JPS621122A - 垂直磁気記録媒体製造用のメツキ浴 - Google Patents
垂直磁気記録媒体製造用のメツキ浴Info
- Publication number
- JPS621122A JPS621122A JP6525786A JP6525786A JPS621122A JP S621122 A JPS621122 A JP S621122A JP 6525786 A JP6525786 A JP 6525786A JP 6525786 A JP6525786 A JP 6525786A JP S621122 A JPS621122 A JP S621122A
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- JP
- Japan
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- ion
- rhenium
- plating bath
- cobalt
- agent
- Prior art date
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- Pending
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- Chemically Coating (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気ディスク、あるいは磁気テープ等の磁気
記録媒体の製造用のメッキ浴に関する。
記録媒体の製造用のメッキ浴に関する。
特に垂直方向に一軸異方性を有する垂直磁気記録膜を生
成せしめる無電解メッキ浴で、ＣＯにＲｅ、Ｐを共析さ
せることによってＣｏ結晶を垂直配向させることができ
る。
成せしめる無電解メッキ浴で、ＣＯにＲｅ、Ｐを共析さ
せることによってＣｏ結晶を垂直配向させることができ
る。
近年、磁気ディスク、あるいは磁気テープ等の磁気記録
媒体において、媒体面に対して垂直方向に磁気記録する
垂直磁気記録方式が高密度記録方式として優れた方式で
あるとして提案されている。
媒体において、媒体面に対して垂直方向に磁気記録する
垂直磁気記録方式が高密度記録方式として優れた方式で
あるとして提案されている。
これは、垂直磁化方式において、反磁場による減磁作用
が非常に小さいことによる。
が非常に小さいことによる。
そして、該垂直磁化方式の記録媒体を作製する方式とし
てスパッタ法や無電解メッキ法が提案されているが、生
産性の点から無電解メッキ法が有利とされている。
てスパッタ法や無電解メッキ法が提案されているが、生
産性の点から無電解メッキ法が有利とされている。
これに用いるメッキ浴として従来は、コバルトイオン、
およびこれの還元剤とＰＨｌｉ節剤、ＰＨ緩衝剤を含む
水溶液に、添加剤として、ニッケル、マンガン、タング
ステン、レニウム等を２つ以上か、金属イオンの錯化剤
として酒石酸基、マロン酸基、コハク酸基、グルコン酸
基等を２つ以上用いていた、無電解メッキ法により、一
様な磁性膜を得るためには、メッキ浴中の金属イオン濃
度、還元剤濃度、錯化剤濃度、ＰＨを常に一定に保つ必
要があるが従来の浴は多元素系であるためこれらの管理
に複雑な作業を必要とするという問題点があった。
およびこれの還元剤とＰＨｌｉ節剤、ＰＨ緩衝剤を含む
水溶液に、添加剤として、ニッケル、マンガン、タング
ステン、レニウム等を２つ以上か、金属イオンの錯化剤
として酒石酸基、マロン酸基、コハク酸基、グルコン酸
基等を２つ以上用いていた、無電解メッキ法により、一
様な磁性膜を得るためには、メッキ浴中の金属イオン濃
度、還元剤濃度、錯化剤濃度、ＰＨを常に一定に保つ必
要があるが従来の浴は多元素系であるためこれらの管理
に複雑な作業を必要とするという問題点があった。
本発明は、上記問題点を解消し、かつ垂直磁気異方性の
すぐれた膜を生成するメッキ浴を得ることを目的として
いる。
すぐれた膜を生成するメッキ浴を得ることを目的として
いる。
本発明は、従来のＣｏ−Ｎｉ−Ｍｎ−Ｒｏ−Ｐ共析膜等
の多元素系浴を題材として種々、実験、研究を進めたと
ころ、添加剤、および錯化剤の種類を適切に選択するこ
とにより、即ち、添加剤としてレニウムイオン、錯化剤
としてピロリン酸を用いると従来のように添加剤、およ
び錯化剤を複数使用することなく、従来と同等性能もし
くはそれ以上の垂直磁化膜を生成せしめることが判明し
た。
の多元素系浴を題材として種々、実験、研究を進めたと
ころ、添加剤、および錯化剤の種類を適切に選択するこ
とにより、即ち、添加剤としてレニウムイオン、錯化剤
としてピロリン酸を用いると従来のように添加剤、およ
び錯化剤を複数使用することなく、従来と同等性能もし
くはそれ以上の垂直磁化膜を生成せしめることが判明し
た。
本発明による無電解メッキ浴は、コバルトイオン、およ
びこれの還元剤とＰＨＩＩ衝剤、ＰＨｌｌｉ節剤を含む
水溶液に添加剤として、レニウムイオンを、また金属イ
オンであるコバルトイオン、レニウムイオンの錯化剤と
してピロリン酸基が加えられていることを特徴としてお
り、これにより単純系でありながら垂直磁気異方性のす
ぐれた膜を生成することができる。
びこれの還元剤とＰＨＩＩ衝剤、ＰＨｌｌｉ節剤を含む
水溶液に添加剤として、レニウムイオンを、また金属イ
オンであるコバルトイオン、レニウムイオンの錯化剤と
してピロリン酸基が加えられていることを特徴としてお
り、これにより単純系でありながら垂直磁気異方性のす
ぐれた膜を生成することができる。
本発明において金属イオンとして用いられるコバルトイ
オンは硫酸塩、塩化物、酢酸塩などの可溶性塩を無電解
メッキ浴中に溶解させることにより供給される。コバル
トイオンの濃度は０．０１〜２ ｍ ｏ １ ／ １の
範囲が用いられるが、０．０６〜０゜１２ｍｏｊ！／Ｊ
が適当である。
オンは硫酸塩、塩化物、酢酸塩などの可溶性塩を無電解
メッキ浴中に溶解させることにより供給される。コバル
トイオンの濃度は０．０１〜２ ｍ ｏ １ ／ １の
範囲が用いられるが、０．０６〜０゜１２ｍｏｊ！／Ｊ
が適当である。
レニウムイオンは、ｉンモニウム塩、ナトリウム塩など
の可溶性塩を無電解メッキ浴中に溶解させることにより
供給される。レニウムイオンの濃度は、０．００１〜０
．０２ｍｏ Ｉｔ／１２が用いられるが、０．００５〜
０．０ ｆｎｏ １／Ｉｔが適当である。金属イオンの
還元剤としては、一般に次亜リン酸ナトリウム又は、次
亜リン酸カリウム等次亜リン酸基が用いられる。ＰＨ緩
衝剤としては一般にアンモニウム塩が用いられる。ＰＨ
調節剤としては、ＰＨを上昇させるためには、一般にア
ンモニア水、またはアンモニア水と水酸化ナトリウム、
水酸化カリウム等の苛性アルカリが併用される。ＰＨの
降下には、一般に硫酸、塩酸、酢酸等の酸が用いられ、
これらＰＨ１ｌ１節剤によりメッキ浴のＰＨは常に７０
℃を基準として、９〜１１に調節される。
の可溶性塩を無電解メッキ浴中に溶解させることにより
供給される。レニウムイオンの濃度は、０．００１〜０
．０２ｍｏ Ｉｔ／１２が用いられるが、０．００５〜
０．０ ｆｎｏ １／Ｉｔが適当である。金属イオンの
還元剤としては、一般に次亜リン酸ナトリウム又は、次
亜リン酸カリウム等次亜リン酸基が用いられる。ＰＨ緩
衝剤としては一般にアンモニウム塩が用いられる。ＰＨ
調節剤としては、ＰＨを上昇させるためには、一般にア
ンモニア水、またはアンモニア水と水酸化ナトリウム、
水酸化カリウム等の苛性アルカリが併用される。ＰＨの
降下には、一般に硫酸、塩酸、酢酸等の酸が用いられ、
これらＰＨ１ｌ１節剤によりメッキ浴のＰＨは常に７０
℃を基準として、９〜１１に調節される。
金属イオンの錯化剤としてのピロリン酸基は、ピロリン
酸、又はピロリン酸の可溶性塩によって供給される。
酸、又はピロリン酸の可溶性塩によって供給される。
以下に、本発明による実施例を示す。
ポリイミドフィルムにＰｄをスパッタし、無電解Ｎ１−
Ｐを下地メッキとして施したものを被メッキ体として下
記に示す条件により、厚み０．５μｍのＣｏ−Ｒｅ−Ｐ
共析膜を形成した。
Ｐを下地メッキとして施したものを被メッキ体として下
記に示す条件により、厚み０．５μｍのＣｏ−Ｒｅ−Ｐ
共析膜を形成した。
＋１１メッキ浴組成
硫酸コバルト（ＣｏＳＯｅ）０．１ ｍ ｏ Ｉｔ ／
Ｉｔ次亜リン酸ナトリウム（ＮａＨｚＰＯｚ）０．２
ｍ ｏ １ ／ １ビロリン酸ナトリウム（ＮａａＰ
ｇＯｔ）０．４ ｍ Ｏ７１７Ｉｔ過レニウム酸アンモ
ニウム（ＮＨ４ＲｅＯｅ）Ｏ，ＯＯ１ｆｎｏ ｊ！ ／
ＩＩ （２）メッキ条件 ＰＩ（，１０ 浴温度 ７０℃ 当実施例で作られた膜をＸ線回折により構造分析した結
果を第１図に示す。横軸に角度、縦軸に出力を示しであ
る。１０２は、磁化容易軸が媒体面に対して垂直となる
時のＸ線回折グラフ上の角度である。角度１０２付近で
の分布が狭い程、又ピークの値が大きい程磁区の配向は
媒体面に対して垂直にそろっていることになる６反対に
角度１０２付近での分布が広くピークの値が小さい程、
磁区の配向がばらついていることになる。一般的には、
この配向のばらつきの度合を、出力がピーク値の１７２
である部分１０３における角度分布１０４で表し、これ
を半値幅Δθ５０と称しているが、この値が小の程、配
向性が良いとしている。
Ｉｔ次亜リン酸ナトリウム（ＮａＨｚＰＯｚ）０．２
ｍ ｏ １ ／ １ビロリン酸ナトリウム（ＮａａＰ
ｇＯｔ）０．４ ｍ Ｏ７１７Ｉｔ過レニウム酸アンモ
ニウム（ＮＨ４ＲｅＯｅ）Ｏ，ＯＯ１ｆｎｏ ｊ！ ／
ＩＩ （２）メッキ条件 ＰＩ（，１０ 浴温度 ７０℃ 当実施例で作られた膜をＸ線回折により構造分析した結
果を第１図に示す。横軸に角度、縦軸に出力を示しであ
る。１０２は、磁化容易軸が媒体面に対して垂直となる
時のＸ線回折グラフ上の角度である。角度１０２付近で
の分布が狭い程、又ピークの値が大きい程磁区の配向は
媒体面に対して垂直にそろっていることになる６反対に
角度１０２付近での分布が広くピークの値が小さい程、
磁区の配向がばらついていることになる。一般的には、
この配向のばらつきの度合を、出力がピーク値の１７２
である部分１０３における角度分布１０４で表し、これ
を半値幅Δθ５０と称しているが、この値が小の程、配
向性が良いとしている。
第１図１０１は本実施例による測定データを示している
がこの半値幅Δθ５０を測定したところおよそ９＠であ
り従来の浴から得られたそれよりも小さく垂直配向性が
良いことを示している。
がこの半値幅Δθ５０を測定したところおよそ９＠であ
り従来の浴から得られたそれよりも小さく垂直配向性が
良いことを示している。
本発明により生成されたメッキ被膜は、垂直磁化膜とし
従来浴から得られたものと同等もしくはそれ以上の性能
を示す、さらに従来は、添加剤として、ニッケル、マン
ガン、レニウム等を２つ以上用いるか、金属イオンの錯
化剤として酒石酸基、マロン酸基、コハク酸基等の有機
酸を２つ以上用いるかしていたが、本発明によれば、添
加剤としてレニウムイオン、金属イオンの錯化剤として
ピロリン酸基のみの単純系浴であるため、建浴に要する
時間、浴の管理に要する時間を大幅に削減することが可
能となった。
従来浴から得られたものと同等もしくはそれ以上の性能
を示す、さらに従来は、添加剤として、ニッケル、マン
ガン、レニウム等を２つ以上用いるか、金属イオンの錯
化剤として酒石酸基、マロン酸基、コハク酸基等の有機
酸を２つ以上用いるかしていたが、本発明によれば、添
加剤としてレニウムイオン、金属イオンの錯化剤として
ピロリン酸基のみの単純系浴であるため、建浴に要する
時間、浴の管理に要する時間を大幅に削減することが可
能となった。
第１図は、本発明による記録媒体のＸ線回折による結晶
配向特性図である。 出願人 セイコー電子工業株式会社 第１図
配向特性図である。 出願人 セイコー電子工業株式会社 第１図
Claims (1)
- コバルトイオン、およびこれの還元剤とＰＨ調節剤、Ｐ
Ｈ緩衝剤を含む水溶液に、（１）添加剤としてレニウム
イオン、（２）金属イオンであるコバルトイオン、レニ
ウムイオンの錯化剤としてピロリン酸基を加えたことを
特徴とする垂直磁気記録媒体製造用の無電解メッキ浴。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60-60479 | 1985-03-25 | ||
| JP6047985 | 1985-03-25 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS621122A true JPS621122A (ja) | 1987-01-07 |
Family
ID=13143450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6525786A Pending JPS621122A (ja) | 1985-03-25 | 1986-03-24 | 垂直磁気記録媒体製造用のメツキ浴 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS621122A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63285305A (ja) * | 1987-05-18 | 1988-11-22 | Iseki & Co Ltd | 油圧シリンダ−装置 |
| JPH0472071A (ja) * | 1990-07-12 | 1992-03-06 | C Uyemura & Co Ltd | 無電解錫及び錫・鉛合金めっき浴並びにめっき方法 |
| JPH04113306U (ja) * | 1991-03-20 | 1992-10-02 | エスエムシー株式会社 | 二段速度流体圧シリンダ |
-
1986
- 1986-03-24 JP JP6525786A patent/JPS621122A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63285305A (ja) * | 1987-05-18 | 1988-11-22 | Iseki & Co Ltd | 油圧シリンダ−装置 |
| JPH0472071A (ja) * | 1990-07-12 | 1992-03-06 | C Uyemura & Co Ltd | 無電解錫及び錫・鉛合金めっき浴並びにめっき方法 |
| JPH04113306U (ja) * | 1991-03-20 | 1992-10-02 | エスエムシー株式会社 | 二段速度流体圧シリンダ |
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