JPS61296811A - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
- Publication number
- JPS61296811A JPS61296811A JP13996885A JP13996885A JPS61296811A JP S61296811 A JPS61296811 A JP S61296811A JP 13996885 A JP13996885 A JP 13996885A JP 13996885 A JP13996885 A JP 13996885A JP S61296811 A JPS61296811 A JP S61296811A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gates
- convolver
- surface acoustic
- acoustic wave
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 claims 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 230000009022 nonlinear effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- IBXOPEGTOZQGQO-UHFFFAOYSA-N [Li].[Nb] Chemical compound [Li].[Nb] IBXOPEGTOZQGQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 101150096078 outD gene Proteins 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Digital Transmission Methods That Use Modulated Carrier Waves (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
八 産業上の利用分野
本発明は、基板上にその両端の近傍に互に対向して設け
られた入力トランスデューサから互に相対する方向に表
面波音伝播し、それらの人カドランスデューサの間1c
2分割された出力ゲートが設げられたDifferen
Lial Phase 5hift Keying (
以下本明細書においてはDPSKと略称する)コンボル
バとして使用される弾性表面波装置に関する。
られた入力トランスデューサから互に相対する方向に表
面波音伝播し、それらの人カドランスデューサの間1c
2分割された出力ゲートが設げられたDifferen
Lial Phase 5hift Keying (
以下本明細書においてはDPSKと略称する)コンボル
バとして使用される弾性表面波装置に関する。
B 発明のa決
DPSKコンボルバにおいて、2分割された出力ゲート
向に金属膜から成る電極が配置された弾性表面匝コンボ
ルバが開示される。上記電極端部と出力ゲートgthA
部の閣の距離を11、弾性表面波の波長tλ0.正の豊
数tn1とするとさ、l□=ツクコンボルバであること
も、半導体基板上圧形成された圧電体膜から成るモノリ
シックコンボルバであることもできる。
向に金属膜から成る電極が配置された弾性表面匝コンボ
ルバが開示される。上記電極端部と出力ゲートgthA
部の閣の距離を11、弾性表面波の波長tλ0.正の豊
数tn1とするとさ、l□=ツクコンボルバであること
も、半導体基板上圧形成された圧電体膜から成るモノリ
シックコンボルバであることもできる。
C従来の技術
従来の弾性袋rkJ技コンボルバには、 (a)半導体
と圧電体を僅かな窒111t’に介して結合する分離媒
質コンボルバ、(b)圧電体基板自体の非線形性を利用
するエラスティックコンボルバ、(C)半導体基板上に
圧電体薄膜を形成した層状構造のモノリシックコンボル
ハカ知られている。
と圧電体を僅かな窒111t’に介して結合する分離媒
質コンボルバ、(b)圧電体基板自体の非線形性を利用
するエラスティックコンボルバ、(C)半導体基板上に
圧電体薄膜を形成した層状構造のモノリシックコンボル
ハカ知られている。
(a)の分離媒質コンボルバには、9原の制御が非常に
やっかいなために、生産性か劣る欠点がある。
やっかいなために、生産性か劣る欠点がある。
(bJのエラスティックコンボルバ5では、圧電体基板
の弾性的非線形性χ利用するために、大きな弾性表面波
エネルギか心安になる。一方、エラスティックコンボル
バおよびノー状構造モノリシックコンボルバは分離媒質
コンボルバとは異なり、組立てが答易なために生産性が
上るという特長を持っている。さらK、(CJの層状構
造モノリシックコンボルバは、半導体の窒乏層容量の非
線形性を利用しているので、コンポルージョン効率が大
きいうえ、モノリシック構造のために、構成が容易であ
るという特長を持っている。
の弾性的非線形性χ利用するために、大きな弾性表面波
エネルギか心安になる。一方、エラスティックコンボル
バおよびノー状構造モノリシックコンボルバは分離媒質
コンボルバとは異なり、組立てが答易なために生産性が
上るという特長を持っている。さらK、(CJの層状構
造モノリシックコンボルバは、半導体の窒乏層容量の非
線形性を利用しているので、コンポルージョン効率が大
きいうえ、モノリシック構造のために、構成が容易であ
るという特長を持っている。
層状モノリシック構造の断面図を第5図、上面図を第6
図に示す。ここで、lはシリコン等の牛導体層、2は酸
化亜鉛、窒化アルミニウム等の圧電体膜、3は弾性表I
fl波用入力トランスデューサ、4は出力ゲートであり
、トランスデユーサ3およびゲート4はアルミニウム等
の金属層で形成される。
図に示す。ここで、lはシリコン等の牛導体層、2は酸
化亜鉛、窒化アルミニウム等の圧電体膜、3は弾性表I
fl波用入力トランスデューサ、4は出力ゲートであり
、トランスデユーサ3およびゲート4はアルミニウム等
の金属層で形成される。
弾性表面波コンボルバを例えば広帯域通信5pread
Spectrum CotnozunicaLion
(以下本明細書においてはSSCと略記する)等の
信号処理機能素子とし【応用することは広く知られてい
る。
Spectrum CotnozunicaLion
(以下本明細書においてはSSCと略記する)等の
信号処理機能素子とし【応用することは広く知られてい
る。
SSCにおいて転送すべきデータ′に真にはDP SK
がよ(使われ工いる。
がよ(使われ工いる。
このようなりPSKfvI4された信号を弾性表面波コ
ンボルバで整合Paするために、第7図に示す構造のコ
ンボルバが提案されている。帛7図に示す構造はDPS
Kコンボルバと呼ばれ、その詳細な動作はディー・プロ
ットコルプ(D −Brodt−korb )およびジ
エイ・イー・レイナ(J、E。
ンボルバで整合Paするために、第7図に示す構造のコ
ンボルバが提案されている。帛7図に示す構造はDPS
Kコンボルバと呼ばれ、その詳細な動作はディー・プロ
ットコルプ(D −Brodt−korb )およびジ
エイ・イー・レイナ(J、E。
Laynor )著1978年発行の雑誌ウルトラソニ
ックス・シンポジウムープロシーデインダス(Ult−
rasonics Symposium Procee
dings )第561頁から第566頁までに掲載さ
れた論文に示されている。第7図において、5,6は出
力ゲートであり、中央で分離されている。7は両ゲート
5,6からの信号の相および差をとるためのハイブリッ
ドである。8.9はハイブリッド出力であり8が和(Σ
)、9が差(Δ )を出力する。
ックス・シンポジウムープロシーデインダス(Ult−
rasonics Symposium Procee
dings )第561頁から第566頁までに掲載さ
れた論文に示されている。第7図において、5,6は出
力ゲートであり、中央で分離されている。7は両ゲート
5,6からの信号の相および差をとるためのハイブリッ
ドである。8.9はハイブリッド出力であり8が和(Σ
)、9が差(Δ )を出力する。
out outD 発
明が解決しようとする問題点 第7図に示すDPSKコンボルバにおいテ、左右のゲー
ト5,6からの出力はデータの引き続く2ビット間の位
相関係を示す。ゲート5,6からの出力は本来ならばハ
イブリッド7で結合されなければならないが、ゲート5
.6は非常に接近しているために、ゲート5.6の金属
の間に直接電磁的結合(フィールドスルー)が生じる。
明が解決しようとする問題点 第7図に示すDPSKコンボルバにおいテ、左右のゲー
ト5,6からの出力はデータの引き続く2ビット間の位
相関係を示す。ゲート5,6からの出力は本来ならばハ
イブリッド7で結合されなければならないが、ゲート5
.6は非常に接近しているために、ゲート5.6の金属
の間に直接電磁的結合(フィールドスルー)が生じる。
このフィールドスルーのために、ハイブリッド出力8゜
9の和およびlまたは差出力に不及a出力が生じ、スプ
リアスが増大し、特性劣化を住じさせる欠点がある。
9の和およびlまたは差出力に不及a出力が生じ、スプ
リアスが増大し、特性劣化を住じさせる欠点がある。
さらに、第7図のゲートの中央部の端λ0、11は金属
端になっているために弾性表面波の反射端となっている
。したがって、この中央部の端での弾性表面波の反射に
より不要波が発生し、ハイブリッド出力8.9に特性劣
化を生じさせる。また、この反射波によってセルフコン
ポルージョンが発生し、特性劣化の発注源になる。
端になっているために弾性表面波の反射端となっている
。したがって、この中央部の端での弾性表面波の反射に
より不要波が発生し、ハイブリッド出力8.9に特性劣
化を生じさせる。また、この反射波によってセルフコン
ポルージョンが発生し、特性劣化の発注源になる。
したがって、本発明の目的は、不要波が抑制された弾性
表面波コンボルバを提供することである。
表面波コンボルバを提供することである。
E 問題点を屏決するための手段
上記目的を達成するために、本発明による弾性表面波装
置は、基板上圧その両端の近傍に互に対向して設けられ
た入カドランスデユープから互に相対する方向に表面t
ftヲ伝播し、それらの入力トランスデューサの間に±
分割された出力ゲートが設けられたDPSKコンボルバ
として使用される弾性表面波装置において、さらに上記
2分割された出力ゲート間に金属膜から成る電極を含む
ことV訣旨とする。上記電極端部と出力ゲート端部の間
の距離’t−71、弾性表面波の波長tλ0.正の整数
なnlとするとぎ、 、 =f1.1λ。である。上記
金属膜から成る電極は接地される。
置は、基板上圧その両端の近傍に互に対向して設けられ
た入カドランスデユープから互に相対する方向に表面t
ftヲ伝播し、それらの入力トランスデューサの間に±
分割された出力ゲートが設けられたDPSKコンボルバ
として使用される弾性表面波装置において、さらに上記
2分割された出力ゲート間に金属膜から成る電極を含む
ことV訣旨とする。上記電極端部と出力ゲート端部の間
の距離’t−71、弾性表面波の波長tλ0.正の整数
なnlとするとぎ、 、 =f1.1λ。である。上記
金属膜から成る電極は接地される。
F 作用
両ゲートに発生するコンポルージョン信号は金属電極に
よってシールドされ、両ゲート間の電磁的結合が抑制さ
れる。
よってシールドされ、両ゲート間の電磁的結合が抑制さ
れる。
G 冥施飼
M1図は本発明による弾性表面波DPSKコンボルバの
上面図で、両端の近傍に設けられた人カドランスデュー
サ30間に2個に分割された出力ゲート5,6が設けら
れ、その分割されたゲートの間に金属電極氏が投げられ
ている。入力トランスデューサ3によって発生さゼらn
る弾性表面波のゲート5,6上で非線形効果によって入
力信号のコンポルージョン信号が得られる。
上面図で、両端の近傍に設けられた人カドランスデュー
サ30間に2個に分割された出力ゲート5,6が設けら
れ、その分割されたゲートの間に金属電極氏が投げられ
ている。入力トランスデューサ3によって発生さゼらn
る弾性表面波のゲート5,6上で非線形効果によって入
力信号のコンポルージョン信号が得られる。
両ゲート間の金属電極には有利には接地されている。そ
のようにして、両ゲートにお\・1て発生したコンポル
ージョン信号は金属電極12によってシールドされる。
のようにして、両ゲートにお\・1て発生したコンポル
ージョン信号は金属電極12によってシールドされる。
したがって、出力ゲート5.6の出力端子13.14に
現われる信号のうち電極5,6関のti的結合による信
号は抑制されており、出力端子13.14に現われる信
号を用いてDPSK復調が容易になり、また不要波が軽
減されているので、高性能なりPSKコンボルバが得ら
れる。
現われる信号のうち電極5,6関のti的結合による信
号は抑制されており、出力端子13.14に現われる信
号を用いてDPSK復調が容易になり、また不要波が軽
減されているので、高性能なりPSKコンボルバが得ら
れる。
第2図は第1図の中央部付近を拡大した断面図を示す。
ここで、12は金属電極12の幅であり、11は両出力
ゲート5,6と金属′f!L極認の間隔である。弾性表
III]波がこの中天部に入射すると、ゲート端λ0、
11および金属電極12の端15.16において反射が
住じる。しかし、各反射端λ0、15.16゜11から
の反射波の合成法により総体的な反射?打ち消すことが
l□の与え方によって可能である。
ゲート5,6と金属′f!L極認の間隔である。弾性表
III]波がこの中天部に入射すると、ゲート端λ0、
11および金属電極12の端15.16において反射が
住じる。しかし、各反射端λ0、15.16゜11から
の反射波の合成法により総体的な反射?打ち消すことが
l□の与え方によって可能である。
すなわち、上記電極端部と出力ゲート端部の間の距離を
11、弾性表面波の成長をλ。、正の整数をとすること
によって、各反射波は打消し合い、不要波の影響が軽減
される。
11、弾性表面波の成長をλ。、正の整数をとすること
によって、各反射波は打消し合い、不要波の影響が軽減
される。
以上の説明は、エラスティックコンボルバにも層状構造
モノリシックコンボルバにも応用できることは明らかで
ある。すなわち、エラスティックコンボルバは、第3図
に示すように、ニオブ識リチウム等から成る圧電体基板
17上にアルミニウム等の金属膜により人カドランスデ
ューサ、入力トランスデューサ30間に出力ゲート5,
6、および出力ゲート5,6間に金属電極12を形成し
た構造である。
モノリシックコンボルバにも応用できることは明らかで
ある。すなわち、エラスティックコンボルバは、第3図
に示すように、ニオブ識リチウム等から成る圧電体基板
17上にアルミニウム等の金属膜により人カドランスデ
ューサ、入力トランスデューサ30間に出力ゲート5,
6、および出力ゲート5,6間に金属電極12を形成し
た構造である。
層状構造モノリシックコンボルバは、第4図に示すよう
罠、シリコン等から成る牛尋体基板18上に酸化亜鉛、
窒化アルミニウム等の圧電膜19を形成し、その上に入
力トランスデューサ3、出力ゲート5,6、金属vL極
12を形成した構造である。
罠、シリコン等から成る牛尋体基板18上に酸化亜鉛、
窒化アルミニウム等の圧電膜19を形成し、その上に入
力トランスデューサ3、出力ゲート5,6、金属vL極
12を形成した構造である。
金属膜しはl□=iλot満足するように形成される。
H発明の詳細
な説明した通り、本発明によnば、DP SK弾性表面
波コンボルバにおいて、2分割された出力ゲート間の?
la的結合およびゲート端からの弾性表面波の反射によ
る不要波の影響を軽減でき、マタセルフコンボルーショ
ンが抑制されるので高性能なコンボルバを得ることがで
きる。
波コンボルバにおいて、2分割された出力ゲート間の?
la的結合およびゲート端からの弾性表面波の反射によ
る不要波の影響を軽減でき、マタセルフコンボルーショ
ンが抑制されるので高性能なコンボルバを得ることがで
きる。
第1図は本発明による弾性表面波DrSKコンボルバの
上面図、第2図は第1図の中央部付近を拡大した断面図
、第3図は本発明によるエラスティックコンボルバの断
面図、第4図は本発明による層状構造モノリシックコン
ボルバの断面図、第5図および第6図は従来の層状構造
モノリシック弾性表面波コンボルバのそれぞれ断面図お
よび上面図、第7図は従来のDPSKコンボルバの上面
図である。 3・・・入力トランスデューサ、5,6・・・出力ゲー
ト、λ0、11・・・出力ゲートの中央部の端、臣・・
・金属電極、13.14・・・出力端子、15,16・
・−金属電極の端゛、17・・・圧電体基板、18・・
・牛導体基板、19・・・圧電膜。 特許出り人 クラリオン株式会社 代理人 弁理士 水 1)武 三 部 ′、1、コン
、水゛ノンハ゛壓斤面囚 コンボッシバ゛′断面図 第4図 R来のDPSに コンホ゛ル八゛J:面因第7図
上面図、第2図は第1図の中央部付近を拡大した断面図
、第3図は本発明によるエラスティックコンボルバの断
面図、第4図は本発明による層状構造モノリシックコン
ボルバの断面図、第5図および第6図は従来の層状構造
モノリシック弾性表面波コンボルバのそれぞれ断面図お
よび上面図、第7図は従来のDPSKコンボルバの上面
図である。 3・・・入力トランスデューサ、5,6・・・出力ゲー
ト、λ0、11・・・出力ゲートの中央部の端、臣・・
・金属電極、13.14・・・出力端子、15,16・
・−金属電極の端゛、17・・・圧電体基板、18・・
・牛導体基板、19・・・圧電膜。 特許出り人 クラリオン株式会社 代理人 弁理士 水 1)武 三 部 ′、1、コン
、水゛ノンハ゛壓斤面囚 コンボッシバ゛′断面図 第4図 R来のDPSに コンホ゛ル八゛J:面因第7図
Claims (3)
- (1)基板上に、その両端の近傍に互に対向して設けら
れた入力トランスデューサから互に相対する方向に表面
波を伝播し、それらの入力トランスデューサの間に2分
割された出力ゲートが設けられたDPSKコンボルバと
して使用される弾性表面波装置において、さらに (a)上記2分割された出力ゲート間に金属膜から成る
電極 を含むことを特徴とする弾性表面波装置。 - (2)上記電極端部と出力ゲート端部の間の距離をl_
1、弾性表面波の波長をλ_0、正の整数をn_1とす
るとき、 l_1=(n_1/2)λ_0 を満足することを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
の弾性表面波装置。 - (3)上記金属膜から成る電極が接地されていることを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の弾性表面波装置
。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13996885A JPS61296811A (ja) | 1985-06-25 | 1985-06-25 | 弾性表面波装置 |
| US06/875,855 US4841470A (en) | 1985-06-25 | 1986-06-18 | Surface acoustic wave device for differential phase shift keying convolving |
| FR868609116A FR2590089B1 (fr) | 1985-06-25 | 1986-06-24 | Convolutionnement a codage par dephasage differentiel |
| NL8601643A NL8601643A (nl) | 1985-06-25 | 1986-06-24 | Oppervlakte-acoustische-golfinrichting. |
| GB8615382A GB2179221B (en) | 1985-06-25 | 1986-06-24 | Surface acoustic wave device |
| DE19863621211 DE3621211A1 (de) | 1985-06-25 | 1986-06-25 | Phasendifferenzmodulations-wendelleiter |
| GB8913782A GB2220318B (en) | 1985-06-25 | 1989-06-15 | Surface acoustic wave device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13996885A JPS61296811A (ja) | 1985-06-25 | 1985-06-25 | 弾性表面波装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61296811A true JPS61296811A (ja) | 1986-12-27 |
| JPH0473804B2 JPH0473804B2 (ja) | 1992-11-24 |
Family
ID=15257857
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13996885A Granted JPS61296811A (ja) | 1985-06-25 | 1985-06-25 | 弾性表面波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61296811A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59215109A (ja) * | 1983-05-20 | 1984-12-05 | Clarion Co Ltd | 弾性表面波装置 |
-
1985
- 1985-06-25 JP JP13996885A patent/JPS61296811A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59215109A (ja) * | 1983-05-20 | 1984-12-05 | Clarion Co Ltd | 弾性表面波装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0473804B2 (ja) | 1992-11-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3606944B2 (ja) | Sawフィルタ | |
| US3980904A (en) | Elastic surface wave device | |
| JPS60242377A (ja) | スペクトル分析器として使用される表面音波装置 | |
| US4206380A (en) | Piezoelectric surface acoustic wave device with suppression of reflected signals | |
| US4491811A (en) | Surface acoustic wave device | |
| JPS60169210A (ja) | 表面波装置 | |
| US4237433A (en) | Surface acoustic wave resonators with integrated internal coupler reflectors | |
| US4599532A (en) | Surface acoustic wave device with anti-reflection electrode structure | |
| US4841470A (en) | Surface acoustic wave device for differential phase shift keying convolving | |
| JP3040928B2 (ja) | 弾性表面波トランスデューサ | |
| JPS6150536B2 (ja) | ||
| JP3194784B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP3197883B2 (ja) | 弾性表面波トランスデューサ | |
| JP3372673B2 (ja) | 一方向性電極を用いたsawマッチドフィルタ | |
| JPH053930B2 (ja) | ||
| JPH0455002B2 (ja) | ||
| JPS59122109A (ja) | エラステイツク・コンボルバ | |
| EP0028265B1 (en) | Acoustic surface wave device | |
| JPS6141448B2 (ja) | ||
| JP2853094B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JPS621310A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JPH0473804B2 (ja) | ||
| JP2605002B2 (ja) | 弾性表面波フイルタ | |
| JPS58182312A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP3166445B2 (ja) | エラスティックコンボルバ |