JPH04120000A - 半導体熱処理治具 - Google Patents
半導体熱処理治具Info
- Publication number
- JPH04120000A JPH04120000A JP2237346A JP23734690A JPH04120000A JP H04120000 A JPH04120000 A JP H04120000A JP 2237346 A JP2237346 A JP 2237346A JP 23734690 A JP23734690 A JP 23734690A JP H04120000 A JPH04120000 A JP H04120000A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- jig
- oxynitride
- sic
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は主として８１ウエーハの熱処理チューブ及び熱
処理ボートの材料構成に関する。
処理ボートの材料構成に関する。
従来ｓｉウェーハの熱処理チー−プ及び熱処理ボートに
は石英チューブ及び石英ボートあるいはｓｌｃチューブ
及びＳｉＯボートあるいはＳ１チー−プ及びＳ１ボート
等が用いられるのが通例でありた。
は石英チューブ及び石英ボートあるいはｓｌｃチューブ
及びＳｉＯボートあるいはＳ１チー−プ及びＳ１ボート
等が用いられるのが通例でありた。
しかし、上記従来技術によると、石英チューブ及び石英
ボートは耐熱性が低（，１２００℃以上での熱処理が不
可能であると言う課題があり、ＳｉＯチューブ及びＳｉ
ＯボートあるいはＳ１チユーブ及びＳ１ボートは１２０
０℃以上１４００℃程度の熱処理は充分可能ではあるが
、Ｆｅを主体とする重金属汚染があると言う課題があっ
た。
ボートは耐熱性が低（，１２００℃以上での熱処理が不
可能であると言う課題があり、ＳｉＯチューブ及びＳｉ
ＯボートあるいはＳ１チユーブ及びＳ１ボートは１２０
０℃以上１４００℃程度の熱処理は充分可能ではあるが
、Ｆｅを主体とする重金属汚染があると言う課題があっ
た。
本発明は、かかる従来技術の課題を解決し、１２００℃
以上の耐熱性が有り、且つ重金属等の不鈍物汚染の無い
半導体熱処理治具を提供する事を目的とする。
以上の耐熱性が有り、且つ重金属等の不鈍物汚染の無い
半導体熱処理治具を提供する事を目的とする。
上記課題を解決する為に本発明は半導体熱処理治具に関
し、 （１） Ｓ１Ｃ治具の表面にオキシナイトライド層を
形成し、該オキシナイトライド層の表面にｓＩａ層を形
成する手段を取る事、及び、（２）Ｓｉ、Ｎ、治具の表
面にオキシナイトライド層を形成し、該オキシナイトラ
イド層の表面にＳｉＣ層を形成する手段を取る事、及び
、（３） オキシナイトライド治具の表面にＳｉＣ層を
形成する手段を取る事、 等の手段を取る。
し、 （１） Ｓ１Ｃ治具の表面にオキシナイトライド層を
形成し、該オキシナイトライド層の表面にｓＩａ層を形
成する手段を取る事、及び、（２）Ｓｉ、Ｎ、治具の表
面にオキシナイトライド層を形成し、該オキシナイトラ
イド層の表面にＳｉＣ層を形成する手段を取る事、及び
、（３） オキシナイトライド治具の表面にＳｉＣ層を
形成する手段を取る事、 等の手段を取る。
以下、実施例により本発明を詳述する。
いま、粉末焼成されたＳｉＣチューブの内面に８００℃
Ｓ ｉ Ｈ４＋ Ｏｘ ＋ Ｎ Ｈｓ → Ｓ ｉ
ＮＸ Ｏｙ等から成る反応によりＣＶＤ法にてＩＤｌｔ
ｍ程度のオキシナイトライド層を形成後、引続き、１０
０Ｃ１℃ Ｓ Ｉ Ｈ４＋ＣｓＨ，−＋ ＳＩ Ｃ等から成る反
応によりＣＶＤ法にて１０μｍ程度のＳｉＣ層を形成す
る。本性により粉末焼成されたＳｉＣチューブからのＦ
θを主体とする重金属汚染がオキシナイトライド層によ
り防止されると共に、オキシナイトライド層表面に形成
されたＳｉＣ層により、オキシナイトライド層の酸化に
よるＳ ｉ ｏ、層化を防止する事ができる。尚本性は
ＳｉＣチューブのみならずＳｉＯボート表面にオキシナ
イトライド層とＳｉ０層を形成する場合等、半導体熱処
理治具にも適用することができる。
ＮＸ Ｏｙ等から成る反応によりＣＶＤ法にてＩＤｌｔ
ｍ程度のオキシナイトライド層を形成後、引続き、１０
０Ｃ１℃ Ｓ Ｉ Ｈ４＋ＣｓＨ，−＋ ＳＩ Ｃ等から成る反
応によりＣＶＤ法にて１０μｍ程度のＳｉＣ層を形成す
る。本性により粉末焼成されたＳｉＣチューブからのＦ
θを主体とする重金属汚染がオキシナイトライド層によ
り防止されると共に、オキシナイトライド層表面に形成
されたＳｉＣ層により、オキシナイトライド層の酸化に
よるＳ ｉ ｏ、層化を防止する事ができる。尚本性は
ＳｉＣチューブのみならずＳｉＯボート表面にオキシナ
イトライド層とＳｉ０層を形成する場合等、半導体熱処
理治具にも適用することができる。
次に、粉末焼結されたＳｉ３Ｎ４ チューブの全表面に
ＣＶＤ法によりオキシナイトライド層を形成後、ＣＶＤ
法によりＳｉ０層を形成する事により、Ｓｉ３Ｎ４チュ
ーブに直接Ｓ、ｔＯ層を形成する場合に発生するＳｉＣ
層の熱歪によるクラックを防止すると共に、表面ＳｉＣ
層はＳ ｉ、Ｎ４チ−ブの酸化を防止する作用がある。
ＣＶＤ法によりオキシナイトライド層を形成後、ＣＶＤ
法によりＳｉ０層を形成する事により、Ｓｉ３Ｎ４チュ
ーブに直接Ｓ、ｔＯ層を形成する場合に発生するＳｉＣ
層の熱歪によるクラックを防止すると共に、表面ＳｉＣ
層はＳ ｉ、Ｎ４チ−ブの酸化を防止する作用がある。
前記実施例のＳｉＯ治具表面に形成するオキシナイトラ
イド層はＳｉ、Ｎ４層ではやはりＳｉＯ治具や表面Ｓｉ
Ｃ層との熱歪によるクラック発生を防止する作用がある
。尚本性はオキシナイトライドチューブのみならずオキ
シナイトライド・ボート等の半導体熱処理治具に適用す
ることができる。
イド層はＳｉ、Ｎ４層ではやはりＳｉＯ治具や表面Ｓｉ
Ｃ層との熱歪によるクラック発生を防止する作用がある
。尚本性はオキシナイトライドチューブのみならずオキ
シナイトライド・ボート等の半導体熱処理治具に適用す
ることができる。
更に、粉末焼成された又はＣＶＤ法により形成されたオ
キシナイトライド治具の表面に、ＣＶＤ法によりＳｉ０
層を形成する事により、熱歪によるクラックもな（、且
つオキシナイトライド治具の酸化による石英化もな（、
重金属不純物汚染もない半導体熱処理治具ができる。
キシナイトライド治具の表面に、ＣＶＤ法によりＳｉ０
層を形成する事により、熱歪によるクラックもな（、且
つオキシナイトライド治具の酸化による石英化もな（、
重金属不純物汚染もない半導体熱処理治具ができる。
本発明により重金属等の不純物汚染がな（、且つ耐熱性
が１２００℃以上２０００℃程度迄有る熱処理治具を提
供することができる効果がある。
が１２００℃以上２０００℃程度迄有る熱処理治具を提
供することができる効果がある。
以上
出願人 セイコーエプソン株式会社
Claims (3)
- （１）ＳｉＣ治具の表面にはオキシナイトライド層が形
成され、該オキシナイトライド層の表面にはＳｉＣ層が
形成されて成る事を特徴とする半導体熱処理治具。 - （２）Ｓｉ＿３Ｎ＿４治具の表面にはオキシナイトライ
ド層が形成され、該オキシナイトライド層の表面にはＳ
ｉＣ層が形成されて成る事を特徴とする半導体熱処理治
具。 - （３）オキシナイトライド治具の表面にはＳｉＣ層が形
成されて成る事を特徴とする半導体熱処理治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2237346A JPH04120000A (ja) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | 半導体熱処理治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2237346A JPH04120000A (ja) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | 半導体熱処理治具 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04120000A true JPH04120000A (ja) | 1992-04-21 |
Family
ID=17014030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2237346A Pending JPH04120000A (ja) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | 半導体熱処理治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04120000A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0807961A1 (en) * | 1996-05-17 | 1997-11-19 | Asahi Glass Company Ltd. | Vertical wafer boat |
-
1990
- 1990-09-07 JP JP2237346A patent/JPH04120000A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0807961A1 (en) * | 1996-05-17 | 1997-11-19 | Asahi Glass Company Ltd. | Vertical wafer boat |
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