JPH0471875B2 - - Google Patents
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- JPH0471875B2 JPH0471875B2 JP62109517A JP10951787A JPH0471875B2 JP H0471875 B2 JPH0471875 B2 JP H0471875B2 JP 62109517 A JP62109517 A JP 62109517A JP 10951787 A JP10951787 A JP 10951787A JP H0471875 B2 JPH0471875 B2 JP H0471875B2
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- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 27
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 9
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- FQVNUZAZHHOJOH-UHFFFAOYSA-N copper lanthanum Chemical compound [Cu].[La] FQVNUZAZHHOJOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 claims description 4
- NZPIUJUFIFZSPW-UHFFFAOYSA-H lanthanum carbonate Chemical compound [La+3].[La+3].[O-]C([O-])=O.[O-]C([O-])=O.[O-]C([O-])=O NZPIUJUFIFZSPW-UHFFFAOYSA-H 0.000 claims description 3
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 claims description 2
- 229910017569 La2(CO3)3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229960001633 lanthanum carbonate Drugs 0.000 claims description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 2
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 17
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 9
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 7
- 238000007716 flux method Methods 0.000 description 6
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010949 copper Chemical group 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Chemical group 0.000 description 1
- 238000004455 differential thermal analysis Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/22—Complex oxides
- C30B29/225—Complex oxides based on rare earth copper oxides, e.g. high T-superconductors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B9/00—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/80—Constructional details
- H10N60/85—Superconducting active materials
- H10N60/855—Ceramic superconductors
- H10N60/857—Ceramic superconductors comprising copper oxide
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明はフラツクス法による銅製ランタン
（La2CuO4）単結晶の製造方法に関するものであ
る。
（La2CuO4）単結晶の製造方法に関するものであ
る。
［従来の技術］
La2CuO4は層状ペロブスカイト構造をもつ酸化
物で、La原子の位置をBaあるいはSr原子で少量
置き換えることにより低温で超伝導を示し、その
転移温度は30〜40kにもなり、極低温素子として
これからの応用が考えられる。そのため大型良質
の単結晶が望まれ、その製造方法の開発が望まれ
ている。
物で、La原子の位置をBaあるいはSr原子で少量
置き換えることにより低温で超伝導を示し、その
転移温度は30〜40kにもなり、極低温素子として
これからの応用が考えられる。そのため大型良質
の単結晶が望まれ、その製造方法の開発が望まれ
ている。
従来育成されている５×５×１mm程度の大きさ
の結晶の写真は公表されているが、製造方法の詳
細は全く公表されていない。
の結晶の写真は公表されているが、製造方法の詳
細は全く公表されていない。
［発明が解決しようとする問題点］
フラツクス法における結晶育成には目的の単結
晶を析出させる融剤とその組成範囲および結晶育
成温度範囲が明らかにされなければならず、その
ためには相平衡図が必要になる。
晶を析出させる融剤とその組成範囲および結晶育
成温度範囲が明らかにされなければならず、その
ためには相平衡図が必要になる。
［問題点を解決するための手段］
上記の問題点を解決するために、本発明は、
La2O3−CuO系の相平衡図を作成し、それを指針
にしてLa2CuO4単結晶を育成するものである。本
発明は酸化ランタンおよび炭酸ランタンのうちの
少なくとも一種を28.9〜7.1モル％、酸化銅を71.1
〜92.9モル％に混合して1040〜1330℃に加熱融解
したのち、その融液を徐冷させることにより一般
式La2CuO4で表わされる微結晶を析出させ、微結
晶を融液中で結晶育成させることを特徴とする。
La2O3−CuO系の相平衡図を作成し、それを指針
にしてLa2CuO4単結晶を育成するものである。本
発明は酸化ランタンおよび炭酸ランタンのうちの
少なくとも一種を28.9〜7.1モル％、酸化銅を71.1
〜92.9モル％に混合して1040〜1330℃に加熱融解
したのち、その融液を徐冷させることにより一般
式La2CuO4で表わされる微結晶を析出させ、微結
晶を融液中で結晶育成させることを特徴とする。
［作用］
示差熱分析と急冷加熱法を行い、その試料をＸ
線回折した結果から、第１図に示すLa2O3−CuO
系の相平衡図を作成した。図中、黒点で示すもの
が測定結果である。
線回折した結果から、第１図に示すLa2O3−CuO
系の相平衡図を作成した。図中、黒点で示すもの
が測定結果である。
第１図からLa2CuO4単結晶は液相線ABの組成
比、即ちLa2O3が28.9〜7.1モル％、CuOが71.1〜
92.9モル％の範囲の組成の融液から、約1330〜
1040℃の温度領域で析出すると考えられる。即ち
上述した組成の融液を徐冷すると、融液の組成は
液相線ABに沿つてCuO側へずれ、La2CuO4が固
相となつて析出し、冷却とともに成長する。
比、即ちLa2O3が28.9〜7.1モル％、CuOが71.1〜
92.9モル％の範囲の組成の融液から、約1330〜
1040℃の温度領域で析出すると考えられる。即ち
上述した組成の融液を徐冷すると、融液の組成は
液相線ABに沿つてCuO側へずれ、La2CuO4が固
相となつて析出し、冷却とともに成長する。
融液の組成が共晶点ＢよりCuO側であれば、冷
却時にまずCuOが析出し、融液の組成がＡ点より
La2O3側であれば、冷却時にまずLa2O3側の結晶
が析出し、いずれもLa2CuO4は析出成長すること
ができない。
却時にまずCuOが析出し、融液の組成がＡ点より
La2O3側であれば、冷却時にまずLa2O3側の結晶
が析出し、いずれもLa2CuO4は析出成長すること
ができない。
なお、La2CuO4単結晶のLa原子、Cu原子の位
置に何らかの異種元素が少量混入しても、その相
平衡図が定性的に第１図のLa2O3−CuO系の相平
衡図と本質的に変らない場合には、溶液中に少量
の異種元素を混入することにより、上記と全く同
じ方法によつて異種元素を混入したLa2CuO4固溶
体単結晶を製造することも可能である。例えば、
Sr，Ba等の異種元素が少量混入したLa2CuO4固
溶体単結晶を製造することができる。
置に何らかの異種元素が少量混入しても、その相
平衡図が定性的に第１図のLa2O3−CuO系の相平
衡図と本質的に変らない場合には、溶液中に少量
の異種元素を混入することにより、上記と全く同
じ方法によつて異種元素を混入したLa2CuO4固溶
体単結晶を製造することも可能である。例えば、
Sr，Ba等の異種元素が少量混入したLa2CuO4固
溶体単結晶を製造することができる。
［実施例］
次にこの発明の実施例を説明する。
実施例 １
La2CuO4単結晶をフラツクス法によつて製造し
た。
た。
La2O3とCuOをモル比にして20：80に混合し、
その混合物100ｇを直径50mm高さ40mmの白金るつ
ぼに入れ、アルミナの蓋をし、そらをさらにアル
ミナの蓋付るつぼに入れ、さらに蓋付の耐火箱に
入れ、酸化銅の蒸発を防ぐため３重に密封した。
それをマツフル炉に入れ約1350℃に加熱し２時間
おいたのちに約８℃／ｈで1050℃まで降温し、後
は200℃／ｈで室温まで降温した。この結果、固
化したフラツクス中から８×８×２mmの大きさの
La2CuO4単結晶が得られた。
その混合物100ｇを直径50mm高さ40mmの白金るつ
ぼに入れ、アルミナの蓋をし、そらをさらにアル
ミナの蓋付るつぼに入れ、さらに蓋付の耐火箱に
入れ、酸化銅の蒸発を防ぐため３重に密封した。
それをマツフル炉に入れ約1350℃に加熱し２時間
おいたのちに約８℃／ｈで1050℃まで降温し、後
は200℃／ｈで室温まで降温した。この結果、固
化したフラツクス中から８×８×２mmの大きさの
La2CuO4単結晶が得られた。
実施例 ２
（La0.9Ba0.1）2CuO4なる組成についてフラツクス
法によつて固溶体単結晶を製造した。
法によつて固溶体単結晶を製造した。
90モル％La2O3＋10モル％2BaCO3なる組成の
混合物とCuOをモル比にして20：80に混合し、実
施例１と同様の操作により同様の経過を経て８×
８×１mmの（La0.9Ba0.1）2CuO4固溶体単結晶を得
た。
混合物とCuOをモル比にして20：80に混合し、実
施例１と同様の操作により同様の経過を経て８×
８×１mmの（La0.9Ba0.1）2CuO4固溶体単結晶を得
た。
実施例 ３
（La0.9Sr0.1）2CuO4なる組成についてフラツク
ス法によつて固溶体単結晶を製造した。
ス法によつて固溶体単結晶を製造した。
90モル％La2O3＋10モル％2SrCO3なる組成の
混合物とCuOをモル比にして20：80に混合し、実
施例１と同様の操作により同様の経過を経て２×
４×0.5mmの（La0.9Sr0.1）2CuO4固溶体単結晶を得
た。
混合物とCuOをモル比にして20：80に混合し、実
施例１と同様の操作により同様の経過を経て２×
４×0.5mmの（La0.9Sr0.1）2CuO4固溶体単結晶を得
た。
なお、実施例２および３ではLa原子位置を少
量の異種元素（BaまたはSr）で置き換えたが、
これは相平衡図が定性的に第１図のLa2O3−CuO
系の相平衡図と本質的に変らない場合には溶液に
少量の異種元素を混入することにより、異種元素
の混入したLa2CuO4固溶体単結晶を製造すること
が可能であることを示している。これと同様に
Cuの位置に少量の異種元素を混入しても、定性
的に上記の相平衡図が本質的に変らない場合には
同様に異種元素を混入したLa2CuO4固溶体単結晶
を得ることができる。
量の異種元素（BaまたはSr）で置き換えたが、
これは相平衡図が定性的に第１図のLa2O3−CuO
系の相平衡図と本質的に変らない場合には溶液に
少量の異種元素を混入することにより、異種元素
の混入したLa2CuO4固溶体単結晶を製造すること
が可能であることを示している。これと同様に
Cuの位置に少量の異種元素を混入しても、定性
的に上記の相平衡図が本質的に変らない場合には
同様に異種元素を混入したLa2CuO4固溶体単結晶
を得ることができる。
La2CuO4単結晶の作製に際し、酸化ランタン
（La2O3）でなく、炭酸ランタン（La2（CO3）3）
を出発物質として用いることもできる。La2
（CO3）3は加熱中に La2（CO3）3→La2O3＋3CO2↑ なる反応を起し、La2O3に変化する。従つて出発
物資としてLa2（CO3）3とCuOを用いても、結果と
して第１図と全く同様の相平衡図が得られ、前述
した各実施例と同様の操作によつてLa2CuO4単結
晶およびLaの一部をBaまたはSrで置換した単結
晶を得ることができた。
（La2O3）でなく、炭酸ランタン（La2（CO3）3）
を出発物質として用いることもできる。La2
（CO3）3は加熱中に La2（CO3）3→La2O3＋3CO2↑ なる反応を起し、La2O3に変化する。従つて出発
物資としてLa2（CO3）3とCuOを用いても、結果と
して第１図と全く同様の相平衡図が得られ、前述
した各実施例と同様の操作によつてLa2CuO4単結
晶およびLaの一部をBaまたはSrで置換した単結
晶を得ることができた。
［発明の効果］
以上説明した様に、この発明によればLa2CuO4
単結晶をフラツクス法によつて製造することがで
きる。また、BaおよびSrを少量混合した単結晶
を作製することができる。このように本発明によ
つて30〜40kで超伝導を示す酸化物超伝導単結晶
も製造することが可能となつた。
単結晶をフラツクス法によつて製造することがで
きる。また、BaおよびSrを少量混合した単結晶
を作製することができる。このように本発明によ
つて30〜40kで超伝導を示す酸化物超伝導単結晶
も製造することが可能となつた。
第１図は本願発明者の作成したLa2O3−CuO系
の相平衡図である。
の相平衡図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 酸化ランタンおよび炭酸ランタンのうちの少
なくとも一種を28.9〜7.1モル％、酸化銅を71.1〜
92.9モル％に混合して1040〜1330℃に加熱融解し
たのち、その融液を徐冷させることにより一般式
La2CuO4で表わされる微結晶を析出させ、該微結
晶を融液中で結晶育成させることを特徴とする銅
製ランタン単結晶の製造方法。 ２ 前記銅製ランタンが少量の異種元素を含むこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の銅製
ランタン単結晶の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62109517A JPS63274695A (ja) | 1987-05-01 | 1987-05-01 | 銅酸ランタン単結晶の製造方法 |
| US07/168,021 US4956334A (en) | 1987-05-01 | 1988-03-14 | Method for preparing a single crystal of lanthanum cuprate |
| DE8888104090T DE3872922T2 (de) | 1987-05-01 | 1988-03-15 | Verfahren zur herstellung von lanthankuprat-einkristall. |
| EP88104090A EP0288709B1 (en) | 1987-05-01 | 1988-03-15 | method for preparing a single crystal of lanthanum cuprate |
| US07/521,624 US5057492A (en) | 1987-05-01 | 1990-05-10 | Method for preparing a single crystal of lanthanum cuprate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62109517A JPS63274695A (ja) | 1987-05-01 | 1987-05-01 | 銅酸ランタン単結晶の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63274695A JPS63274695A (ja) | 1988-11-11 |
| JPH0471875B2 true JPH0471875B2 (ja) | 1992-11-16 |
Family
ID=14512269
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62109517A Granted JPS63274695A (ja) | 1987-05-01 | 1987-05-01 | 銅酸ランタン単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63274695A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5157017A (en) * | 1987-06-12 | 1992-10-20 | At&T Bell Laboratories | Method of fabricating a superconductive body |
| CN114620757B (zh) * | 2022-04-14 | 2023-04-07 | 福州大学 | 一种钙钛矿型铜酸镧纳米片的绿色合成方法 |
-
1987
- 1987-05-01 JP JP62109517A patent/JPS63274695A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63274695A (ja) | 1988-11-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |