JPH0469947B2 - - Google Patents
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- JPH0469947B2 JPH0469947B2 JP62024393A JP2439387A JPH0469947B2 JP H0469947 B2 JPH0469947 B2 JP H0469947B2 JP 62024393 A JP62024393 A JP 62024393A JP 2439387 A JP2439387 A JP 2439387A JP H0469947 B2 JPH0469947 B2 JP H0469947B2
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Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電子写真感光体に関し、さらに詳し
くは、導電性支持体上に電荷発生層と電荷輸送層
を設けた電子写真感光体において、電荷輸送層と
して次の一般式（）、 〔式中、Ｒは水素、低級アルキル基、低級アルコ
キシ基を、Arは基
くは、導電性支持体上に電荷発生層と電荷輸送層
を設けた電子写真感光体において、電荷輸送層と
して次の一般式（）、 〔式中、Ｒは水素、低級アルキル基、低級アルコ
キシ基を、Arは基
【式】（ここ
で、R1及びR2は低級アルキル基、フエニル基ま
たはベンジル基を、R4は低級アルキル基を示す）
又は基
たはベンジル基を、R4は低級アルキル基を示す）
又は基
近年、電子写真感光材料として広く知られてい
るものに、無機系の光導電性物質としては、セレ
ン、硫化カドミウムなどがあり、有機系の光導電
性物質としては、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾー
ル、ポリビニルアンスラセンをはじめ種々の物質
が提案されている。 この中で、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールは、
それ自体でフイルム形成が可能であるが可撓性が
低く、電子写真感光体としての耐久性が劣るとい
う欠点がある。そこで、可撓性を増すために可塑
剤をもちいることが提案されているが、可塑剤を
用いると可撓性を向上させる反面、感度や残留電
位などの電子写真特性が低下するという欠点が現
れてくる。 一方、これらの物質を用いる電子写真方式のほ
かに、光導電性物質の二つの機能、すなわち、電
荷担体の発生と、発生した電荷の輸送をそれぞれ
別個の有機化合物により行わしめようという方式
が盛んに提案されている（例えばトリケツプス社
刊行『記録材料マニユアル』第二章感光材料）。
この方式では、電荷担体の発生と、電荷を輸送す
るとうい二つの機能のそれぞれに最適な化合物を
幅広く選択できるため、高感度のものが得られる
ことが知られている。この方式においては、導電
性支持体の上に電荷を発生させる化合物、すなわ
ち電荷発生物質と、発生した電荷を輸送させる化
合物、すなわち電荷輸送物質を順次積層する必要
がある。多くの場合、電荷輸送層に用いられる化
合物は低分子有機化合物であり、フイルム形成能
を持たない。そこでポリエステル樹脂、ポリ塩化
ビニール樹脂、メタクリル樹脂、ポリカーボネー
ト樹脂などの高分子結着剤をもちいてフイルムを
形成させねばならない。電荷発生層において発生
した電荷担体を速やかに輸送する為には電荷輸送
層は均一であることが必要である。ここで結着剤
に対する電荷輸送物質の溶解性が問題となる。溶
解性の低いものについては細粉末として結着剤中
に分散せしめるが、この場合は均一なフイルムを
得ることが困難であり、また溶解しても時間の経
過につれて結晶が析出する現象が生じ、電子写真
性能を著しく低下せしめることが多い。また、機
能分離タイプの感光層を有する従来の電子写真感
光体を電子写真プロセスにしたがつて繰返し反復
使用した場合、元の帯電特性を回復する能力が低
下し、感光体の寿命を短くする欠点を有してい
る。すなわち、帯電、暗減衰、光減衰、クリーニ
ングという電子写真の実際上のプロセスを多数回
繰り返すと、帯電後の表面電荷変動、電荷保持能
力の低下、残留電位の上昇などいづれかの一つ又
は二つ以上の光疲労現象が生じ、電子写真の性能
を著しく低下せしめるため実用上の大きな問題に
なつている。 最近、上記問題を解決すべく、インドリン化合
物を感光体として用いる研究がおこなわれ、その
成果が例えば特開昭58−166354号、特開昭60−
143352号及び特開昭59−62861号として報告され
ている。 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしながら、上記で報告されたインドリン化
合物も未だ十分満足のゆくものではなく、従つ
て、高分子結着剤に対する溶解生が優れ、高感度
にして残留電位が少なく、また電子写真プロセス
に従つて繰返し使用しても光疲労が少なく、耐久
性に優れた電子写真感光体用のインドリン化合物
の提供が求められていた。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明者は、上記問題点を解決するため、電荷
輸送物質としてＮ−アミノインドリン誘導体に着
目して鋭意研究を行つた結果、特定のインドリン
誘導体が電子写真に対する種々の要求を満たすこ
とを見出だし本発明を完成するに至つた。 すなわち、本発明は、高分子結着剤に対して溶
解性がよく、電子写真特性の優れている前記式
（）で表されるＮ−アミノ−２，３，３−トリ
メチルインドリン誘導体を電荷輸送物質として含
有する電子写真感光体を提供するものである。 本発明のＮ−アミノ−２，３，３−トリメチル
インドリン誘導体（）は、例えば次の反応式に
従い４−置換フエニルヒドラジン塩酸塩よりフリ
ーのヒドラジン（）を得、このヒドラジンをメ
チルイソプロピルケトン（）とともにベンゼン
中で還流し、共沸脱水によりヒドラゾン（）と
し、次いでこのヒドラゾンを酢酸中還流し環化せ
しめて置換２，３，３−トリメチルインドレニン
（）となし、これをアルコール中で水素化ホウ
素ナトリウムにより還元してインドリン（）を
得、更にこのインドリンを酢酸中で亜硝酸ソーダ
を反応させてニトロソ化し、続いてビトライド
（Vitride、半井化学薬品(株)）により還元してＮ−
アミノ−２，３，３−トリメチルインドリン
（）を得、これと芳香族アルデヒド（）を縮
合させることにより調整される。 （式中、Ｒ及びArは前記と同じ） かくして得られる一般式（）で表されるＮ−
アミノ−２，３，３−トリメチルインドリン誘導
体は、いずれも有機光導電体として極めて優れた
性質を示す。特に電子写真感光体の電荷輸送物質
として用いた場合、高分子結着剤に対する溶解性
が優れ、高感度にして且つ耐久性の勝れた感光体
を提供することができる。 前記一般式（）で表されるＮ−アミノ−２，
３，３−トリメチルインドリン誘導体の代表例を
次に例示する。 次に、叙上のＮ−アミノ−２，３，３−トリメ
チルインドリン誘導体（）を用いた、本発明の
電荷写真感光体の基本的な作製方法について説明
するが、勿論、この例を以て本発明の使用の態様
が限定されるものではない。 本発明のインドリン誘導体（）を含有する感
光体は、第１図の導電性支持体１の上に、電荷発
生物質２を主体とする電荷発生層３と、インドリ
ン誘導体（）を均一に含有する電荷輸送層４か
らなる感光層５を有している。ここでインドンリ
ン誘導体（）は電荷輸送物質として用いられ、
結着剤と共に電荷輸送層４を形成する。 電荷輸送層４を透過した光は電荷発生層３中に
分散された電荷発生物質２に到達し、電荷発生物
質２が光減衰に必要な電荷を発生させる。電荷輸
送層４はこの電荷の注入を受けて、その輸送を行
う。ここで電荷発生物質２と、インドリン誘導体
（）が互いに、主として可視領域において吸収
波長領域が重ならないということが必要条件であ
る。これは電荷発生物質２に電荷担体を効率良く
発生させるためには、電荷発生物質表面まで光を
透過させる必要があるからである。本発明のイン
ドリン誘導体（）は可視領域にほとんど吸収が
なく、一般に可視領域の光を吸収し電荷を発生す
る電荷輸送物質と組み合わせた場合、とくに有効
に電荷輸送物質として働くのがその特徴である。 第１図の感光体を作製するには、導電性支持体
１上に電荷発生物質２を真空蒸着するか、あるい
は電荷発生物質２の微粒子を必要に応じて結着剤
を溶解した適当な溶媒中に分散させて得た分散液
を塗布、乾燥し、さらに必要があれば、例えばパ
フ研磨などの方法によつて表面仕上げを行つて膜
厚を調整したのち、その上にインドリン誘導体お
よび結着剤を含む溶液を塗布乾燥して得られる。
塗布は通常の手段、例えばドクターブレード、マ
イヤーバーなどを用いる。 電荷発生層３の厚さは5μ以下、好ましくは2μ
以下であり、電荷輸送層４の厚さは３〜50μ、好
ましくは５〜20μである。また、本発明化合物
（）は電荷輸送層４中に10〜90重量％、好まし
くは30〜90％重量％配合される。 導電性支持体１としてはアルミニウムなどの金
属板又は金属箔、アルミニウムなどの金属を蒸着
したプラスチツクフイルム、あるいは導電処理を
施した紙などが用いられる。結着剤しては、ポリ
エステル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、アクリル樹
脂、メタクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリカ
ーボネート樹脂などが用いられるが、なかでもポ
リカーボネート樹脂が好適である。 電荷発生物質２としては、例えばセレン、硫化
カドミウムなどの無機材料及び例えばCIピグメ
ントブルー25（カラーインデツクスCI21180）、CI
ピグメントレツド41（CI21200）、CIアシツドレツ
ド52（CI45100）、CIベーシツクレツド（CI45210）
などのアゾ系顔料；CIピグメントブルー16
（CI74100）などのフタロシアニン系顔料；CIバ
ツトブラウン５（CI73410）、CIバツトダイ
（CI73030）などのインジゴ系顔料；アルゴスカ
ーレツトＲ（バイエル社製）、インダンスレンスカ
ーレツトＲ（バイエル社製）などのペリエン系顔
料、さらにはクロロジアンブルーすなわち４，
4′−〔（３，3′−ジクロロ−４，4′−ビフエニリレ
ン）ビス（アゾ）〕−ビス−３−ヒドロキシ−２−
ナフタニリド、メチルスクアリウムすなわち２，
４−ビス−（２−メチル−４−ジメチル−４−ジ
メチルアミノフエニル）−１，３−シクロブタジ
エンジイリウム−１，３−ジオレート、ヒドロキ
シスクアリウムすなわち２，４−ビス−（２−ヒ
ドロキシ−４−ジメチルアミノフエニル）−１，
３−シクロブタジエンジイリウム−１，３−ジオ
レートなどの有機顔料が用いられる。 〔実施例〕 次に合成例及び実施例を以て本発明を詳しく説
明する。 合成例 １ ２，３，３−トリメチルインドリン（（）式
中、Ｒ＝Ｈ）の合成： 水素化ホウ素ナトリウム6.6ｇをメタノール200
mlに溶かし、２，３，３−トリメチルインドレニ
ン（（）式中、Ｒ＝Ｈ）27ｇを１時間で滴加し
た。反応温度は室温から還流温度まで上昇した。
滴加後４時間還流し、GCにてチエツクすると未
反応が33％だつた。水素化ホウ素ナトリウムを
2.3ｇ追加し、１時間反応したが未反応が13％残
るので、さらに水素化ホウ素ナトリウム2.6ｇを
追加し、１時間反応を続けた後終了とした。氷水
冷却下、50％酢酸水100mlにて分解し、苛性ソー
ダ水溶液にて中和後、水を加え、ベンゼンにて抽
出し、無水炭酸ソーダで乾燥後濃縮し、蒸溜し
た。沸点88℃／４mmHgの目的化合物22ｇ（理論
収率80.4％）を得た。このものの400MHzのNMR
スペクトル（CDCl3）は次の通りである。 δppm：1.03（3H、Ｓ）、1.16（3H、ｄ、Ｊ＝6.5
Hz）、1.27（3H、Ｓ）、3.50（1H、ｑ、Ｊ＝6.5
Hz）、3.70（1H、broad Ｓ）、6.59〜6.61（1H、
ｍ）、6.71〜6.75（1H、ｍ）、6.98〜7.03（2H、
ｍ） 合成例 ２ １−アミノ−２，３，３−トリメチルインドリ
ン（（）式中、Ｒ＝Ｈ）の合成： 上記合成例１で得た化合物20ｇを酢酸200mlに
加え、室温下、亜硝酸ソーダ９ｇを30分をかけて
少量づつ加えた。その後、４時間反応せしめ、原
料化合物の消失をTLCで確認したる後、水中に
注入した。ベンゼンで抽出し、硫酸マグネシウム
で乾燥したるのち濃縮して23.6ｇの油を得た。こ
の油を200mlのベンゼンに溶かし、ビトライド36
ｇにこれを滴加した。反応温度は室温から60℃ま
で上昇した。そのまま４時間撹拌したるのち
TLCでニトロソ化合物の消失を確認した。苛性
ソーダ水溶液中に注入して30分間撹拌したる後、
分液し、水層をベンゼンにて抽出した。ベンゼン
溶液は無水炭酸ソーダにて乾燥し、濃縮後蒸溜し
て沸点100℃／１mmHgの目的化合物10.6ｇ（理論
収率48.6％）を得た。このものの400MHzのNMR
スペクトル（CDCl3）は次の通りである。 δppm：1.02（3H、Ｓ）、1.26（3H、ｄ、Ｊ＝6.5
Hz）、1.29（3H、Ｓ）、2.79（1H、ｑ、Ｊ＝6.5
Hz）、3.39（2H、broad Ｓ）、6.82〜6.86（2H、
ｍ）、7.04〜7.06（1H、ｍ）、7.13〜7.17（1H、
ｍ） 合成例 ３ 4′−ジエチルアミノベンジリデン−１−アミノ
−２，３，３−トリメチルインドリンの合成
（例示化合物−４） ジエチルアミノベンズアルデヒド1.77ｇ及び前
記合成例２で得た化合物1.8ｇをエタノール20ml
に溶かし、酢酸３滴を加えて４時間還流撹拌し
た。反応終了後、溶媒を減圧下に溜去したる後、
シリカゲルクロマト（溶媒ベンゼン）にかけ、
3.2ｇに油状物を得た。これをエタノールにて２
回再結晶して、融点90〜91℃の結晶2.06ｇ（理論
収率61.5％）を得た。このもののIRスペクトル
（KBr）を第２図に示した。またこのものの
400MHzのNMRスペクトル（CDCl3）は次の通り
である。 δppm：1.14（3H、ｄ、Ｊ＝6.4Hz）、1.19（6H、
ｔ、Ｊ＝7.1Hz）、1.27（3H、Ｓ）、1.31（3H、
Ｓ）、3.39（4H、ｑ、Ｊ＝7.1Hz）、3.99（1H、
ｑ、Ｊ＝6.4Hz）、6.68（2H、ｄ、Ｊ＝8.9Hz）、
6.77〜6.81（1H、ｍ）、7.05〜7.07（2H、ｍ）、
7.13〜7.17（1H、ｍ）、7.56（2H、ｄ、Ｊ＝8.9
Hz）、7.62（1H、Ｓ） 合成例 ４ N′−エチル−3′−カルバゾリルメチリデン−１
−アミノ−２，３，３−トリメチルインドンリ
ンの合成（例示化合物−16）： Ｎ−エチル−３−ホルミルカルバゾール2.23ｇ
と、前記合成例２で得た化合物1.8ｇを合成例３
と同様にして反応、精製を行い、融点135℃の結
晶2.5ｇ（理論収率65.6％）を得た。このものの
IRスペクトル（KBr）を第３図に示した。又こ
のものの400MHzのNMRスペクトル（CDCl3）は
次の通りである。 δppm：1.20（3H、ｄ、Ｊ＝6.4Hz）、1.30（3H、
Ｓ）、1.36（3H、Ｓ）、1.43（3H、ｔ、Ｊ＝7.2
Hz）、4.12（1H、ｑ、Ｊ＝6.4Hz）、4.36（2H、
ｑ、Ｊ＝7.2Hz）、6.84（1H、dd、Ｊ＝3.0、5.5
Hz）、7.09（1H、ｄ、Ｊ＝7.2Hz）、7.20〜7.26
（3H、ｍ）、7.38〜7.40（2H、ｍ）、7.44〜7.48
（1H、ｍ）7.82（1H、Ｓ）、7.91（1H、dd、Ｊ＝
1.6、8.6Hz）、8.14（1H、ｄ、Ｊ＝7.7Hz）、8.35
（1H、ｄ、Ｊ＝1.4Hz） 合成例 ５ 4′−ジフエニルアミノベンジリデン−１−アミ
ノ−２，３，３−トリメチルインドリンの合成
（例示化合物−19）： ジフエニルアミノベンズアルデヒド2.73ｇと前
記合成例２で得た化合物1.8ｇを合成例３と同様
にして反応、精製を行い、融点123〜４℃の結晶
1.86ｇ（理論収率43.1％）を得た。このもののIR
スペクトル（KBr）を第４図に示した。このも
のの400MHzのNMRスペクトル（CDCl3）は次の
通りである。 δppm：1.14（3H、ｄ、Ｊ＝6.4Hz）、1.26（3H、
Ｓ）、1.35（3H、Ｓ）、4.07（1H、ｑ、Ｊ＝6.4
Hz）、6.81〜6.8.2（1H、ｍ）、7.00〜7.16（11H、
ｍ）、7.23〜7.27（4H、ｍ）、7.51（1H、Ｓ）、
7.55（2H、ｄ、Ｊ＝8.7Hz） 合成例 ６ 4′−ジベンジルアミノ−2′−メチルベンジリデ
ン−１−アミノ−２，３，３−トリメチルイン
ドリンの合成（例示化合物−22）： 4′−ジベンジルアミノ−２−メチルベンズアル
デヒド3.15ｇおよび前記合成例２で得た化合物
1.76ｇから合成例３と同様にして反応、精製を行
い、融点59℃の結晶4.16ｇ（理論収率88％）を得
た。このもののIRスペクトル（KBr）を第５図
に示した。またこのものの400MHzのNMRスペ
クトル（CDCl3）は次の通りである。 δppm：1.13（3H、ｄ、Ｊ＝6.4Hz）、1.27（3H、
Ｓ）、1.31（3H、Ｓ）、4.00（1H、ｑ、Ｊ＝6.4
Hz）、4.15（4H、Ｓ）、6.56（1H、ｄ、Ｊ＝2.6
Hz）、6.65（1H、dd、Ｊ＝2.6、8.7Hz）、6.79
（1H、ｄ、Ｊ＝7.3Hz）、7.02〜7.06（2H、ｍ）、
7.11〜7.13（1H、ｍ）、7.21〜7.26（6H、ｍ）、
7.30〜7.34（4H、ｍ）、7.71（1H、ｄ、Ｊ＝8.7
Hz）、7.78（1H、Ｓ） 合成例 ７ メチルイソプロピルケトントリルヒドラゾン
（（）式中、Ｒ＝メチル）の合成： 窒素気流下、反応フラスコに４−メチルフエニ
ルヒドラジン37.4ｇ（0.307モル）、メチルイソプ
ロピルケトン52.76ｇ（0.64モル）、特級ベンゼン
153ml、酢酸２滴を仕込み、73〜85℃、4.5時間反
応したるのち、減圧蒸溜して沸点95〜103℃／
0.37mmHgの目的化合物55ｇ（理論収率94.4％）を
得た。このもののIRスペクトル（KBr）を第６
図に示した。 合成例 ８ ２，３，３，５−テトラメチルインドレニン
（（）式中、Ｒ＝メチル）の合成： メチルイソプロピルケトンのトリルヒドラゾン
55ｇを酢酸（特級）550mlに溶解せしめ、窒素気
流下、117℃にて還流させながら３時間反応させ
た。GCにてヒドラゾンの消失を確認したる後、
酢酸を減圧下に回収した。残りを５％重曹水1000
ml中に注加し、ベンゼン300mlにて抽出した。ベ
ンゼン層は３回水洗したる後炭酸ソーダにて乾燥
し、濃縮して47.5ｇの油分を得た。減圧下に精溜
して沸点85℃／４mmHgの目的化合物41.1ｇ（理
論収率82％）を得た。このものの400MHzの
NMRスペクトル（CDCl3）は次の通りである。 δppm：1.27（6H、Ｓ）、2.25（3H、Ｓ）、2.38（3H、
Ｓ）、7.08（1H、Ｓ）、7.10（1H、ｄ、Ｊ＝7.6
Hz）、7.41（1H、ｄ、Ｊ＝7.6Hz） 合成例 ９ ２，３，３，５−テトラメチルインドリン
（（）式中、Ｒ＝メチル）の合成 反応フラスコに特級メタノール270ml、水酸カ
リウム（粒状）２粒を溶解せしめ、NaBH427.5
ｇを溶解させ、２，３，３，５−テトラメチルイ
ンドレニン42.4ｇを室温下に40分をかけて滴下し
た。室温で１夜撹拌したるのち、２時間、54〜64
℃に加熱撹拌した。未反応の消失を確認した後、
冷却した。25℃で酢酸64mlと水64mlの混合液を滴
加し、54〜64℃で２時間撹拌した。冷却後、これ
を水酸化ナトリウム46ｇを含む氷水の中に注入
し、ベンゼンにて抽出した。ベンゼン液はセライ
トを用いて過し、水洗、乾燥し、濃縮して34ｇ
の油を得た。この油減圧蒸溜して沸点90℃／３mm
Hgの目的化合物32.1ｇ（理論収率78.5％）を得
た。このものの400MHzのNMRスペクトル
（CDCl3）は次の通りである。 δppm：1.02（3H、Ｓ）、1.17（3H、ｄ、Ｊ＝6.5
Hz）、1.26（3H、Ｓ）、2.26（3H、Ｓ）、3.48（1H、
ｑ、Ｊ＝6.5Hz）、3.62（1H、broad Ｓ）、6.53
（1H、ｄ、Ｊ＝7.7Hz）、6.81〜6.85（2H、ｍ） 合成例 10 １−アミノ−２，３，３，５−テトラメチルイ
ンドリン（（）式中、Ｒ＝メチル）の合成： ２，３，３，５−テトラメチルインドリンを酢
酸200mlに加え、室温下に、亜硝酸ソーダ10.5ｇ
を少量づつくわえ、その後４時間室温で撹拌を続
けた。反応終了後、水中に注入し、ベンゼンにて
抽出した。ベンゲン層は水洗、重曹水洗、水洗を
おこない、乾燥した。このベンゼン溶液をビトラ
イド66.5ｇに窒素気流中で撹拌しながら滴加した
（室温〜60℃）。その後４時間撹拌し、苛性ソーダ
11ｇ／水500ml中に注加し加水分解した。分液後、
水層をベンゼンにて抽出し、ベンゼン層を水洗、
乾燥後、濃縮して目的化合物24ｇを得た。リグロ
インから再結晶して、融点67℃の白色針状結晶
15.7ｇ（理論収率63.4％）を得た。このものの
400MHzのNMRスペクトル（CDCl3）は次の通り
である。 δppm：1.01（3H、Ｓ）、1.24（3H、ｄ、Ｊ＝6.5
Hz）、1.27（3H、Ｓ）、2.28（3H、Ｓ）、2.72（1H、
ｑ、Ｊ＝6.5＝Hz）、3.30（2H、broad Ｓ）、6.73
（1H、ｄ、Ｊ＝7.8Hz）、6.86（1H、Ｓ） 合成例 11 N′−エチル−3′−カルバゾリルメチリデン−１
−アミノ−２，３，３，５−テトラメチルイン
ドリンの合成（例示化合物−17） １−アミノ−２，３，３，５−テトラメチルイ
ンドリン1.9ｇとＮ−エチルカルバゾール−３−
カルボアルデヒド2.23ｇをエタノール20mlに加
え、酢酸２滴を加えて２時間還流下に撹拌した。
その後室温まで冷却して生成した結晶を過、採
取した。これをアセトニトリルより再結晶して、
融点169℃の結晶3.44ｇ（理論収率87.1％）を得
た。このもののIRスペクトル（KBr）を第７図
に示した。またこのものの400MHzのNMRスペ
クトル（CDCl3）は次の通りである。 δppm：1.19（3H、ｄ、Ｊ＝6.4Hz）、1.29（3H、
Ｓ）、1.33（3H、Ｓ）、1.41（3H、ｔ、Ｊ＝7.2
Hz）、2.31（3H、Ｓ）、4.08（1H、ｑ、Ｊ＝6.4
Hz）、4.32（2H、ｑ、Ｊ＝7.2Hz）、6.90（1H、
Ｓ）、7.01（1H、ｄ、Ｊ＝7.9Hz）、7.11（1H、
ｄ、Ｊ＝7.9Hz）、7.23（1H、ｔ、Ｊ＝7.9Hz）、
7.35〜7.38（2H、ｍ）、7.45（1H、dd、Ｊ＝7.1、
8.2Hz）、7.79（1H、Ｓ）、7.90（1H、dd、Ｊ＝
8.5、1.5Hz）、8.12（1H、ｄ、Ｊ＝7.8Hz）、8.33
（1H、ｄ、Ｊ＝1.5Hz） 合成例 12 4′−ジフエニルアミノベンジリデン−１−アミ
ノ−２，３，３，５−テトラメチルインドリン
の合成（例示化合物−20）： １−アミノ−２，３，３，５−テトラメチルイ
ンドリン1.9ｇとｐ−ジフエニルアミノベンズア
ルデヒド2.73ｇを合成例11と同様にして処理し、
融点150℃の結晶4.0ｇ（理論収率90％）を得た。
このもののIRスペクトル（KBr）を第８図に示
した。またこのものの400MHzのNMRスペクト
ル（CDCl3）は次の通りである。 δppm：1.13（3H、ｄ、Ｊ＝6.3Hz）、1.25（3H、
Ｓ）、1.32（3H、Ｓ）、2.29（3H、Ｓ）、4.04（1H、
ｑ、Ｊ＝6.3Hz）、6.88（1H、Ｓ）、6.97〜7.11
（10H、ｍ）、7.22〜7.26（4H、ｍ）、7.48（1H、
Ｓ）、7.54（2H、ｄ、Ｊ＝8.7Hz） 合成例 13 4′−ジエチルアミノベンジリデン−１−アミノ
−２，３，３，５−テトラメチルインドリンの
合成（例示化合物−５）： １−アミノ−２，３，３，５−テトラメチルイ
ンドリン1.9ｇとｐ−ジエチルアミノベンズアル
デヒド1.77ｇをエタノール20mlに加え、酢酸２滴
を加えて４時間還流下に撹拌した。その後冷却し
て生成した結晶を過し、3.43ｇ（理論収率98
％）の結晶を得た。これをエタノール−酢酸エチ
ルより再結晶して、融点171〜２℃の結晶３ｇ
（理論収率86％）を得た。このもののIRスペクト
ル（KBr）を第９図に示した。またこのものの
400MHzのNMRスペクトル（CDCl3）は次の通り
である。 δppm：1.12（3H、ｄ、Ｊ＝6.4Hz）、1.16（6H、
ｔ、Ｊ＝7.1Hz）、1.25（3H、Ｓ）、1.28（3H、
Ｓ）、2.28（3H、Ｓ）、3.36（4H、ｑ、Ｊ＝7.1
Hz）、3.94（1H、ｑ、Ｊ＝6.4Hz）、6.66（2H、
ｄ、Ｊ＝8.9Hz）、6.86（1H、Ｓ）、6.92〜6.94
（2H、ｍ）、7.54（2H、ｄ、Ｊ＝8.9Hz）、7.59
（1H、Ｓ） 合成例 14 4′−ジベンジルアミノ−2′−メチルベンジリデ
ン−１−アミノ−２，３，３，５−テトラメチ
ルインドリンの合成（例示化合物−23）： １−アミノ−２，３，３，５−テトラメチルイ
ンドリン0.95ｇと４−ジベンジルアミノ−２−メ
チルベンズアルデヒド1.57ｇを合成例３と同様に
して反応、精製を行い融点℃の結晶2.1ｇ（理論
収率86％）を得た。このもののIRスペクトル
（KBr）を第１０図に示した。このものの400M
HzのNMRスペクトル（CDCl3）は次の通りであ
る。 δppm：1.12（3H、ｄ、Ｊ＝6.5Hz）、1.26（3H、
Ｓ）、1.29（3H、Ｓ）、2.28（3H、Ｓ）、2.39（3H、
Ｓ）、3.96（1H、ｑ、Ｊ＝6.5Hz）、4.15（4H、
Ｓ）、6.55（1H、ｄ、Ｊ＝2.6Hz）、6.64（1H、
dd、Ｊ＝2.6、8.7Hz）、6.86（1H、Ｓ）、6.93
（2H、Ｓ）、7.22〜7.26（6H、ｍ）、7.30〜7.34
（4H、ｍ） 合成例 15 メチルイソプロピルケトン−ｐ−メトキシフエ
ニルヒドラゾン（（）式中、Ｒ＝メトキシ）
の合成： ｐ−メトキシフエニルヒドラゾン塩酸塩150ｇ
を苛性ソーダにて中和し、ヒドラジンとし、ベン
ゼンより再結晶して126.7ｇ（wet）を得た。この
ヒドラジンに、メチルイソプロピルケトン147ｇ、
特級ベンゼン441ml、酢酸0.5mlを加え、還流下に
4.5時間撹拌した。反応終了後、ベンゼンを回収
し、清溜して沸点128〜132℃／Hgの目的化合物
105.1ｇ（理論収率59.3％）を得た。このものの
400MHzのNMRスペクトル（CDCl3）は次の通り
である。 δppm：1.11（6H、ｄ、Ｊ＝6.9Hz）、1.54（3H、
Ｓ）、2.54（1H、ｑ、Ｊ＝6.9Hz）、3.75（3H、
Ｓ）、6.55（1H、broad Ｓ）、6.81〜6.84（2H、
ｍ）、6.98〜7.02（2H、ｍ） 合成例 16 ２，３，３−トリメチル−５−メトキシインド
レニン（（）式中、Ｒ＝メトキシ）の合成： 前記合成例15で得たヒドラゾン105.1ｇを酢酸
950ml中に加え、110〜119℃にて還流下３時間撹
拌した。酢酸を回収後、ベンゼンを加えて水洗
し。ベンゼン層を乾燥し、濃縮し、これを減圧下
に蒸溜して沸点114〜６℃／３mmHg、融点55℃の
標記インドレニン81.0ｇ（理論収率84.0％）を得
た。このものの400MHzのNMRスペクトル
（CDCl3）は次の通りである。 δppm：1.27（6H、Ｓ）、2.23（3H、Ｓ）、3.81（3H、
Ｓ）、6.80〜6.84（2H、ｍ）、7.42（1H、ｄ、Ｊ
＝8.3Hz） 合成例 17 ２，３，３−トリメチル−５−メトキシインド
リン（（）式中、Ｒ＝メトキシ）の合成： 特級メタノール220mlに粒状の苛性カリ２粒を
溶解し、これにNaBH421.0ｇを溶解させ、10℃
に冷却し、合成例16で得たインドレニン34ｇを固
体のまま10〜15℃で30分かけて加えた。室温にて
15時間反応したる後、酢酸−水（１：１）の溶液
95.4mlを20度以下に保ちつつ、30分かけて滴加し
た。45度まで上昇せしめながら30分間反応し、冷
却したる後、苛性ソーダ36ｇを含む水にて分解し
た。その後、ベンゼンにて抽出し、ベンゼン層を
水洗し、乾燥後減圧蒸溜して沸点115〜７℃／３
mmHgのインドリン30.3ｇ（理論収率88.2％）を得
た。このものの400MHzのNMRスペクトル
（CDCl3）は次の通りである。 δppm：1.02（3H、Ｓ）、1.17（3H、ｄ、Ｊ＝6.5
Hz）、1.26（3H、Ｓ）、3.48（1H、ｑ、Ｊ＝6.5
Hz）、3.64（1H、broad Ｓ）、3.74（3H、Ｓ）、
6.54〜6.60（2H、ｍ）、6.65（1H、Ｓ） 合成例 18 １−アミノ−２，３，３−トリメチル−５−メ
トキシインドリン（（）式中、Ｒ＝メトキシ）
の合成： ２，３，３−トリメチル−５−メトキシインド
リン19.1ｇを酢酸200mlに加え、撹拌しながら亜
硝酸ソーダ９ｇを少量づつ加えた。３時間室温に
て撹拌したるのち水中に注加し、ベンゼンにて抽
出し、水洗、乾燥した。このベンゼン溶液をビト
ライド57.8ｇに窒素気流下、撹拌しながら60度以
下に保ちつつ滴加した。４時間撹拌したる後、苛
性ソーダ８ｇを水200mlに溶かした液に注入し、
加水分解した。その後ベンゼンにて抽出し、水
洗、乾燥、濃縮して17.3ｇの粗製物を得た。これ
を石油エーテルから再結晶して融点55℃のメトキ
シインドリン9.92ｇ（理論収率48.1％）を得た。
又このものの400MHzのNMRスペクトル
（CDCl3）は次の通りである。 δppm：1.01（3H、Ｓ）、1.24（3H、ｄ、Ｊ＝6.5
Hz）、1.27（3H、Ｓ）、2.69（1H、ｑ、Ｊ＝6.5
Hz）、3.37（2H、broad Ｓ）、3.75（3H、Ｓ）、
6.66〜6.71（2H、ｍ）、6.76（1H、ｄ、Ｊ＝8.4
Hz） 合成例 19 4′−ジエチルアミノベンジリデン−１−１アミ
ノ−２，３，３−トリメチル−５−メトキシイ
ンドリンの合成（例示化合物−６） １−アミノ−２，３，３−トリメチル−５−メ
トキシインドリン1.44ｇとｐ−ジエチルアミノベ
ンズアルデヒド1.24ｇとをエタノール20mlに加
え、酢酸３滴を加えて４時間還流下に撹拌した。
その後冷却して生成した結晶を過、採取した。
これをアセトニトリルより再結晶して、融点143
℃の結晶2.37ｇ（理論収率92.7％）を得た。この
もののIRスペクトル（KBr）を第１１図に示し
た。又このものの400MHzのNMRスペクトル
（C6H6）は次の通りである。 δppm：0.909（6H、ｔ、Ｊ＝7.1Hz）、0.949（3H、
ｄ、Ｊ＝6.3Hz）、1.10（3H、Ｓ）、1.13（3H、
Ｓ）、3.00（4H、ｑ、Ｊ＝7.1Hz）、3.46（3H、
Ｓ）、3.75（1H、ｑ、Ｊ＝6.3Hz）、6.63（2H、
ｄ、Ｊ＝8.9Hz）、6.77（1H、dd、Ｊ＝2.4、8.4
Hz）、6.81（1H、ｄ、Ｊ＝2.4Hz）、7.36（1H、
ｄ、Ｊ＝8.4Hz）、7.67（1H、Ｓ）、7.80（2H、
ｄ、Ｊ＝8.9Hz） 合成例 20 N′−エチル−3′−カルバゾリルメチリデン−１
−アミノ−２，３，３−トリメチル−５−メト
キシインドリンの合成（例示化合物−18） １−アミノ−２，３，３−トリメチル−５−メ
トキシインドリン2.27ｇとＮ−エチルカルバゾー
ル−３−カルボアルデヒド2.45ｇを合成例19と同
様にして処理し、融点164〜５℃の結晶2.76ｇ
（理論収率61.1％）を得た。このもののIRスペク
トル（KBr）を第１２図に示した。またこのも
のの400MHzのNMRスペクトル（CDCl3）は次の
通りである。 δppm：1.20（3H、ｄ、Ｊ＝6.4Hz）、1.30（3H、
Ｓ）、1.33（3H、Ｓ）、1.89（3H、ｔ、Ｊ＝7.2
Hz）、3.79（3H、Ｓ）、4.06（1H、ｑ、Ｊ＝6.4
Hz）、4.34（2H、ｑ、Ｊ＝7.2Hz）、6.71（1H、
ｄ、Ｊ＝2.5Hz）、6.76（1H、dd、Ｊ＝2.5、8.4
Hz）、7.11（1H、ｄ、Ｊ＝8.4Hz）、7.23（1H、
dd、7.1、8.6Hz）、7.37〜7.40（1H、ｍ）、7.46
（1H、dd、Ｊ＝7.1、8.1Hz）、7.81（1H、Ｓ）、
7.89（1H、ｄ、Ｊ＝8.6Hz）、8.13（1H、ｄ、Ｊ
＝8.6Hz）、8.34（1H、ｄ、Ｊ＝1.4Hz） 合成例 21 4′−ジベンジルアミノ−2′−メチルベンジリデ
ン−１−１アミノ−２，３，３−トリメチル−
５−メトキシインドリンの合成（例示化合物−
24） １−アミノ−２，３，３−トリメチル−５−メ
トキシインドリン1.03ｇと４−ジベンジルアミノ
−２−メチルベンズアルデヒド1.57ｇを合成例３
と同様にして反応、精製を行い、融点56℃の結晶
2.0ｇ（理論収率80％）を得た。このもののIRス
ペクトル（KBr）を第１３図に示した。またこ
のものの400MHzのNMRスペクトル（CDCl3）は
次の通りである。 δppm：1.13（3H、ｄ、Ｊ＝6.4Hz）、1.27（3H、
Ｓ）、1.28（3H、Ｓ）、2.39（3H、Ｓ）、3.76（3H、
Ｓ）、3.94（1H、Ｓ）、4.65（4H、Ｓ）、6.55（1H、
ｄ、Ｊ＝2.2Hz）、6.64（1H、dd、Ｊ＝2.2、8.8
Hz）、6.69（2H、ｄ、Ｊ＝7.9Hz）、6.93（1H、
ｄ、Ｊ＝7.9Hz）、7.23〜7.26（6H、ｍ）、7.30〜
7.35（4H、ｍ）、7.70（1H、ｄ、Ｊ＝8.8Hz）、
7.80（1H、Ｓ） 実施例 １ 電荷発生物質としてのクロルジアンブルー0.2
ｇをポリカーボネート樹脂（三菱瓦斯化学株式会
社製『ユーピロンＥ−2000』）を５％含有するジ
クロルエタン溶液４ｇに混ぜ、ジクロルエタン20
mlを加えたのち、振動ミルを用いて1μ以下に粉
砕して電荷担体発生顔料の分散液を作つた。これ
をアルミニウムを蒸着したポリエチレンテレフタ
レート（PET）フイルム上に、マイヤーバーを
用いて塗布し、45℃で乾燥して、約1μの厚さに
電荷担体発生層を作つた。この電荷担体発生層の
上に、５重量％のポリカーボネート（ユーピロン
Ｅ−2000）のジクロルエタン溶液に５重量％の本
発明になる合成例３及び13の電荷輸送材料を溶解
せしめた電荷輸送層塗布液をドクターブレードを
用いて、乾燥時膜厚約15μになるように塗布し、
45〜60℃にて４時間乾燥した。かくして得られた
電子写真感光体フイルム（本発明品１及び２）を
静電複写紙試験装置（SP−428型；川口電機製作
所製）をもちいて表面電位の変動を測定した。前
記感光体を、−6KVのコロナ放電を５秒間行つて
帯電せしめ、表面電位V0（単位−ボルト）を測定
し、これを暗所で５秒間保持した後、タングステ
ンランプにより照度５ルツクスの光を照射し、表
面電位を1/2及び1/6に減衰させるに必要な露光量
すなわち、半減露光量Ｅ1/2（ルツクス・秒）及
びＥ1/6（ルツクス・秒）、さらに照度５ルツクス
の光を20秒間照射後の表面電位VR20（ボルト）を
求めた。続いて１万ルツクスの光を３秒間照射し
て残留電荷を除電し、１回のサイクルを終了す
る。これを200回繰り返し、200回目に同様の測定
を行つた。なお、比較として合成例３の化合物の
代わりに、下記比較化合物−１をもちいた以外は
同様の操作を行つて作製した感光体（比較品１）
を用い表面電位の変動を測定した。これらの結果
を表−１に示した。 比較化合物−１
るものに、無機系の光導電性物質としては、セレ
ン、硫化カドミウムなどがあり、有機系の光導電
性物質としては、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾー
ル、ポリビニルアンスラセンをはじめ種々の物質
が提案されている。 この中で、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールは、
それ自体でフイルム形成が可能であるが可撓性が
低く、電子写真感光体としての耐久性が劣るとい
う欠点がある。そこで、可撓性を増すために可塑
剤をもちいることが提案されているが、可塑剤を
用いると可撓性を向上させる反面、感度や残留電
位などの電子写真特性が低下するという欠点が現
れてくる。 一方、これらの物質を用いる電子写真方式のほ
かに、光導電性物質の二つの機能、すなわち、電
荷担体の発生と、発生した電荷の輸送をそれぞれ
別個の有機化合物により行わしめようという方式
が盛んに提案されている（例えばトリケツプス社
刊行『記録材料マニユアル』第二章感光材料）。
この方式では、電荷担体の発生と、電荷を輸送す
るとうい二つの機能のそれぞれに最適な化合物を
幅広く選択できるため、高感度のものが得られる
ことが知られている。この方式においては、導電
性支持体の上に電荷を発生させる化合物、すなわ
ち電荷発生物質と、発生した電荷を輸送させる化
合物、すなわち電荷輸送物質を順次積層する必要
がある。多くの場合、電荷輸送層に用いられる化
合物は低分子有機化合物であり、フイルム形成能
を持たない。そこでポリエステル樹脂、ポリ塩化
ビニール樹脂、メタクリル樹脂、ポリカーボネー
ト樹脂などの高分子結着剤をもちいてフイルムを
形成させねばならない。電荷発生層において発生
した電荷担体を速やかに輸送する為には電荷輸送
層は均一であることが必要である。ここで結着剤
に対する電荷輸送物質の溶解性が問題となる。溶
解性の低いものについては細粉末として結着剤中
に分散せしめるが、この場合は均一なフイルムを
得ることが困難であり、また溶解しても時間の経
過につれて結晶が析出する現象が生じ、電子写真
性能を著しく低下せしめることが多い。また、機
能分離タイプの感光層を有する従来の電子写真感
光体を電子写真プロセスにしたがつて繰返し反復
使用した場合、元の帯電特性を回復する能力が低
下し、感光体の寿命を短くする欠点を有してい
る。すなわち、帯電、暗減衰、光減衰、クリーニ
ングという電子写真の実際上のプロセスを多数回
繰り返すと、帯電後の表面電荷変動、電荷保持能
力の低下、残留電位の上昇などいづれかの一つ又
は二つ以上の光疲労現象が生じ、電子写真の性能
を著しく低下せしめるため実用上の大きな問題に
なつている。 最近、上記問題を解決すべく、インドリン化合
物を感光体として用いる研究がおこなわれ、その
成果が例えば特開昭58−166354号、特開昭60−
143352号及び特開昭59−62861号として報告され
ている。 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしながら、上記で報告されたインドリン化
合物も未だ十分満足のゆくものではなく、従つ
て、高分子結着剤に対する溶解生が優れ、高感度
にして残留電位が少なく、また電子写真プロセス
に従つて繰返し使用しても光疲労が少なく、耐久
性に優れた電子写真感光体用のインドリン化合物
の提供が求められていた。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明者は、上記問題点を解決するため、電荷
輸送物質としてＮ−アミノインドリン誘導体に着
目して鋭意研究を行つた結果、特定のインドリン
誘導体が電子写真に対する種々の要求を満たすこ
とを見出だし本発明を完成するに至つた。 すなわち、本発明は、高分子結着剤に対して溶
解性がよく、電子写真特性の優れている前記式
（）で表されるＮ−アミノ−２，３，３−トリ
メチルインドリン誘導体を電荷輸送物質として含
有する電子写真感光体を提供するものである。 本発明のＮ−アミノ−２，３，３−トリメチル
インドリン誘導体（）は、例えば次の反応式に
従い４−置換フエニルヒドラジン塩酸塩よりフリ
ーのヒドラジン（）を得、このヒドラジンをメ
チルイソプロピルケトン（）とともにベンゼン
中で還流し、共沸脱水によりヒドラゾン（）と
し、次いでこのヒドラゾンを酢酸中還流し環化せ
しめて置換２，３，３−トリメチルインドレニン
（）となし、これをアルコール中で水素化ホウ
素ナトリウムにより還元してインドリン（）を
得、更にこのインドリンを酢酸中で亜硝酸ソーダ
を反応させてニトロソ化し、続いてビトライド
（Vitride、半井化学薬品(株)）により還元してＮ−
アミノ−２，３，３−トリメチルインドリン
（）を得、これと芳香族アルデヒド（）を縮
合させることにより調整される。 （式中、Ｒ及びArは前記と同じ） かくして得られる一般式（）で表されるＮ−
アミノ−２，３，３−トリメチルインドリン誘導
体は、いずれも有機光導電体として極めて優れた
性質を示す。特に電子写真感光体の電荷輸送物質
として用いた場合、高分子結着剤に対する溶解性
が優れ、高感度にして且つ耐久性の勝れた感光体
を提供することができる。 前記一般式（）で表されるＮ−アミノ−２，
３，３−トリメチルインドリン誘導体の代表例を
次に例示する。 次に、叙上のＮ−アミノ−２，３，３−トリメ
チルインドリン誘導体（）を用いた、本発明の
電荷写真感光体の基本的な作製方法について説明
するが、勿論、この例を以て本発明の使用の態様
が限定されるものではない。 本発明のインドリン誘導体（）を含有する感
光体は、第１図の導電性支持体１の上に、電荷発
生物質２を主体とする電荷発生層３と、インドリ
ン誘導体（）を均一に含有する電荷輸送層４か
らなる感光層５を有している。ここでインドンリ
ン誘導体（）は電荷輸送物質として用いられ、
結着剤と共に電荷輸送層４を形成する。 電荷輸送層４を透過した光は電荷発生層３中に
分散された電荷発生物質２に到達し、電荷発生物
質２が光減衰に必要な電荷を発生させる。電荷輸
送層４はこの電荷の注入を受けて、その輸送を行
う。ここで電荷発生物質２と、インドリン誘導体
（）が互いに、主として可視領域において吸収
波長領域が重ならないということが必要条件であ
る。これは電荷発生物質２に電荷担体を効率良く
発生させるためには、電荷発生物質表面まで光を
透過させる必要があるからである。本発明のイン
ドリン誘導体（）は可視領域にほとんど吸収が
なく、一般に可視領域の光を吸収し電荷を発生す
る電荷輸送物質と組み合わせた場合、とくに有効
に電荷輸送物質として働くのがその特徴である。 第１図の感光体を作製するには、導電性支持体
１上に電荷発生物質２を真空蒸着するか、あるい
は電荷発生物質２の微粒子を必要に応じて結着剤
を溶解した適当な溶媒中に分散させて得た分散液
を塗布、乾燥し、さらに必要があれば、例えばパ
フ研磨などの方法によつて表面仕上げを行つて膜
厚を調整したのち、その上にインドリン誘導体お
よび結着剤を含む溶液を塗布乾燥して得られる。
塗布は通常の手段、例えばドクターブレード、マ
イヤーバーなどを用いる。 電荷発生層３の厚さは5μ以下、好ましくは2μ
以下であり、電荷輸送層４の厚さは３〜50μ、好
ましくは５〜20μである。また、本発明化合物
（）は電荷輸送層４中に10〜90重量％、好まし
くは30〜90％重量％配合される。 導電性支持体１としてはアルミニウムなどの金
属板又は金属箔、アルミニウムなどの金属を蒸着
したプラスチツクフイルム、あるいは導電処理を
施した紙などが用いられる。結着剤しては、ポリ
エステル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、アクリル樹
脂、メタクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリカ
ーボネート樹脂などが用いられるが、なかでもポ
リカーボネート樹脂が好適である。 電荷発生物質２としては、例えばセレン、硫化
カドミウムなどの無機材料及び例えばCIピグメ
ントブルー25（カラーインデツクスCI21180）、CI
ピグメントレツド41（CI21200）、CIアシツドレツ
ド52（CI45100）、CIベーシツクレツド（CI45210）
などのアゾ系顔料；CIピグメントブルー16
（CI74100）などのフタロシアニン系顔料；CIバ
ツトブラウン５（CI73410）、CIバツトダイ
（CI73030）などのインジゴ系顔料；アルゴスカ
ーレツトＲ（バイエル社製）、インダンスレンスカ
ーレツトＲ（バイエル社製）などのペリエン系顔
料、さらにはクロロジアンブルーすなわち４，
4′−〔（３，3′−ジクロロ−４，4′−ビフエニリレ
ン）ビス（アゾ）〕−ビス−３−ヒドロキシ−２−
ナフタニリド、メチルスクアリウムすなわち２，
４−ビス−（２−メチル−４−ジメチル−４−ジ
メチルアミノフエニル）−１，３−シクロブタジ
エンジイリウム−１，３−ジオレート、ヒドロキ
シスクアリウムすなわち２，４−ビス−（２−ヒ
ドロキシ−４−ジメチルアミノフエニル）−１，
３−シクロブタジエンジイリウム−１，３−ジオ
レートなどの有機顔料が用いられる。 〔実施例〕 次に合成例及び実施例を以て本発明を詳しく説
明する。 合成例 １ ２，３，３−トリメチルインドリン（（）式
中、Ｒ＝Ｈ）の合成： 水素化ホウ素ナトリウム6.6ｇをメタノール200
mlに溶かし、２，３，３−トリメチルインドレニ
ン（（）式中、Ｒ＝Ｈ）27ｇを１時間で滴加し
た。反応温度は室温から還流温度まで上昇した。
滴加後４時間還流し、GCにてチエツクすると未
反応が33％だつた。水素化ホウ素ナトリウムを
2.3ｇ追加し、１時間反応したが未反応が13％残
るので、さらに水素化ホウ素ナトリウム2.6ｇを
追加し、１時間反応を続けた後終了とした。氷水
冷却下、50％酢酸水100mlにて分解し、苛性ソー
ダ水溶液にて中和後、水を加え、ベンゼンにて抽
出し、無水炭酸ソーダで乾燥後濃縮し、蒸溜し
た。沸点88℃／４mmHgの目的化合物22ｇ（理論
収率80.4％）を得た。このものの400MHzのNMR
スペクトル（CDCl3）は次の通りである。 δppm：1.03（3H、Ｓ）、1.16（3H、ｄ、Ｊ＝6.5
Hz）、1.27（3H、Ｓ）、3.50（1H、ｑ、Ｊ＝6.5
Hz）、3.70（1H、broad Ｓ）、6.59〜6.61（1H、
ｍ）、6.71〜6.75（1H、ｍ）、6.98〜7.03（2H、
ｍ） 合成例 ２ １−アミノ−２，３，３−トリメチルインドリ
ン（（）式中、Ｒ＝Ｈ）の合成： 上記合成例１で得た化合物20ｇを酢酸200mlに
加え、室温下、亜硝酸ソーダ９ｇを30分をかけて
少量づつ加えた。その後、４時間反応せしめ、原
料化合物の消失をTLCで確認したる後、水中に
注入した。ベンゼンで抽出し、硫酸マグネシウム
で乾燥したるのち濃縮して23.6ｇの油を得た。こ
の油を200mlのベンゼンに溶かし、ビトライド36
ｇにこれを滴加した。反応温度は室温から60℃ま
で上昇した。そのまま４時間撹拌したるのち
TLCでニトロソ化合物の消失を確認した。苛性
ソーダ水溶液中に注入して30分間撹拌したる後、
分液し、水層をベンゼンにて抽出した。ベンゼン
溶液は無水炭酸ソーダにて乾燥し、濃縮後蒸溜し
て沸点100℃／１mmHgの目的化合物10.6ｇ（理論
収率48.6％）を得た。このものの400MHzのNMR
スペクトル（CDCl3）は次の通りである。 δppm：1.02（3H、Ｓ）、1.26（3H、ｄ、Ｊ＝6.5
Hz）、1.29（3H、Ｓ）、2.79（1H、ｑ、Ｊ＝6.5
Hz）、3.39（2H、broad Ｓ）、6.82〜6.86（2H、
ｍ）、7.04〜7.06（1H、ｍ）、7.13〜7.17（1H、
ｍ） 合成例 ３ 4′−ジエチルアミノベンジリデン−１−アミノ
−２，３，３−トリメチルインドリンの合成
（例示化合物−４） ジエチルアミノベンズアルデヒド1.77ｇ及び前
記合成例２で得た化合物1.8ｇをエタノール20ml
に溶かし、酢酸３滴を加えて４時間還流撹拌し
た。反応終了後、溶媒を減圧下に溜去したる後、
シリカゲルクロマト（溶媒ベンゼン）にかけ、
3.2ｇに油状物を得た。これをエタノールにて２
回再結晶して、融点90〜91℃の結晶2.06ｇ（理論
収率61.5％）を得た。このもののIRスペクトル
（KBr）を第２図に示した。またこのものの
400MHzのNMRスペクトル（CDCl3）は次の通り
である。 δppm：1.14（3H、ｄ、Ｊ＝6.4Hz）、1.19（6H、
ｔ、Ｊ＝7.1Hz）、1.27（3H、Ｓ）、1.31（3H、
Ｓ）、3.39（4H、ｑ、Ｊ＝7.1Hz）、3.99（1H、
ｑ、Ｊ＝6.4Hz）、6.68（2H、ｄ、Ｊ＝8.9Hz）、
6.77〜6.81（1H、ｍ）、7.05〜7.07（2H、ｍ）、
7.13〜7.17（1H、ｍ）、7.56（2H、ｄ、Ｊ＝8.9
Hz）、7.62（1H、Ｓ） 合成例 ４ N′−エチル−3′−カルバゾリルメチリデン−１
−アミノ−２，３，３−トリメチルインドンリ
ンの合成（例示化合物−16）： Ｎ−エチル−３−ホルミルカルバゾール2.23ｇ
と、前記合成例２で得た化合物1.8ｇを合成例３
と同様にして反応、精製を行い、融点135℃の結
晶2.5ｇ（理論収率65.6％）を得た。このものの
IRスペクトル（KBr）を第３図に示した。又こ
のものの400MHzのNMRスペクトル（CDCl3）は
次の通りである。 δppm：1.20（3H、ｄ、Ｊ＝6.4Hz）、1.30（3H、
Ｓ）、1.36（3H、Ｓ）、1.43（3H、ｔ、Ｊ＝7.2
Hz）、4.12（1H、ｑ、Ｊ＝6.4Hz）、4.36（2H、
ｑ、Ｊ＝7.2Hz）、6.84（1H、dd、Ｊ＝3.0、5.5
Hz）、7.09（1H、ｄ、Ｊ＝7.2Hz）、7.20〜7.26
（3H、ｍ）、7.38〜7.40（2H、ｍ）、7.44〜7.48
（1H、ｍ）7.82（1H、Ｓ）、7.91（1H、dd、Ｊ＝
1.6、8.6Hz）、8.14（1H、ｄ、Ｊ＝7.7Hz）、8.35
（1H、ｄ、Ｊ＝1.4Hz） 合成例 ５ 4′−ジフエニルアミノベンジリデン−１−アミ
ノ−２，３，３−トリメチルインドリンの合成
（例示化合物−19）： ジフエニルアミノベンズアルデヒド2.73ｇと前
記合成例２で得た化合物1.8ｇを合成例３と同様
にして反応、精製を行い、融点123〜４℃の結晶
1.86ｇ（理論収率43.1％）を得た。このもののIR
スペクトル（KBr）を第４図に示した。このも
のの400MHzのNMRスペクトル（CDCl3）は次の
通りである。 δppm：1.14（3H、ｄ、Ｊ＝6.4Hz）、1.26（3H、
Ｓ）、1.35（3H、Ｓ）、4.07（1H、ｑ、Ｊ＝6.4
Hz）、6.81〜6.8.2（1H、ｍ）、7.00〜7.16（11H、
ｍ）、7.23〜7.27（4H、ｍ）、7.51（1H、Ｓ）、
7.55（2H、ｄ、Ｊ＝8.7Hz） 合成例 ６ 4′−ジベンジルアミノ−2′−メチルベンジリデ
ン−１−アミノ−２，３，３−トリメチルイン
ドリンの合成（例示化合物−22）： 4′−ジベンジルアミノ−２−メチルベンズアル
デヒド3.15ｇおよび前記合成例２で得た化合物
1.76ｇから合成例３と同様にして反応、精製を行
い、融点59℃の結晶4.16ｇ（理論収率88％）を得
た。このもののIRスペクトル（KBr）を第５図
に示した。またこのものの400MHzのNMRスペ
クトル（CDCl3）は次の通りである。 δppm：1.13（3H、ｄ、Ｊ＝6.4Hz）、1.27（3H、
Ｓ）、1.31（3H、Ｓ）、4.00（1H、ｑ、Ｊ＝6.4
Hz）、4.15（4H、Ｓ）、6.56（1H、ｄ、Ｊ＝2.6
Hz）、6.65（1H、dd、Ｊ＝2.6、8.7Hz）、6.79
（1H、ｄ、Ｊ＝7.3Hz）、7.02〜7.06（2H、ｍ）、
7.11〜7.13（1H、ｍ）、7.21〜7.26（6H、ｍ）、
7.30〜7.34（4H、ｍ）、7.71（1H、ｄ、Ｊ＝8.7
Hz）、7.78（1H、Ｓ） 合成例 ７ メチルイソプロピルケトントリルヒドラゾン
（（）式中、Ｒ＝メチル）の合成： 窒素気流下、反応フラスコに４−メチルフエニ
ルヒドラジン37.4ｇ（0.307モル）、メチルイソプ
ロピルケトン52.76ｇ（0.64モル）、特級ベンゼン
153ml、酢酸２滴を仕込み、73〜85℃、4.5時間反
応したるのち、減圧蒸溜して沸点95〜103℃／
0.37mmHgの目的化合物55ｇ（理論収率94.4％）を
得た。このもののIRスペクトル（KBr）を第６
図に示した。 合成例 ８ ２，３，３，５−テトラメチルインドレニン
（（）式中、Ｒ＝メチル）の合成： メチルイソプロピルケトンのトリルヒドラゾン
55ｇを酢酸（特級）550mlに溶解せしめ、窒素気
流下、117℃にて還流させながら３時間反応させ
た。GCにてヒドラゾンの消失を確認したる後、
酢酸を減圧下に回収した。残りを５％重曹水1000
ml中に注加し、ベンゼン300mlにて抽出した。ベ
ンゼン層は３回水洗したる後炭酸ソーダにて乾燥
し、濃縮して47.5ｇの油分を得た。減圧下に精溜
して沸点85℃／４mmHgの目的化合物41.1ｇ（理
論収率82％）を得た。このものの400MHzの
NMRスペクトル（CDCl3）は次の通りである。 δppm：1.27（6H、Ｓ）、2.25（3H、Ｓ）、2.38（3H、
Ｓ）、7.08（1H、Ｓ）、7.10（1H、ｄ、Ｊ＝7.6
Hz）、7.41（1H、ｄ、Ｊ＝7.6Hz） 合成例 ９ ２，３，３，５−テトラメチルインドリン
（（）式中、Ｒ＝メチル）の合成 反応フラスコに特級メタノール270ml、水酸カ
リウム（粒状）２粒を溶解せしめ、NaBH427.5
ｇを溶解させ、２，３，３，５−テトラメチルイ
ンドレニン42.4ｇを室温下に40分をかけて滴下し
た。室温で１夜撹拌したるのち、２時間、54〜64
℃に加熱撹拌した。未反応の消失を確認した後、
冷却した。25℃で酢酸64mlと水64mlの混合液を滴
加し、54〜64℃で２時間撹拌した。冷却後、これ
を水酸化ナトリウム46ｇを含む氷水の中に注入
し、ベンゼンにて抽出した。ベンゼン液はセライ
トを用いて過し、水洗、乾燥し、濃縮して34ｇ
の油を得た。この油減圧蒸溜して沸点90℃／３mm
Hgの目的化合物32.1ｇ（理論収率78.5％）を得
た。このものの400MHzのNMRスペクトル
（CDCl3）は次の通りである。 δppm：1.02（3H、Ｓ）、1.17（3H、ｄ、Ｊ＝6.5
Hz）、1.26（3H、Ｓ）、2.26（3H、Ｓ）、3.48（1H、
ｑ、Ｊ＝6.5Hz）、3.62（1H、broad Ｓ）、6.53
（1H、ｄ、Ｊ＝7.7Hz）、6.81〜6.85（2H、ｍ） 合成例 10 １−アミノ−２，３，３，５−テトラメチルイ
ンドリン（（）式中、Ｒ＝メチル）の合成： ２，３，３，５−テトラメチルインドリンを酢
酸200mlに加え、室温下に、亜硝酸ソーダ10.5ｇ
を少量づつくわえ、その後４時間室温で撹拌を続
けた。反応終了後、水中に注入し、ベンゼンにて
抽出した。ベンゲン層は水洗、重曹水洗、水洗を
おこない、乾燥した。このベンゼン溶液をビトラ
イド66.5ｇに窒素気流中で撹拌しながら滴加した
（室温〜60℃）。その後４時間撹拌し、苛性ソーダ
11ｇ／水500ml中に注加し加水分解した。分液後、
水層をベンゼンにて抽出し、ベンゼン層を水洗、
乾燥後、濃縮して目的化合物24ｇを得た。リグロ
インから再結晶して、融点67℃の白色針状結晶
15.7ｇ（理論収率63.4％）を得た。このものの
400MHzのNMRスペクトル（CDCl3）は次の通り
である。 δppm：1.01（3H、Ｓ）、1.24（3H、ｄ、Ｊ＝6.5
Hz）、1.27（3H、Ｓ）、2.28（3H、Ｓ）、2.72（1H、
ｑ、Ｊ＝6.5＝Hz）、3.30（2H、broad Ｓ）、6.73
（1H、ｄ、Ｊ＝7.8Hz）、6.86（1H、Ｓ） 合成例 11 N′−エチル−3′−カルバゾリルメチリデン−１
−アミノ−２，３，３，５−テトラメチルイン
ドリンの合成（例示化合物−17） １−アミノ−２，３，３，５−テトラメチルイ
ンドリン1.9ｇとＮ−エチルカルバゾール−３−
カルボアルデヒド2.23ｇをエタノール20mlに加
え、酢酸２滴を加えて２時間還流下に撹拌した。
その後室温まで冷却して生成した結晶を過、採
取した。これをアセトニトリルより再結晶して、
融点169℃の結晶3.44ｇ（理論収率87.1％）を得
た。このもののIRスペクトル（KBr）を第７図
に示した。またこのものの400MHzのNMRスペ
クトル（CDCl3）は次の通りである。 δppm：1.19（3H、ｄ、Ｊ＝6.4Hz）、1.29（3H、
Ｓ）、1.33（3H、Ｓ）、1.41（3H、ｔ、Ｊ＝7.2
Hz）、2.31（3H、Ｓ）、4.08（1H、ｑ、Ｊ＝6.4
Hz）、4.32（2H、ｑ、Ｊ＝7.2Hz）、6.90（1H、
Ｓ）、7.01（1H、ｄ、Ｊ＝7.9Hz）、7.11（1H、
ｄ、Ｊ＝7.9Hz）、7.23（1H、ｔ、Ｊ＝7.9Hz）、
7.35〜7.38（2H、ｍ）、7.45（1H、dd、Ｊ＝7.1、
8.2Hz）、7.79（1H、Ｓ）、7.90（1H、dd、Ｊ＝
8.5、1.5Hz）、8.12（1H、ｄ、Ｊ＝7.8Hz）、8.33
（1H、ｄ、Ｊ＝1.5Hz） 合成例 12 4′−ジフエニルアミノベンジリデン−１−アミ
ノ−２，３，３，５−テトラメチルインドリン
の合成（例示化合物−20）： １−アミノ−２，３，３，５−テトラメチルイ
ンドリン1.9ｇとｐ−ジフエニルアミノベンズア
ルデヒド2.73ｇを合成例11と同様にして処理し、
融点150℃の結晶4.0ｇ（理論収率90％）を得た。
このもののIRスペクトル（KBr）を第８図に示
した。またこのものの400MHzのNMRスペクト
ル（CDCl3）は次の通りである。 δppm：1.13（3H、ｄ、Ｊ＝6.3Hz）、1.25（3H、
Ｓ）、1.32（3H、Ｓ）、2.29（3H、Ｓ）、4.04（1H、
ｑ、Ｊ＝6.3Hz）、6.88（1H、Ｓ）、6.97〜7.11
（10H、ｍ）、7.22〜7.26（4H、ｍ）、7.48（1H、
Ｓ）、7.54（2H、ｄ、Ｊ＝8.7Hz） 合成例 13 4′−ジエチルアミノベンジリデン−１−アミノ
−２，３，３，５−テトラメチルインドリンの
合成（例示化合物−５）： １−アミノ−２，３，３，５−テトラメチルイ
ンドリン1.9ｇとｐ−ジエチルアミノベンズアル
デヒド1.77ｇをエタノール20mlに加え、酢酸２滴
を加えて４時間還流下に撹拌した。その後冷却し
て生成した結晶を過し、3.43ｇ（理論収率98
％）の結晶を得た。これをエタノール−酢酸エチ
ルより再結晶して、融点171〜２℃の結晶３ｇ
（理論収率86％）を得た。このもののIRスペクト
ル（KBr）を第９図に示した。またこのものの
400MHzのNMRスペクトル（CDCl3）は次の通り
である。 δppm：1.12（3H、ｄ、Ｊ＝6.4Hz）、1.16（6H、
ｔ、Ｊ＝7.1Hz）、1.25（3H、Ｓ）、1.28（3H、
Ｓ）、2.28（3H、Ｓ）、3.36（4H、ｑ、Ｊ＝7.1
Hz）、3.94（1H、ｑ、Ｊ＝6.4Hz）、6.66（2H、
ｄ、Ｊ＝8.9Hz）、6.86（1H、Ｓ）、6.92〜6.94
（2H、ｍ）、7.54（2H、ｄ、Ｊ＝8.9Hz）、7.59
（1H、Ｓ） 合成例 14 4′−ジベンジルアミノ−2′−メチルベンジリデ
ン−１−アミノ−２，３，３，５−テトラメチ
ルインドリンの合成（例示化合物−23）： １−アミノ−２，３，３，５−テトラメチルイ
ンドリン0.95ｇと４−ジベンジルアミノ−２−メ
チルベンズアルデヒド1.57ｇを合成例３と同様に
して反応、精製を行い融点℃の結晶2.1ｇ（理論
収率86％）を得た。このもののIRスペクトル
（KBr）を第１０図に示した。このものの400M
HzのNMRスペクトル（CDCl3）は次の通りであ
る。 δppm：1.12（3H、ｄ、Ｊ＝6.5Hz）、1.26（3H、
Ｓ）、1.29（3H、Ｓ）、2.28（3H、Ｓ）、2.39（3H、
Ｓ）、3.96（1H、ｑ、Ｊ＝6.5Hz）、4.15（4H、
Ｓ）、6.55（1H、ｄ、Ｊ＝2.6Hz）、6.64（1H、
dd、Ｊ＝2.6、8.7Hz）、6.86（1H、Ｓ）、6.93
（2H、Ｓ）、7.22〜7.26（6H、ｍ）、7.30〜7.34
（4H、ｍ） 合成例 15 メチルイソプロピルケトン−ｐ−メトキシフエ
ニルヒドラゾン（（）式中、Ｒ＝メトキシ）
の合成： ｐ−メトキシフエニルヒドラゾン塩酸塩150ｇ
を苛性ソーダにて中和し、ヒドラジンとし、ベン
ゼンより再結晶して126.7ｇ（wet）を得た。この
ヒドラジンに、メチルイソプロピルケトン147ｇ、
特級ベンゼン441ml、酢酸0.5mlを加え、還流下に
4.5時間撹拌した。反応終了後、ベンゼンを回収
し、清溜して沸点128〜132℃／Hgの目的化合物
105.1ｇ（理論収率59.3％）を得た。このものの
400MHzのNMRスペクトル（CDCl3）は次の通り
である。 δppm：1.11（6H、ｄ、Ｊ＝6.9Hz）、1.54（3H、
Ｓ）、2.54（1H、ｑ、Ｊ＝6.9Hz）、3.75（3H、
Ｓ）、6.55（1H、broad Ｓ）、6.81〜6.84（2H、
ｍ）、6.98〜7.02（2H、ｍ） 合成例 16 ２，３，３−トリメチル−５−メトキシインド
レニン（（）式中、Ｒ＝メトキシ）の合成： 前記合成例15で得たヒドラゾン105.1ｇを酢酸
950ml中に加え、110〜119℃にて還流下３時間撹
拌した。酢酸を回収後、ベンゼンを加えて水洗
し。ベンゼン層を乾燥し、濃縮し、これを減圧下
に蒸溜して沸点114〜６℃／３mmHg、融点55℃の
標記インドレニン81.0ｇ（理論収率84.0％）を得
た。このものの400MHzのNMRスペクトル
（CDCl3）は次の通りである。 δppm：1.27（6H、Ｓ）、2.23（3H、Ｓ）、3.81（3H、
Ｓ）、6.80〜6.84（2H、ｍ）、7.42（1H、ｄ、Ｊ
＝8.3Hz） 合成例 17 ２，３，３−トリメチル−５−メトキシインド
リン（（）式中、Ｒ＝メトキシ）の合成： 特級メタノール220mlに粒状の苛性カリ２粒を
溶解し、これにNaBH421.0ｇを溶解させ、10℃
に冷却し、合成例16で得たインドレニン34ｇを固
体のまま10〜15℃で30分かけて加えた。室温にて
15時間反応したる後、酢酸−水（１：１）の溶液
95.4mlを20度以下に保ちつつ、30分かけて滴加し
た。45度まで上昇せしめながら30分間反応し、冷
却したる後、苛性ソーダ36ｇを含む水にて分解し
た。その後、ベンゼンにて抽出し、ベンゼン層を
水洗し、乾燥後減圧蒸溜して沸点115〜７℃／３
mmHgのインドリン30.3ｇ（理論収率88.2％）を得
た。このものの400MHzのNMRスペクトル
（CDCl3）は次の通りである。 δppm：1.02（3H、Ｓ）、1.17（3H、ｄ、Ｊ＝6.5
Hz）、1.26（3H、Ｓ）、3.48（1H、ｑ、Ｊ＝6.5
Hz）、3.64（1H、broad Ｓ）、3.74（3H、Ｓ）、
6.54〜6.60（2H、ｍ）、6.65（1H、Ｓ） 合成例 18 １−アミノ−２，３，３−トリメチル−５−メ
トキシインドリン（（）式中、Ｒ＝メトキシ）
の合成： ２，３，３−トリメチル−５−メトキシインド
リン19.1ｇを酢酸200mlに加え、撹拌しながら亜
硝酸ソーダ９ｇを少量づつ加えた。３時間室温に
て撹拌したるのち水中に注加し、ベンゼンにて抽
出し、水洗、乾燥した。このベンゼン溶液をビト
ライド57.8ｇに窒素気流下、撹拌しながら60度以
下に保ちつつ滴加した。４時間撹拌したる後、苛
性ソーダ８ｇを水200mlに溶かした液に注入し、
加水分解した。その後ベンゼンにて抽出し、水
洗、乾燥、濃縮して17.3ｇの粗製物を得た。これ
を石油エーテルから再結晶して融点55℃のメトキ
シインドリン9.92ｇ（理論収率48.1％）を得た。
又このものの400MHzのNMRスペクトル
（CDCl3）は次の通りである。 δppm：1.01（3H、Ｓ）、1.24（3H、ｄ、Ｊ＝6.5
Hz）、1.27（3H、Ｓ）、2.69（1H、ｑ、Ｊ＝6.5
Hz）、3.37（2H、broad Ｓ）、3.75（3H、Ｓ）、
6.66〜6.71（2H、ｍ）、6.76（1H、ｄ、Ｊ＝8.4
Hz） 合成例 19 4′−ジエチルアミノベンジリデン−１−１アミ
ノ−２，３，３−トリメチル−５−メトキシイ
ンドリンの合成（例示化合物−６） １−アミノ−２，３，３−トリメチル−５−メ
トキシインドリン1.44ｇとｐ−ジエチルアミノベ
ンズアルデヒド1.24ｇとをエタノール20mlに加
え、酢酸３滴を加えて４時間還流下に撹拌した。
その後冷却して生成した結晶を過、採取した。
これをアセトニトリルより再結晶して、融点143
℃の結晶2.37ｇ（理論収率92.7％）を得た。この
もののIRスペクトル（KBr）を第１１図に示し
た。又このものの400MHzのNMRスペクトル
（C6H6）は次の通りである。 δppm：0.909（6H、ｔ、Ｊ＝7.1Hz）、0.949（3H、
ｄ、Ｊ＝6.3Hz）、1.10（3H、Ｓ）、1.13（3H、
Ｓ）、3.00（4H、ｑ、Ｊ＝7.1Hz）、3.46（3H、
Ｓ）、3.75（1H、ｑ、Ｊ＝6.3Hz）、6.63（2H、
ｄ、Ｊ＝8.9Hz）、6.77（1H、dd、Ｊ＝2.4、8.4
Hz）、6.81（1H、ｄ、Ｊ＝2.4Hz）、7.36（1H、
ｄ、Ｊ＝8.4Hz）、7.67（1H、Ｓ）、7.80（2H、
ｄ、Ｊ＝8.9Hz） 合成例 20 N′−エチル−3′−カルバゾリルメチリデン−１
−アミノ−２，３，３−トリメチル−５−メト
キシインドリンの合成（例示化合物−18） １−アミノ−２，３，３−トリメチル−５−メ
トキシインドリン2.27ｇとＮ−エチルカルバゾー
ル−３−カルボアルデヒド2.45ｇを合成例19と同
様にして処理し、融点164〜５℃の結晶2.76ｇ
（理論収率61.1％）を得た。このもののIRスペク
トル（KBr）を第１２図に示した。またこのも
のの400MHzのNMRスペクトル（CDCl3）は次の
通りである。 δppm：1.20（3H、ｄ、Ｊ＝6.4Hz）、1.30（3H、
Ｓ）、1.33（3H、Ｓ）、1.89（3H、ｔ、Ｊ＝7.2
Hz）、3.79（3H、Ｓ）、4.06（1H、ｑ、Ｊ＝6.4
Hz）、4.34（2H、ｑ、Ｊ＝7.2Hz）、6.71（1H、
ｄ、Ｊ＝2.5Hz）、6.76（1H、dd、Ｊ＝2.5、8.4
Hz）、7.11（1H、ｄ、Ｊ＝8.4Hz）、7.23（1H、
dd、7.1、8.6Hz）、7.37〜7.40（1H、ｍ）、7.46
（1H、dd、Ｊ＝7.1、8.1Hz）、7.81（1H、Ｓ）、
7.89（1H、ｄ、Ｊ＝8.6Hz）、8.13（1H、ｄ、Ｊ
＝8.6Hz）、8.34（1H、ｄ、Ｊ＝1.4Hz） 合成例 21 4′−ジベンジルアミノ−2′−メチルベンジリデ
ン−１−１アミノ−２，３，３−トリメチル−
５−メトキシインドリンの合成（例示化合物−
24） １−アミノ−２，３，３−トリメチル−５−メ
トキシインドリン1.03ｇと４−ジベンジルアミノ
−２−メチルベンズアルデヒド1.57ｇを合成例３
と同様にして反応、精製を行い、融点56℃の結晶
2.0ｇ（理論収率80％）を得た。このもののIRス
ペクトル（KBr）を第１３図に示した。またこ
のものの400MHzのNMRスペクトル（CDCl3）は
次の通りである。 δppm：1.13（3H、ｄ、Ｊ＝6.4Hz）、1.27（3H、
Ｓ）、1.28（3H、Ｓ）、2.39（3H、Ｓ）、3.76（3H、
Ｓ）、3.94（1H、Ｓ）、4.65（4H、Ｓ）、6.55（1H、
ｄ、Ｊ＝2.2Hz）、6.64（1H、dd、Ｊ＝2.2、8.8
Hz）、6.69（2H、ｄ、Ｊ＝7.9Hz）、6.93（1H、
ｄ、Ｊ＝7.9Hz）、7.23〜7.26（6H、ｍ）、7.30〜
7.35（4H、ｍ）、7.70（1H、ｄ、Ｊ＝8.8Hz）、
7.80（1H、Ｓ） 実施例 １ 電荷発生物質としてのクロルジアンブルー0.2
ｇをポリカーボネート樹脂（三菱瓦斯化学株式会
社製『ユーピロンＥ−2000』）を５％含有するジ
クロルエタン溶液４ｇに混ぜ、ジクロルエタン20
mlを加えたのち、振動ミルを用いて1μ以下に粉
砕して電荷担体発生顔料の分散液を作つた。これ
をアルミニウムを蒸着したポリエチレンテレフタ
レート（PET）フイルム上に、マイヤーバーを
用いて塗布し、45℃で乾燥して、約1μの厚さに
電荷担体発生層を作つた。この電荷担体発生層の
上に、５重量％のポリカーボネート（ユーピロン
Ｅ−2000）のジクロルエタン溶液に５重量％の本
発明になる合成例３及び13の電荷輸送材料を溶解
せしめた電荷輸送層塗布液をドクターブレードを
用いて、乾燥時膜厚約15μになるように塗布し、
45〜60℃にて４時間乾燥した。かくして得られた
電子写真感光体フイルム（本発明品１及び２）を
静電複写紙試験装置（SP−428型；川口電機製作
所製）をもちいて表面電位の変動を測定した。前
記感光体を、−6KVのコロナ放電を５秒間行つて
帯電せしめ、表面電位V0（単位−ボルト）を測定
し、これを暗所で５秒間保持した後、タングステ
ンランプにより照度５ルツクスの光を照射し、表
面電位を1/2及び1/6に減衰させるに必要な露光量
すなわち、半減露光量Ｅ1/2（ルツクス・秒）及
びＥ1/6（ルツクス・秒）、さらに照度５ルツクス
の光を20秒間照射後の表面電位VR20（ボルト）を
求めた。続いて１万ルツクスの光を３秒間照射し
て残留電荷を除電し、１回のサイクルを終了す
る。これを200回繰り返し、200回目に同様の測定
を行つた。なお、比較として合成例３の化合物の
代わりに、下記比較化合物−１をもちいた以外は
同様の操作を行つて作製した感光体（比較品１）
を用い表面電位の変動を測定した。これらの結果
を表−１に示した。 比較化合物−１
【表】
実施例 ２
例示化合物−16、17及び18並びに下記の比較化
合物−２を用いたほかは実施例１と同様にして感
光体を作製し、表面電位の変動を測定した。その
結果を表−２に示した。 比較化合物−２
合物−２を用いたほかは実施例１と同様にして感
光体を作製し、表面電位の変動を測定した。その
結果を表−２に示した。 比較化合物−２
【表】
実施例 ３
例示化合物−19、20、22、23及び24を化合物を
用いたほかは実施例１と同様にして感光体を作製
し、表面電位の変動を測定した。その結果を表−
３に示した。
用いたほかは実施例１と同様にして感光体を作製
し、表面電位の変動を測定した。その結果を表−
３に示した。
【表】
実施例 ４
例示化合物−４及び６並びに比較化合物−１の
化合物を用い、クロルジアンブルーに代えてフタ
ロシアニンを用いたほかは実施例１と同様にして
感光体を作製し、表面電位の変動を測定した。 その結果を表−４に示した。
化合物を用い、クロルジアンブルーに代えてフタ
ロシアニンを用いたほかは実施例１と同様にして
感光体を作製し、表面電位の変動を測定した。 その結果を表−４に示した。
【表】
実施例 ５
例示化合物−16、17、18、19、20、22、23及び
24を用いたほかは実施例11と同様にして感光体を
作製し、表面電位の変動を測定した。その結果を
表−５に示した。
24を用いたほかは実施例11と同様にして感光体を
作製し、表面電位の変動を測定した。その結果を
表−５に示した。
【表】
本発明のＮ−アミノ−2.3，３−トリメチルイ
ンドリン誘導体を用いた電子写真感光体は、高感
度にして残留電位が少なく、繰返し使用しても光
疲労が少なく、耐久性に勝れている。したがつて
電子写真プロセスの分野で最も要求されている特
性を具備し、工業的に有利なものである。
ンドリン誘導体を用いた電子写真感光体は、高感
度にして残留電位が少なく、繰返し使用しても光
疲労が少なく、耐久性に勝れている。したがつて
電子写真プロセスの分野で最も要求されている特
性を具備し、工業的に有利なものである。
第１図は、本発明の電子写真感光体の構成を示
す断面図である。第２図ないし第５図は、それぞ
れ例示化合物４、16、19及び22のIRスペクトル
を示す図面である。第６図は、メチルイソプロピ
ルケトントリルヒドラゾンのIRスペクトルを示
す図面である。第７図ないし第１３図は、それぞ
れ例示化合物17、20、５、23、６、18及び24の
IRスペクトルを示す図面である。
す断面図である。第２図ないし第５図は、それぞ
れ例示化合物４、16、19及び22のIRスペクトル
を示す図面である。第６図は、メチルイソプロピ
ルケトントリルヒドラゾンのIRスペクトルを示
す図面である。第７図ないし第１３図は、それぞ
れ例示化合物17、20、５、23、６、18及び24の
IRスペクトルを示す図面である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 導電性支持体上に電荷発生層と電荷輸送層を
設けた電子写真感光体において、電荷輸送層とし
て次の一般式（）、 〔式中、Ｒは水素、低級アルキル基、低級アルコ
キシ基を、Arは基【式】（ここ で、R1及びR2は低級アルキル基、フエニル基ま
たはベンジル基を、R4は低級アルキル基を示す）
又は基【式】（ここで、R3は 低級アルキル基を示す）を示す〕 で表されるＮ−アミノ−２，３，３−トリメチル
インドリン誘導体を含有する層を有することを特
徴とする電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2439387A JPS63192051A (ja) | 1987-02-04 | 1987-02-04 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2439387A JPS63192051A (ja) | 1987-02-04 | 1987-02-04 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63192051A JPS63192051A (ja) | 1988-08-09 |
| JPH0469947B2 true JPH0469947B2 (ja) | 1992-11-09 |
Family
ID=12136921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2439387A Granted JPS63192051A (ja) | 1987-02-04 | 1987-02-04 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63192051A (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58166354A (ja) * | 1982-03-27 | 1983-10-01 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JPS5962861A (ja) * | 1982-07-08 | 1984-04-10 | Dainippon Ink & Chem Inc | 電子写真用感光体 |
| JPS60162259A (ja) * | 1984-02-01 | 1985-08-24 | Takasago Corp | 電子写真感光体 |
-
1987
- 1987-02-04 JP JP2439387A patent/JPS63192051A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63192051A (ja) | 1988-08-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |