JPH0474009A - 差動増幅器 - Google Patents

差動増幅器

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JPH0474009A
JPH0474009A JP18616690A JP18616690A JPH0474009A JP H0474009 A JPH0474009 A JP H0474009A JP 18616690 A JP18616690 A JP 18616690A JP 18616690 A JP18616690 A JP 18616690A JP H0474009 A JPH0474009 A JP H0474009A
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JP
Japan
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transistor
transistors
base
emitter
power supply
Prior art date
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Pending
Application number
JP18616690A
Other languages
English (en)
Inventor
Minoru Arai
実 新井
Yukihiro Kato
加藤 之博
Hitoshi Ishii
仁 石井
Masahiro Otaka
大高 正浩
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Iwatsu Electric Co Ltd
Original Assignee
Iwatsu Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、人力信号か変化することに起因したゲインの
変化を低減させることかできる差動増幅器に関するもの
である。
[従来の技術] 差動増幅器において、入力信号の電圧レベルか変化すれ
ば、対のトランジスタのコレクタ電流及び電圧も変化す
る。この結果、対のトランジスタのベース・コレクタ接
合部の温度が変化し、ベース・エミッタ間電圧VBEを
変化させる。対のトランジスタのベース・エミッタ間電
圧VBEが接合温度が変化した結果として変化すると、
コレクタ電流も変化するので、結局、差動増幅器のゲイ
ンが変化する。
この種の問題を解決するために、差動増幅器の負荷抵抗
に直列にPN接合を有する温度補償用半導体素子(トラ
ンジスタのコレクタとベースを短絡した構造のダイオー
ド)を接続することが米国特許箱4.605,906号
公報に開示されている。
[発明が解決しようとする課題] ところで、差動増幅器のゲインは、対のトランジスタの
エミッタ相互間に接続されたエミッタ帰還抵抗の値と負
荷抵抗の値とによって概ね決定される。上記米国特許公
報に開示されている温度補償用半導体素子(ダイオード
)を負荷抵抗に直列に接続する場合においては、温度補
償用半導体素子をn個接続すると、補償可能な負荷抵抗
値は階段的に変化する。目標とするゲインを得るために
はエミッタ帰還用抵抗又は負荷抵抗の値を異なった値に
設定しなければない。しかし、抵抗体の設定は極めて面
倒であり、トリミング等を必要とする。
また、温度補償用半導体素子(ダイオード)を負荷抵抗
に直列に多数個接続すると、この分たけ差動増幅器の電
源電圧Vccの値を高くすることか必要になり、低電圧
駆動か難しくなる。 そこで、本発明の目的は、人力信
号の電圧レベルの変化に起因するゲインの変化を低減す
ることか可能であると共に、低電圧動作か可能な差動増
幅器を提供することにある。
[課題を解決するための手段] 上記目的を達成するための本発明は、実施例を示す図面
の符号を参照して説明すると、第1及び第2の入力端子
1.2と、前記第1の入力端子1にベースが接続されて
いる第1のトランジスタQ1と、前記第2の入力端子2
にベースが接続されている第2のトランジスタQ2と、
前記第1の入力端子1にベースが接続されている第3の
トランジスタQ3と、前記第2の入力端子2にベースが
接続されている第4のトランジスタQ4と、前記第1の
トランジスタQ1のエミッタと前記第2のトランジスタ
Q2のエミッタとの間に接続され且つ互いに直列に接続
されている第1及び第2の抵抗R1、R2と、前記第3
のトランジスタQ3のエミッタと前記第4のトランジス
タQ4のエミッタとの間に接続され且つ互いに直列に接
続されている第3及び第4の抵抗R3、R4と、前記第
1及び第2の抵抗R1、R2の接続点に接続された第1
の電流源ISIと、前記第3及び第4の抵抗R3、R4
の接続点に接続された第2の電流源IS2と、第1のベ
ースバイアス電源端子3と、エミッタか前記第1及び第
3のトランジスタQl。
QBのコレクタに夫々接続され、ベースが前記第1のベ
ースバイアス電源端子3に接続された第5のトランジス
タQ5と、エミッタが前記第2及び第4のトランジスタ
Q2、Q4のコレクタに夫々接続され、ベースが前記第
1のベースバイアス電源端子3に接続された第6のトラ
ンジスタQ6と、第2のベーバイアス電源端子4と、ベ
ースが前記第2のベースバイアス電源端子4に接続され
た第7のトランジスタQ7と、ベースが前記第2のベス
バイアス電源端子4に接続された第8のトランジスタQ
8と、前記第5のトランジスタQ5のコレクタと前記第
7のトランジスタQ7のエミッタとの間に接続された第
5の抵抗R5と、前記第6のトランジスタQ6のコレク
タと前記第8のトランジスタQ8のエミッタとの間に接
続された第6の抵抗R6と、コレクタ電源端子5と、前
記コレクタ電源端子5と前記第7及び第8のトランジス
タQ7 、QBとの間に夫々接続された第7及び第8の
抵抗R7,R8と、前記第5のトランジスタQ5のコレ
クタに接続された第1の出力端子6と、前記第6のトラ
ンジスタQ6のコレクタに接続された第2の出力端子7
とを備えた差動増幅器に係わるものである。
[作 用] 本発明の差動増幅器においては、第1及び第2のトラン
ジスタQL 、Q2と第1及び第2の抵抗R1、R2と
から成る第1の差動増幅回路に対して、第3及び第4の
トランジスタQ3、Q4と第3及び第4の抵抗R3、R
4とから成る第2の差動増幅回路か並列接続され、更に
必要に応じて第3、第4、・・・第nの差動増幅回路か
並列接続される。従って、負荷抵抗としての第5及び第
6の抵抗R5゛、R6に流れる電流が複数の差動増幅回
路の対のトランジスタQ1〜Q4に分割される。トラン
ジスタQl 、Q2からなる一段の差動増幅器の利得は
1であり、これを並列接続することにより、利得が2.
3・  ・と並列段数に応じて上がる。第5及び第6の
抵抗R5、Reに直列に接続された第7及び第8のトラ
ンジスタQ7 、QBは第1〜第4の温度補償用として
機能すると共に、第2のベースバイアス電源端子4の電
圧調整に応答してゲイン調整素子としても機能する。第
5及び第6のトランジスタQ5 、QBはカスコード増
幅器を構成する。
[実施例] 次に図面を参照して本発明の実施例に係わる差動増幅器
を説明する。
この差動増幅器は、第1及び第2の入力端子1.2と、
NPN型の第1〜第8のトランジスタQ1〜Q8と、第
1〜第8の抵抗R1〜R8と、第1及び第2の定電流源
ISl、■S2と、第1及び第2のベースバイアス電源
端子3.4と、コレクタ電源端子5と、第1及び第2の
出力端子6.7とから成る。
第1の対のトランジスタである第1及び第2のトランジ
スタQl 、Q2のベースは第1及び第2の入力端子1
.2に夫々接続され、これ等のエミッタは第1及び第2
の抵抗R1、R2を介して相互に接続され、第1及び第
2の抵抗R1、R2の接続中点とグランドとの間には第
1の定電流源■S1が接続されている。
第2の対のトランジスタである第3及び第4のトランジ
スタQ3 、Q4のベースは第1及び第2の入力端子1
.2に夫々接続され、これ等のエミッタは第3及び第4
の抵抗R3、R4を介して相互に接続され、第3及び第
4の抵抗R3、R4の接続中点とグランドとの間には第
2の定電流源IS2が接続されている。
第5のトランジスタQ5のエミッタは第1及び第3のト
ランジスタQI  Q3のコレクタに夫々接続され、そ
のコレクタは第5の抵抗R5と第7のトランジスタQ7
と第7の抵抗R7とを介して電圧Vccを与えるコレク
タ電源端子5に接続されている。
第6のトランジスタQ6のエミッタは第2及び第4のト
ランジスタQ2、Q4のコレクタに夫々接続され、その
コレクタは第6の抵抗R6と第8のトランジスタQ8と
第8の抵抗R8を介してコレクタ電源端子5に接続され
ている。
電圧vb1を与える第1のベースバイアス電源端子3は
第5及び第6のトランジスタQ5、Q6のベースに夫々
接続されている。
電圧Vb2を与える第2のベースバイアス電源端子4は
第7及び第8のトランジスタQ7、Q8のベースに接続
されている。
第1及び第2の出力端子6.7は第5及び第6のトラン
ジスタQ5、Q6のコレクタに夫々接続されている。
なお、第1、第2、第3及び第4の抵抗R1、R2、R
3、R4は実質的に同一の値を自−し、第5及び第6の
抵抗R5、R6も実質的に同一の値を有し、第7及び第
8の抵抗R7、R8も実質的に同一の値を有する。また
、2XR7−2XR8−R1−R2−R3=R4−R5
−RBとなるように各抵抗R1〜R8の値が設定されて
いる。
また、第1の対のトランジスタQ1とQ2は実質的に同
一の電気的特性を有し、同様に第2の対のトランジスタ
Q3とQ4、第3の対のトランジスタQ5とQ6、第4
の対のトランジスタQ7とQ8も夫々実質的に同一の電
気的特性を有する。
また、第1及び第2の定電流源151、JS2は実質的
に同一値の電流を供給するものであり、例えば直流電源
と抵抗又は電流制御半導体素子との組み合せから成る。
[動 作] この差動増幅器の入力端子]、2に信号e1、C2を与
えると、典型的な差動増幅器と同様に8カ端子6.7間
にel−C2に対応した出力電圧が得られる。
差動増幅器の各対のトランジスタの一方と他方の動作は
同一であるので、対の回路の左側部分の動作によって全
体の動作を理解することができる。
左半分の片側回路において、RL −R3−R5とし、
これ等の値がトランジスタQ1、Q3、Q5、Q7のエ
ミッタ抵抗reL、re3、re5、re?よりも十分
に大きいものとすれば、この片側回路の直流ゲインGd
は次式て示される。
Gd = (R5+ re7) / (R1+ re1
)+ (R5+ re7/ (R3+ re3)二2 
 ・・・・・・・・・(1) トランジスタのベース・エミッタ電圧ΔVBEは、接合
部温度ΔTに依存し、ΔTは電力損失ΔPCに依存し、
次のように表わすことができる。
ΔVBE/APC−(AVBE/AT)   (AT/
ΔPC)  ・・・・・・(2) 第1、第3及び第7のトランジスタQl 、Q3、Q7
のベース・エミッタ間電圧をVBEI 、 VBE3、
V BF2とし、これ等が人力信号によってΔVBEI
、VBE3 、VBE7だけ変化した場合に、第1及び
第2のベースバイアス電源端子3.4の電圧V旧、Vb
2及びコレクタ電源端子5の電圧VCCを適当に調整す
ると、第1、第3及び第7のトランジスタQl、Q3、
Qアのコレクタ・エミッタ間電圧VCEI 、VCE2
 、VCE7を等しく設定スルコトカできる。
また、トランジスタQl 、Q3のエミッタ電流が等し
く、トランジスタQ7に流れるエミッタ電流は、その2
倍の値になるため、トランジスタQ1、Q3、Q7のコ
レクタ損失の変化分ΔPct、PO2、PO7は次の関
係を持つ。
ΔPCI−=−ΔPC3−ΔP C7/ 2    ・
・・・・・(3)よって、トランジスタQl 、Q3 
、Q7のベース・エミッタ電圧の変化分ΔVBEI、Δ
V BF2、ΔV BF2は次の関係を持つ。
ΔVBEL −AVBE3−ΔVBE7 /2 −・−
−−−(4)トランジスタのベース・エミッタ電圧の変
化分△VBEは、あたかも入力信号が変化したかのよう
に作動するが、本増幅器では△vBHによるゲインGd
’は、次のように表わせる。
△lE7        2・△VI3EI△VB11
  (=△VI3E3 )     △VI3Eに〇差
動増幅器においては、複数の対のトランジスタQI  
Q2とQ3 、Q4とか並列接続されているので、低電
圧で動作させることか可能になる。
なお、実施例では複数段に2つの対のトランジスタQ1
〜Q4か配置されているが更に多くの対のトランジスタ
を並列接続することができる。この場合、対のトランジ
スタのエミッタ間の抵抗を同一の値にすることかできる
[発明の効果] 以上説明したように、本発明によれば、入ツノ信号の変
化に基づくケインの変化の低減を、電源電圧を高めるこ
となしに達成することができる。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明の実施例に係わる差動増幅器を示す回路図
である。 1.2・・入力端子、3・・第1のベースハイアス電源
端子、4・・・第2のベース・・イ7ス電源端子、67
・・出力端子、Q1〜Q8・・トランジスタ、R1−R
8・・抵抗、ISI、IS2 ・定電流源。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 [1]第1及び第2の入力端子(1)(2)と、 前記第1の入力端子(1)にベースが接続されている第
    1のトランジスタ(Q1)と、 前記第2の入力端子(2)にベースが接続されている第
    2のトランジスタ(Q2)と、 前記第1の入力端子(1)にベースが接続されている第
    3のトランジスタ(Q3)と、 前記第2の入力端子(2)にベースが接続されている第
    4のトランジスタ(Q4)と、 前記第1のトランジスタ(Q1)のエミッタと前記第2
    のトランジスタ(Q2)のエミッタとの間に接続され且
    つ互いに直列に接続されている第1及び第2の抵抗(R
    1)(R2)と、 前記第3のトランジスタ(Q3)のエミッタと前記第4
    のトランジスタ(Q4)のエミッタとの間に接続され且
    つ互いに直列に接続されている第3及び第4の抵抗(R
    3)(R4)と、 前記第1及び第2の抵抗(R1)(R2)の接続点に接
    続された第1の電流源(IS1)と、前記第3及び第4
    の抵抗(R3)(R4)の接続点に接続された第2の電
    流源(IS2)と、第1のベースバイアス電源端子(3
    )と、 エミッタが前記第1及び第3のトランジスタ(Q1)(
    Q3)のコレクタに夫々接続され、ベースが前記第1の
    ベースバイアス電源端子(3)に接続された第5のトラ
    ンジスタ(Q5)と、エミッタが前記第2及び第4のト
    ランジスタ(Q2)(Q4)のコレクタに夫々接続され
    、ベースが前記第1のベースバイアス電源端子(3)に
    接続された第6のトランジスタ(Q6)と、第2のベー
    スバイアス電源端子(4)と、 ベースが前記第2のベースバイアス電源端子(4)に接
    続された第7のトランジスタ(Q7)と、 ベースが前記第2のベースバイアス電源端子(4)に接
    続された第8のトランジスタ(Q8)と、 前記第5のトランジスタ(Q5)のコレクタと前記第7
    のトランジスタ(Q7)のエミッタとの間に接続された
    第5の抵抗(R5)と、 前記第6のトランジスタ(Q6)のコレクタと前記第8
    のトランジスタ(Q8)のエミッタとの間に接続された
    第6の抵抗(R6)と、 コレクタ電源端子(5)と、 前記コレクタ電源端子(5)と前記第7及び第8のトラ
    ンジスタ(Q7)(Q8)との間に夫々接続された第7
    及び第8の抵抗(R7)(R8)と、 前記第5のトランジスタ(Q5)のコレクタに接続され
    た第1の出力端子(6)と、 前記第6のトランジスタ(Q6)のコレクタに接続され
    た第2の出力端子(7)と を備えた差動増幅器。 [2]更に、前記第1及び第2のトランジスタ(Q1)
    (Q2)と前記第1及び第2の抵抗(R1)(R2)と
    前記第1の電流源(IS1)とから成る差動増幅回路と
    等価な別な差動増幅回路を単数又は複数有し、前記別な
    差動増幅回路は前記第1及び第2のトランジスタ(Q1
    )(Q2)を含む前記差動増幅回路に対して並列に接続
    されていることを特徴とする請求項1記載の差動増幅器
JP18616690A 1990-07-13 1990-07-13 差動増幅器 Pending JPH0474009A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002217654A (ja) * 2001-01-17 2002-08-02 New Japan Radio Co Ltd 差動増幅回路
EP1003281A3 (en) * 1998-11-19 2005-01-19 Sony Corporation Multi-input differential amplifier circuit
US7352241B2 (en) 2004-10-04 2008-04-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Variable gain amplifier
US8683660B2 (en) 2009-06-10 2014-04-01 Ykk Corporation Snap button

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