JPH047019B2 - - Google Patents
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- JPH047019B2 JPH047019B2 JP60011935A JP1193585A JPH047019B2 JP H047019 B2 JPH047019 B2 JP H047019B2 JP 60011935 A JP60011935 A JP 60011935A JP 1193585 A JP1193585 A JP 1193585A JP H047019 B2 JPH047019 B2 JP H047019B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical disk
- area
- recording track
- signal recording
- signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光デイスク用基板、特に、螺旋状また
は同心円状の信号記録用トラツクを有する光デイ
スク用トラツクを有する光デイスク用基板に関す
る。
は同心円状の信号記録用トラツクを有する光デイ
スク用トラツクを有する光デイスク用基板に関す
る。
一般に、DRAW型と呼ばれるライトワンス型
の光デイスク装置や、書き込み後に読み出し、さ
らに消去ができるイレーザブル型の光デイスクの
装置に用いられる光デイスク用基板にはトラツキ
ングガイドとして案内溝すなわち信号記録用トラ
ツクが形成されている。光デイスク用の基板とし
ては従来、ガラス、塩化ビニール、ポリメチルメ
タアクリレート、ポリカーボネート樹脂などが用
いられている。基板にトラツキングガイドとして
溝を形成する場合には、フオトポリマー法、射出
成形法、射出圧縮成形法等が用いられる。通常、
ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート樹
脂を用いた場合、射出成形法、射出圧縮成形法を
用いるのが一般的である。前述したいずれの製法
を用いるにせよ、光デイスク用基板上に形成され
たトラツキングガイドとしての溝が所定の形状に
形成されているか把握する必要がある。すなわち
原盤として用いたスタンパーの所定の形状が正確
に転写されているか、換言すれば光デイスク用基
板の溝形成をするときの成形条件の最適化がなさ
れているか知る必要がある。従来、信号記録用ト
ラツクを有する光デイスク用基板の溝形状は走査
型電子顕微鏡を用いて表面像や断面形状を観察し
たり、溝形状を直接、機械的な接触型スタイラス
で走査して測定している。又信号記録用トラツク
を有する光デイスク用基板の記録媒体塗布後の欠
陥発生率を定量的に把握する方法はなかつた。
の光デイスク装置や、書き込み後に読み出し、さ
らに消去ができるイレーザブル型の光デイスクの
装置に用いられる光デイスク用基板にはトラツキ
ングガイドとして案内溝すなわち信号記録用トラ
ツクが形成されている。光デイスク用の基板とし
ては従来、ガラス、塩化ビニール、ポリメチルメ
タアクリレート、ポリカーボネート樹脂などが用
いられている。基板にトラツキングガイドとして
溝を形成する場合には、フオトポリマー法、射出
成形法、射出圧縮成形法等が用いられる。通常、
ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート樹
脂を用いた場合、射出成形法、射出圧縮成形法を
用いるのが一般的である。前述したいずれの製法
を用いるにせよ、光デイスク用基板上に形成され
たトラツキングガイドとしての溝が所定の形状に
形成されているか把握する必要がある。すなわち
原盤として用いたスタンパーの所定の形状が正確
に転写されているか、換言すれば光デイスク用基
板の溝形成をするときの成形条件の最適化がなさ
れているか知る必要がある。従来、信号記録用ト
ラツクを有する光デイスク用基板の溝形状は走査
型電子顕微鏡を用いて表面像や断面形状を観察し
たり、溝形状を直接、機械的な接触型スタイラス
で走査して測定している。又信号記録用トラツク
を有する光デイスク用基板の記録媒体塗布後の欠
陥発生率を定量的に把握する方法はなかつた。
従来の信号記録用トラツクを有する光デイスク
用基板として、いくつかの形式が知られている。
一つの形式は光デイスク用基板のほぼ全域にトラ
ツキングガイドとしての案内溝すなわち信号記録
用トラツクを形成したもの、他の一つの形式とし
てトラツキングガイドとしての案内溝の円周上の
特定セクターにプリフオーマツトされたレリーフ
ピツトを有する形式がある。次に従来の光デイス
ク用基板について図面を参照して詳細に説明す
る。第４図、第５図は従来の光デイスク用基板の
一例を示す平面図である。第４図に示す光デイス
ク用基板１はトラツキングガイドとしての案内溝
すなわち信号記録用トラツク２が基板のほぼ全域
に形成されたものである。第５図に示す光デイス
ク用基板１′は基板全域にトラツキングガイドと
しての信号記録用トラツク２が形成されている
が、信号記録用トラツク２の円周上の特定セクタ
ー部３にプリフオーマツトされたレリーフビツト
４を有している。
用基板として、いくつかの形式が知られている。
一つの形式は光デイスク用基板のほぼ全域にトラ
ツキングガイドとしての案内溝すなわち信号記録
用トラツクを形成したもの、他の一つの形式とし
てトラツキングガイドとしての案内溝の円周上の
特定セクターにプリフオーマツトされたレリーフ
ピツトを有する形式がある。次に従来の光デイス
ク用基板について図面を参照して詳細に説明す
る。第４図、第５図は従来の光デイスク用基板の
一例を示す平面図である。第４図に示す光デイス
ク用基板１はトラツキングガイドとしての案内溝
すなわち信号記録用トラツク２が基板のほぼ全域
に形成されたものである。第５図に示す光デイス
ク用基板１′は基板全域にトラツキングガイドと
しての信号記録用トラツク２が形成されている
が、信号記録用トラツク２の円周上の特定セクタ
ー部３にプリフオーマツトされたレリーフビツト
４を有している。
上述した従来の光デイスク用基板は信号記録用
トラツクの円周上の特定のセクターにレリーフビ
ツトを含む、形式があるにせよ、基本的に、光デ
イスク用基板のほぼ全域に信号記録用トラツクだ
けが形成されているので、形成された信号記録用
トラツクの溝形状の品質を管理、保証する際に高
度な観察技術、溝形状測定技術を必要とするとい
う欠点があつた。前述したように信号記録用トラ
ツクの溝形状を走査型電子顕微鏡を利用して観察
する場合、観察の為の専用の試料作りを必要とす
るという欠点、観察の為の長い時間と高度の技能
を必要とする欠点があつた。又機械的な接触スタ
イラスを用いて溝形状を測定する方法は測定針圧
の問題で観察試料の破壊を誘発するという欠点が
ある。何よりも従来の信号記録用トラツクを有す
る光デイスクの基板は記録媒体を塗布した後の
個々の光デイスク用基板の欠陥発生率を定量的に
把握し、管理、保証できる構成でなかつたという
欠点があつた。そこで本発明はトラツキングガイ
ドとしての案内溝、すなわち信号記録用トラツク
しか形成されていなかつた従来の光デイスク用基
板に、新たに前記信号記録用トラツク区域外の区
域に所定周波数で形成した凹凸のピツト列に信号
区域を追加形成することにより、前記凹凸のピツ
ト列の信号区域だけを光ピツクアツプでトラツキ
ングして、ピツトのないところとピツトのあると
ころから返つてくる反射光量の差のレベルを検出
して処理するという比較的に簡単な方法で、実際
の記録媒体を塗布した後の個々の光デイスク用基
板溝形状が最適に形成されているか否かを同定で
き、かつ実際の記録媒体を塗布した段階での欠陥
発生率を定量的に把握し、基板の品質を管理、保
証できるようにした。本発明の目的は光デイスク
用基板に記録媒体を塗布した段階で、個々の基板
の信号記録用トラツクの溝深さが所定の深さに形
成されているかを把握することができ、さらに光
デイスク用基板の記録媒体を塗布した後の欠陥発
生率を定量的に把握し、基板の品質を管理、保証
できる螺旋状または同心円状の信号記録用トラツ
クを有する光デイスク用基板を提供することを目
的とする。
トラツクの円周上の特定のセクターにレリーフビ
ツトを含む、形式があるにせよ、基本的に、光デ
イスク用基板のほぼ全域に信号記録用トラツクだ
けが形成されているので、形成された信号記録用
トラツクの溝形状の品質を管理、保証する際に高
度な観察技術、溝形状測定技術を必要とするとい
う欠点があつた。前述したように信号記録用トラ
ツクの溝形状を走査型電子顕微鏡を利用して観察
する場合、観察の為の専用の試料作りを必要とす
るという欠点、観察の為の長い時間と高度の技能
を必要とする欠点があつた。又機械的な接触スタ
イラスを用いて溝形状を測定する方法は測定針圧
の問題で観察試料の破壊を誘発するという欠点が
ある。何よりも従来の信号記録用トラツクを有す
る光デイスクの基板は記録媒体を塗布した後の
個々の光デイスク用基板の欠陥発生率を定量的に
把握し、管理、保証できる構成でなかつたという
欠点があつた。そこで本発明はトラツキングガイ
ドとしての案内溝、すなわち信号記録用トラツク
しか形成されていなかつた従来の光デイスク用基
板に、新たに前記信号記録用トラツク区域外の区
域に所定周波数で形成した凹凸のピツト列に信号
区域を追加形成することにより、前記凹凸のピツ
ト列の信号区域だけを光ピツクアツプでトラツキ
ングして、ピツトのないところとピツトのあると
ころから返つてくる反射光量の差のレベルを検出
して処理するという比較的に簡単な方法で、実際
の記録媒体を塗布した後の個々の光デイスク用基
板溝形状が最適に形成されているか否かを同定で
き、かつ実際の記録媒体を塗布した段階での欠陥
発生率を定量的に把握し、基板の品質を管理、保
証できるようにした。本発明の目的は光デイスク
用基板に記録媒体を塗布した段階で、個々の基板
の信号記録用トラツクの溝深さが所定の深さに形
成されているかを把握することができ、さらに光
デイスク用基板の記録媒体を塗布した後の欠陥発
生率を定量的に把握し、基板の品質を管理、保証
できる螺旋状または同心円状の信号記録用トラツ
クを有する光デイスク用基板を提供することを目
的とする。
本発明の光デイスクの基板は螺旋状または同心
円状の信号記録用トラツク領域の外周または内周
あるいはその双方に沿つてあらかじめ定められた
ピツト列を含んで構成される。
円状の信号記録用トラツク領域の外周または内周
あるいはその双方に沿つてあらかじめ定められた
ピツト列を含んで構成される。
次に、本考案の実施例について、図面を参照し
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
第１図は本発明の第１の実施例を示す断面斜視
図である。第１図に示す本発明による光デイスク
用基板５は基板上にトラツキングガイドとしての
案内溝、すなわち信号記録用トラツク区域６と一
定の周波数で形成された凹凸のピツト列の信号区
域７を形成している。本発明の光デイスク用基板
５の信号記録用トラツク区域６以外に形成した凹
凸のピツト列の信号区域７は信号記録用トラツク
区域６の溝が最適に形成されているかモニターす
る手段、あるいは記録媒体を塗布した後の光デイ
スク用基板の欠陥発生率を定量的に把握し、基板
の品質を管理、保証するために用いられる。次に
本発明の光デイスク用基板５の有効性について詳
細に説明する。第２図は凹凸ピツト列の信号区域
７の凹凸段差（光路差）による平坦部と凹凸部の
反射光量の差と信号記録用トラツク区域６の溝か
らの反射光量の変化特性を示したものである。図
において反射光量の差信号ａは信号区域７のピツ
ト列の凹凸の段差が入射光波長入の1/4の条件の
時に最大となり、凹凸のピツト列の段差が入／４
より大きくまたは小さくなるに従つて減少する。
図において記録用トラツク区域６の溝からの反射
光量ｂは記録用トラツク区域６の溝の段差が零の
条件の時に最大となり、溝の段差が大きくなるに
従つて減少する。つまり凹凸の段差寸法がほぼ
入／６〜入／12の条件の時に凹凸ピツト列の信号
区域７に対しても信号記録用トラツク区域６の溝
に対しても最適になることを示している。ちなみ
に最近の光デイスク用基板の信号記録用トラツク
２のピツチは1.6μｍ〜2.5μｍのオーダーで溝の深
さは、たとえばプツシユ・プル法というトラツキ
ングサーボ方式を採用した場合、トラツキングサ
ーボの誤差信号が最大となるよう、入射光波長入
の1/8に設定している。さて光デイスク用基板５
の信号記録用トラツク区域６の溝が最適の深さに
形成されているかを調べる場合は、第２図の説明
から理解できるように、一定の周波数で形成した
凹凸ピツト列の信号区域７の平坦部と凹凸部の反
射光量の差が所定のレベル、すなわち信号記録用
トラツク区域６の溝の深さが入射光波長入の1/8
に相当するレベルにあることを光ピツクアツプで
トラツキングしてモニターすれば、光デイスク用
基板に記録媒体が塗布された段階で、個々の信号
記録用トラツク区域６の溝深さを把握することが
できる。さらに、何よりも本発明による光デイス
ク用基板の構成をとれば、凹凸のピツト列の信号
区域７の原盤記録時の書き込みデータと光デイス
ク用基板５に記録媒体を塗布した後の再生読み取
りデータを比較照合ができるから記録媒体を塗布
した後の信号記録用トラツクを有した光デイスク
用基板の欠陥発生率を定量的に把握し、基板の品
質を管理、保証することができる。第３図ａ，ｂ
は第２、第３の実施例を示す平面図である。第３
図ａに示す光デイスク用基板５′は一定の周波数
で形成した凹凸ピツト列の信号区域７を基板の内
周領域に配置したもの、第３図ｂに示す光デイス
ク用基板５″は前記信号区域７を基板の外周領域
に配置したものである。ちなみに凹凸ピツト列の
信号区域７の形成領域は基本的には数トラツク程
度でもその機能を達成することができる。多くす
れば光デイスク用基板の信号記録用トラツクの専
用区域が基本的に減少するが、たとえばトラツク
ピツチを1.6μｍとした場合、信号区域を100トラ
ツク分形成しても0.16mmで光デイスク用基板の全
体の記録容量の低下に及ぼす影響は少ない。以上
本発明の実施例について説明したが、上述の実施
例に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲
で種々の変形が可能である。たとえば前述した実
施例では凹凸ピツト列の信号区域を信号記録用ト
ラツク区域の両サイドあるいは基板の内周部側ま
たは外周部側の片側に構成配置したが、基本的に
構形成のモニターと欠陥発生率を管理、保証する
ための凹凸ピツト列の信号区域と信号記録用トラ
ツク区域が基板の半径方向にゾーン配置する構成
ならば別の構成でもよい。
図である。第１図に示す本発明による光デイスク
用基板５は基板上にトラツキングガイドとしての
案内溝、すなわち信号記録用トラツク区域６と一
定の周波数で形成された凹凸のピツト列の信号区
域７を形成している。本発明の光デイスク用基板
５の信号記録用トラツク区域６以外に形成した凹
凸のピツト列の信号区域７は信号記録用トラツク
区域６の溝が最適に形成されているかモニターす
る手段、あるいは記録媒体を塗布した後の光デイ
スク用基板の欠陥発生率を定量的に把握し、基板
の品質を管理、保証するために用いられる。次に
本発明の光デイスク用基板５の有効性について詳
細に説明する。第２図は凹凸ピツト列の信号区域
７の凹凸段差（光路差）による平坦部と凹凸部の
反射光量の差と信号記録用トラツク区域６の溝か
らの反射光量の変化特性を示したものである。図
において反射光量の差信号ａは信号区域７のピツ
ト列の凹凸の段差が入射光波長入の1/4の条件の
時に最大となり、凹凸のピツト列の段差が入／４
より大きくまたは小さくなるに従つて減少する。
図において記録用トラツク区域６の溝からの反射
光量ｂは記録用トラツク区域６の溝の段差が零の
条件の時に最大となり、溝の段差が大きくなるに
従つて減少する。つまり凹凸の段差寸法がほぼ
入／６〜入／12の条件の時に凹凸ピツト列の信号
区域７に対しても信号記録用トラツク区域６の溝
に対しても最適になることを示している。ちなみ
に最近の光デイスク用基板の信号記録用トラツク
２のピツチは1.6μｍ〜2.5μｍのオーダーで溝の深
さは、たとえばプツシユ・プル法というトラツキ
ングサーボ方式を採用した場合、トラツキングサ
ーボの誤差信号が最大となるよう、入射光波長入
の1/8に設定している。さて光デイスク用基板５
の信号記録用トラツク区域６の溝が最適の深さに
形成されているかを調べる場合は、第２図の説明
から理解できるように、一定の周波数で形成した
凹凸ピツト列の信号区域７の平坦部と凹凸部の反
射光量の差が所定のレベル、すなわち信号記録用
トラツク区域６の溝の深さが入射光波長入の1/8
に相当するレベルにあることを光ピツクアツプで
トラツキングしてモニターすれば、光デイスク用
基板に記録媒体が塗布された段階で、個々の信号
記録用トラツク区域６の溝深さを把握することが
できる。さらに、何よりも本発明による光デイス
ク用基板の構成をとれば、凹凸のピツト列の信号
区域７の原盤記録時の書き込みデータと光デイス
ク用基板５に記録媒体を塗布した後の再生読み取
りデータを比較照合ができるから記録媒体を塗布
した後の信号記録用トラツクを有した光デイスク
用基板の欠陥発生率を定量的に把握し、基板の品
質を管理、保証することができる。第３図ａ，ｂ
は第２、第３の実施例を示す平面図である。第３
図ａに示す光デイスク用基板５′は一定の周波数
で形成した凹凸ピツト列の信号区域７を基板の内
周領域に配置したもの、第３図ｂに示す光デイス
ク用基板５″は前記信号区域７を基板の外周領域
に配置したものである。ちなみに凹凸ピツト列の
信号区域７の形成領域は基本的には数トラツク程
度でもその機能を達成することができる。多くす
れば光デイスク用基板の信号記録用トラツクの専
用区域が基本的に減少するが、たとえばトラツク
ピツチを1.6μｍとした場合、信号区域を100トラ
ツク分形成しても0.16mmで光デイスク用基板の全
体の記録容量の低下に及ぼす影響は少ない。以上
本発明の実施例について説明したが、上述の実施
例に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲
で種々の変形が可能である。たとえば前述した実
施例では凹凸ピツト列の信号区域を信号記録用ト
ラツク区域の両サイドあるいは基板の内周部側ま
たは外周部側の片側に構成配置したが、基本的に
構形成のモニターと欠陥発生率を管理、保証する
ための凹凸ピツト列の信号区域と信号記録用トラ
ツク区域が基板の半径方向にゾーン配置する構成
ならば別の構成でもよい。
本発明の光デイスク用基板は、基本的には回転
中心を中心とする螺旋状または同心円状のトラツ
キングガイドとしての案内溝、すなわち信号記録
用トラツクしか形成されていなかつた従来の光デ
イスク用基板に、新たに前記信号記録用トラツク
区域外の区域に所定周波数で形成した凹凸のピツ
ト列の信号区域を追加形成することにより、溝形
状観察の為に専用の試料を作成し、高度な観察技
能と、長い観察工数をかけて走査型電子顕微鏡で
表面形状あるいは断面形状を直接観察したり、試
料破壊を発生する機械的な接触型スタイラスを用
いたり、高度な溝形状測定装置を用いることな
く、前記追加形成した所定周波数で形成した凹凸
のピツト列の信号区域だけを光ピツクアツプでト
ラツキングして、ピツトのないところとピツトの
あるところから返つてくる反射光量の差のレベル
を検出できるから、光デイスク用基板に最終の記
録媒体を塗布した段階で、個々の基板の信号記録
用トラツクの溝深さが所定の深さに形成されてい
るか否かを把握することができ、さらに光デイス
ク用基板の記録媒体を塗布した後の欠陥発生率を
定量的に把握し、基板の品質を管理、保証できる
螺旋状または同心円状の信号記録用トラツクを有
する光デイスク用基板を提供できるという効果が
ある。
中心を中心とする螺旋状または同心円状のトラツ
キングガイドとしての案内溝、すなわち信号記録
用トラツクしか形成されていなかつた従来の光デ
イスク用基板に、新たに前記信号記録用トラツク
区域外の区域に所定周波数で形成した凹凸のピツ
ト列の信号区域を追加形成することにより、溝形
状観察の為に専用の試料を作成し、高度な観察技
能と、長い観察工数をかけて走査型電子顕微鏡で
表面形状あるいは断面形状を直接観察したり、試
料破壊を発生する機械的な接触型スタイラスを用
いたり、高度な溝形状測定装置を用いることな
く、前記追加形成した所定周波数で形成した凹凸
のピツト列の信号区域だけを光ピツクアツプでト
ラツキングして、ピツトのないところとピツトの
あるところから返つてくる反射光量の差のレベル
を検出できるから、光デイスク用基板に最終の記
録媒体を塗布した段階で、個々の基板の信号記録
用トラツクの溝深さが所定の深さに形成されてい
るか否かを把握することができ、さらに光デイス
ク用基板の記録媒体を塗布した後の欠陥発生率を
定量的に把握し、基板の品質を管理、保証できる
螺旋状または同心円状の信号記録用トラツクを有
する光デイスク用基板を提供できるという効果が
ある。
第１図は本発明の一実施例を示す断面斜視図、
第２図は凹凸ピツト列と信号記録トラツクの段差
に対する反射光量の変化特性を示す図、第３図
ａ，ｂは本発明の他の実施例を示す平面図、第４
図、第５図は従来の光デイスク用基板の構成を示
す平面図である。 １，１′……光デイスク用基板、２……信号記
録用トラツク、３……特定セクター部、４……レ
リーフビツト、５，５′，５″……光デイスク用基
板、６……信号記録用トラツク区域、７……凹凸
ピツト列の信号区域。
第２図は凹凸ピツト列と信号記録トラツクの段差
に対する反射光量の変化特性を示す図、第３図
ａ，ｂは本発明の他の実施例を示す平面図、第４
図、第５図は従来の光デイスク用基板の構成を示
す平面図である。 １，１′……光デイスク用基板、２……信号記
録用トラツク、３……特定セクター部、４……レ
リーフビツト、５，５′，５″……光デイスク用基
板、６……信号記録用トラツク区域、７……凹凸
ピツト列の信号区域。
Claims (1)
- １ 螺旋状または同心円状の信号記録用トラツク
領域の外周または内周あるいはその双方に沿つて
あらかじめ定められたピツト列を形成したことを
特徴とする光デイスク用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60011935A JPS61172233A (ja) | 1985-01-25 | 1985-01-25 | 光デイスク用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60011935A JPS61172233A (ja) | 1985-01-25 | 1985-01-25 | 光デイスク用基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61172233A JPS61172233A (ja) | 1986-08-02 |
| JPH047019B2 true JPH047019B2 (ja) | 1992-02-07 |
Family
ID=11791518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60011935A Granted JPS61172233A (ja) | 1985-01-25 | 1985-01-25 | 光デイスク用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61172233A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03219434A (ja) * | 1988-12-27 | 1991-09-26 | Canon Inc | 光学的情報記録媒体 |
| US7813075B2 (en) | 2007-10-22 | 2010-10-12 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | System, method and apparatus for performing metrology on patterned media disks with test pattern areas |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1165871A (en) * | 1978-11-08 | 1984-04-17 | Kornelis Bulthuis | Optically inscribable record carrier |
| JPS5625242A (en) * | 1979-08-07 | 1981-03-11 | Toshiba Corp | Information recording disk |
| JPS57172550A (en) * | 1981-04-16 | 1982-10-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Optical disk |
| JPS57141035A (en) * | 1981-02-25 | 1982-09-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Optical recording and reproducing disc |
| JPS5814336A (ja) * | 1981-07-20 | 1983-01-27 | Toshiba Corp | 情報記憶媒体およびその製造方法 |
| JPS58100249A (ja) * | 1981-12-09 | 1983-06-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録用担体 |
| JPS58169352A (ja) * | 1982-03-31 | 1983-10-05 | Hitachi Ltd | 光学的記録媒体 |
| JPS58169354A (ja) * | 1982-03-31 | 1983-10-05 | Hitachi Ltd | 情報記録円板 |
| JPS59101043A (ja) * | 1982-11-30 | 1984-06-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 情報記録再生坦体 |
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-
1985
- 1985-01-25 JP JP60011935A patent/JPS61172233A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61172233A (ja) | 1986-08-02 |
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