JPH0472548U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0472548U JPH0472548U JP11555890U JP11555890U JPH0472548U JP H0472548 U JPH0472548 U JP H0472548U JP 11555890 U JP11555890 U JP 11555890U JP 11555890 U JP11555890 U JP 11555890U JP H0472548 U JPH0472548 U JP H0472548U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cathode
- electron beam
- anode
- hole
- aligned
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 8
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 3
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
第1A図は、本考案の平面型・カソードの配置
を示す概略図、第1B図は、本考案の円筒型・カ
ソードの配置を示す概略図、第2図は、本考案の
円筒型・カソードを用いた電子ビーム源の構成図
、第3図は、各種放電ガスによる放電開始電圧と
ガス圧×電極間距離の関係を示す図、第4図は、
従来のカソードの正面断面図、第5図は、従来の
ドライエツチング装置の構成図である。 符号の説明、10,20,50……筒状密封容
器、11,23,23′,23″,63,63′
,63″,63″′……貫通孔、12,24,5
8……第1の中間電極、13,30,60……カ
ソード室、14,14′……ホウ化ランタン・フ
イラメント、15,15′……加熱電源、16,
16′……絶縁フランジ、17……イオン流、1
8,32,40……放電ガス導入孔、21,51
……カソード、22,54……ホルダ、25,5
2……アノード、26,53……電子ビーム加速
電極、27,55……放電領域、28,56……
電子ビーム加速領域、29,57……被処理領域
、31,62……アノード室、33,65……被
処理ガス導入孔、34,34′,64,64′,
64″……排気孔、59……第2の中間電極、6
1……中間室、41……補助カソード、42……
主カソード、43……絶縁支持部材、44……円
筒状部材。
を示す概略図、第1B図は、本考案の円筒型・カ
ソードの配置を示す概略図、第2図は、本考案の
円筒型・カソードを用いた電子ビーム源の構成図
、第3図は、各種放電ガスによる放電開始電圧と
ガス圧×電極間距離の関係を示す図、第4図は、
従来のカソードの正面断面図、第5図は、従来の
ドライエツチング装置の構成図である。 符号の説明、10,20,50……筒状密封容
器、11,23,23′,23″,63,63′
,63″,63″′……貫通孔、12,24,5
8……第1の中間電極、13,30,60……カ
ソード室、14,14′……ホウ化ランタン・フ
イラメント、15,15′……加熱電源、16,
16′……絶縁フランジ、17……イオン流、1
8,32,40……放電ガス導入孔、21,51
……カソード、22,54……ホルダ、25,5
2……アノード、26,53……電子ビーム加速
電極、27,55……放電領域、28,56……
電子ビーム加速領域、29,57……被処理領域
、31,62……アノード室、33,65……被
処理ガス導入孔、34,34′,64,64′,
64″……排気孔、59……第2の中間電極、6
1……中間室、41……補助カソード、42……
主カソード、43……絶縁支持部材、44……円
筒状部材。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 1 貫通孔23を有する中間電極24と、貫通孔
23′を有するアノード25と、貫通孔23″を
有する電子ビーム加速電極26とをこれらの貫通
孔を揃えて包囲体内に配置し、この包囲体の閉じ
た上流端と前記の中間電極24とによりカソード
室30を形成し、このカソード室30は外部の加
熱電源を備えたカソード21を含み、そして放電
用ガスを導入する導入孔32を有し、前記の中間
電極24と前記のアノード25とによりアノード
室31を形成し、そして前記のアノード25と前
記の電子ビーム加速電極26とにより加速領域2
8を形成し、この領域は排気孔34を有し、前記
のカソード21は前記の貫通孔が整列した線から
それの熱電子放射面を離して配置されていること
を特徴とするプラズマ発生用電子ビーム源。 2 カソードはホウ化ランタン・フイラメントか
ら成る平面型カソードである請求項1に記載のプ
ラズマ発生用電子ビーム源。 3 カソードはホウ化ランタン・フイラメントか
ら成る円筒型カソードであり、それの円筒中心を
貫通孔が整列した線に揃えて配置されている請求
項1に記載のプラズマ発生用電子ビーム源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11555890U JPH0472548U (ja) | 1990-11-02 | 1990-11-02 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11555890U JPH0472548U (ja) | 1990-11-02 | 1990-11-02 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0472548U true JPH0472548U (ja) | 1992-06-25 |
Family
ID=31863334
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11555890U Pending JPH0472548U (ja) | 1990-11-02 | 1990-11-02 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0472548U (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6315548B2 (ja) * | 1978-11-29 | 1988-04-05 | Tokyo Shibaura Electric Co | |
| JPS6453422A (en) * | 1987-08-24 | 1989-03-01 | Tokyo Electron Ltd | Dry etching device |
-
1990
- 1990-11-02 JP JP11555890U patent/JPH0472548U/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6315548B2 (ja) * | 1978-11-29 | 1988-04-05 | Tokyo Shibaura Electric Co | |
| JPS6453422A (en) * | 1987-08-24 | 1989-03-01 | Tokyo Electron Ltd | Dry etching device |
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