JPH0473471B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

産業上の利用分野 本発明は炭化水素仕込物の接触クラツキングに
関するものである。更に詳しくは本発明の目的
は、先行技術のものよりも短い“仕込物のエレベ
ーター”を用いるために、使用済触媒の再生方法
を改良することである。 従来の技術 周知のように、石油工業では普通、クラツキン
グ法を利用するが、この場合、分子量が大きく沸
点が高い炭化水素分子は、より細かくかつ一定の
用途に適したより低い温度域で沸騰することので
きる分子量のより小さい分子に分割される。 現在、この目的に使用される最も普通の方法は
いわゆる流動接触クラツキング法（英語では
FLUID Catalytic Cracking 又はFCC法）であ
る。この種の方法では、炭化水素の仕込物は蒸発
させられて、仕込物の蒸気中に懸垂維持されてい
るクラツキング触媒と高温で接触させられる。ク
ラツキングによつて一連の所望の分子量に達し、
これに応じて沸点が下がると、触媒は得られた製
品から分離される。この種の方法では、所望の沸
点の低下は制御された触媒反応と熱反応によつて
起る。これらの反応は、細かく霧化した仕込物が
触媒に接触させられると、ほとんど瞬間的に行な
われる。ここで触媒は仕込物と接触する短い時間
の経過中に怱ちに活性を失うが、この原因は主と
してこれらの活性面における炭化水素の吸着やコ
ークスの沈積による。使用済の触媒は例えば蒸気
によつて絶えずストリツピングして吸着炭化水素
を回収し、触媒を、その特性を変えないように、
１段式又は多段式の再生部においてコークスの制
御燃焼により再活性化してから、反応域へ絶えず
再循環させるようにする必要がある。 実用的には、FCC法の触媒と被処理仕込物は、
技術者が往々にして“ライザー”という英語で表
示している。“仕込物のエレベーター”と称され
る塔の底へ高温・高圧で注入される。塔の頂上に
は一般にエレベーターと同心の貯槽が配置してあ
る。この貯槽内のエレベーターの上には、クラツ
キングを行なつた仕込物から使用済触媒を分離す
るサイクロンなどの分離装置がある。クラツキン
グされた仕込物はサイクロンを通過して粉末の同
伴を減らすように上記の貯槽の頂上に排出され、
一方回収された触媒粒子は上記貯槽の底部で環状
に注入された水蒸気などのストリツピングガスに
遭遇し、その後、再生器の方へ排出される。燃焼
空気は例えば再生器の底部で環状に注入され、一
方、再生器の上部には、再生触媒粒子から燃焼ガ
スを分離することのできるサイクロンが設けてあ
る。再生触媒は再生器の下部で排出され、エレベ
ーター即ちライザーの底部の方へ再循環され、こ
こで仕込物は普通0.7×10⁵〜3.5×10⁵相対するパ
スカルという圧力の下に、80℃乃至400℃の温度
で注入される。 FCC法では当然、クラツキングユニツトが熱
平衡にあるように操作される。言いかえれば、再
生された熱い触媒の供給は反応部内の各種の熱的
要求、即ち、特に下記の件に応えうるようなもの
でにくてはならない。即ち、 ・ 液体仕込物の予熱、 ・ この仕込物の蒸発、 ・ 全体的には吸熱反応である関係諸反応が必要
とする熱量の持込み、 ・ ユニツトの熱ロス。 再生域の入口において触媒上に存在するコーク
スの量並びに再生の方法によつて、再生域におい
て到達する最終温度が決る。つまり、コークスの
燃焼から来る熱量は熱ロス以外に再生流体（空気
及び／又は酸素）の加熱に役立つと同時に、燃焼
ガスと触媒粒子に分れる。操業状態では、従つ
て、クラツキングユニツト内で生じるコークス量
は、もし熱平衡が外部応力によつて変ることがな
ければほぼ一定であろう。 このコークス量は、再生域の入口と再生域の出
口において触媒上に存在するコークス量の差デル
タコークスで、次式によつて関係づけられる。即
ち、 発生コークス＝Δコークス×Ｃ／Ｏ、ここに、
Ｃ／Ｏは触媒と、反応域の入口でこれに接触され
た仕込物との質量比を表す。 更に、再生温度：Ｔ再生と、反応区域の出口の
温度：Ｔ反応器との差は次の式で与えられる。即
ち、 Ｔ再生−Ｔ反応器＝η×Δコークス×ΔH／Cp ここに、ηは、熱燃焼の触媒との交換効率、
ΔHはコークスの燃焼熱、Cpは触媒の比熱であ
る。 明らかなことだが、Δコークスが大になると、
コークスの発生量を一定に維持するためには触媒
の循環流量を減らす必要がある。更に、Δコーク
スの増大は触媒のより高い再生温度に相当し、こ
のことは重質仕込物の蒸発のために望ましいこと
だろう。 かくて、再生温度に制限がないFCC法による
近代的クラツキングユニツトにおいては、Δコー
クスの制御は本方法の基本的な変量の一つである
と思われる。 発明が解決しようとする問題点 現在、益々重くなつて来る仕込物、従つて、高
い沸点に対応して、FCC法の操業条件が益々き
びしくなつてくるにつれて、触媒上のコークスの
沈積が増大しているのが認められる。このことは
ある程度は有利な点である。つまり、この結果、
反応域の入口において触媒温度がより高くなり、
このことによつて仕込物の蒸発はより完全とな
り、アスフアルテンの熱クラツキングは制御さ
れ、触媒の活性化エネルギーはより高くなるから
である。但し、触媒の再生温度を制御し制限する
ことができるのが望ましい。つまり、その熱安定
性を守り、同伴されたストリツピング蒸気や無処
理残渣といつたような幾つかの存在成分の悪影響
を低減させるためである。更に、場合によつて
は、上記に定義したＣ／Ｏ比、即ち、仕込物と触
媒の接触を改善し且つ、活性度のより高い触媒の
存在中に仕込物を置いてその転化率を増大させる
ため、エレベーターすなわち“ライザー”の入口
で仕込物と接触する触媒の質量比を増大させるこ
とが望ましい。 出願人の確認したところでは、使用済触媒粒子
の再生に先立つて、これらの粒子が同伴した物質
を効果的に脱着することは、良好な結果を得るの
に役立つ。 従来のFCC法で既に採用されている使用済触
媒のストリツピングは、ある種のガス、普通は水
蒸気によつて、触媒粒子を隔離している空間内に
同伴されている炭化水素、及びある程度は触媒の
孔内表面に吸着されている最も軽い炭化水素を排
除することをねらつている。実際、周知のよう
に、再生前のストリツピングが悪かつた触媒のΔ
コークスは高めであり、沈積したコークス上の水
素濃度は７重量％以上である。 更に公知のことだが、ストリツピングは高温ほ
どよい。 触媒の再生方法を改良するために、本発明では
従来の触媒ストリツピングの後で、使用済の触媒
によつて同伴された物質の脱着を考えている。こ
の脱着は、発生器から来る燃焼ガスを、触媒の流
束と並流に注入して実施すれば有利だろう。この
注入によつて、更に、再生器への供給に必要な高
さに触媒を上げることができるし、これによつ
て、先行技術の場合よりも短い仕込物エレベータ
ーを用いることができる。 問題点を解決するための手段 この発明の要旨は２つある。その１つは、クラ
ツキングの条件下において後述の仕込物とクラツ
キング触媒粒子とをエレベーター内の上昇流で接
触させる段階と、エレベーターの上端の下で使用
済触媒とクラツキングを行なつた仕込物とを分離
する段階と、この触媒と向流に注入されるガスに
よつて使用済触媒をストリツピングする段階と、
触媒上に沈積したコークスの燃焼条件下において
前記触媒を再生する段階と、再生した触媒をエレ
ベーターに供給すべく再循環させる段階とを含
む、炭化水素仕込物の流動接触クラツキング法に
おいて、前記ストリツピングを施した後で前記再
生を行なう前に、前記触媒に、これに並流に注入
させるガスによつて脱着を施すこと、及び使用済
触媒とガスとから生じる混合物を、緻密流動床の
上部にある再生域の流動化部分に注入することに
よる改良方法である。 ここで、脱着に用いられるガスは、不活性ガス
又は水蒸気であつてもよいが、本発明の好ましい
実施形態では、再生すべき触媒よりも高温である
という長所を有する触媒再生ガスを単独に又は水
蒸気と混合して用いるのが良い。 この発明の他の１つの要旨は、エレベーター型
の塔１′と、これに炭化水素仕込物とクラツキン
グ触媒粒子を加圧供給するためにエレベーターの
底部に配置した手段と、エレベーターと同心にエ
レベーターの頂部に配置された密閉容器４′内で、
使用済触媒粒子をガスによりストリツピングする
手段７′，８′であつて、ストリツピングガスが使
用済触媒粒子を向流にこの密閉容器内に注入され
るようにした手段と、触媒上に沈積したコークス
の燃焼による前記触媒の少なくとも一基の再生装
置９′と、前記供給手段への再生触媒の再循環装
置３７とを含む炭化水素仕込物の流動接触クラツ
キング装置において、前記ストリツピング手段と
前記再生装置の間に、前記触媒粒子の第２のガス
による脱着手段１３′が含まれていて、この脱着
手段では第２のストリツピングガスが触媒粒子の
流束の中にこれに並流で加圧注入されるようにな
つていること、及び触媒とガスとから成る混合物
が緻密な流動床の上部にある再生域の部分に注入
されることを特徴とする装置である。 ここにおいて脱着手段は、再生装置のより低い
レベルに配置されていて、この際、並流に注入さ
れる上記ストリツピングガスが触媒粒子の運搬ガ
スの役目もし、このため短いエレベーターを使用
することができるようになつているものが有利で
あろう。 脱着ガスはストリツピングガスと同じであつて
もなくてもよい。好ましくは、それが少なくとも
部分的に再生装置から到来するガスによつて構成
されていることである。 後で、更に詳しく述べるように、本発明は２基
の連続再生装置を含むクラツキング装置にも、単
一の再生装置を含む装置にも適用される。 実施例 以下、本発明の実施例を添附図面を参照しなが
ら説明するが、それに先立ち従来例についてまず
説明する。 なお、添付図面に示すのは流動接触クラツキン
グの公知の装置の略図と、本発明の様々な実施例
の略図である。これらの図において、 ・ 第１図は流動接触クラツキングの従来の装置
の略図であり、 ・ 第２図は、１段式触媒再生装置を含む本発明
による装置の略図であり、 ・ 第３図および第４図はそれぞれ２段式触媒再
生装置を含む本発明による２種の装置の略図で
ある。 第１図に示してあるFCC法によるクラツキン
グ装置はそれ自体公知の型のものである。これに
は主として、仕込物のエレベーター又は“ライザ
ー”と称される塔１が含まれており、その底部
に、管路２を経て被処理仕込物が、又管３を経て
クラツキング触媒が供給される。 塔１はその頂上が、塔１と同心であつて、その
中の一方においてクラツキングされた仕込物の分
離が、又他方において使用済の触媒のストリツピ
ングが行なわれる密閉容器４に開口している。処
理された仕込物は密閉容器４内にあるサイクロン
５の中で分離され、その密閉容器４の頂上にはク
ラツキングされた仕込物の排出管路６が設けられ
ている。一方、使用済の触媒粒子は密閉容器４の
底部へ投入される。管路７はストリツピングガ
ス、一般には水蒸気を、密閉容器４の底部に規則
的に配置した注入器８によつて供給するものであ
る。従つてストリツピングは触媒と向流に緻密媒
体中で行なわれるのが好ましい。 ストリツピングされた触媒粒子は密閉容器４の
底から管１０を介して再生装置９の方へ排出され
るが、この管１０には調節弁１１が設けてある。
再生装置９の中で、触媒粒子上に沈積したコーク
スは、規則的な間隔で配された注入器１３に空気
を供給する管路１２を通して再生装置の底に注入
される空気によつて燃やされる。燃焼ガスによつ
て同伴される処理済の触媒粒子はサイクロン１４
によつて分離され、ここから燃焼ガスは管路１５
によつて排出される。一方、触媒粒子は、再生装
置９の底へ投入され、そこからエレベーター１に
供給する、調節弁１６を備えた管３を経て再循環
される。 このような装置の寸法上及び操作上の特徴は普
通、次の様である。即ち、 ・ エレベーター１の反応部の高さ：５乃至40メ
ートル。 ・ クラツキングされる仕込物の温度：75乃至
450℃。 ・ エレベーター１への被処理仕込物の供給流
量：1000乃至10000／日 ・ エレベーター１への触媒の供給流量：３乃至
50トン／分 ・ エレベーター１内の仕込物の滞留時間：0.1
ないし10秒 ・ 触媒の再生温度：650乃至900℃ ・ 再生装置９内の触媒の滞留時間：５乃至20分 第２図は本発明による装置であり、この場合、
第１図との関連で既に説明した各装置は同じ参照
数字に記号′を付して表してある。 この装置で、エレベーター１′の上端に配置さ
れている密閉容器４′から使用済の触媒粒子が排
出される管１０′は再生装置９′に直接には開口し
ておらず、水平管１０２により再生装置９′と連
通し、管１０′の下端にエルボで接続されている
垂直管１０１がある。 垂直管１０１の底部には、管路１８を経て脱着
ガスが供給される。図の場合、この脱着ガスは管
路１９を経て管路１８に導かれる水蒸気と、ポン
プ２１を備え管路２０を経て管路１８の方へ管路
１５′によつて供給される再生装置９′からの流出
ガスとの混合物で構成してもよい。触媒粒子の脱
着は、緻密流動床の上にあり従つてガスと触媒粒
子がうまく分離される再生域の流動化部分に使用
済の触媒とガスから成る混合物が注入され且つ、
脱着ガスが粒子を再生装置まで上昇させる担体ガ
スの働きをする垂直管１０１内で並流で行なわれ
ることに注目すべきである。 実際、エレベーター１′内の被処理仕込物の滞
留時間、従つてエレベーターの高さもかなり縮小
することができる。これらの条件では、密閉容器
４′の高さは、使用済の触媒粒子が重力だけで再
生装置９′へ供給され且つ再生後、エレベーター
１′に供給すべく再循環できるに充分なものでは
ないであろう。垂直管１０１に管路１８を経て注
入される脱着ガスは、従つて、使用済の触媒粒子
に有利な推力を与え同粒子を再生装置へ送ること
になろう。 本発明による付加装置によつて、クラツキング
装置の寸法上、操作上の特徴は次のように修正す
ることができる。即ち、 ・ エレベーター１′の反応部の高さ：１乃至30
メートル、 ・ エレベーター１′内の仕込物の滞留時間：
0.05乃至５秒、 ・ 触媒の再生温度：650乃至900℃ ・ 再生装置９′内の触媒の滞留時間：１乃至15
分 ・ 密閉容器４′の出口の触媒温度：480乃至580
℃、 ・ 垂直管１０１の入口の脱着ガスの温度：500
乃至900℃。 第３図および第４図は本発明による接触クラツ
キング法の他の２つの実施例を示し、これらに使
用される再生密閉容器は２段式である。これらの
図において、第１図および第２図で既に説明した
各装置は同じ参照数字にそれぞれａ，ｂの記号を
付して示してある。 第３図の場合は、再生装置９ａは上昇流式であ
つて、これには９１ａと９１ｂの２段がある。密
閉容器４ａにおいて既にストリツピングされた使
用済の触媒は、管１０ａ、垂直管１０１ａ及び水
平管１０２ａを経て再生装置の上流段９１ａへ送
られる。脱着ガスは管路１８ａを経て垂直管１０
ａの下部へ加圧注入される。この脱着ガスには、
管路２０ａを経て再生容器から導かれる燃焼ガス
と、場合によつては、管路１９ａを経て導かれる
水蒸気との混合物が含まれている。 燃焼の第１段の底には管路１２ａを経て空気が
供給され、空気は規則的に間隔をおいた注入装置
１３ａによつて分配される。この段ではサンクロ
ン１４ａが、部分的に再生された触媒粒子から燃
焼ガスを分離する。燃焼ガスは、管路１１７ａの
方へガス流束の一部を逃がすことのできる弁１１
６ａを備えた管路１１５ａを経て管路２０ａの方
へ送られる。 最初の再生処理を受けた触媒粒子は次に、管路
１１１ａによつて空気を供給される中心管１１０
ａを経て再生装置の下流段９１ｂへ移送される。
下流段９１ｂの底へはこれも、管路１１２ａと注
入器１１３ａによつて空気が供給される。再生さ
れた触媒粒子は横から緩衝容器１１８ａへ排出さ
れエレベーター１ａの供給管３ａを経て循環され
る。下流段９１ｂの上部に排出される燃焼ガスは
外部サイクロン１１９ａ内で処理される。触媒粒
子はそのサイクロンの底部から管路１２０ａを経
て上流段９１ａへ戻り、一方、燃焼ガスは管路１
２１ａと２０ａを経て管路１８ａの方へ排出され
る。安全弁１２２が管路１２１ａに設けられてい
て、弁１２３ａによつてガスの一部を管路１２４
ａの方へ供給することができる。 上昇流式２段階再生装置を設けた本発明のこの
実施例には次のような長所がある。即ち、 ・ 触媒の諸性質を変えることなくコークスを完
全燃焼することのできる触媒の２重再生、 ・ 第２の再生装置には温度制限は全くないの
で、触媒は、仕込物を蒸発させてクラツキング
するために必要な程度までその温度を上げるこ
とができる。 第４図の実施例も、下降流式の９２ａと９２ｂ
の２段階再生装置９ｂを含んである。 密封容器４ｂにおいて既にストリツピングされ
た触媒は管１０ｂ、垂直管１０１ｂ及び水平管１
０２ｂを経て、上流段９２ｂの方へ送られる。脱
着ガスは、管路１８ｂを経て垂直管１０１ｂの下
部へ加圧注入される。このストリツピングガス
は、管路１９ｂから導入される水蒸気と、再生装
置９ｂから管路２０ｂを経て来る燃焼ガスとの混
合物で構成されていてもよい。 空気は管路１１２ｂから注入装置１１３ｂを経
て、上流段９２ｂの底へ注入される。サイクロン
１４ｂによつて懸垂粒子と燃焼ガスとは分離さ
れ、燃焼ガスは管路１２１ｂを経て排出され、さ
らに弁１２３ｂによつて管路１２４ｂの方へ送ら
れる。 上流段９２ｂで処理された粒子は管１２５を経
て重力によつて再生装置の下流段９２ａの方へ送
られ、この再生装置９２ａの底へ空気が管路１２
ｂと注入装置１３ｂによつて注入される。燃焼ガ
スは外部サイクロン１１９ｂの方へ排出され、こ
こから触媒粒子は管１２０ｂを経て下流段９２ａ
へ戻り、一方、ガスは管路１１５ｂを経て管路２
０ｂの方へ排出される。このとき弁１１６ｂによ
つてガスの一部を補助管路１１７ｂの方へ送るこ
とができる。 再生された触媒は下流段９２ａの底から管３ｂ
を経て排出され、エレベーター１ｂによつて供給
され再循環される。 下降流式２段階再生装置を有する本発明による
クラツキング装置のこの実施例には、前に述べた
特長の外に次の特長もある。即ち、 ・２つの再生段はともに向流とされる。 ・ 各サイクロンは外部にあり、一般的に低くで
きる。 ・ 最高温度で機能する、従つて最も重い再生装
置が下部レベルにあり、このため装置の構造が
簡単となる。 次の操作例は本発明の説明を目的とするもの
で、制限的性格のものではない。 例 接触クラツキングの２種のテストを第３図に示
した型の２基の再生装置のユニツトで同一炭化水
素仕込物によつて実施した。第１のテストとは反
対に、第２のテストは、短いエレベーターによ
る、本発明による並流脱着段階を含む装置を用い
て実施した。 仕込物の性質 ・ 密度：0.903 ・ 硫黄：0.77重量％ ・ 全窒素：0.19重量％ ・ バナジウム：4p.p.m. ・ ニツケル：11p.p.m. ・ コンラドソン炭素：4.9重量％ ・ 比Ｃ／Ｈ：12.4 ・ 600℃での不揮発分：23容量％ 操業条件：

【表】 596℃の再生ガスによる、短いエレベーターと
並流脱着の併用によつてΔコークスは低下し、再
生温度が低減されることになる。このため触媒の
循環（Ｃ／Ｏ 5.6）を増大させ、触媒の安定性
を改良することが可能となる。クラツキング反応
についての最も重要な変化は次の通りである。即
ち、 ・ 乾燥ガスの低減、 ・ 新しい触媒の添加量の26％低減、 ・ 転化率の向上 ・ 次表が示すような液体収率の増加。

【表】 効 果 本発明による並流であつてより高温の脱着の結
果、いくつかの長所が生れる。すなわち、 ・ エレベーターは公知のものより短い。 ・ ストリツピング域から到来する水蒸気と、 コークスに含まれている水素から形成される水
蒸気とは、流動床における再生段階の当初から容
易に分離される。従つて水蒸気が触媒の反応に影
響を与える可能性は少ない。 ・ 触媒の表面に沈積するニツケルやバナジウム
のような金属の無視できない部分を揮発性化合
物として分離することができる。従つて触媒の
寿命は改善される。 ・ 脱着段階のガスは、再生装置まで触媒粒子を
運ぶための、ストリツピングから来る触媒の上
昇ガスの役目をする。 本発明による脱着手段を利用すれば触媒粒子に
追加の推進圧力を与え、これによつてクラツキン
グ装置の各種ユニツト、特にエレベーターと再生
装置の位置決めを多様化することができる。更に
脱着手段の利用によつて、特に、もし注入ガスと
して、ストリツピング温度よりも約25℃、可能な
ら100℃高い温度にある再生装置から到来するガ
スを利用するのであれば、ストリツピングの品質
は改良され、これによつてΔコークスの値は著し
く低下し、このΔコークスを反応のΔコークスに
限定することができ、従つて、再生における熱放
散はより少なくなり、又触媒の分解は少なくなつ
てより安定化する。従つて、エレベーターの長さ
を縮めることができ且つ／又はより重質の仕込物
を処理することができる。最後に、使用済触媒の
再生装置への供給の制御と調節を改善することが
でき、しかも、熱い点を減らしてその温度を制御
できるという利点があり、これによつて触媒の安
定性が保たれ、その上、より良く再生され従つて
より活性度の高い触媒が得られるという利点もあ
る。 本発明によつてエレベーターの長さを縮めるこ
とができることは特筆すべきである。実際、この
可能性によつて、一方では、ガソリンの類型のク
ラツキング物質及び軽い蒸留物選択性を改善する
ことができ、他方では、ガスの発生量を増やすこ
となく、又Δコークスを低下させてエレベーター
の温度を上げることができる。従つて、仕込物の
転化率を改良することができ、また、得られる製
品のオクタン価を改良することも可能となり、さ
らにより重質でクラツキングがより難しい仕込物
を処理することができる。その上、高さの低いエ
レベーターは仕込物の滞留時間をきわめて短くす
るのに適している。

【図面の簡単な説明】

添附の面に示すのは流動接触クラツキングの公
知の装置の略図と、本発明の様々な実施例の略図
である。これらの図において、 第１図は流動接触クラツキングの従来の装置の
略図であり、第２図は、１段式触媒再生装置を含
む本発明による装置の略図であり、第３図および
第４図はそれぞれ２段式触媒再生装置を含む本発
明による２種の装置の略図である。 １′……エレベーター型の塔、３′……再循環装
置、４′……密閉容器、７′，８′……ストリツピ
ングする手段、９′……再生装置、１３′……脱着
手段。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ クラツキングの条件下において後述の仕込物
   とクラツキング触媒粒子とをエレベーター内の上
   昇流で接触させる段階と、エレベーターの上端の
   下で使用済触媒とクラツキングを行なつた仕込物
   とを分離する段階と、この触媒と向流に注入され
   るガスによつて使用済触媒をストリツピングする
   段階と、触媒上に沈積したコークスの燃焼条件下
   において前記触媒を再生する段階と、再生した触
   媒をエレベーターに供給すべく再循環させる段階
   とを含む、炭化水素仕込物の流動接触クラツキン
   グ法において、前記ストリツピングを施した後で
   前記再生を行なう前に、前記触媒に、これに並流
   に注入させるガスによつて脱着を施すこと、及び
   使用済触媒とガスとから生じる混合物を、緻密流
   動床の上部にある再生域の流動化部分に注入する
   ことによる改良方法。 ２ 特許請求の範囲第１項記載の方法において、
   前記脱着ガスが少なくとも部分的に触媒の再生段
   階から来るガスによつて構成されていることを特
   徴とする方法。 ３ 特許請求の範囲第１又は２項記載の方法にお
   いて、前記脱着ガスの圧力が、触媒を１又は２以
   上の再生装置の方へ上昇させるための上昇ガスと
   して機能するに十分な強さであることを特徴とす
   る方法。 ４ 特許請求の範囲第２又は３項記載の方法にお
   いて、前記脱着ガスの温度が、ストリツピングを
   受けようとする触媒粒子の温度より少なくとも25
   ℃高いことを特徴とする方法。 ５ エレベーター型の塔１′と、これに炭化水素
   仕込物とクラツキング触媒粒子を加圧供給するた
   めにエレベーターの底部に配置した手段と、エレ
   ベーターと同心にエレベーターの頂部に配置され
   た密閉容器４′内で、使用済触媒粒子をガスによ
   りストリツピングする手段７′，８′であつて、ス
   トリツピングガスが使用済触媒粒子を向流にこの
   密閉容器内に注入されるようにした手段と、触媒
   上に沈積したコークスの燃焼による前記触媒の少
   なくとも一基の再生装置９′と、前記供給手段へ
   の再生触媒の再循環装置３７とを含む炭化水素仕
   込物の流動接触クラツキング装置において、前記
   ストリツピング手段と前記再生装置の間に、前記
   触媒粒子の第２のガスによる脱着手段１３′が含
   まれていて、この脱着手段では第２のストリツピ
   ングガスが触媒粒子の流束の中にこれに並流で加
   圧注入されるようになつていること、及び触媒と
   ガスとから成る混合物が緻密な流動床の上部にあ
   る再生域の部分に注入されることを特徴とする装
   置。 ６ 特許請求の範囲第５項記載の装置において、
   再生装置９′に唯一つの再生段があり、前記の脱
   着ガスが使用済触媒を同装置の上方へ供給するた
   めの垂直管１０１中に注入されることを特徴とす
   る装置。 ７ 特許請求の範囲第６項記載の装置において、
   これに再生装置９′の燃焼ガス排出用管路１５′に
   接続された第２のストリツピングガスの供給管路
   １８が含まれていることを特徴とする装置。 ８ 特許請求の範囲第５項記載の装置において、
   再生装置９ａ，９ｂに上昇流式の２つの再生段９
   １ａ，９１ｂ又は下降流式の２つの再生段９２
   ａ，９２ｂが含まれていて、脱着ガスが、再生装
   置の上流段９１ａ，９２ｂの上流に使用済触媒を
   供給するための垂直管１０１ａ，１０１ｂに注入
   されることを特徴とする装置。 ９ 特許請求の範囲第８項記載の装置において、
   再生装置の上流段９１ａ，９２ｂ及び／又は下流
   段９１ｂ，９２ａにおける燃焼ガス排出用管路２
   ０ａ，２０ｂに接続された脱着ガス供給管路１８
   ａ，１８ｂが含まれていることを特徴とする装
   置。 １０ 特許請求の範囲第５〜９項のうちいずれか
   に１項に記載の装置において、これに高さの低い
   エレベーター型の塔１′が含まれていることを特
   徴とする装置。