JPH0472505A - 走査型原子間力トンネル顕微鏡 - Google Patents
走査型原子間力トンネル顕微鏡Info
- Publication number
- JPH0472505A JPH0472505A JP2186062A JP18606290A JPH0472505A JP H0472505 A JPH0472505 A JP H0472505A JP 2186062 A JP2186062 A JP 2186062A JP 18606290 A JP18606290 A JP 18606290A JP H0472505 A JPH0472505 A JP H0472505A
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- JP
- Japan
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- probe
- tunneling microscope
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- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
本発明は半導体プロセスや材料開発に用いられ、導電性
物質の表面の微小凹凸や電位分布の評価を行うための走
査型原子間力トンネル顕微鏡に関するものである。
物質の表面の微小凹凸や電位分布の評価を行うための走
査型原子間力トンネル顕微鏡に関するものである。
従来導電性物質の表面の微小な凹凸は、例えばＲ，Ｍ、
Ｆｅｅｎｓｔｒａ ｅｔ ａｌ、； ＩＢＭ Ｊｏｕｒ
ｎａｌ ｏｆ Ｒｅ５ｅａｒｃｈａｎｄ Ｄｅｖｅｌｏ
ｐｅｎ＋ｅｎｔ Ｖｏｌ、３０．Ｎｏ、５．ｐ４６６、
Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ１９８６等に示されているように、
走査型トンネル顕微＃（以下ＳＴＭという）により評価
されていた。第３図は従来用いられていたＳＴＭの原理
図である。本図において試料１上にはＸＹＺ方向のピエ
ゾ素子２Ｘ、２Ｖ、２□から成り、探針３をＸＹＺ方向
に駆動するピエゾ素子が設けられる。
Ｆｅｅｎｓｔｒａ ｅｔ ａｌ、； ＩＢＭ Ｊｏｕｒ
ｎａｌ ｏｆ Ｒｅ５ｅａｒｃｈａｎｄ Ｄｅｖｅｌｏ
ｐｅｎ＋ｅｎｔ Ｖｏｌ、３０．Ｎｏ、５．ｐ４６６、
Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ１９８６等に示されているように、
走査型トンネル顕微＃（以下ＳＴＭという）により評価
されていた。第３図は従来用いられていたＳＴＭの原理
図である。本図において試料１上にはＸＹＺ方向のピエ
ゾ素子２Ｘ、２Ｖ、２□から成り、探針３をＸＹＺ方向
に駆動するピエゾ素子が設けられる。
このピエゾ素子はＸＹ力方向ＸＹドライバ４によって駆
動される。そして探針３と試料１の表面間にｔ源５より
電圧Ｖｓを印加し、試料１０表面と探針３との間を例え
ば１０人程度の距離まで近接させると、双方の電子雲が
重なり合い、電圧Ｖｓに対応してトンネル電流Ｉｔが流
れる。この探針３と試料１の表面との距離が一定となる
ように、即ちトンネルＩｔが一定となるようにフィード
バック制御系６によって探針３とピエゾ素子２をＺ方向
に上下動させる。こうしてピエゾ素子２のうちＸ方向の
ピエゾ素子２Ｘ、Ｙ方向のピエゾ素子２Ｙによって探針
３を二次元的に走査してＺ方向の駆動信号をデータスト
レージ７にストアすることにより、これらのピエゾ素子
２の変位成分を電気信号に変換して試料表面の凹凸情報
、即ち電子雲等の等ポテンシャル面を画像表示器８に表
示することができる。
動される。そして探針３と試料１の表面間にｔ源５より
電圧Ｖｓを印加し、試料１０表面と探針３との間を例え
ば１０人程度の距離まで近接させると、双方の電子雲が
重なり合い、電圧Ｖｓに対応してトンネル電流Ｉｔが流
れる。この探針３と試料１の表面との距離が一定となる
ように、即ちトンネルＩｔが一定となるようにフィード
バック制御系６によって探針３とピエゾ素子２をＺ方向
に上下動させる。こうしてピエゾ素子２のうちＸ方向の
ピエゾ素子２Ｘ、Ｙ方向のピエゾ素子２Ｙによって探針
３を二次元的に走査してＺ方向の駆動信号をデータスト
レージ７にストアすることにより、これらのピエゾ素子
２の変位成分を電気信号に変換して試料表面の凹凸情報
、即ち電子雲等の等ポテンシャル面を画像表示器８に表
示することができる。
〔発明が解決しようとする課Ｂ）
しかしながら第３図に示すように試料１の表面に電荷９
が局在する場合には、そのクーロン力によって探針３が
反発又は吸引され、探針３を保持する垂直方向のピエゾ
素子２□が収縮し探針を上下に駆動することとなる。従
って実際の表面の凹凸は平坦であるにもかかわらず、例
えば第４図に示すようにあたかも凹凸が存在する如く表
示される場合がある。
が局在する場合には、そのクーロン力によって探針３が
反発又は吸引され、探針３を保持する垂直方向のピエゾ
素子２□が収縮し探針を上下に駆動することとなる。従
って実際の表面の凹凸は平坦であるにもかかわらず、例
えば第４図に示すようにあたかも凹凸が存在する如く表
示される場合がある。
一方原子間引力を利用した原子開力顕微鏡（以下ＡＦＭ
という）は原理的には物質表面の電荷による電気的な影
響を受けることはなく、単純に物質表面の機械的な微小
凹凸を計測することができる。しかし物質表面の電気的
情報を得ることはできないという欠点があった。
という）は原理的には物質表面の電荷による電気的な影
響を受けることはなく、単純に物質表面の機械的な微小
凹凸を計測することができる。しかし物質表面の電気的
情報を得ることはできないという欠点があった。
本発明はこのような従来の走査型トンネル顕微鏡及び原
子開力顕微鏡の問題点に鑑みてなされたものであって、
試料表面に存在する凹凸と電荷領域とを識別して認識で
きるようにすることを技術的課題とする。
子開力顕微鏡の問題点に鑑みてなされたものであって、
試料表面に存在する凹凸と電荷領域とを識別して認識で
きるようにすることを技術的課題とする。
本発明は上面がＸＹ面と平行にＸＹ子テーブル上保持さ
れた試料をχＹ力方向沿って微小区間駆動する駆動手段
と、ＸＹ子テーブル上隣接して設けられたベースに一端
が保持されたカンチレバーと、試料に対向してカンチレ
バーの先端部に設けられた導電性探針と、カンチレバー
の先端のＸＹ子テーブル垂直なＺ方向への変位を検出す
る変位検出手段と、カンチレバーを介して導電性探針と
試料との間に所定電圧を印加する電圧印加手段と、電圧
印加手段による電圧を断続するスイッチ手段と、駆動手
段による試料のＸＹ力方向の移動時に変位検出手段によ
る変位を保持するデータストレージ部と、データストレ
ージ部のデータを表示する画像表示器と、を具備するこ
とを特徴とするものである。
れた試料をχＹ力方向沿って微小区間駆動する駆動手段
と、ＸＹ子テーブル上隣接して設けられたベースに一端
が保持されたカンチレバーと、試料に対向してカンチレ
バーの先端部に設けられた導電性探針と、カンチレバー
の先端のＸＹ子テーブル垂直なＺ方向への変位を検出す
る変位検出手段と、カンチレバーを介して導電性探針と
試料との間に所定電圧を印加する電圧印加手段と、電圧
印加手段による電圧を断続するスイッチ手段と、駆動手
段による試料のＸＹ力方向の移動時に変位検出手段によ
る変位を保持するデータストレージ部と、データストレ
ージ部のデータを表示する画像表示器と、を具備するこ
とを特徴とするものである。
又本発明はスイッチ手段のスイッチの開放及び閉成時の
各々についてデータストレージ部に得られるＸＸ方向の
二次元画像データを減算する画像処理装置を有すること
を特徴とするものである。
各々についてデータストレージ部に得られるＸＸ方向の
二次元画像データを減算する画像処理装置を有すること
を特徴とするものである。
このような特徴を有する本発明によれば、ＡＦＭ動作時
において探針と試料との間の原子間力に基づく変位を検
出して二次元凹凸プロフィールを得ている。そしてＳＴ
Ｍ動作時においてトンネル電流を一定に保つようにして
二次元凹凸プロフィールを得る。そしてこれらを画像処
理することによって電荷領域と表面の微小な凹凸を区別
して認識できるようにしている。
において探針と試料との間の原子間力に基づく変位を検
出して二次元凹凸プロフィールを得ている。そしてＳＴ
Ｍ動作時においてトンネル電流を一定に保つようにして
二次元凹凸プロフィールを得る。そしてこれらを画像処
理することによって電荷領域と表面の微小な凹凸を区別
して認識できるようにしている。
次に本発明の実施例について説明する。第１図は本発明
の一実施例による走査型原子間力トンネル顕微鏡の主要
部の構成を示す原理図である０本図においてベース１１
上には一端が保持されたカンチレバー１２が設けられ、
その下面には導電性材料から成る第１の導電性探針１３
が設けられる。
の一実施例による走査型原子間力トンネル顕微鏡の主要
部の構成を示す原理図である０本図においてベース１１
上には一端が保持されたカンチレバー１２が設けられ、
その下面には導電性材料から成る第１の導電性探針１３
が設けられる。
カンチレバー１２は下面が導電性材料１２ａによって形
成され、上面の一部にも金属フィルム１２ｂが貼付され
ている。又ベース１１上にはＸＹ子テーブル４上に上面
をＸＹ面と平行とした試料１５が保持されている。そし
て導電性探針１３には導電フィルム１２ａと試料１５と
の間に電圧印加手段であるバイアス電源（電圧Ｖｓ）
１６ カスイッチ１７を介して接続されている。
成され、上面の一部にも金属フィルム１２ｂが貼付され
ている。又ベース１１上にはＸＹ子テーブル４上に上面
をＸＹ面と平行とした試料１５が保持されている。そし
て導電性探針１３には導電フィルム１２ａと試料１５と
の間に電圧印加手段であるバイアス電源（電圧Ｖｓ）
１６ カスイッチ１７を介して接続されている。
さてこの導電性探針１３が植設されたカンチレバー１２
の真上には金属製の第２の探針２１がＺ軸駆動手段であ
るピエゾ素子２２に取付けられている。ピエゾ素子２２
は探針２１をＸ方向に移動させるものであり、探針２１
と金属フィルム１２ｂとの間には図示のように電圧Ｖｓ
２の第２の電圧印加手段であるバイアス電源２３が接続
されている。そしてトンネル電流出力はＡ／Ｄ変換器２
４を介してフィードバック制御系２５に与えられ、その
操作量に対応する制御量がＤ／Ａ変換器２６を介してピ
エゾ素子２２に与えられ、探針２１とカンチレバー１２
の先端との間が所定の間隔となるように制御される。こ
こで探針２１からＤ／Ａ変換器２６の各ブロックはカン
チレバー１２の変位を計測する一次元の変位検出手段を
構成している。
の真上には金属製の第２の探針２１がＺ軸駆動手段であ
るピエゾ素子２２に取付けられている。ピエゾ素子２２
は探針２１をＸ方向に移動させるものであり、探針２１
と金属フィルム１２ｂとの間には図示のように電圧Ｖｓ
２の第２の電圧印加手段であるバイアス電源２３が接続
されている。そしてトンネル電流出力はＡ／Ｄ変換器２
４を介してフィードバック制御系２５に与えられ、その
操作量に対応する制御量がＤ／Ａ変換器２６を介してピ
エゾ素子２２に与えられ、探針２１とカンチレバー１２
の先端との間が所定の間隔となるように制御される。こ
こで探針２１からＤ／Ａ変換器２６の各ブロックはカン
チレバー１２の変位を計測する一次元の変位検出手段を
構成している。
さてＡ／Ｄ変換器２４の出力はフィードバック制御系３
１にも与えられる。フィードバック制御系３１はこの入
力を制御量としてＤ／Ａ変換器３２を介してＸＹ子テー
ブル４のピエゾ素子３３を駆動することによって試料１
５をＸ方向に移動させるものである。又ＸＹ子テーブル
４にはＸ方向及びＸ方向に試料を移動させるためのピエ
ゾ素子３４．３５が設けられる。ピエゾ素子３４．３５
は夫々ＸＹドライバ３６の出力がＤ／Ａ変換器３７．３
８を介して与えられ、試料をＸＸ方向に移動させるもの
である。ＸＹドライバ３６の出力及びフィードバック制
御系３１の出力は又データストレージ４０に与えられる
。データストレージ４０はこの二次元の画像情報を保持
するものであって、その出力は画像表示器４１に直接与
えられ、更に画像処理装置４２にも与えられる。画像処
理装置４２は後述するように２つの画像データの減算を
行い、その結果を画像表示器４１に表示するものである
。ここでピエゾ素子３４．３５及びＤ／Ａ変換器３７．
３８とχＹドライバ３６とはＸＹ子テーブル４上の試料
１５をＸＸ方向に駆動する駆動手段を構成している。
１にも与えられる。フィードバック制御系３１はこの入
力を制御量としてＤ／Ａ変換器３２を介してＸＹ子テー
ブル４のピエゾ素子３３を駆動することによって試料１
５をＸ方向に移動させるものである。又ＸＹ子テーブル
４にはＸ方向及びＸ方向に試料を移動させるためのピエ
ゾ素子３４．３５が設けられる。ピエゾ素子３４．３５
は夫々ＸＹドライバ３６の出力がＤ／Ａ変換器３７．３
８を介して与えられ、試料をＸＸ方向に移動させるもの
である。ＸＹドライバ３６の出力及びフィードバック制
御系３１の出力は又データストレージ４０に与えられる
。データストレージ４０はこの二次元の画像情報を保持
するものであって、その出力は画像表示器４１に直接与
えられ、更に画像処理装置４２にも与えられる。画像処
理装置４２は後述するように２つの画像データの減算を
行い、その結果を画像表示器４１に表示するものである
。ここでピエゾ素子３４．３５及びＤ／Ａ変換器３７．
３８とχＹドライバ３６とはＸＹ子テーブル４上の試料
１５をＸＸ方向に駆動する駆動手段を構成している。
次に本実施例の動作について説明する。まずＡＦＭ動作
時にはスイッチ１７を開放しＸＹドライバ３６によって
ピエゾ素子３４．３５に電圧を印加し、ＸＸ方向に走査
する。そして試料１５の微小な凹凸によってカンチレバ
ー１２の先端の導電性探針１３と試料１５の表面とが数
人まで接近すると、両者の間に原子間力が作用し、カン
チレバー１２に応力が加わってカンチレバー１２は下方
にたわむ、このときバイアス電′ｓ２３によって流れる
トンネル電流Ｉｔを一定にするようにフィードバック制
御系２５でピエゾ素子２２をＺ軸に沿って下方に伸ばす
ことによって探針２１も下方に移動する。この電気信号
の変化を受けてカンチレバー１２に加わる原子間力を一
定に保つようにフィードバック制御ブロック３１によっ
てＸＹ子テーブル４のピエゾ素子３３への印加電圧を制
御する。こうすればデータストレージ４０に試料表面の
微小凹凸に対応した凹凸のプロフィールが得られる。こ
のときＸＹ子テーブル４に接続されたＸＹの各ピエゾ素
子３４．３５に印加される電圧信号によって試料１５を
二次元的に移動させることによって第２図（ａ）に示す
ような二次元凹凸プロフィールを得ることができる。こ
の動作は物質量の原子間力を検知しているため、試料１
５の表面にトラップ等による電荷局在領域が存在してい
る場合でも凹凸プロフィールはその電気特性に影響され
ることはない。
時にはスイッチ１７を開放しＸＹドライバ３６によって
ピエゾ素子３４．３５に電圧を印加し、ＸＸ方向に走査
する。そして試料１５の微小な凹凸によってカンチレバ
ー１２の先端の導電性探針１３と試料１５の表面とが数
人まで接近すると、両者の間に原子間力が作用し、カン
チレバー１２に応力が加わってカンチレバー１２は下方
にたわむ、このときバイアス電′ｓ２３によって流れる
トンネル電流Ｉｔを一定にするようにフィードバック制
御系２５でピエゾ素子２２をＺ軸に沿って下方に伸ばす
ことによって探針２１も下方に移動する。この電気信号
の変化を受けてカンチレバー１２に加わる原子間力を一
定に保つようにフィードバック制御ブロック３１によっ
てＸＹ子テーブル４のピエゾ素子３３への印加電圧を制
御する。こうすればデータストレージ４０に試料表面の
微小凹凸に対応した凹凸のプロフィールが得られる。こ
のときＸＹ子テーブル４に接続されたＸＹの各ピエゾ素
子３４．３５に印加される電圧信号によって試料１５を
二次元的に移動させることによって第２図（ａ）に示す
ような二次元凹凸プロフィールを得ることができる。こ
の動作は物質量の原子間力を検知しているため、試料１
５の表面にトラップ等による電荷局在領域が存在してい
る場合でも凹凸プロフィールはその電気特性に影響され
ることはない。
こうしてＡＦＭによる凹凸プロフィールを得た後、スイ
ッチ１７を閉成しＳＴＭによる動作を行わせる。この場
合には導電性探針１３は導電性材ｎ １２ ａを介して
バイアス電源１６からのバイアス電圧が印加されている
。従って試料１５の走査中に導電性探針１３が電荷局在
領域に到来すると、電荷局在領域の電荷に基づくクーロ
ン力によって反発し、導電性探針１３は試料１５の表面
から遠ざかる。従って微小な凹凸と電荷局在領域の影響
を受けた凹凸プロフィールが得られる。ここでＡＦＭ動
作時と同様に試料をＸＹ力方向二次元的に移動させるこ
とによって、第２図（ｂ）に示すような二次元凹凸プロ
フィールを得ることができる。このプロフィールはデー
タストレージ４０に保持される。
ッチ１７を閉成しＳＴＭによる動作を行わせる。この場
合には導電性探針１３は導電性材ｎ １２ ａを介して
バイアス電源１６からのバイアス電圧が印加されている
。従って試料１５の走査中に導電性探針１３が電荷局在
領域に到来すると、電荷局在領域の電荷に基づくクーロ
ン力によって反発し、導電性探針１３は試料１５の表面
から遠ざかる。従って微小な凹凸と電荷局在領域の影響
を受けた凹凸プロフィールが得られる。ここでＡＦＭ動
作時と同様に試料をＸＹ力方向二次元的に移動させるこ
とによって、第２図（ｂ）に示すような二次元凹凸プロ
フィールを得ることができる。このプロフィールはデー
タストレージ４０に保持される。
このように１回の走査で第２図（ａ）に示すＡＦＭ像を
得た後２回目の走査で第２図（ｂ）に示すＳＴＭ像を得
ることにより、同一の観察視野で微小凹凸だけの分布と
これを含む局在電荷分布のデータを得ることができる。
得た後２回目の走査で第２図（ｂ）に示すＳＴＭ像を得
ることにより、同一の観察視野で微小凹凸だけの分布と
これを含む局在電荷分布のデータを得ることができる。
従って画像処理装置４２によって第２図（ａ）のデータ
から第２図（ｂ）に示すデータを減算することによって
第２図（Ｃ）で示される電荷局在領域だけに基づく電荷
分布プロフィールを得ることができる。
から第２図（ｂ）に示すデータを減算することによって
第２図（Ｃ）で示される電荷局在領域だけに基づく電荷
分布プロフィールを得ることができる。
尚本実施例ではカンチレバー１２の変位の計測を一次元
のトンネル顕微鏡を用いて行っているが、カンチレバー
１またわみの変位量はカンチレバーの表面に金属膜を塗
布し、その上方よりレーザビーム等を照射して反射光の
位！変化から検出するようにすることも可能である。
のトンネル顕微鏡を用いて行っているが、カンチレバー
１またわみの変位量はカンチレバーの表面に金属膜を塗
布し、その上方よりレーザビーム等を照射して反射光の
位！変化から検出するようにすることも可能である。
以上詳細に説明したように本発明によれば、ＡＦＭモー
ドと３７Ｍモードとを電気的に切換えて測定することに
よって、両者の画像データからトラップ等によって試料
表面に局在する電荷領域と表面の物理的な凹凸とを区別
して認識することができる。従って従来のＳＴＭだけに
よる物質表面の微細凹凸評価結果をより正確に測定する
ことができるという効果が得られる。
ドと３７Ｍモードとを電気的に切換えて測定することに
よって、両者の画像データからトラップ等によって試料
表面に局在する電荷領域と表面の物理的な凹凸とを区別
して認識することができる。従って従来のＳＴＭだけに
よる物質表面の微細凹凸評価結果をより正確に測定する
ことができるという効果が得られる。
第１図は本発明の一実施例による走査型原子間力トンネ
ル顕微鏡の構成を示すプロンク図、第２図はその結果得
られた試料表面の二次元凹凸分布を示す図、第３図は従
来のＳＴＭ動作を行う走査型トンネル顕微鏡の構成を示
す概略図、第４図はその電荷分布プロフィールを示す図
である。 器、 バイアス電源、 ２１ フィードバック制御系、 ピエゾ素子、 ３６ データストレージ、 ４ ４２−−−一画像処理装置。 探針、 ２５ ３３．３４ ＸＹドライバ、 １ 画像表示 特許出願人 松下電器産業株式会社 代 理 人 弁理士 岡本官喜 １２−−−−カンチレバー １３−・・−導電性探針
、１４−−−−−−Ｘ Ｙ テーブル、 １５−−一
試料、 １６゜第 図 第 図
ル顕微鏡の構成を示すプロンク図、第２図はその結果得
られた試料表面の二次元凹凸分布を示す図、第３図は従
来のＳＴＭ動作を行う走査型トンネル顕微鏡の構成を示
す概略図、第４図はその電荷分布プロフィールを示す図
である。 器、 バイアス電源、 ２１ フィードバック制御系、 ピエゾ素子、 ３６ データストレージ、 ４ ４２−−−一画像処理装置。 探針、 ２５ ３３．３４ ＸＹドライバ、 １ 画像表示 特許出願人 松下電器産業株式会社 代 理 人 弁理士 岡本官喜 １２−−−−カンチレバー １３−・・−導電性探針
、１４−−−−−−Ｘ Ｙ テーブル、 １５−−一
試料、 １６゜第 図 第 図
Claims (5)
- （１）カンチレバーに装着された導電性探針から成る走
査型原子間力を用いた走査型トンネル顕微鏡。 - （２）上面がＸＹ面と平行にＸＹテーブル上に保持され
た試料をＸＹ方向に沿って微小区間駆動する駆動手段と
、 前記ＸＹテーブル上に隣接して設けられたベースに一端
が保持されたカンチレバーと、 前記試料に対向して前記カンチレバーの先端部に設けら
れた導電性探針と、 前記カンチレバーの先端の前記ＸＹテーブルに垂直なＺ
方向への変位を検出する変位検出手段と、前記カンチレ
バーを介して前記導電性探針と試料との間に所定電圧を
印加する電圧印加手段と、前記電圧印加手段による電圧
を断続するスイッチ手段と、 前記駆動手段による試料のＸＹ方向への移動時に前記変
位検出手段による変位を保持するデータストレージ部と
、 前記データストレージ部のデータを表示する画像表示器
と、を具備することを特徴とする走査型原子間力トンネ
ル顕微鏡。 - （３）前記スイッチ手段のスイッチの開放及び閉成時の
夫々について前記データストレージ部に得られるＸＹ方
向の二次元画像データを減算する画像処理装置を有する
ことを特徴とする請求項２記載の走査型原子間力トンネ
ル顕微鏡。 - （４）前記変位検出手段は、 前記カンチレバーに対向して設けられた第２の探針と、 前記探針をＺ軸方向に駆動するＺ軸駆動手段と、前記第
２の探針と前記カンチレバーの間に電圧を印加する第２
の電圧印加手段と、 前記第２の探針とカンチレバーとを接近させたときに流
れるトンネル電流を一定にすべく前記Ｚ軸駆動手段を駆
動するフィードバック制御系と、を具備することを特徴
とする請求項２記載の走査型原子間力トンネル顕微鏡。 - （５）前記変位検出手段は前記カンチレバーに光を照射
するレーザ光源と、 前記レーザ光源による反射光の反射位置を検出する位置
検出手段と、を具備し、反射位置の変化に基づいてカン
チレバーの変位を検出するものであることを特徴とする
請求項２記載の走査型原子間力トンネル顕微鏡。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2186062A JPH0833296B2 (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | 走査型原子間力トンネル顕微鏡 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2186062A JPH0833296B2 (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | 走査型原子間力トンネル顕微鏡 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0472505A true JPH0472505A (ja) | 1992-03-06 |
| JPH0833296B2 JPH0833296B2 (ja) | 1996-03-29 |
Family
ID=16181726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2186062A Expired - Fee Related JPH0833296B2 (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | 走査型原子間力トンネル顕微鏡 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0833296B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0868798A (ja) * | 1994-08-30 | 1996-03-12 | Shimadzu Corp | 走査型プローブ顕微鏡 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62130302A (ja) * | 1985-11-26 | 1987-06-12 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | サンプルの表面を検査する方法及び装置 |
| JPH02128109A (ja) * | 1988-11-08 | 1990-05-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 表面形状測定装置 |
-
1990
- 1990-07-13 JP JP2186062A patent/JPH0833296B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0868798A (ja) * | 1994-08-30 | 1996-03-12 | Shimadzu Corp | 走査型プローブ顕微鏡 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0833296B2 (ja) | 1996-03-29 |
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