用して好適ならしめ
た磁気ヘッドの製造方法を提供するものである。

〔課題を解決するための手段］ 本発明は、１対の磁性ブロック半休（２１）を非磁性膜
を介して接合して磁気ギャップｇを形成したヘッドブロ
ック（２６）　（又は（３４））を形成する工程と、ヘ
ッドブロック（２６）　（又は（３４））の状態で、こ
のヘッドブロック（２６）　（又は（３４））に設けら
れたトラック幅規制用溝（２２）　（又は（３５））内
に上記磁気ギャップ部分に影響を与えない低温で非磁性
Ｕ（２７）を充填する１稈をすることを特徴とする。

［作用］ 本発明においては、Ｉ対の磁性ブ１７ツク半休（２１）
を非磁性膜を介して接合し−・ソドブロック（２６）　
（又は（３４））を形成したのち、ヘッドブロック（２
６）　（又は（３４））の状態でトラック幅規制用溝（
２２）　（又は（３５）　）内に磁気ギヤツブ部分に影
響を与えない低温で非磁性材（２７）を充填することに
より、当り幅が十分得られ、しかもバック方式に比べて
工程数が減り、トランク幅と当り幅が異なる磁気ヘッド
の製造が容易になる。

特に磁気ギヤ・ツブｇに高飽和磁束密度Ｂｓの金属磁性
膜例えばアモルファス合金膜（２４）を有したメタルイ
ンギャップヘッドに適用し７た場合、アモルファス合金
膜（２４）を結晶化させることながないので、ヘット特
性のよい磁気ヘットが得られる。

（実施例］ 以下、図面を参照して本発明による磁気ヘッドの製造方
法の実施例を説明する。

第１図は本発明の一例を示ず１．程図である。本例にお
いては、第１．ｔＱＡに示すようにフェライトブロック
半休（２１）の−面に所定ピッチをおいて複数のトラッ
ク幅規制用溝（２２）と、このトう、り幅規制用溝（２
２）と直交する巻線溝（２３）どを形成し２、その内面
全面に高飽和磁束密度の金属磁性膜例えばアモルファス
合金膜（２４）をスパッタにより被名形成する。この例
では、トラック幅規制用溝（２２）はフロント部のみに
形成する。

次に、第１図Ｂに示すように、接合面に非磁性の６膜（
２５）を被着形成する。

そして、このようなフェライトブロック半休（２１）を
２個用意し、両フェライトブロック゛ト体（２１）を第
１図Ｃに示すように突き合せ、所要の加圧状態下で４０
０″Ｃ以下の低温処理により、両Ａｕ膜（２５）の相互
拡散で両フェライトブロック半休（２１）を接合して、
フロント部に（ｎ気ギャップｇを形成したヘッドブロッ
ク（２６）を形成する。この状態でトラック幅規制溝（
２２）は空洞部として残る。なお、第１図Ｃ以十゛では
Ａｕ膜（２５）を省略し７た図面となっている。

次に、第１図１〕に示すように、ヘンＦ′ブロック（２
６）の状態で空洞部となっているトラック幅規制用溝（
２２）内に、４００°Ｃ以上の低温で充填できる耐摩耗
性のある非磁性材（２７）を埋め込む。この非磁性材（
２７）としては、例えば樹脂、セメント、金属アルコキ
シド、接着剤等を用いることができる。

非磁性材（２７）の充填方法としては、例えば巻線溝（
２３）の内部に流入し、ないように巻線溝（２３）に例
えばガラス棒を挿入した状態で［二カより非磁性材（２
７）を充填する。

また、ブルーゲル反応を用いて充填することも可能であ
る。ゾル−ゲル反応は、金属アルコキシドの加水分解及
び脱水縮合を用いたガラスの低温合成方法である。本例
ではアルコキシドを構成する金属としてシリコン、チタ
ン、ジルコニウム等の一種以［を用いる。まず、前記金
属アルコキシドをアルコール系溶媒に溶解し２、ゲル化
反応速度調整用として塩酸を加えｐＨ３〜６に調整され
た水を加え第２図Ａのゾル（３１）を得る。このゾル（
３１）の浴槽（３２）中に第１図Ｃで示１−接合された
ヘッドブロック（２６）を浸漬する。このとき、−１７
トブ１１ツク（２６）はフロント部の巻線溝（２３）の
］１部まで漬かるようにする。その後、−７・ドブロッ
ク（２６）を浴槽（３２）から引き出すと、ｐめゾル（
３１）の粘度を調整しておけばゾル（３１）は表面張力
のため第２ＭＢで示すトラック幅規制用溝（２２）及び
巻線溝（２３）の−１一部に亘って充填される。このヘ
ッドブロック（２６）を１００〜３００℃の温度で１〜
２４時間加熱することにより、ゾル（３１）は加水分解
、脱水縮合によりゲル化し、乾燥して金属酸化物に近い
状態となり、非磁性材（２７）となる。

然る後、ヘッドブロック（２６）を円筒研磨して摺動面
（２８）を形成し、又、両側６５巻線溝（２９）を形成
して切断し、第１図Ｅに示す目的の磁気ヘッド（３０）
を得る。

第３図は本発明の他の例を示す工程図である。

本例においては、第３回Ａに示すようにフェライトブロ
ック半体（２１）の−面に巻線溝（２３）を形成した後
、その内面全面に高飽和磁束密度の金属磁性膜例えばア
モルファス合金膜（２４）をスバンタにより被着形成す
る。

次に、第３図Ｂに示すように接合面に非磁性のＡｕ膜（
２５）を被着形成する。

そして、このようなフエライ！・ブロック半休（２１）
を２個用意し、両フェライトブロック半体り２１）を第
３図Ｃに示すように突き合せ、所要の加圧状態下で４０
０°Ｃ以下の低温処理により、両Ａｕ膜（２４）の相互
拡散で両フェライトブロック半体（２１）を接合してフ
ロント部に磁気ギャップｇを形成したヘットブロック（
３４）を形成する。なお、第３図Ｃ以下ではへυ膜（２
５）を省略した図面となっている。

次に、第３［１］Ｄに示すようにヘッドブロック（３４
）のフロント部前面にトラック幅規制用溝（３５）を形
成した後、第３図Ｅに示すようにこのトラック幅規制用
溝（３５）内に上記と同様の４００°Ｃ以下の低温で充
填できる耐摩耗性を有する非磁性材（例えば樹脂、セメ
ント、金属アルコキシド、接着剤等）　（２７）を埋め
込む。この非磁性材（２７）の充填方法は第１図で説明
したと同し方法をとり得る。

然る後、ヘッドブロック（３４）を円筒研磨して摺動面
（２８）を形成し、又両側に巻線溝（２９）を形成して
切断し、第３図已に示す目的の磁気ヘノｌ”（３６）を
得る。

尚、上例では１対のフェライトブロック半休（２１）の
接合に際して、Ａｕ膜（２５）を用いて低温で拡散接合
したが、その他、Ａｕ膜に代えてＡｇ膜、　Ｐｄ膜。

ｐｔ膜等を用いて低温拡散で接合することもでき、さら
には、Ａｇ、　Ｐｄ、　Ｐｔ等の膜の下地材としてＣｒ
Ｔｉ、　Ｍｏ等を入れて２層膜構造としてもよい。さら
に、ＳｉＯ□−Ｃｒ−Ａｇ膜等の３層膜構造とすること
も可能である。

上述の実施例によれば、トランク幅Ｔと当り幅Ｗの異な
る磁気ヘットの製造方法において１対のフェライトブロ
ック半休（２１）を接合して磁気ギャップｇを有するヘ
ッドブロック（２６）　（又は（３４））を形成した後
、４００″Ｃ以下の低温でトランク幅規制用溝（２２）
　（又は（３５）　）に非磁性材（２７）を充填するよ
うにしたので、特に、低温による拡散接合及び金属磁性
膜としてアモルファス合金膜（２５）を使用することが
でき、ヘット出力の向上したメタルインギャップヘッド
が得られる。また、バンク方式に比べて製造工程数が減
り、作業性も良好となり、量産性に適するものである。

尚、上例ではメタルインギャップヘッドに適用したが、
通常のフェライトコアを直接非磁性材を介して接合して
なる磁気へ・ノドにも適用できるものである。

〔発明の効果］ 本発明によれば、ｌ・ラック幅と当り幅の異なる磁気ヘ
ッドを容易に製造することができる。特に、磁気ギャン
ブに高飽和磁束密度の金属磁性膜例えばアモルファス合
金膜を有するメタルインギャップ型の磁気ヘッドにおい
ても、適用でき、ヘッド特性の良好な磁気へ・７ドを製
造できる。またメタルインギャップ型の磁気ヘッドに適
用したときには従来のハック方式に比べて工程数が減り
且つ作業性も良くなり、量産向きとなる。

【図面の簡単な説明】

第１図Ａ−Ｅは本発明による磁気ヘットの製法の一例を
示す工程図、第２１１ｋＡ及びＢは非磁性材の充填法の
例を示す工程図、第３図Ｃ以下は本発明による磁気ヘッ
ドの製法の他側を示す工程図、第４図Ａ　−、Ｅは従来
例の工程図である。 （２１）はフェライトブロック半休、（２２）はトラッ
ク幅規制用溝、（２３）は巻線溝、（２４）はアモルフ
ァス合金膜、（２５）はＡｕ膜、（２６）は−・ノドブ
ロンク、（２７）は非磁性材である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １対の磁性ブロック半体を非磁性膜を介して接合して磁
   気ギャップを形成したヘッドブロックを形成する工程と
   、 上記ヘッドブロックの状態で該ヘッドブロックに設けら
   れたトラック幅規制用溝内に上記磁気ギャップ部分に影
   響を与えない低温で非磁性材を充填する工程 を有することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。