JPH0473804B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0473804B2 JPH0473804B2 JP60139968A JP13996885A JPH0473804B2 JP H0473804 B2 JPH0473804 B2 JP H0473804B2 JP 60139968 A JP60139968 A JP 60139968A JP 13996885 A JP13996885 A JP 13996885A JP H0473804 B2 JPH0473804 B2 JP H0473804B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- convolver
- surface acoustic
- acoustic wave
- gates
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Digital Transmission Methods That Use Modulated Carrier Waves (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
Ａ 産業上の利用分野
本発明は、基板上に、その両端の近傍に互に対
向して設けられた入力トランスデユーサから互に
相対する方向に表面波を伝播し、それらの入力ト
ランスデユーサの間に２分割された出力ゲートが
設けられたDifferential Phiase Shift Keying
（以下本明細書においてはDPSKと略称する）コ
ンボルバとして使用される弾性表面波装置に関す
る。
向して設けられた入力トランスデユーサから互に
相対する方向に表面波を伝播し、それらの入力ト
ランスデユーサの間に２分割された出力ゲートが
設けられたDifferential Phiase Shift Keying
（以下本明細書においてはDPSKと略称する）コ
ンボルバとして使用される弾性表面波装置に関す
る。
Ｂ 発明の概要
DPSKコンボルバにおいて、２分割された出力
ゲート間に金属膜から成る電極が配置された弾性
表面波コンボルバが開示される。上記電極端部と
出力ゲート端部の間の距離をl1、弾性表面波の波
長をλ0、正の整数をn1とするとき、l1＝n1／２λ0で ある。上記コンボルバはエラステイツクコンボル
バであることも、半導体基板上に形成された圧電
体膜から成るモノリシツクコンボルバであること
もできる。
ゲート間に金属膜から成る電極が配置された弾性
表面波コンボルバが開示される。上記電極端部と
出力ゲート端部の間の距離をl1、弾性表面波の波
長をλ0、正の整数をn1とするとき、l1＝n1／２λ0で ある。上記コンボルバはエラステイツクコンボル
バであることも、半導体基板上に形成された圧電
体膜から成るモノリシツクコンボルバであること
もできる。
Ｃ 従来の技術
従来の弾性表面波コンボルバには、(a)半導体と
圧電体を僅かな空隙を介して結合する分離媒質コ
ンボルバ、(b)は圧電体基板自体の非線形性を利用
するエラステイツクコンボルバ、(c)半導体基板上
に圧電体薄膜を形成した層状構造のモノリシツク
コンボルバが知られている。
圧電体を僅かな空隙を介して結合する分離媒質コ
ンボルバ、(b)は圧電体基板自体の非線形性を利用
するエラステイツクコンボルバ、(c)半導体基板上
に圧電体薄膜を形成した層状構造のモノリシツク
コンボルバが知られている。
(a)の分離媒質コンボルバに、空隙の制御が非常
にやつかいなため、生産性が劣る欠点がある。(b)
のエラステイツクコンボルバでは、圧電体基板の
弾性的非線形性を利用するために、大きな弾性表
面波エネルギが必要になる。一方、エラステイツ
クコンボルバおよび層状構造モノリシツクコンボ
ルバは分離媒質コンボルバとは異なり、組立てが
容易なために生産性が上るという特長を持つてい
る。さらに、(c)の層状構造モノリシツクコンボル
バは、半導体の空乏層容量の非線形性を利用して
いるので、コンボルーシヨン効率が大きいうえ、
モノリシツク構造のために、構成が容易であると
いう特長を持つている。
にやつかいなため、生産性が劣る欠点がある。(b)
のエラステイツクコンボルバでは、圧電体基板の
弾性的非線形性を利用するために、大きな弾性表
面波エネルギが必要になる。一方、エラステイツ
クコンボルバおよび層状構造モノリシツクコンボ
ルバは分離媒質コンボルバとは異なり、組立てが
容易なために生産性が上るという特長を持つてい
る。さらに、(c)の層状構造モノリシツクコンボル
バは、半導体の空乏層容量の非線形性を利用して
いるので、コンボルーシヨン効率が大きいうえ、
モノリシツク構造のために、構成が容易であると
いう特長を持つている。
層状モノリシツク構造の断面図を第５図、上面
図を第６図に示す。ここで、１はシリコン等の半
導体層、２は酸化亜鉛、窒化アルミニウム等の圧
電体膜、３は弾性表面波用入力トランスデユー
サ、４は出力ゲートであり、トランスデユーサ３
およびゲート４はアルミニウム等の金属膜で形成
される。
図を第６図に示す。ここで、１はシリコン等の半
導体層、２は酸化亜鉛、窒化アルミニウム等の圧
電体膜、３は弾性表面波用入力トランスデユー
サ、４は出力ゲートであり、トランスデユーサ３
およびゲート４はアルミニウム等の金属膜で形成
される。
弾性表面波コンボルバを例えば広帯域通信
Spread Spectrum Communication（以下本明細
書においてはSSCと略記する）等の信号処理機能
素子として応用することは広く知られている。
SSCにおいて転送すべきデータ変調にはDPSKが
よく使われている。
Spread Spectrum Communication（以下本明細
書においてはSSCと略記する）等の信号処理機能
素子として応用することは広く知られている。
SSCにおいて転送すべきデータ変調にはDPSKが
よく使われている。
このようなDPSK変調された信号を弾性表面波
コンボルバで整合波するために、第７図に示す
構造のコンボルバが提案されている。第７図に示
す構造はDPSKコンボルバと呼ばれ、その詳細な
動作はデイー・ブロツトコルブ（D.Brodtkorb）
およびジエイ・イー・レイナ（J.E.Laynor）著
1978年発行の雑誌ウルトラソニツクス・シンポジ
ウム・ブロシーデイングス（Ultrasonics
Symposium Proceedings）第561頁から第566頁
までに掲載された論文に示されている。第７図に
おいて、５，６は出力ゲートであり、中央で分離
されている。７は両ゲート５，６からの信号の和
および差をとるためのハイブリツドである。８，
９はハイブリツド出力であり８が和（Σput）、９
が差（Δput）を出力する。
コンボルバで整合波するために、第７図に示す
構造のコンボルバが提案されている。第７図に示
す構造はDPSKコンボルバと呼ばれ、その詳細な
動作はデイー・ブロツトコルブ（D.Brodtkorb）
およびジエイ・イー・レイナ（J.E.Laynor）著
1978年発行の雑誌ウルトラソニツクス・シンポジ
ウム・ブロシーデイングス（Ultrasonics
Symposium Proceedings）第561頁から第566頁
までに掲載された論文に示されている。第７図に
おいて、５，６は出力ゲートであり、中央で分離
されている。７は両ゲート５，６からの信号の和
および差をとるためのハイブリツドである。８，
９はハイブリツド出力であり８が和（Σput）、９
が差（Δput）を出力する。
Ｄ 発明が解決しようとする問題点
第７図に示すDPSKコンボルバにおいて、左右
のゲート５，６からの出力はデータの引き続く２
ビツト間の位相関係を示す。ゲート５，６からの
出力は本来ならばハイブリツド７で結合されなけ
ればならないが、ゲート５，６は非常に接近して
いるために、ゲート５，６の金属の間に直接電磁
的結合（フイールドスルー）が生じる。このフイ
ールドスルーのために、ハイブリツド出力８，９
の和および／または差出力に不要波出力が生じ、
スプリアスが増大し、特性劣化を生じさせる欠点
がある。
のゲート５，６からの出力はデータの引き続く２
ビツト間の位相関係を示す。ゲート５，６からの
出力は本来ならばハイブリツド７で結合されなけ
ればならないが、ゲート５，６は非常に接近して
いるために、ゲート５，６の金属の間に直接電磁
的結合（フイールドスルー）が生じる。このフイ
ールドスルーのために、ハイブリツド出力８，９
の和および／または差出力に不要波出力が生じ、
スプリアスが増大し、特性劣化を生じさせる欠点
がある。
さらに、第７図のゲートの中央部の端１０，１
１は金属端になつているために弾性表面波の反射
端となつている。したがつて、この中央部の端で
の弾性表面波の反射により不要波が発生し、ハイ
ブリツド出力８，９に特性劣化を生じさせる。ま
た、この反射波によつてセルフコンボルーシヨン
が発生し、特性劣化の発生源になる。
１は金属端になつているために弾性表面波の反射
端となつている。したがつて、この中央部の端で
の弾性表面波の反射により不要波が発生し、ハイ
ブリツド出力８，９に特性劣化を生じさせる。ま
た、この反射波によつてセルフコンボルーシヨン
が発生し、特性劣化の発生源になる。
したがつて、本発明の目的は、不要波が抑制さ
れた弾性表面波コンボルバを提供することであ
る。
れた弾性表面波コンボルバを提供することであ
る。
Ｅ 問題点を解決するための手段
上記目的を達成するために、本発明による弾性
表面波装置は、基板上にその両端の近傍に互に対
向して設けられた入力トランスデユーサから互に
相対する方向に表面波を伝播し、それらの入力ト
ランスデユーサの間に２分割された出力ゲートが
設けられたDPSKコンボルバとして使用される弾
性表面波装置において、さらに上記２分割された
出力ゲート間に金属膜から成る電極を含むことを
要旨とする。上記電極端部と出力ゲート端部の間
の距離をl1、弾性表面波の波長をλ0、正の整数を
n1とするとき、l1＝n1／２λ0である。上記金属膜か ら成る電極は接地される。
表面波装置は、基板上にその両端の近傍に互に対
向して設けられた入力トランスデユーサから互に
相対する方向に表面波を伝播し、それらの入力ト
ランスデユーサの間に２分割された出力ゲートが
設けられたDPSKコンボルバとして使用される弾
性表面波装置において、さらに上記２分割された
出力ゲート間に金属膜から成る電極を含むことを
要旨とする。上記電極端部と出力ゲート端部の間
の距離をl1、弾性表面波の波長をλ0、正の整数を
n1とするとき、l1＝n1／２λ0である。上記金属膜か ら成る電極は接地される。
Ｆ 作用
両ゲートに発生するコンボルーシヨン信号は金
属電極によつてシールドされ、両ゲート間の電磁
的結合が抑制される。
属電極によつてシールドされ、両ゲート間の電磁
的結合が抑制される。
Ｇ 実施例
第１図は本発明による弾性表面波DPSKコンボ
ルバの上面図で、両端の近傍に設けられた入力ト
ランスデユーサ３の間に２個分に分割された出力
ゲート５，６が設けられ、その分割されたゲート
の間に金属電極１２が設けられている。入力トラ
ンスデユーサ３によつて発生させられる弾性表面
波のゲート５，６上で非線形効果によつて入力信
号のコンボルーシヨン信号が得られる。
ルバの上面図で、両端の近傍に設けられた入力ト
ランスデユーサ３の間に２個分に分割された出力
ゲート５，６が設けられ、その分割されたゲート
の間に金属電極１２が設けられている。入力トラ
ンスデユーサ３によつて発生させられる弾性表面
波のゲート５，６上で非線形効果によつて入力信
号のコンボルーシヨン信号が得られる。
両ゲート間の金属電極には有利には接地されて
いる。そのようにして、両ゲートにおいて発生し
たコンボルーシヨン信号は金属電極１２によつて
シールドされる。したがつて、出力ゲート５，６
の出力端子１３，１４に現われる信号のうち電極
５，６間の電磁的結合による信号は抑制されてお
り、出力端子１３，１４に現われる信号を用いて
DPSK復調が容易になり、また不要波が軽減され
ているので、高性能なDPSKコンボルバが得られ
る。
いる。そのようにして、両ゲートにおいて発生し
たコンボルーシヨン信号は金属電極１２によつて
シールドされる。したがつて、出力ゲート５，６
の出力端子１３，１４に現われる信号のうち電極
５，６間の電磁的結合による信号は抑制されてお
り、出力端子１３，１４に現われる信号を用いて
DPSK復調が容易になり、また不要波が軽減され
ているので、高性能なDPSKコンボルバが得られ
る。
第２図は第１図の中央部付近を拡大した断面図
を示す。ここで、l2は金属電極１２の幅であり、
l1は両出力ゲート５，６と金属電極１２の間隔で
ある。弾性表面波がこの中央部に入射すると、ゲ
ート端１０，１１および金属電極１２の端１５，
１６において反射が生じる。しかし、各反射端１
０，１５，１６，１１からの反射波の合成法によ
り総体的な反射を打ち消すことがl1の与え方によ
つて可能である。すなわち、上記電極端部と出力
ゲート端部の間の距離をl1、弾性表面波の波長を
λ0、正の整数をn1とするとき、 l1＝n1／２λ0 とすることによつて、各反射波は打消し合い、不
要波の影響が軽減される。
を示す。ここで、l2は金属電極１２の幅であり、
l1は両出力ゲート５，６と金属電極１２の間隔で
ある。弾性表面波がこの中央部に入射すると、ゲ
ート端１０，１１および金属電極１２の端１５，
１６において反射が生じる。しかし、各反射端１
０，１５，１６，１１からの反射波の合成法によ
り総体的な反射を打ち消すことがl1の与え方によ
つて可能である。すなわち、上記電極端部と出力
ゲート端部の間の距離をl1、弾性表面波の波長を
λ0、正の整数をn1とするとき、 l1＝n1／２λ0 とすることによつて、各反射波は打消し合い、不
要波の影響が軽減される。
以上の説明は、エラステイツクコンボルバにも
層状構造モノリシツクコンボルバにも応用できる
ことは明らかである。すなわち、エラステイツク
コンボルバは、第３図に示すように、ニオブ酸リ
チウム等から成る圧電体基板１７上にアルミニウ
ム等の金属膜により入力トランスデユーサ、入力
トランスデユーサ３の間に出力ゲート５，６、お
よび出力ゲート５，６間に金属電極１２を形成し
た構造である。
層状構造モノリシツクコンボルバにも応用できる
ことは明らかである。すなわち、エラステイツク
コンボルバは、第３図に示すように、ニオブ酸リ
チウム等から成る圧電体基板１７上にアルミニウ
ム等の金属膜により入力トランスデユーサ、入力
トランスデユーサ３の間に出力ゲート５，６、お
よび出力ゲート５，６間に金属電極１２を形成し
た構造である。
層状構造モノリシツクコンボルバは、第４図に
示すように、シリコン等から成る半導体基板１８
上に酸化亜鉛、窒化アルミニウム等の圧電膜１９
を形成し、その上に入力トランスデユーサ３、出
力ゲート５，６、金属電極１２を形成した構造で
ある。金属電極１２はl1＝n1／２λ0を満足するよう に形成される。
示すように、シリコン等から成る半導体基板１８
上に酸化亜鉛、窒化アルミニウム等の圧電膜１９
を形成し、その上に入力トランスデユーサ３、出
力ゲート５，６、金属電極１２を形成した構造で
ある。金属電極１２はl1＝n1／２λ0を満足するよう に形成される。
Ｈ 発明の効果
以上説明した通り、本発明によれば、DPSK弾
性表面波コンボルバにおいて、２分割された出力
ゲート間の電磁的結合およびゲート端からの弾性
表面波の反射による不要波の影響を軽減でき、ま
たセルフコンボルーシヨンが抑制されるので高性
能なコンボルバを得ることができる。
性表面波コンボルバにおいて、２分割された出力
ゲート間の電磁的結合およびゲート端からの弾性
表面波の反射による不要波の影響を軽減でき、ま
たセルフコンボルーシヨンが抑制されるので高性
能なコンボルバを得ることができる。
第１図は本発明による弾性表面波DPSKコンボ
ルバの上面図、第２図は第１図の中央部付近を拡
大した断面図、第３図は本発明によるエラステイ
ツクコンボルバの断面図、第４図は本発明による
層状構造モノリシツクコンボルバの断面図、第５
図および第６図は従来の層状構造モノリシツク弾
性表面波コンボルバのそれぞれ断面図および上面
図、第７図は従来のDPSKコンボルバの上面図で
ある。 ３……入力トランスデユーサ、５，６……出力
ゲート、１０，１１……出力ゲートの中央部の
端、１２……金属電極、１３，１４……出力端
子、１５，１６……金属電極の端、１７……圧電
体基板、１８……半導体基板、１９……圧電膜。
ルバの上面図、第２図は第１図の中央部付近を拡
大した断面図、第３図は本発明によるエラステイ
ツクコンボルバの断面図、第４図は本発明による
層状構造モノリシツクコンボルバの断面図、第５
図および第６図は従来の層状構造モノリシツク弾
性表面波コンボルバのそれぞれ断面図および上面
図、第７図は従来のDPSKコンボルバの上面図で
ある。 ３……入力トランスデユーサ、５，６……出力
ゲート、１０，１１……出力ゲートの中央部の
端、１２……金属電極、１３，１４……出力端
子、１５，１６……金属電極の端、１７……圧電
体基板、１８……半導体基板、１９……圧電膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上に、その両端の近傍に互に対向して設
けられた入力トランスデユーサから互に相対する
方向に表面波を伝播し、それらの入力トランスデ
ユーサの間に２分割された２つの出力ゲートが設
けられたDPSKコンボルバとして使用される弾性
表面波装置において、 上記２分割された出力ゲート間に金属膜から成
る電極、を含み、上記金属膜電極端部と出力ゲー
ト端部の間の距離をl1、弾性表面波の波長をλ0、
正の整数をn1とするとき、 l1＝n1／２λ0 を満足するように構成したことを特徴とする弾性
表面波装置。 ２ 上記金属膜から成る電極が接地されているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の弾性
表面波装置。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13996885A JPS61296811A (ja) | 1985-06-25 | 1985-06-25 | 弾性表面波装置 |
| US06/875,855 US4841470A (en) | 1985-06-25 | 1986-06-18 | Surface acoustic wave device for differential phase shift keying convolving |
| GB8615382A GB2179221B (en) | 1985-06-25 | 1986-06-24 | Surface acoustic wave device |
| NL8601643A NL8601643A (nl) | 1985-06-25 | 1986-06-24 | Oppervlakte-acoustische-golfinrichting. |
| FR868609116A FR2590089B1 (fr) | 1985-06-25 | 1986-06-24 | Convolutionnement a codage par dephasage differentiel |
| DE19863621211 DE3621211A1 (de) | 1985-06-25 | 1986-06-25 | Phasendifferenzmodulations-wendelleiter |
| GB8913782A GB2220318B (en) | 1985-06-25 | 1989-06-15 | Surface acoustic wave device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13996885A JPS61296811A (ja) | 1985-06-25 | 1985-06-25 | 弾性表面波装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61296811A JPS61296811A (ja) | 1986-12-27 |
| JPH0473804B2 true JPH0473804B2 (ja) | 1992-11-24 |
Family
ID=15257857
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13996885A Granted JPS61296811A (ja) | 1985-06-25 | 1985-06-25 | 弾性表面波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61296811A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59215109A (ja) * | 1983-05-20 | 1984-12-05 | Clarion Co Ltd | 弾性表面波装置 |
-
1985
- 1985-06-25 JP JP13996885A patent/JPS61296811A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61296811A (ja) | 1986-12-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3980904A (en) | Elastic surface wave device | |
| US4206380A (en) | Piezoelectric surface acoustic wave device with suppression of reflected signals | |
| US4491811A (en) | Surface acoustic wave device | |
| JPS6294009A (ja) | 差動検出用千鳥配置表面音波共振器 | |
| US5294859A (en) | Surface acoustic wave filter device | |
| US4599532A (en) | Surface acoustic wave device with anti-reflection electrode structure | |
| US4334167A (en) | Elastic surface wave device | |
| US4369390A (en) | Symmetric beam width compression multistrip coupler | |
| JPH0473804B2 (ja) | ||
| US4841470A (en) | Surface acoustic wave device for differential phase shift keying convolving | |
| JP3040928B2 (ja) | 弾性表面波トランスデューサ | |
| US4965480A (en) | Surface acoustic wave convolver with two output electrodes of different lengths | |
| JPH0455002B2 (ja) | ||
| JPH053930B2 (ja) | ||
| JP3194784B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JPS621310A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP3197883B2 (ja) | 弾性表面波トランスデューサ | |
| JP2602222B2 (ja) | 弾性表面波コンボルバ | |
| JP3189467B2 (ja) | エラスティックコンボルバ | |
| JP3166445B2 (ja) | エラスティックコンボルバ | |
| JP2583384B2 (ja) | 内部反射形一方向性弾性表面波変換器及びこれを用いた電子装置 | |
| JPS5841005B2 (ja) | 表面弾性波素子 | |
| JPH036916A (ja) | 弾性表面波コンボルバ | |
| JPH0223090B2 (ja) | ||
| KR800000703B1 (ko) | 탄성 표면파 필터 |