JPH0472649U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0472649U JPH0472649U JP11631290U JP11631290U JPH0472649U JP H0472649 U JPH0472649 U JP H0472649U JP 11631290 U JP11631290 U JP 11631290U JP 11631290 U JP11631290 U JP 11631290U JP H0472649 U JPH0472649 U JP H0472649U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- view
- outer lead
- cross
- lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
第１図は本考案の一実施例の斜視図、第２図ａ
及びｂは本考案の表面実装型半導体装置を配線基
板に半田付けした斜視状態図、アウターリード部
の詳細図、第３図ａ及びｂは本考案の表面実装型
半導体装置用リードフレームの正面図ならびに断
面図、第４図は従来の半導装置の一例の斜視図、
第５図ａ及びｂは、従来の表面実装型半導体装置
用リードフレームの正面図ならびに断面図、第６
図は従来の表面実装型半導体装置の断面図、第７
図ａ及びｂは従来の表面実装型半導体装置を配線
基板上半田付けした斜視状態図ならびにアウター
リード部の詳細図である。 １……半導体容器、２……アウターリード、３
……タブ部、４……アウターリード（リードフレ
ーム）、４′……インナーリード、５……タイバ
ー、６……リードフレーム外枠、７……配線基板
、８……電極、９……アウターリード部先端部、
１０……アウターリード側部、１１……アウター
リード先端大府、１２……貫通孔。
及びｂは本考案の表面実装型半導体装置を配線基
板に半田付けした斜視状態図、アウターリード部
の詳細図、第３図ａ及びｂは本考案の表面実装型
半導体装置用リードフレームの正面図ならびに断
面図、第４図は従来の半導装置の一例の斜視図、
第５図ａ及びｂは、従来の表面実装型半導体装置
用リードフレームの正面図ならびに断面図、第６
図は従来の表面実装型半導体装置の断面図、第７
図ａ及びｂは従来の表面実装型半導体装置を配線
基板上半田付けした斜視状態図ならびにアウター
リード部の詳細図である。 １……半導体容器、２……アウターリード、３
……タブ部、４……アウターリード（リードフレ
ーム）、４′……インナーリード、５……タイバ
ー、６……リードフレーム外枠、７……配線基板
、８……電極、９……アウターリード部先端部、
１０……アウターリード側部、１１……アウター
リード先端大府、１２……貫通孔。
Claims (1)
- 表面実装型のアウターリードの先端断面部に半
田メツキ表面処理が施された凹部を備えたことを
特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11631290U JPH0472649U (ja) | 1990-11-06 | 1990-11-06 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11631290U JPH0472649U (ja) | 1990-11-06 | 1990-11-06 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0472649U true JPH0472649U (ja) | 1992-06-26 |
Family
ID=31864127
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11631290U Pending JPH0472649U (ja) | 1990-11-06 | 1990-11-06 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0472649U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003030259A1 (en) * | 2001-09-27 | 2003-04-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor device and method of manufacturing the device |
-
1990
- 1990-11-06 JP JP11631290U patent/JPH0472649U/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003030259A1 (en) * | 2001-09-27 | 2003-04-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor device and method of manufacturing the device |
| CN100356560C (zh) * | 2001-09-27 | 2007-12-19 | 浜松光子学株式会社 | 半导体装置及其制造方法 |