JPH0472071A - 無電解錫及び錫・鉛合金めっき浴並びにめっき方法 - Google Patents
無電解錫及び錫・鉛合金めっき浴並びにめっき方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電子部品における銅回路を形成するためのエ
ツチングレジスト、半田付けを行う場合などに好適に用
いられる酸性の無電解錫、無電解錫・鉛合金めっき浴及
び無電解錫、無電解錫・鉛合金めっき方法に関する。
ツチングレジスト、半田付けを行う場合などに好適に用
いられる酸性の無電解錫、無電解錫・鉛合金めっき浴及
び無電解錫、無電解錫・鉛合金めっき方法に関する。
〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題〕従来よ
り、電子部品等に半田付は性などの点から無電解錫めっ
きを施すことが行われているが、この場合電子部品等の
めっき不要箇所をマスキングし、必要箇所のみをめっき
する部分めっきがなされることが多い。かかる部分めっ
きを行う場合、特に電子部品のめっきにおいてはマスキ
ング精度が強く要求され、これに対応して種々のマスキ
ング剤、マスキング方法が開発されているが、一般にマ
スキング剤はアルカリ性に弱く、アルカリ性のめっき浴
でめっきを行うとマスキング膵が剥離を起こすことがあ
り、また電子部品等の素材が多様化していることにより
、耐アルカリ性の悪い素材も増え、このためかかる部分
めっき用のめつき浴として酸性タイプのものが望まれて
いる。
り、電子部品等に半田付は性などの点から無電解錫めっ
きを施すことが行われているが、この場合電子部品等の
めっき不要箇所をマスキングし、必要箇所のみをめっき
する部分めっきがなされることが多い。かかる部分めっ
きを行う場合、特に電子部品のめっきにおいてはマスキ
ング精度が強く要求され、これに対応して種々のマスキ
ング剤、マスキング方法が開発されているが、一般にマ
スキング剤はアルカリ性に弱く、アルカリ性のめっき浴
でめっきを行うとマスキング膵が剥離を起こすことがあ
り、また電子部品等の素材が多様化していることにより
、耐アルカリ性の悪い素材も増え、このためかかる部分
めっき用のめつき浴として酸性タイプのものが望まれて
いる。
従来、酸性の無電解錫めっき浴としては、錫イオンと、
錫を溶解するための酸と、チオ尿素から構成されるが、
錫は両性金属であるという性質から、不均化反応等によ
り金属錫、水酸化錫等の不溶性化合物が経時的に形成さ
れ、沈殿を生成する問題があり、浴の安定性が悪いとい
う欠点を有している。また、従来の酸性無電解錫・銅合
金めっき浴は、同様の問題があり、更にこれら従来浴は
析出膜厚が薄いという問題もある。
錫を溶解するための酸と、チオ尿素から構成されるが、
錫は両性金属であるという性質から、不均化反応等によ
り金属錫、水酸化錫等の不溶性化合物が経時的に形成さ
れ、沈殿を生成する問題があり、浴の安定性が悪いとい
う欠点を有している。また、従来の酸性無電解錫・銅合
金めっき浴は、同様の問題があり、更にこれら従来浴は
析出膜厚が薄いという問題もある。
以上の点に鑑み、本出願人は先に、均一で微細な粒子の
錫板出物を与え、かつ良好な析出速度を有する酸性の無
電解錫めっき浴として、置換又は未置換のアルカンスル
ホン酸、ヒドロキシアルカンスルホン酸、ベンゼンスル
ホン酸及びナルタレンスルホン酸から選ばれる1種以上
の有機スルホン酸、これらスルホン酸の2価の錫塩、チ
オ尿素、水溶性ジルコニウム塩を含有してなることを特
徴とする無電解錫めっき浴を提案しく特願昭63−21
1847号)、また、経時による錫の不溶性化合物の生
成が可及的に防止され、かつ良好な析出速度を有する酸
性の無電解錫めっき浴として、2価の錫イオンと、有機
スルホン酸、有機カルボン酸及びホウフッ酸から選ばれ
る1種以上の酸と、チオ尿素と、過塩素酸及び過塩素酸
化合物から選ばれる1種以上の化合物とを含有してなる
ことを特徴とする無電解錫めっき浴を提案し (特願平
1−37538号)。
錫板出物を与え、かつ良好な析出速度を有する酸性の無
電解錫めっき浴として、置換又は未置換のアルカンスル
ホン酸、ヒドロキシアルカンスルホン酸、ベンゼンスル
ホン酸及びナルタレンスルホン酸から選ばれる1種以上
の有機スルホン酸、これらスルホン酸の2価の錫塩、チ
オ尿素、水溶性ジルコニウム塩を含有してなることを特
徴とする無電解錫めっき浴を提案しく特願昭63−21
1847号)、また、経時による錫の不溶性化合物の生
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性の無電解錫めっき浴として、2価の錫イオンと、有機
スルホン酸、有機カルボン酸及びホウフッ酸から選ばれ
る1種以上の酸と、チオ尿素と、過塩素酸及び過塩素酸
化合物から選ばれる1種以上の化合物とを含有してなる
ことを特徴とする無電解錫めっき浴を提案し (特願平
1−37538号)。
しかし、これらの錫めっき浴では厚付けが困難で、めっ
き最大膜厚が約3μm程度であった。また、錫・鉛合金
めっき浴も同様な事情にあった。
き最大膜厚が約3μm程度であった。また、錫・鉛合金
めっき浴も同様な事情にあった。
ところが、半田付は性の信頼性を高めるには、めっき膜
厚が6μm以上であることが要求され、このため厚付け
の容易な無電解錫めっき浴、錫・鉛合金めっき浴が望ま
れた。
厚が6μm以上であることが要求され、このため厚付け
の容易な無電解錫めっき浴、錫・鉛合金めっき浴が望ま
れた。
〔課題を解決するための手段及び作用〕本発明者らは、
上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、2価の
錫イオン又は2価の錫イオンと鉛イオンをリン酸又は縮
合リン酸に溶解し、チオ尿素を添加すると共に、還元剤
として次亜リン酸又は次亜リン酸塩を使用することによ
り、析出速度が高く、しかも厚付けが容易であり、かつ
得られるめっき皮膜も良好であることを知見し、本発明
をなすに至ったものである。
上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、2価の
錫イオン又は2価の錫イオンと鉛イオンをリン酸又は縮
合リン酸に溶解し、チオ尿素を添加すると共に、還元剤
として次亜リン酸又は次亜リン酸塩を使用することによ
り、析出速度が高く、しかも厚付けが容易であり、かつ
得られるめっき皮膜も良好であることを知見し、本発明
をなすに至ったものである。
従って、本発明は、2価の錫イオン又はこれに加えて釦
イオンと、チオ尿素と、リン酸又は縮合リン酸と、次亜
リン酸又は次亜リン酸塩とを含有してなる酸性の無電解
錫及び錫・鉛合金めっき浴、並びにこれらの浴を用いて
被めっき物をめっきする無電解錫及び錫・鉛合金めっき
方法を提供する。
イオンと、チオ尿素と、リン酸又は縮合リン酸と、次亜
リン酸又は次亜リン酸塩とを含有してなる酸性の無電解
錫及び錫・鉛合金めっき浴、並びにこれらの浴を用いて
被めっき物をめっきする無電解錫及び錫・鉛合金めっき
方法を提供する。
以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明の錫及び錫・鉛合金めっき浴において、2価の錫
イオンを提供する錫源としては種々選択し得、例えば酸
化錫、塩化錫、硫酸錫、更に有機スルホン酸錫、有機カ
ルボン酸錫、ホウフッ化錫等を挙げることができる。な
お、浴中の2価の錫イオン量は10〜50g/R1特に
10−40g/Qとすることが好ましい。
イオンを提供する錫源としては種々選択し得、例えば酸
化錫、塩化錫、硫酸錫、更に有機スルホン酸錫、有機カ
ルボン酸錫、ホウフッ化錫等を挙げることができる。な
お、浴中の2価の錫イオン量は10〜50g/R1特に
10−40g/Qとすることが好ましい。
また、釦イオンとしては、塩化鉛、硫酸鉛、スルホン酸
鉛、ホウフッ化鉛、酸化鉛を用いることができる。これ
らの鉛イオンの量は合金量等に応じて選定し得るが、通
常1〜20 g / Q、特に3〜9g/Ωとすること
ができる。
鉛、ホウフッ化鉛、酸化鉛を用いることができる。これ
らの鉛イオンの量は合金量等に応じて選定し得るが、通
常1〜20 g / Q、特に3〜9g/Ωとすること
ができる。
更に、本発明浴にはチオ尿素が添加され、チオ尿素の添
加により、錫、錫・鉛合金の析出が可能になる。
加により、錫、錫・鉛合金の析出が可能になる。
なお、チオ尿素の使用量はめっき浴IQ当り3o〜13
og、特ニ50−110 gとすることが好ましい。
og、特ニ50−110 gとすることが好ましい。
また、本発明のめっき浴はリン酸又は縮合リン酸を用い
るもので、リン酸、縮合リン酸の使用により、錫、チオ
尿素を安定に溶解することができる。
るもので、リン酸、縮合リン酸の使用により、錫、チオ
尿素を安定に溶解することができる。
ここで、縮合リン酸としてはピロリン酸、ポリリン酸等
が使用し得、これらリン酸、縮合リン酸はその1種を単
独で又は2種以上を組み合わせて用いることができるが
、その使用量は5〜600g / Q、特に50〜3o
og/Qであることが好ましい。また、金属イオンとの
割合は1:1o〜]:30、特に1:コ−5〜1:30
が好ましい。
が使用し得、これらリン酸、縮合リン酸はその1種を単
独で又は2種以上を組み合わせて用いることができるが
、その使用量は5〜600g / Q、特に50〜3o
og/Qであることが好ましい。また、金属イオンとの
割合は1:1o〜]:30、特に1:コ−5〜1:30
が好ましい。
なお、上記リン酸、縮合リン酸に加え、本発明では更に
酸として有機スルホン酸、有機カルボン酸、過塩素酸、
ホウフッ酸の1種又は2種以上を併用することができ、
これら酸の使用により素材との密着性を向上させること
ができる。
酸として有機スルホン酸、有機カルボン酸、過塩素酸、
ホウフッ酸の1種又は2種以上を併用することができ、
これら酸の使用により素材との密着性を向上させること
ができる。
この場合、有機スルホン酸としては、アルカンスルホン
酸、ヒドロキシアルカンスルホン酸、ベンゼンスルホン
酸、ナフタレンスルホン酸やこれらの水素原子の一部が
水酸基、ハロゲン原子、アルキル基、カルボキシル基、
ニトロ基、メルカプト基、アミノ基、スルホン酸基など
で置換されたものが使用できる。具体的には、本発明で
好適に使用し得る有機スルホン酸として、メタンスルホ
ン酸、エタンスルホン酸、プロパンスルホン酸、2−プ
ロパンスルホン酸、ブタンスルホン酸、2−ブタンスル
ホン酸、ペンタンスルホン酸、クロルプロパンスルホン
酸、2−ヒドロキシエタン−1−スルホン酸、2−ヒド
ロキシプロパン−1−スルホン酸、2−ヒドロキシブタ
ン−1−スルホン酸、2−ヒドロキシペンタンスルホン
酸、アリルスルホン酸、2−スルホ酢酸、2−又は3−
スルホプロピオン酸、スルホコハク酸、スルホマレイン
酸、スルホフマル酸、ベンゼンスルホン酸、トルエンス
ルホン酸、キシレンスルホン酸、ニトロベンゼンスルホ
ン酸、スルホ安息香酸、スルホサリチル酸、ベンズアル
デヒドスルホン酸、p −フェノールスルホン酸などを
挙げることができる。
酸、ヒドロキシアルカンスルホン酸、ベンゼンスルホン
酸、ナフタレンスルホン酸やこれらの水素原子の一部が
水酸基、ハロゲン原子、アルキル基、カルボキシル基、
ニトロ基、メルカプト基、アミノ基、スルホン酸基など
で置換されたものが使用できる。具体的には、本発明で
好適に使用し得る有機スルホン酸として、メタンスルホ
ン酸、エタンスルホン酸、プロパンスルホン酸、2−プ
ロパンスルホン酸、ブタンスルホン酸、2−ブタンスル
ホン酸、ペンタンスルホン酸、クロルプロパンスルホン
酸、2−ヒドロキシエタン−1−スルホン酸、2−ヒド
ロキシプロパン−1−スルホン酸、2−ヒドロキシブタ
ン−1−スルホン酸、2−ヒドロキシペンタンスルホン
酸、アリルスルホン酸、2−スルホ酢酸、2−又は3−
スルホプロピオン酸、スルホコハク酸、スルホマレイン
酸、スルホフマル酸、ベンゼンスルホン酸、トルエンス
ルホン酸、キシレンスルホン酸、ニトロベンゼンスルホ
ン酸、スルホ安息香酸、スルホサリチル酸、ベンズアル
デヒドスルホン酸、p −フェノールスルホン酸などを
挙げることができる。
また有機カルボン酸としては、酒石酸、リンゴ酸、クエ
ン酸、コハク酸、グルコン酸などが使用される。
ン酸、コハク酸、グルコン酸などが使用される。
これら酸の使用量は、特に制限されないが、20〜30
0g/Q、特に50〜150g/Qとすることが好まし
く、また酸と2価の錫イオンとの割合は1〜10:1、
特に3〜7:1とすることが好適である。
0g/Q、特に50〜150g/Qとすることが好まし
く、また酸と2価の錫イオンとの割合は1〜10:1、
特に3〜7:1とすることが好適である。
本発明浴は、上記成分に加え、次亜リン酸又は次亜リン
酸ナトリウム、次亜リン酸カリウム等の次亜リン酸塩を
好ましくは10〜150 g / 12、より好ましく
は30〜70 g / Q添加する。これによりめっき
浴の酸化による劣化を防止する。
酸ナトリウム、次亜リン酸カリウム等の次亜リン酸塩を
好ましくは10〜150 g / 12、より好ましく
は30〜70 g / Q添加する。これによりめっき
浴の酸化による劣化を防止する。
なお、本発明のめっき浴は酸性であり、特にpH1,5
以下であることが好ましい。
以下であることが好ましい。
上述しためっき浴を用いて無電解錫又は錫・鉛合金めっ
きを行う場合、その温度は40〜75℃、特に65・−
70’Cが好ましい。この場合、被めっき物は適宜選定
され、例えば銅、銅合金などの無電解めっきに好適に用
いられる。なお、めっきに際し、必要により撹拌を行う
こともできる。
きを行う場合、その温度は40〜75℃、特に65・−
70’Cが好ましい。この場合、被めっき物は適宜選定
され、例えば銅、銅合金などの無電解めっきに好適に用
いられる。なお、めっきに際し、必要により撹拌を行う
こともできる。
次に、実施例及び比較例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない
。
るが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない
。
〔実施例1〕
下記組成の無電解錫・鉛合金めっき浴を調製した。
ホウフッ化錫(Sn2+とじて) 20g/氾
ホウフッ化鉛(p b”+とじて) 50 g
/ Qチオ尿素 80
g / Qピロリン酸 200
g / Q次亜リン酸ナトリウム 50
g / QpH0,8 〔比較例1〕 下記組成の無電解錫・鉛合金めっき浴を調製した。
ホウフッ化鉛(p b”+とじて) 50 g
/ Qチオ尿素 80
g / Qピロリン酸 200
g / Q次亜リン酸ナトリウム 50
g / QpH0,8 〔比較例1〕 下記組成の無電解錫・鉛合金めっき浴を調製した。
ホウフッ化錫 20 g / (
lホウフッ化釦 8g/Qホウ
フッ酸 200g/Q次亜リン酸
ナトリウム 50g/Qチオ尿素
80 g / QPH0,1 次に、上記めっき浴を用いて銅板上に温度70℃でめっ
きを施し、めっき時間と析出膜厚との関係を調へた。結
果を第1図に示す。
lホウフッ化釦 8g/Qホウ
フッ酸 200g/Q次亜リン酸
ナトリウム 50g/Qチオ尿素
80 g / QPH0,1 次に、上記めっき浴を用いて銅板上に温度70℃でめっ
きを施し、めっき時間と析出膜厚との関係を調へた。結
果を第1図に示す。
〔実施例2〕
下記組成の無電解錫めっき浴を調製した。
ホウフッ化8 20 g / D
。
。
チオ尿素 80 g / Q
ピロリン酸 200 g /
Q次亜リン酸ナトリウム 50 g /
Qp)(o、2 〔比較例2〕 下記組成の無電解錫めつき浴を調製した。
ピロリン酸 200 g /
Q次亜リン酸ナトリウム 50 g /
Qp)(o、2 〔比較例2〕 下記組成の無電解錫めつき浴を調製した。
ホウフッ化錫 20 g / Q
ホウワラ酸 200 g /
Q次亜リン酸ナトリウム 50 g /
nP)(o、1 次に、上記めっき浴を用いて実施例1と同様にめっきを
行い、めっき時間と析出速度との関係を調べた。結果を
第2図に示す。
ホウワラ酸 200 g /
Q次亜リン酸ナトリウム 50 g /
nP)(o、1 次に、上記めっき浴を用いて実施例1と同様にめっきを
行い、めっき時間と析出速度との関係を調べた。結果を
第2図に示す。
本発明の酸性無電解錫、錫・鉛合金めっき争は析出速度
が大きく、また厚付けが容易であり、本発明浴を用いた
無電解錫、錫・鉛合金めっき方法は効率のよいめっきが
可能なものである。
が大きく、また厚付けが容易であり、本発明浴を用いた
無電解錫、錫・鉛合金めっき方法は効率のよいめっきが
可能なものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1.2価の錫イオンと、チオ尿素と、リン酸又は縮合リ
ン酸と、次亜リン酸又は次亜リン酸塩とを含有してなる
ことを特徴とする酸性の無電解錫めっき浴。 2.2価の錫イオンと、鉛イオンと、チオ尿素と、リン
酸又は縮合リン酸と、次亜リン酸又は次亜リン酸塩とを
含有してなることを特徴とする酸性の無電解錫・鉛合金
めっき浴。3.請求項1に記載の無電解錫めっき浴に被
めっき物を浸漬して、該被めっき物上に錫めっき膜を形
成する無電解錫・鉛めっき方法。 4.請求項2に記載の無電解錫合金めっき浴に被めっき
物を浸漬して、該被めっき物上に錫・鉛合金めっき膜を
形成する無電解錫・鉛合金めっき方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2184488A JP2654715B2 (ja) | 1990-07-12 | 1990-07-12 | 無電解錫及び錫・鉛合金めっき浴並びにめっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2184488A JP2654715B2 (ja) | 1990-07-12 | 1990-07-12 | 無電解錫及び錫・鉛合金めっき浴並びにめっき方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0472071A true JPH0472071A (ja) | 1992-03-06 |
| JP2654715B2 JP2654715B2 (ja) | 1997-09-17 |
Family
ID=16154054
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2184488A Expired - Lifetime JP2654715B2 (ja) | 1990-07-12 | 1990-07-12 | 無電解錫及び錫・鉛合金めっき浴並びにめっき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2654715B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004277814A (ja) * | 2003-03-14 | 2004-10-07 | Ishihara Chem Co Ltd | 無電解スズメッキ浴の分割保存方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4660814B2 (ja) * | 2004-12-22 | 2011-03-30 | 石原薬品株式会社 | 無電解スズメッキ浴 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51134334A (en) * | 1975-05-06 | 1976-11-20 | Amp Inc | Hot dip coating method for tinnlead alloy |
| JPS54141341A (en) * | 1978-04-26 | 1979-11-02 | Shinko Electric Ind Co | Nonelectrolytic tin plating solution |
| JPS6167770A (ja) * | 1984-09-07 | 1986-04-07 | Kizai Kk | マグネシウムおよびマグネシウム合金のめつき法 |
| JPS621122A (ja) * | 1985-03-25 | 1987-01-07 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 垂直磁気記録媒体製造用のメツキ浴 |
| JPH01180986A (ja) * | 1988-01-12 | 1989-07-18 | Japan Steel Works Ltd:The | 無電解銅メッキ方法 |
-
1990
- 1990-07-12 JP JP2184488A patent/JP2654715B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51134334A (en) * | 1975-05-06 | 1976-11-20 | Amp Inc | Hot dip coating method for tinnlead alloy |
| JPS54141341A (en) * | 1978-04-26 | 1979-11-02 | Shinko Electric Ind Co | Nonelectrolytic tin plating solution |
| JPS6167770A (ja) * | 1984-09-07 | 1986-04-07 | Kizai Kk | マグネシウムおよびマグネシウム合金のめつき法 |
| JPS621122A (ja) * | 1985-03-25 | 1987-01-07 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 垂直磁気記録媒体製造用のメツキ浴 |
| JPH01180986A (ja) * | 1988-01-12 | 1989-07-18 | Japan Steel Works Ltd:The | 無電解銅メッキ方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004277814A (ja) * | 2003-03-14 | 2004-10-07 | Ishihara Chem Co Ltd | 無電解スズメッキ浴の分割保存方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2654715B2 (ja) | 1997-09-17 |
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