JPH04742A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
- Publication number
- JPH04742A JPH04742A JP10205390A JP10205390A JPH04742A JP H04742 A JPH04742 A JP H04742A JP 10205390 A JP10205390 A JP 10205390A JP 10205390 A JP10205390 A JP 10205390A JP H04742 A JPH04742 A JP H04742A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- functional block
- mcu
- section
- random logic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体集積回路に関するものである。
〔従来の技術]
第3図は従来の半導体集積回路のチップレイアウトを示
す平面図である。図において、は)はR/L(ランダム
ロジック)部、(2)はMCU部、(3)は周辺セル領
域、(4)は配線領域である。
す平面図である。図において、は)はR/L(ランダム
ロジック)部、(2)はMCU部、(3)は周辺セル領
域、(4)は配線領域である。
第4図は第3図の部分拡大図で、R/L (ランダムロ
ジック)部(1)、MCU部(2)、周辺セル(6)の
接続関係を示す図である。図において、R/L (ラン
ダムロジック)部(1)と周辺セル(6)、MCU部(
2)と周辺セル(6)をそれぞれ接続し、R/L (ラ
ンダムロジック)部(1)とMCU部(2)は周辺セル
(6)を介して接続しである。
ジック)部(1)、MCU部(2)、周辺セル(6)の
接続関係を示す図である。図において、R/L (ラン
ダムロジック)部(1)と周辺セル(6)、MCU部(
2)と周辺セル(6)をそれぞれ接続し、R/L (ラ
ンダムロジック)部(1)とMCU部(2)は周辺セル
(6)を介して接続しである。
第4図に示すように、R/L(ランダムロジック)部(
1)とMCU部(2)は直接に接続されず、必す周辺セ
ル(6)を介して接続されているため、周辺セル(6)
の入出力端子の部分に配線(5)が集まる。R/L (
ランダムロジック)部(1)及びMCU部(2)からそ
れぞれ周辺セル(6)に配線(51を接続しており、R
/L (ランダム09229部(1)、MCU部(2)
、周辺セル(6)か近接する配線鎮域圓は、配線(5)
か密集する。
1)とMCU部(2)は直接に接続されず、必す周辺セ
ル(6)を介して接続されているため、周辺セル(6)
の入出力端子の部分に配線(5)が集まる。R/L (
ランダムロジック)部(1)及びMCU部(2)からそ
れぞれ周辺セル(6)に配線(51を接続しており、R
/L (ランダム09229部(1)、MCU部(2)
、周辺セル(6)か近接する配線鎮域圓は、配線(5)
か密集する。
従来の半導体集積回路のチップレイアウトは第3図に示
すように、R/L(ランダムロジック)部とMCU部は
、それぞれ、周辺セルに接続し、R/L(ランダムロジ
ック)部とMCU部を接続する配線についても5周辺セ
ルを介して接続してあり、従って、周辺セルのへd力端
子の部分及び、R/L(ランタムロジック)部、MCU
部、周辺セルか 近接する部分の配線領域に配線か密集
し、配線領域(4)の幅かR/L (ランダムロジック
)部、MCU部、周辺セルか近接する配線領域の部分の
配線の幅によって決定してしまい、R/L (ランダム
ロジック)部、MCU部、周辺セルか近接する配線領域
以外の配線領域内に、配線がレイアウトされていない空
き領域か生じるという問題点かあった。
すように、R/L(ランダムロジック)部とMCU部は
、それぞれ、周辺セルに接続し、R/L(ランダムロジ
ック)部とMCU部を接続する配線についても5周辺セ
ルを介して接続してあり、従って、周辺セルのへd力端
子の部分及び、R/L(ランタムロジック)部、MCU
部、周辺セルか 近接する部分の配線領域に配線か密集
し、配線領域(4)の幅かR/L (ランダムロジック
)部、MCU部、周辺セルか近接する配線領域の部分の
配線の幅によって決定してしまい、R/L (ランダム
ロジック)部、MCU部、周辺セルか近接する配線領域
以外の配線領域内に、配線がレイアウトされていない空
き領域か生じるという問題点かあった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、R/L (ランダムロジック)部、MCU部
、周辺セルが近接する領域以外の配線領域内に生じる空
き領域を無くすことかできるとともに、配線領域のR線
密度を大きくすることかでき、チップ全体のサイズを小
さくし、半導体集積回路の高集積化を図ることを目的と
する。
たもので、R/L (ランダムロジック)部、MCU部
、周辺セルが近接する領域以外の配線領域内に生じる空
き領域を無くすことかできるとともに、配線領域のR線
密度を大きくすることかでき、チップ全体のサイズを小
さくし、半導体集積回路の高集積化を図ることを目的と
する。
この発明に係る半一導体集積回路は、R/L (ランダ
ムロジック)部及びMCU部をレイアウトする場合にR
/L (ランダムロジック)部MCUC周部周辺セル間
線領域内の配線の幅を考慮し、配線の数か多く配線の幅
が大きくなった配線領域に接するR/L(ランダムロジ
ック)部の機能ブロックのR/L(ランダムロジック)
部とMCU部の並ぶ方向に垂直な方向の長さを、既存の
MCU部との機能ブロックの前記方向と同じ方向の長さ
よりも短かくするようにしたものである。
ムロジック)部及びMCU部をレイアウトする場合にR
/L (ランダムロジック)部MCUC周部周辺セル間
線領域内の配線の幅を考慮し、配線の数か多く配線の幅
が大きくなった配線領域に接するR/L(ランダムロジ
ック)部の機能ブロックのR/L(ランダムロジック)
部とMCU部の並ぶ方向に垂直な方向の長さを、既存の
MCU部との機能ブロックの前記方向と同じ方向の長さ
よりも短かくするようにしたものである。
この発明における半導体集積回路は配線m域内に生じて
いた空き領域を無くすことかでき、配線領域の配線密度
を同上することができる。
いた空き領域を無くすことかでき、配線領域の配線密度
を同上することができる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図はこの発明の一実施例である半導体集積回路のチップ
レイアウトを示す平面図で、図において、(1)はR/
L (ランダムロジック)部、(2(はMCU部、(3
)は周辺セル領域、(4)は配線領域である。
図はこの発明の一実施例である半導体集積回路のチップ
レイアウトを示す平面図で、図において、(1)はR/
L (ランダムロジック)部、(2(はMCU部、(3
)は周辺セル領域、(4)は配線領域である。
第2図は第1図の部分拡大平面図で、R/L (ランダ
ムロジック)部(1)、MCU部(2)、周辺セル(6
)の接続関係を示した図である。図において、R/L
(ランダムロジック)部(1)とMCU部(2)は周辺
セルを介して接続しである。
ムロジック)部(1)、MCU部(2)、周辺セル(6
)の接続関係を示した図である。図において、R/L
(ランダムロジック)部(1)とMCU部(2)は周辺
セルを介して接続しである。
第2図に示すように、R/L (ランダムロジック)部
(1)とMCU部(2)は直接に接続されず周辺セル(
6)を介して接続されているため、周辺セル(6)の入
出力端子の部分に配線(5)か集まる。R/L (ラン
ダムロジック)部fi+及びMCU部(2)からそれぞ
れ周辺セル(6)に配線(5)を接続しており、R/L
(ランダムロジック)部(1)、MCU部(2)周辺
セル(6)が近接する配線領域(4)には配線(5)か
密集する。
(1)とMCU部(2)は直接に接続されず周辺セル(
6)を介して接続されているため、周辺セル(6)の入
出力端子の部分に配線(5)か集まる。R/L (ラン
ダムロジック)部fi+及びMCU部(2)からそれぞ
れ周辺セル(6)に配線(5)を接続しており、R/L
(ランダムロジック)部(1)、MCU部(2)周辺
セル(6)が近接する配線領域(4)には配線(5)か
密集する。
第2図において、R/L (ランダムロジック)部(1
)、MCU部(2)、周辺セル(6)か近接する領域で
は、R/L (ランダムロジック)部山の機能ブロック
さMCU部(2)の機能ブロックが隣接する辺に平行な
方向のR/L (ランダムロジック)部(1)の機能ブ
ロックの長さは、MCU部(2)の機能ブロックの長さ
に比べて、短かくなっているので、配線領域内で配線さ
れていない空き領域が小さくなる。
)、MCU部(2)、周辺セル(6)か近接する領域で
は、R/L (ランダムロジック)部山の機能ブロック
さMCU部(2)の機能ブロックが隣接する辺に平行な
方向のR/L (ランダムロジック)部(1)の機能ブ
ロックの長さは、MCU部(2)の機能ブロックの長さ
に比べて、短かくなっているので、配線領域内で配線さ
れていない空き領域が小さくなる。
MClJ部(2)は既存の機能ブロックであり、特定用
途向けの回路のR/L (ランダムロジック)部t1)
は機能ブロックサイズを変更することかできる。
途向けの回路のR/L (ランダムロジック)部t1)
は機能ブロックサイズを変更することかできる。
R/L (ランダムロジック)部(1)は機能ブロック
サイズを変更しても、面積の変動は少ない。したかって
、R/L (ランダムロジック9部illとMCU部(
2)か並ぶ方向に垂直な方向か小さくなり、R/L (
ランダムロジック)部(1)とMCU部(2)が並ぶ方
向か大きくなっても、配線領域内の空き領域か小さくな
った面積たけ、チップ全体の面積か小さくなる。
サイズを変更しても、面積の変動は少ない。したかって
、R/L (ランダムロジック9部illとMCU部(
2)か並ぶ方向に垂直な方向か小さくなり、R/L (
ランダムロジック)部(1)とMCU部(2)が並ぶ方
向か大きくなっても、配線領域内の空き領域か小さくな
った面積たけ、チップ全体の面積か小さくなる。
〔発明の効果1
以上のようにこの発明によれば、配線領域内の配線を空
き領域を最小にするようにレイアウトすることができる
ので、配線領域内の配線密度を太き(することかでき、
チップ全体の面積を最小にすることができる。また、高
集積化された半導体集積回路か得られるという効果かあ
る。
き領域を最小にするようにレイアウトすることができる
ので、配線領域内の配線密度を太き(することかでき、
チップ全体の面積を最小にすることができる。また、高
集積化された半導体集積回路か得られるという効果かあ
る。
第1図はこの発明の一実施例による半導体集積(ロ)路
のチップレイアウトを示す平面図、第2図はR/L (
ランダムロジック)部、 MCU部、周辺セルの接続関
係を示す第1図の部分拡大平面図、第3図は従来の半導
体集積回路のチップレイアウトを示す平面図、第4図は
R/L (ランダムロジック)部、MCU部、周辺セル
の接続関係を示す第3図の部分拡大平面図である。 図において、(1)はR/L (ランダムロジック車、
(2)はMCU部、(3)は周辺セル領域、(4)は配
線領域、(51は配線、(6)は周辺セルを示す。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
のチップレイアウトを示す平面図、第2図はR/L (
ランダムロジック)部、 MCU部、周辺セルの接続関
係を示す第1図の部分拡大平面図、第3図は従来の半導
体集積回路のチップレイアウトを示す平面図、第4図は
R/L (ランダムロジック)部、MCU部、周辺セル
の接続関係を示す第3図の部分拡大平面図である。 図において、(1)はR/L (ランダムロジック車、
(2)はMCU部、(3)は周辺セル領域、(4)は配
線領域、(51は配線、(6)は周辺セルを示す。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
Claims (1)
- 第1の機能ブロックと第2の機能ブロックから成り、
上記第1の機能ブロックの上辺と上記第2の機能ブロッ
クの下辺とを配線領域を挾んで隣接して配置し、上記第
1の機能ブロックの上辺から上記第2の機能ブロック及
び第2の機能ブロックの下辺より上部の領域に配線接続
する配線数に対応した配線領域分を第1の機能ブロック
の上辺に比べ、第2の機能ブロックの下辺を短かくした
ことを特徴とする半導体集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10205390A JPH04742A (ja) | 1990-04-17 | 1990-04-17 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10205390A JPH04742A (ja) | 1990-04-17 | 1990-04-17 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04742A true JPH04742A (ja) | 1992-01-06 |
Family
ID=14317028
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10205390A Pending JPH04742A (ja) | 1990-04-17 | 1990-04-17 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04742A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2261183A2 (en) | 2000-03-06 | 2010-12-15 | Nippon Sheet Glass Company, Limited | High transmittance glass sheet and method of manufacture the same |
-
1990
- 1990-04-17 JP JP10205390A patent/JPH04742A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2261183A2 (en) | 2000-03-06 | 2010-12-15 | Nippon Sheet Glass Company, Limited | High transmittance glass sheet and method of manufacture the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5145800A (en) | Method of wiring for power supply to large-scale integrated circuit | |
| US4947233A (en) | Semi-custom LSI having input/output cells | |
| JPS643057B2 (ja) | ||
| JP3834282B2 (ja) | メモリマクロおよび半導体集積回路 | |
| JPH04742A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPH023279A (ja) | 相補型misマスタスライスlsiの基本セル | |
| JPH04137749A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPS59167036A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPH0123943B2 (ja) | ||
| JPH0684915A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPH06101521B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH10173156A (ja) | 半導体メモリのレイアウトサイズ削減方法 | |
| JPH0493047A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS59132144A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JPH01152642A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPH0332044A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPS62179744A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JP2671537B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPS643055B2 (ja) | ||
| JPS624343A (ja) | マスタ−スライス型半導体集積回路装置 | |
| JPH0691157B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH06232267A (ja) | 半導体集積回路装置の設計方法 | |
| JPH0560666B2 (ja) | ||
| JPH01144670A (ja) | 相補型mos半導体装置 | |
| JPH03165062A (ja) | 半導体装置 |