JPH0473856A - ガス入放電管 - Google Patents
ガス入放電管Info
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- JPH0473856A JPH0473856A JP18389190A JP18389190A JPH0473856A JP H0473856 A JPH0473856 A JP H0473856A JP 18389190 A JP18389190 A JP 18389190A JP 18389190 A JP18389190 A JP 18389190A JP H0473856 A JPH0473856 A JP H0473856A
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Landscapes
- Discharge Lamp (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、異常サージから電子機器類を保護するため
のガス人放電管に関する。
のガス人放電管に関する。
第６図は、従来のガス人放電管の一例を示す断面図であ
る。
る。
ガス人放電管は、全体として相形で、セラミックスなど
の中空円筒からなる絶縁管１０１の管端接合面１０２．
１０３にそれぞれろう材１０４．１０５を介して電極１
０６．１０７で封着し、内部にアルゴン（Ａｒ）などの
不活性ガスを封止し、対向する放電面１０Ｂ、１０９間
の放電ギャップ１１０で放電を得る構造である。１１１
．１１２は電極１０６．１０７の鍔部、１１３．１１４
は電極１０６．１０７のテーパ一部、１１５．１１６は
絶縁管１０１の管端接合面１０２．１０３に設けられる
メタライズ層である。そして、絶縁管１０１の内壁１１
７にトリガ手段として１１１４条片１１Ｂが設けられて
いる。
の中空円筒からなる絶縁管１０１の管端接合面１０２．
１０３にそれぞれろう材１０４．１０５を介して電極１
０６．１０７で封着し、内部にアルゴン（Ａｒ）などの
不活性ガスを封止し、対向する放電面１０Ｂ、１０９間
の放電ギャップ１１０で放電を得る構造である。１１１
．１１２は電極１０６．１０７の鍔部、１１３．１１４
は電極１０６．１０７のテーパ一部、１１５．１１６は
絶縁管１０１の管端接合面１０２．１０３に設けられる
メタライズ層である。そして、絶縁管１０１の内壁１１
７にトリガ手段として１１１４条片１１Ｂが設けられて
いる。
導電条片１１８は、現在のところ炭素条片が実用化され
ている。炭素条片はいずれかの一方の電極、例えば電極
１０６が位置する管端接合面１０２を基端縁とするとと
もに、他方の電極１０７の放電面１０９に近接する壁面
を先端縁として軸線方向にわたって罫書されている。図
示しないが、先端縁を他方の電極１０７の鍔部１１２の
手前まで延設したものや、両管端接合面１０２．１０３
から両端縁を離間したものも実施されている。
ている。炭素条片はいずれかの一方の電極、例えば電極
１０６が位置する管端接合面１０２を基端縁とするとと
もに、他方の電極１０７の放電面１０９に近接する壁面
を先端縁として軸線方向にわたって罫書されている。図
示しないが、先端縁を他方の電極１０７の鍔部１１２の
手前まで延設したものや、両管端接合面１０２．１０３
から両端縁を離間したものも実施されている。
ところで、このようなガス人放電管では、放電面１０８
．１０９間の放電に伴うスパッタリング現象によって、
電極１０６．１０７を構成する金属が導電条片１１８．
１１９近辺を含む内壁１１７に付着する。゛したがって
、放電によるトリガ電圧の低下という問題があり、トリ
ガ特性の信顧性を低下させていた。
．１０９間の放電に伴うスパッタリング現象によって、
電極１０６．１０７を構成する金属が導電条片１１８．
１１９近辺を含む内壁１１７に付着する。゛したがって
、放電によるトリガ電圧の低下という問題があり、トリ
ガ特性の信顧性を低下させていた。
そこで、この発明の目的は、トリガ特性の信顛性を向上
させたガス人放電管を提供することにある。
させたガス人放電管を提供することにある。
この発明に係るガス人放電管は、絶縁基板と、この絶縁
基板の一面の端部にそれぞれ離間して設けられたトリガ
放電用の電極と、これらの電極間に設けられたトリガ手
段と、上記絶縁基板の他面の端部にそれぞれ離間して設
けられた主放電用の電極と、上記トリガ手段と上記電極
とを放電用のガスを封入して気密封止する絶縁ケースと
を備えたものである。
基板の一面の端部にそれぞれ離間して設けられたトリガ
放電用の電極と、これらの電極間に設けられたトリガ手
段と、上記絶縁基板の他面の端部にそれぞれ離間して設
けられた主放電用の電極と、上記トリガ手段と上記電極
とを放電用のガスを封入して気密封止する絶縁ケースと
を備えたものである。
この発明に係るガス人放電管では、トリガ放電用の電極
とトリガ手段とが絶縁基板の一面に、主放電用の電極が
絶縁基板の他面に配設される。そして、主放電のスパッ
タリング現象によって主放電用の電極を構成する金属が
飛散しても、その金属は絶縁基板の他面に対向する絶縁
ケースの内壁に付着し絶縁基板の一面側へはほとんど回
り込まない。したがって、主放電によるスパッタリング
現象によってトリガ手段が汚染されない。
とトリガ手段とが絶縁基板の一面に、主放電用の電極が
絶縁基板の他面に配設される。そして、主放電のスパッ
タリング現象によって主放電用の電極を構成する金属が
飛散しても、その金属は絶縁基板の他面に対向する絶縁
ケースの内壁に付着し絶縁基板の一面側へはほとんど回
り込まない。したがって、主放電によるスパッタリング
現象によってトリガ手段が汚染されない。
第１図及び第２図はこの発明に係るガス人放電管の一実
施例を示し、第１図は第２図におけるＩ−Ｉ線縦断面図
、第２図は平面図である。
施例を示し、第１図は第２図におけるＩ−Ｉ線縦断面図
、第２図は平面図である。
以下、これらの図面に基づき詳細に説明する。
ガス人放電管は、絶縁基板１０と、絶縁基板の端部１２
．１４にそれぞれ離間して設けられたトリガ放電用の電
極１６．１８及び主放電用の電極３０．３２と、電極１
６．１８間の絶縁基板１０上に設けられたトリガ手段と
しての導電条片２２．２４と、導電条片２２．２４と電
極１６．１８．３０．３２とを放電用のガスを封入して
気密封止する絶縁ケース２６とを備え、トリガ放電用の
電極１６．１８及び導電条片２２．２４が絶縁基板１０
の一面４８に、主放電用の電極３ｏ、３２が絶縁基板１
０の他面５ｏに配設されている。そして、導電条片２２
．２４間にはギャップ２ｏが形成されている。
．１４にそれぞれ離間して設けられたトリガ放電用の電
極１６．１８及び主放電用の電極３０．３２と、電極１
６．１８間の絶縁基板１０上に設けられたトリガ手段と
しての導電条片２２．２４と、導電条片２２．２４と電
極１６．１８．３０．３２とを放電用のガスを封入して
気密封止する絶縁ケース２６とを備え、トリガ放電用の
電極１６．１８及び導電条片２２．２４が絶縁基板１０
の一面４８に、主放電用の電極３ｏ、３２が絶縁基板１
０の他面５ｏに配設されている。そして、導電条片２２
．２４間にはギャップ２ｏが形成されている。
また、絶縁基板１０上にガラスコーティング層２８を形
成することができる。
成することができる。
絶縁基板１０は、電気的絶縁性を有するセラミックス、
合成樹脂等で形成される。この実施例では、絶縁基板１
０として酸化アルミニウムを主成分とするセラミックス
を用いている。このセラミックスの一面にガラスの微粉
末を含むペーストを塗布し焼成してガラスコーティング
層２８を形成する。そして、絶縁基板１ｏの端部１２．
１４のガラスコーティング層２８上に、Ｃｕを含むペー
ストを塗布し焼成して、トリガ放電用の電極１６．１８
を形成する。次いで、レーザＣＶＤ（Ｃｈｅ−ｍｉｃａ
ｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉ。
合成樹脂等で形成される。この実施例では、絶縁基板１
０として酸化アルミニウムを主成分とするセラミックス
を用いている。このセラミックスの一面にガラスの微粉
末を含むペーストを塗布し焼成してガラスコーティング
層２８を形成する。そして、絶縁基板１ｏの端部１２．
１４のガラスコーティング層２８上に、Ｃｕを含むペー
ストを塗布し焼成して、トリガ放電用の電極１６．１８
を形成する。次いで、レーザＣＶＤ（Ｃｈｅ−ｍｉｃａ
ｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉ。
−ｎ）によって、電極Ｉ６．１８の一部を種として、ガ
ラスコーティング層２８上に幅、厚みともに約３μｍの
導電条片２２．２４を形成する。
ラスコーティング層２８上に幅、厚みともに約３μｍの
導電条片２２．２４を形成する。
電極１６．１８にはそれぞれはんだ３４．３６によって
端子３８．４０が接続される。また、電極１６と電極３
０とは接触片５４ａ、５４ｂを介して、電極１８と電極
３２とは接触片５６ａ、５６ｂを介してそれぞれ導通さ
れている。さらに、を極３０．３２は、特性の不安定な
沿面放電を避けて気中放電とするために、この実施例の
ように絶縁基板ｌＯ及び絶縁ケース２６がら離間して設
けてもよい。
端子３８．４０が接続される。また、電極１６と電極３
０とは接触片５４ａ、５４ｂを介して、電極１８と電極
３２とは接触片５６ａ、５６ｂを介してそれぞれ導通さ
れている。さらに、を極３０．３２は、特性の不安定な
沿面放電を避けて気中放電とするために、この実施例の
ように絶縁基板ｌＯ及び絶縁ケース２６がら離間して設
けてもよい。
絶縁ケース２６は、セラミックスなどの上部材４２と下
部材４４と低融点ガラスなどの封着層４６とからなる。
部材４４と低融点ガラスなどの封着層４６とからなる。
上部材４２と下部材４４との間に、端子３８．４０を外
部へ出した状態で絶縁基板ＩＯ全全体入れるとともにＡ
ｒ等の放電用ガスを封入する。そして、封着層４６を溶
融して絶縁基板１０全体を絶縁ケース２６で気密封止す
る。なお、絶縁ケース２６の内壁５８には、プロメチウ
ム（Ｐｍ）やニッケル（Ｎ ｉ ）などの放射性同位体
を付着させてもよい。
部へ出した状態で絶縁基板ＩＯ全全体入れるとともにＡ
ｒ等の放電用ガスを封入する。そして、封着層４６を溶
融して絶縁基板１０全体を絶縁ケース２６で気密封止す
る。なお、絶縁ケース２６の内壁５８には、プロメチウ
ム（Ｐｍ）やニッケル（Ｎ ｉ ）などの放射性同位体
を付着させてもよい。
また、導電条片２２．２４間のギャップ２０の長さＡと
主放電用の電極３０．３２間の距ＭＢとは、Ａ＜Ｂとな
るように設定されている。そして、トリガ放電によって
イオン化したガスが主放電用の電極３０．３２側へ拡散
しやすいように、絶縁基板１０と絶縁ケース２６とに間
隙５２が設けられている。
主放電用の電極３０．３２間の距ＭＢとは、Ａ＜Ｂとな
るように設定されている。そして、トリガ放電によって
イオン化したガスが主放電用の電極３０．３２側へ拡散
しやすいように、絶縁基板１０と絶縁ケース２６とに間
隙５２が設けられている。
このように、トリガ放電用の電極１６．１日と主放電用
の電極３０．３２とを絶縁基板１０の一面４８と他面５
０とに配設することにより、主放電のスパッタリング現
象によって電極３０．３２を構成する金属が飛散しても
、その金属は主に電極３０．３２に対向する絶縁ケース
２６の内壁５８に付着し一面４８側へはほとんど回り込
まない。
の電極３０．３２とを絶縁基板１０の一面４８と他面５
０とに配設することにより、主放電のスパッタリング現
象によって電極３０．３２を構成する金属が飛散しても
、その金属は主に電極３０．３２に対向する絶縁ケース
２６の内壁５８に付着し一面４８側へはほとんど回り込
まない。
したがって、王放電によるスパッタリング現象によって
導電条片２２．２４近辺が汚染され、トリガ特性が劣化
することを防げる。
導電条片２２．２４近辺が汚染され、トリガ特性が劣化
することを防げる。
なお、ギャップ２０は、導電条片２２．２４をどちらか
一方のみにして、Ｓｔ条片２２と電極１８との間又は導
電条片２４と電極１６との間に形成してもよい、また、
導電条片２２．２４のそれらの長さの和が、電極１６．
１８間の距離よりも長くなるようにして、導電条片２２
．２４が互いに接触しないように対向させてもよい、さ
らに、導電条片２２．２４を長さ方向に分割して多数の
ギャップを設けてもよい、さらにまた、導電条片２２．
２４は複数本以上設けてもよい。
一方のみにして、Ｓｔ条片２２と電極１８との間又は導
電条片２４と電極１６との間に形成してもよい、また、
導電条片２２．２４のそれらの長さの和が、電極１６．
１８間の距離よりも長くなるようにして、導電条片２２
．２４が互いに接触しないように対向させてもよい、さ
らに、導電条片２２．２４を長さ方向に分割して多数の
ギャップを設けてもよい、さらにまた、導電条片２２．
２４は複数本以上設けてもよい。
次に、導電条片２２．２４をレーザＣＶＤで形成する方
法について第３図に基づき説明する。第３図は導電条片
２２．２４をレーザＣＶＤで形成する方法を示す概略図
である。
法について第３図に基づき説明する。第３図は導電条片
２２．２４をレーザＣＶＤで形成する方法を示す概略図
である。
チャンバ６０内には、絶縁基板１０が載置されるととも
にＡｒとＷ （Ｇｏ）、との混合ガス６２が流れる。光
源６４にはＹＡＧレーザの第２高調波の波長５３２ｎｍ
を用いる。このレーザー光６６を光学系６８で収束して
、チャンバ６０のガラス窓７０を通して絶縁基板１０に
垂直に照射する。
にＡｒとＷ （Ｇｏ）、との混合ガス６２が流れる。光
源６４にはＹＡＧレーザの第２高調波の波長５３２ｎｍ
を用いる。このレーザー光６６を光学系６８で収束して
、チャンバ６０のガラス窓７０を通して絶縁基板１０に
垂直に照射する。
すると、絶縁基板１０では、レーザー光６６が照射され
た部分の温度が上昇してその周囲のＷ（ＣＯ）＆が熱分
解されてタングステンが堆積する。
た部分の温度が上昇してその周囲のＷ（ＣＯ）＆が熱分
解されてタングステンが堆積する。
そして、絶縁基板１０を移動させれば、レーザー光６６
が照射された部分にタングステンからなる導電条片２２
．２４が形成される。この方法によれば、極めて精度よ
く導電条片２２．２４を形成できる。特に、絶縁基板１
０上にガラスコーティング層２８を形成して絶縁基板１
０上を平坦化すれば、幅は１ミクロン単位、厚みは０．
１ミクロン単位で導電条片２２．２４を描くことができ
る。
が照射された部分にタングステンからなる導電条片２２
．２４が形成される。この方法によれば、極めて精度よ
く導電条片２２．２４を形成できる。特に、絶縁基板１
０上にガラスコーティング層２８を形成して絶縁基板１
０上を平坦化すれば、幅は１ミクロン単位、厚みは０．
１ミクロン単位で導電条片２２．２４を描くことができ
る。
また、導電条片２２．２４は鉛筆等による罫書によって
形成してもよい。
形成してもよい。
第４図及び第５図はこの発明に係るガス人放電管の他の
実施例を示し、第４図は第５図における■−八”線縦断
面図、第５図は平面回である。第１図及び第２図と同一
部分には同一符号を付し説明を省略する。
実施例を示し、第４図は第５図における■−八”線縦断
面図、第５図は平面回である。第１図及び第２図と同一
部分には同一符号を付し説明を省略する。
電極１６．１８間の絶縁基板１０上にギャップ７２とと
もにトリガ手段としての導電皮膜７４が形成されている
。導電皮膜７４は、炭素からなりスクリーン印刷、ＣＶ
Ｄ等によって形成され、厚みは１０〜３０μｍである。
もにトリガ手段としての導電皮膜７４が形成されている
。導電皮膜７４は、炭素からなりスクリーン印刷、ＣＶ
Ｄ等によって形成され、厚みは１０〜３０μｍである。
また、ギャップ７２は、電極１６．１８間の略中央にＹ
ＡＧレーザ等によってスリット状に形成され、幅が５０
〜２５０μｍである。
ＡＧレーザ等によってスリット状に形成され、幅が５０
〜２５０μｍである。
この実施例の場合も上記実施例と同様の効果が得られる
。
。
なお、これらの実施例では二極のガス人放電管を示した
が、三極以上のガス人放電管に対しても同様に実施でき
る。
が、三極以上のガス人放電管に対しても同様に実施でき
る。
この発明に係るガス人放電管によれば、トリガ放電用の
電極と主放電用の電極とを絶縁基板−面と他面とに配設
することにより、主放電のスパッタリング現象によって
トリガ手段近辺が汚染されることを防止でき、トリガ特
性の信顧性を向上できる。
電極と主放電用の電極とを絶縁基板−面と他面とに配設
することにより、主放電のスパッタリング現象によって
トリガ手段近辺が汚染されることを防止でき、トリガ特
性の信顧性を向上できる。
第１図乃至第３図はこの発明に係るガス人放電管の一寞
施例を示し、第１図は第２図における■−Ｉ線縦線面断
面図２図は平面図、第３図は導電条片をレーザＣＶＤで
形成する方法を示す概略図、第４図及び第５図はこの発
明に係るガス人放電管の他の実施例を示し、第４図は第
５図における■−ＩＶ線縦断線図断面図図は平面図、第
６図は従来のガス人放電管の一例を示す断面図である。 １０・・・絶縁基板 Ｉ２、Ｉ４・・・絶縁基板の端部 １６．１８・・・トリガ放電用の電極 ２０．７２・・・ギャップ ２２．２４・・・導電条片（トリガ手段）２６・・・絶
縁ケース ３０．３２・・・主放電用の電極 ４８・・・絶縁基板の一面 ５０・・・絶縁基板の他面 ７４・・・導電皮膜（トリガ手段） 特許出願人・・・株式会社 白山製作所代 理 人・・
・弁理士 吉１）芳春 ２２．２４
施例を示し、第１図は第２図における■−Ｉ線縦線面断
面図２図は平面図、第３図は導電条片をレーザＣＶＤで
形成する方法を示す概略図、第４図及び第５図はこの発
明に係るガス人放電管の他の実施例を示し、第４図は第
５図における■−ＩＶ線縦断線図断面図図は平面図、第
６図は従来のガス人放電管の一例を示す断面図である。 １０・・・絶縁基板 Ｉ２、Ｉ４・・・絶縁基板の端部 １６．１８・・・トリガ放電用の電極 ２０．７２・・・ギャップ ２２．２４・・・導電条片（トリガ手段）２６・・・絶
縁ケース ３０．３２・・・主放電用の電極 ４８・・・絶縁基板の一面 ５０・・・絶縁基板の他面 ７４・・・導電皮膜（トリガ手段） 特許出願人・・・株式会社 白山製作所代 理 人・・
・弁理士 吉１）芳春 ２２．２４
Claims (1)
- 絶縁基板と、この絶縁基板の一面の端部にそれぞれ離間
して設けられたトリガ放電用の電極と、これらの電極間
に設けられたトリガ手段と、上記絶縁基板の他面の端部
にそれぞれ離間して設けられた主放電用の電極と、上記
トリガ手段と上記電極とを放電用のガスを封入して気密
封止する絶縁ケースとを備えたガス入放電管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2183891A JP3016826B2 (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | ガス入放電管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2183891A JP3016826B2 (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | ガス入放電管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0473856A true JPH0473856A (ja) | 1992-03-09 |
| JP3016826B2 JP3016826B2 (ja) | 2000-03-06 |
Family
ID=16143624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2183891A Expired - Lifetime JP3016826B2 (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | ガス入放電管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3016826B2 (ja) |
-
1990
- 1990-07-13 JP JP2183891A patent/JP3016826B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3016826B2 (ja) | 2000-03-06 |
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