JPH0472721A - 窒化硅素治具 - Google Patents
窒化硅素治具Info
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- JPH0472721A JPH0472721A JP2186513A JP18651390A JPH0472721A JP H0472721 A JPH0472721 A JP H0472721A JP 2186513 A JP2186513 A JP 2186513A JP 18651390 A JP18651390 A JP 18651390A JP H0472721 A JPH0472721 A JP H0472721A
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- silicon nitride
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Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は主として半導体熱処理用窒化硅素管、ボート等
の治具に関する。
の治具に関する。
従来、窒化硅素治具は、窒化硅素粉末を合成樹脂バイン
ダーと混合し、粉末成型後、加熱処理して焼成されて成
るのが通例であった。
ダーと混合し、粉末成型後、加熱処理して焼成されて成
るのが通例であった。
〔発明が解決しよ５とする課題〕
しかし、上記従来技術によると、高温処理時に窒化硅素
治具から半導体特性に悪影響を与える重金属汚染を付与
すると云う課題があった。
治具から半導体特性に悪影響を与える重金属汚染を付与
すると云う課題があった。
本発明はかかる従来技術の課題を解決し、重金属等の汚
染の無い半導体熱処理用の窒化硅素管やボート等の治具
を提供する事を目的とする。
染の無い半導体熱処理用の窒化硅素管やボート等の治具
を提供する事を目的とする。
上記課題を解決するために本発明は窒化硅素治具に関し
窒化硅素体の少なくとも一部表面を含む表面に窒化硅素
膜を形成する手段を取る事を基本とする。
窒化硅素体の少なくとも一部表面を含む表面に窒化硅素
膜を形成する手段を取る事を基本とする。
以下、実施例により本発明を詳述する。
半導体、とりわけｓ１半導体の熱処理には通例１２００
℃以下では石英管や石英ボード等の石英治具を用いて高
純度さを保っているのであるが、石英は１２００℃以上
で変形゛すると云う課題があリ、１２００℃以上の熱処
理にはＳｉＣ管やＳｉＣ治具を用いたりＳ ｉ、Ｎ４管
やＳ ｉ、Ｎ４治具を用いようと試みたりされているが
、いずれも高純度さと云う点では劣ることが指摘されて
いる。しかるに、Ｓｉ３Ｎ４は不純物の阻止作用が大き
く、Ｓｉ、Ｎ４管やＳｉ３Ｎ４ ボート等を８１等の半
導体の１２００℃以上の熱処理には最適のはずのもので
あるが、実体はＳｉ、Ｎ４管やＳｉ３Ｎ４ボート等の焼
成治具にも少量の不純物が含有され、この不純物が熱処
理時に治具から放出され、半導体を汚染すると云う課題
があり実用されていたかりたのが実情である。
℃以下では石英管や石英ボード等の石英治具を用いて高
純度さを保っているのであるが、石英は１２００℃以上
で変形゛すると云う課題があリ、１２００℃以上の熱処
理にはＳｉＣ管やＳｉＣ治具を用いたりＳ ｉ、Ｎ４管
やＳ ｉ、Ｎ４治具を用いようと試みたりされているが
、いずれも高純度さと云う点では劣ることが指摘されて
いる。しかるに、Ｓｉ３Ｎ４は不純物の阻止作用が大き
く、Ｓｉ、Ｎ４管やＳｉ３Ｎ４ ボート等を８１等の半
導体の１２００℃以上の熱処理には最適のはずのもので
あるが、実体はＳｉ、Ｎ４管やＳｉ３Ｎ４ボート等の焼
成治具にも少量の不純物が含有され、この不純物が熱処
理時に治具から放出され、半導体を汚染すると云う課題
があり実用されていたかりたのが実情である。
そこで、いま、上記Ｓｉ３Ｎ４管の一方のガス導入管か
らモノシラン・ガスやダイ・クロロシラン等のシラン・
ガスと共にアンモニア・ガスを導入し、前記Ｓｉ、Ｎ、
管を外部ヒーターにより８００℃以上程度に加熱してシ
ランとアンモニアの反応によりＳｉ、Ｎ４膜を１０μｍ
以上形成するか、あるいは３００℃程度の加熱と同時に
、シランとアンモニアあるいはシランと窒素のガス体を
プラズマ化して反応させてＳｉ３Ｎ４膜を１０μｍ以上
形成する等主として蒸着法の中の化学蒸着法により反応
管内壁にＳｉ、Ｎ４膜を形成すると、該Ｓｉ３Ｎ４膜に
は不純物が含まれず、極めて高純度のＳｉ、Ｎ、膜が形
成されると共に、下地焼成Ｓｉ、Ｎ４体からの不純物を
反応管内に放出するのを阻止する作用があり、該反応管
で熱処理した８１等の半導体には不純物汚染が無いこと
となる。尚、Ｓ ｉ、Ｎ、膜は反応管の外壁にも形成し
全面被覆することも出来、その方が一層反応管外の均熱
管やヒーター等からの汚染も防止する事ができ望ましい
事である。又、Ｓｉ３Ｎ、ボート等の治具の全表面にＳ
ｉ、Ｎ、膜を形成すると、Ｓｉ。
らモノシラン・ガスやダイ・クロロシラン等のシラン・
ガスと共にアンモニア・ガスを導入し、前記Ｓｉ、Ｎ、
管を外部ヒーターにより８００℃以上程度に加熱してシ
ランとアンモニアの反応によりＳｉ、Ｎ４膜を１０μｍ
以上形成するか、あるいは３００℃程度の加熱と同時に
、シランとアンモニアあるいはシランと窒素のガス体を
プラズマ化して反応させてＳｉ３Ｎ４膜を１０μｍ以上
形成する等主として蒸着法の中の化学蒸着法により反応
管内壁にＳｉ、Ｎ４膜を形成すると、該Ｓｉ３Ｎ４膜に
は不純物が含まれず、極めて高純度のＳｉ、Ｎ、膜が形
成されると共に、下地焼成Ｓｉ、Ｎ４体からの不純物を
反応管内に放出するのを阻止する作用があり、該反応管
で熱処理した８１等の半導体には不純物汚染が無いこと
となる。尚、Ｓ ｉ、Ｎ、膜は反応管の外壁にも形成し
全面被覆することも出来、その方が一層反応管外の均熱
管やヒーター等からの汚染も防止する事ができ望ましい
事である。又、Ｓｉ３Ｎ、ボート等の治具の全表面にＳ
ｉ、Ｎ、膜を形成すると、Ｓｉ。
Ｎ４焼成体中の不純物が熱処理時に外部に放出される事
もなく、半導体へのボート等の治具からの不純物汚染も
な（、且つ耐熱性にもすぐれていることとなる。
もなく、半導体へのボート等の治具からの不純物汚染も
な（、且つ耐熱性にもすぐれていることとなる。
尚、Ｓｉ、Ｎ、焼成体にはＳ ｉ Ｏｔ ＊ Ｓ ｉ
Ｏ＃Ａｔ２０３ 、ＭｇＯ、ＯａＯ等の添加物が含ま
れていても良（、又、Ｓｉ、Ｎ４膜は、ＳｉＯ□を含ん
だオキシナイトライド膜であったり、Ｓｉｎ！を含んだ
ものであったりしても良く、又、多層膜構造をとっても
良い。
Ｏ＃Ａｔ２０３ 、ＭｇＯ、ＯａＯ等の添加物が含ま
れていても良（、又、Ｓｉ、Ｎ４膜は、ＳｉＯ□を含ん
だオキシナイトライド膜であったり、Ｓｉｎ！を含んだ
ものであったりしても良く、又、多層膜構造をとっても
良い。
本発明により高温熱処理で変形もな（、又不純物汚染を
来たさない半導体の熱処理管や熱処理ボート等の熱処理
治具を提供する事ができる効果がある。
来たさない半導体の熱処理管や熱処理ボート等の熱処理
治具を提供する事ができる効果がある。
以上
Claims (1)
- 窒化硅素体の少なくとも一部表面を含む表面には窒化
硅素膜が形成されて成る事を特徴とする窒化硅素治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2186513A JPH0472721A (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | 窒化硅素治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2186513A JPH0472721A (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | 窒化硅素治具 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0472721A true JPH0472721A (ja) | 1992-03-06 |
Family
ID=16189819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2186513A Pending JPH0472721A (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | 窒化硅素治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0472721A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008008845A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-01-17 | Kyocera Kinseki Corp | Ｑｃｍセンサ |
-
1990
- 1990-07-13 JP JP2186513A patent/JPH0472721A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008008845A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-01-17 | Kyocera Kinseki Corp | Ｑｃｍセンサ |
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