JPH047082B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH047082B2 JPH047082B2 JP22676182A JP22676182A JPH047082B2 JP H047082 B2 JPH047082 B2 JP H047082B2 JP 22676182 A JP22676182 A JP 22676182A JP 22676182 A JP22676182 A JP 22676182A JP H047082 B2 JPH047082 B2 JP H047082B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- forming
- thermal
- resistance value
- torr
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004320 controlled atmosphere Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 238000007750 plasma spraying Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の技術分野]
本発明は、電子部品の形成方法に関する。
[従来技術とその問題点]
従来、混成集積回路装置等には電子部品等が多
数載位置されており例えば抵抗体は、RuO2系の
抵抗体ペーストをアルミナセラミツク等からなる
基板の所定領域に印刷し、焼成して形成されたも
のである。このようにして形成された抵抗体は、
耐熱性に優れており、しかも抵抗値にも変動が少
なく安定した特性を有するが、貴金属系統のペー
ストを使用するため製造コストが高い。製造コス
トを低減させるために、フエノール樹脂基板上に
樹脂層を基礎化してカーボン抵抗体を形成したも
のが開発されている。このような抵抗体は、製造
コストを低減させて、しかも比較的低温(150〜
200℃)で形成できる利点を有するが、基板自体
の耐温を高々80℃温度にしか保てない欠点があ
る。
数載位置されており例えば抵抗体は、RuO2系の
抵抗体ペーストをアルミナセラミツク等からなる
基板の所定領域に印刷し、焼成して形成されたも
のである。このようにして形成された抵抗体は、
耐熱性に優れており、しかも抵抗値にも変動が少
なく安定した特性を有するが、貴金属系統のペー
ストを使用するため製造コストが高い。製造コス
トを低減させるために、フエノール樹脂基板上に
樹脂層を基礎化してカーボン抵抗体を形成したも
のが開発されている。このような抵抗体は、製造
コストを低減させて、しかも比較的低温(150〜
200℃)で形成できる利点を有するが、基板自体
の耐温を高々80℃温度にしか保てない欠点があ
る。
これらの抵抗体の形成方法に代るものとして、
溶射により抵抗体を形成する方法が開発されてい
る。この溶射による抵抗体の形成方法は、プラズ
マ溶射ガンと称せられる亀極間に、不活性ガスと
してアルゴンまたはヘリウムの混合ガスを供給
し、亀極間に電気アークを発生させてガスを励起
させ、熱プラズマを生じさせる。この熱プラズマ
の発生した炎の中に抵抗体の材料である粉体を導
入して溶かし、溶かしたままの状態で抵抗体の形
成材料を基板状の所定領域に付着させるものであ
る。
溶射により抵抗体を形成する方法が開発されてい
る。この溶射による抵抗体の形成方法は、プラズ
マ溶射ガンと称せられる亀極間に、不活性ガスと
してアルゴンまたはヘリウムの混合ガスを供給
し、亀極間に電気アークを発生させてガスを励起
させ、熱プラズマを生じさせる。この熱プラズマ
の発生した炎の中に抵抗体の材料である粉体を導
入して溶かし、溶かしたままの状態で抵抗体の形
成材料を基板状の所定領域に付着させるものであ
る。
このような溶射技術を採用した抵抗体の形成方
法は、既に知られ、例えば特開昭53−52995、特
開昭55−146906の各号公報にも示されている。何
れも、抵抗体材料をプラズマ溶射して抵抗体被覆
を推積した膜状抵抗体の製造方法について述べて
いる。
法は、既に知られ、例えば特開昭53−52995、特
開昭55−146906の各号公報にも示されている。何
れも、抵抗体材料をプラズマ溶射して抵抗体被覆
を推積した膜状抵抗体の製造方法について述べて
いる。
しかし、記述されているところのに従つて形成
された厚い膜状抵抗体は、その抵抗特性を一定に
しない欠点が認められる。抵抗値が安定せず、熱
履歴があるとき抵抗値が例えば−30℃〜+150℃
の熱履歴の前後で異なる値を示し、繰返される熱
履歴についてその抵抗値が増大してゆく現象がみ
られるのである。このため温度によつて一次的に
抵抗値が決まらないという本質的な欠点を伴う。
即ち、従来の溶射法を用い、前述の抵抗体をはじ
め、各種の電子部品を形成しようとする場合は、
大気中で金属、合金、セラミツク等を単独又は混
合粉末として溶融状態で絶縁基板上に溶射するた
めに溶射特有の空孔が被覆層に介在する。更に、
大気中で溶射するために金属、合金が酸化するな
どして被覆層の付着力および抵抗特性が不安定で
ある欠点を有していた。そのため、粉末の粒度調
整や溶射条件を選択することによつて被覆層の空
孔低下および付着力はある程度改善させられる。
しかし、熱履歴による抵抗等の電気特性変動を防
ぐ充分な方策ではない。
された厚い膜状抵抗体は、その抵抗特性を一定に
しない欠点が認められる。抵抗値が安定せず、熱
履歴があるとき抵抗値が例えば−30℃〜+150℃
の熱履歴の前後で異なる値を示し、繰返される熱
履歴についてその抵抗値が増大してゆく現象がみ
られるのである。このため温度によつて一次的に
抵抗値が決まらないという本質的な欠点を伴う。
即ち、従来の溶射法を用い、前述の抵抗体をはじ
め、各種の電子部品を形成しようとする場合は、
大気中で金属、合金、セラミツク等を単独又は混
合粉末として溶融状態で絶縁基板上に溶射するた
めに溶射特有の空孔が被覆層に介在する。更に、
大気中で溶射するために金属、合金が酸化するな
どして被覆層の付着力および抵抗特性が不安定で
ある欠点を有していた。そのため、粉末の粒度調
整や溶射条件を選択することによつて被覆層の空
孔低下および付着力はある程度改善させられる。
しかし、熱履歴による抵抗等の電気特性変動を防
ぐ充分な方策ではない。
[発明の目的]
この発明は溶射によつて形成される抵抗体等の
電子部品の温度変動に対する安定性を改良させた
電子部品の形成方法を提供させるものである。
電子部品の温度変動に対する安定性を改良させた
電子部品の形成方法を提供させるものである。
[発明の概要]
本発明は、基板に形成する全ての電子部品の形
成領域が露出するようにレジスト膜やメタルマス
クを設け、それぞれ所望の電子部品の形成領域毎
に対応した形状と配置のマスクを用い、30Torr
〜200Torr減圧下の調整雰囲気で溶射法により被
覆性能が高く、かつ温度特性に安定な電子部品を
形成できるようにした電子部品の形成方法であ
る。
成領域が露出するようにレジスト膜やメタルマス
クを設け、それぞれ所望の電子部品の形成領域毎
に対応した形状と配置のマスクを用い、30Torr
〜200Torr減圧下の調整雰囲気で溶射法により被
覆性能が高く、かつ温度特性に安定な電子部品を
形成できるようにした電子部品の形成方法であ
る。
[発明の実施例]
以下、本発明により抵抗体を形成する実施例を
図面を参照して説明する。
図面を参照して説明する。
先ず、40×50mm、厚さ2mm、のアルミニウム板
の片面に100μmのアルミナ絶縁層を施した基板
4を第1図に示す真空容器1の固定治具5に設置
する。基板を設置後容器内を10-4Torr程度に減
圧し、Ni−Cr粉末の溶射条件設定と同時に容器
内を70TorrのAr/Hlガス雰囲気に調整する。
の片面に100μmのアルミナ絶縁層を施した基板
4を第1図に示す真空容器1の固定治具5に設置
する。基板を設置後容器内を10-4Torr程度に減
圧し、Ni−Cr粉末の溶射条件設定と同時に容器
内を70TorrのAr/Hlガス雰囲気に調整する。
しかる後、Ni−Cr粉末を金属マスクを通して
溶射し、厚さ20μmの抵抗体を形成する。同様
に、Cu粉末を溶射し電極端部を抵抗体の端部と
接続するようにメタルマスクを通して6gumの電
極を形成する。形成された抵抗体断面の組成図を
第2図に示す。第2図bの断面図に示すように
70Torr下で形成された被膜は空孔のない性能の
高い被膜が得られるのに比べ大気中760Torr(a)で
形成され被膜は空孔とともに酸化層が介在し抵抗
体被膜としては充分でない。
溶射し、厚さ20μmの抵抗体を形成する。同様
に、Cu粉末を溶射し電極端部を抵抗体の端部と
接続するようにメタルマスクを通して6gumの電
極を形成する。形成された抵抗体断面の組成図を
第2図に示す。第2図bの断面図に示すように
70Torr下で形成された被膜は空孔のない性能の
高い被膜が得られるのに比べ大気中760Torr(a)で
形成され被膜は空孔とともに酸化層が介在し抵抗
体被膜としては充分でない。
一方、電極Cuも70Torrの雰囲気で溶射するこ
とによつて被膜は酸化することなく光沢のある電
極が得られ電極自身の付着力と同様に抵抗体との
付着力も向上する。この実施例に係る抵抗体と、
大気中で溶射した比較例抗体について20℃から
150℃への繰返し熱履歴による抵抗値変化率(%)
について第3図に示す。
とによつて被膜は酸化することなく光沢のある電
極が得られ電極自身の付着力と同様に抵抗体との
付着力も向上する。この実施例に係る抵抗体と、
大気中で溶射した比較例抗体について20℃から
150℃への繰返し熱履歴による抵抗値変化率(%)
について第3図に示す。
実施例に係る抵抗体(1)の抵抗値は熱履歴によつ
て変動しないが、比較例に係る抵抗体(2)は熱履歴
によつて抵抗値が変動し、抵抗値を不安定にし、
抵抗体として使用に適さない。
て変動しないが、比較例に係る抵抗体(2)は熱履歴
によつて抵抗値が変動し、抵抗値を不安定にし、
抵抗体として使用に適さない。
尚、上記実施例においては、NiCr粉末を用い
て説明したが、これに限らず抵抗性物質であれば
よいことは勿論である。
て説明したが、これに限らず抵抗性物質であれば
よいことは勿論である。
また、抵抗性物質に限らず、次に示すような各
種電子部品の形成にも、本発明が有効である。例
えば、BaTiO3、PbTiO3等のコンデンサー、圧
電素子、LiTaO3、LiNbO3等の弾性表面波部品、
ZnO等のバリスター、SnO2等のガスセンサー、
ZnCr2O4等の湿度センサー、V2O5、MgAl2O4等の
サーミスターおよびCu、Al、Pt等の配線、電線
などの電子部品にも同様に適用できる。
種電子部品の形成にも、本発明が有効である。例
えば、BaTiO3、PbTiO3等のコンデンサー、圧
電素子、LiTaO3、LiNbO3等の弾性表面波部品、
ZnO等のバリスター、SnO2等のガスセンサー、
ZnCr2O4等の湿度センサー、V2O5、MgAl2O4等の
サーミスターおよびCu、Al、Pt等の配線、電線
などの電子部品にも同様に適用できる。
[発明の効果]
以上のようにして形成された抵抗体等の電子部
品は、熱履歴によつて抵抗値等の電気特性を変化
させることなく、安定した電子部品として実用価
値を向上し、回路部品としての応用範囲が拡がり
実用に好適する。
品は、熱履歴によつて抵抗値等の電気特性を変化
させることなく、安定した電子部品として実用価
値を向上し、回路部品としての応用範囲が拡がり
実用に好適する。
第1図は、減圧下での溶射施工の概略図であ
る。第2図は、比較例(a)と本発明の一実施例(b)に
係る抵抗体の断面の組織図である。第3図は、実
施例並びに比較例抵抗体に繰返し熱履歴を施した
時の抵抗変化率を示す線図である。 1:真空容器、2a:溶射ガン、2b:粉末供
給管、2c:作動サス管、2d:電源ホース、
3:プラズマ炎、4:基板、5:基板固定治具、
6:真空ポンプ。
る。第2図は、比較例(a)と本発明の一実施例(b)に
係る抵抗体の断面の組織図である。第3図は、実
施例並びに比較例抵抗体に繰返し熱履歴を施した
時の抵抗変化率を示す線図である。 1:真空容器、2a:溶射ガン、2b:粉末供
給管、2c:作動サス管、2d:電源ホース、
3:プラズマ炎、4:基板、5:基板固定治具、
6:真空ポンプ。
Claims (1)
- 1 電子部品材料を絶縁基板上に30Torr〜
200Torrの不活性雰囲気下で溶射形成させること
を特徴とする電子部分の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22676182A JPS59119701A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | 電子部品の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22676182A JPS59119701A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | 電子部品の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59119701A JPS59119701A (ja) | 1984-07-11 |
| JPH047082B2 true JPH047082B2 (ja) | 1992-02-07 |
Family
ID=16850196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22676182A Granted JPS59119701A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | 電子部品の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59119701A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6075081A (en) | 1997-04-23 | 2000-06-13 | Ansell Healthcare Products Inc. | Manufacture of rubber articles |
| US7709766B2 (en) | 2002-08-05 | 2010-05-04 | Research Foundation Of The State University Of New York | System and method for manufacturing embedded conformal electronics |
-
1982
- 1982-12-27 JP JP22676182A patent/JPS59119701A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59119701A (ja) | 1984-07-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0017359A1 (en) | Ceramic type sensor device | |
| GB2068173A (en) | Process for making a sensor for detecting fluid flow velocity or flow amount | |
| US4276535A (en) | Thermistor | |
| US4541898A (en) | Method for heating | |
| US6316752B1 (en) | Heating element with screen-printed Au-Pd resinate layer and Ag-Pd contact areas with solder resistant dams | |
| JPH06290989A (ja) | チップ状回路部品 | |
| JPH047082B2 (ja) | ||
| JP2555536B2 (ja) | 白金温度センサの製造方法 | |
| JPH02120624A (ja) | 検知素子の製造法 | |
| Jiao et al. | Stability of RuO2 thin film resistors | |
| US4251792A (en) | Thermistor bonded to thermally conductive plate | |
| JP2741762B2 (ja) | 感温抵抗器およびその製造方法 | |
| JP2634753B2 (ja) | 歪センサ | |
| JP2000299514A (ja) | 電子部品及びその製造方法 | |
| JP2526431B2 (ja) | 抵抗体およびその製造方法 | |
| JPH02100221A (ja) | 温度ヒューズおよびその形成方法 | |
| US5794327A (en) | Method for making copper electrical connections | |
| JPS58173882A (ja) | 回路用基体および印刷回路体 | |
| JP3095646B2 (ja) | 接合構造体 | |
| JPH11121207A (ja) | 温度センサ | |
| JPS60176215A (ja) | 積層セラミツクコンデンサ−の端子電極形成方法 | |
| JPH0521205A (ja) | 角板形チツプ固定抵抗器 | |
| JP2847894B2 (ja) | 抵抗体膜形成方法 | |
| JPH10142074A (ja) | 抵抗型温度センサ | |
| JPH031812B2 (ja) |