JPH0474853B2 - - Google Patents
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- JPH0474853B2 JPH0474853B2 JP62004053A JP405387A JPH0474853B2 JP H0474853 B2 JPH0474853 B2 JP H0474853B2 JP 62004053 A JP62004053 A JP 62004053A JP 405387 A JP405387 A JP 405387A JP H0474853 B2 JPH0474853 B2 JP H0474853B2
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- conductive polymer
- film
- mol
- electrolytic
- capacitor
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/22—Electrodes
- H01G11/30—Electrodes characterised by their material
- H01G11/48—Conductive polymers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/022—Electrolytes; Absorbents
- H01G9/025—Solid electrolytes
- H01G9/028—Organic semiconducting electrolytes, e.g. TCNQ
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- Electrochemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
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- Glass Compositions (AREA)
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は導電性高分子を固体電解質として用い
たコンデンサに関する。
たコンデンサに関する。
（従来の技術）
近年デジタル機器の発展に伴ない、高周波領域
においてインピーダンスの低い高周特性の優れた
大容量のコンデンサの出現が待たれ、この分野の
研究が盛んになつている。現在知られている高周
波特性の優れたコンデンサには、フイルム、マイ
カ、セラミツクス等のコンデンサがあるが、1μF
以上の静電容量を得ようとすると、サイズが大き
くなり、価格も非常に高くなる。
においてインピーダンスの低い高周特性の優れた
大容量のコンデンサの出現が待たれ、この分野の
研究が盛んになつている。現在知られている高周
波特性の優れたコンデンサには、フイルム、マイ
カ、セラミツクス等のコンデンサがあるが、1μF
以上の静電容量を得ようとすると、サイズが大き
くなり、価格も非常に高くなる。
また大容量のコンデンサとして知られている電
解コンデンサには電解液式と固体式とがある。前
者の電解コンデンサは液状の電解質を用いている
のでイオン伝導であるため、高周波領域において
著しく抵抗が増大し、コンデンサのインピーダン
スが増大する。後者の電解コンデンサには、固体
電解質として、二酸化マンガンを使用するもの
と、７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン
（TCNQと略す）錯体を使用するものがある。二
酸化マンガンを固体電解質として用いたコンデン
サにおいては、二酸化マンガンが不溶の固体であ
るため、硝酸マンガンを熱分解して得られる二酸
化マンガンが固体電解質として用いられている。
この熱分解は、通常数回繰り返して行なわれてい
る。二酸化マンガンは比抵抗が比較的高く、また
繰り返して熱分解する際に誘電体である酸化皮膜
を損傷しやすいなどの理由によりインピーダンス
が高く、漏れ電流が大きいなどの欠点がある。
TCNQ錯体を固体電解質として用いたコンデン
サ（特開昭58−191414号、特開昭58−17609号な
ど）では、TCNQ錯体は高い導電性を示すが、
熱安定性に乏しいため、コンデンサ製造過程にお
いて分解し、絶縁体になることがあり、コンデン
サの熱特性などに欠点がある。
解コンデンサには電解液式と固体式とがある。前
者の電解コンデンサは液状の電解質を用いている
のでイオン伝導であるため、高周波領域において
著しく抵抗が増大し、コンデンサのインピーダン
スが増大する。後者の電解コンデンサには、固体
電解質として、二酸化マンガンを使用するもの
と、７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン
（TCNQと略す）錯体を使用するものがある。二
酸化マンガンを固体電解質として用いたコンデン
サにおいては、二酸化マンガンが不溶の固体であ
るため、硝酸マンガンを熱分解して得られる二酸
化マンガンが固体電解質として用いられている。
この熱分解は、通常数回繰り返して行なわれてい
る。二酸化マンガンは比抵抗が比較的高く、また
繰り返して熱分解する際に誘電体である酸化皮膜
を損傷しやすいなどの理由によりインピーダンス
が高く、漏れ電流が大きいなどの欠点がある。
TCNQ錯体を固体電解質として用いたコンデン
サ（特開昭58−191414号、特開昭58−17609号な
ど）では、TCNQ錯体は高い導電性を示すが、
熱安定性に乏しいため、コンデンサ製造過程にお
いて分解し、絶縁体になることがあり、コンデン
サの熱特性などに欠点がある。
まだ実用の域には達していないが電解重合によ
る複素環式化合物の重合体を固体電解質としたコ
ンデンサの製造法が提案された（特開昭60−
244017、特開昭61−2315など）。上記方法は、陽
極酸化皮膜上に電解酸化により複素環式化合物の
ポリマー薄膜層を形成する方法である。この方法
では、陽極酸化皮膜層が絶縁化されているので、
電解酸化により陽極酸化皮膜層上に複素環式化合
物を電解重合させることは不可能か、又は非常に
困難である。また陽極酸化皮膜層のピンホールか
ら電解酸化重合が起こつたとしても不均一な膜と
なり、実用上大きな問題となる。
る複素環式化合物の重合体を固体電解質としたコ
ンデンサの製造法が提案された（特開昭60−
244017、特開昭61−2315など）。上記方法は、陽
極酸化皮膜上に電解酸化により複素環式化合物の
ポリマー薄膜層を形成する方法である。この方法
では、陽極酸化皮膜層が絶縁化されているので、
電解酸化により陽極酸化皮膜層上に複素環式化合
物を電解重合させることは不可能か、又は非常に
困難である。また陽極酸化皮膜層のピンホールか
ら電解酸化重合が起こつたとしても不均一な膜と
なり、実用上大きな問題となる。
（発明が解決しようとする問題点）
導電性高分子の合成法は化学的酸化重合法およ
び電解酸化重合法があるが、化学的酸化重合法で
は陽極酸化皮膜層上に強度の強い膜が形成でき
ず、また電解酸化重合法法では陽極酸化皮膜層が
電気絶縁体であるため、電流を通さず、その上に
強靭な導電性高分子膜を形成することができなか
つた。本発明の目的は電解重合法により得られた
導電性高分子膜を固体電解質として使用し、静電
容量が大きくかつ電気的特性、温度特性の優れた
固体電解コンデンサを提供することにある。
び電解酸化重合法があるが、化学的酸化重合法で
は陽極酸化皮膜層上に強度の強い膜が形成でき
ず、また電解酸化重合法法では陽極酸化皮膜層が
電気絶縁体であるため、電流を通さず、その上に
強靭な導電性高分子膜を形成することができなか
つた。本発明の目的は電解重合法により得られた
導電性高分子膜を固体電解質として使用し、静電
容量が大きくかつ電気的特性、温度特性の優れた
固体電解コンデンサを提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
本発明者らは上記問題点を解決するため種々検
討した結果、皮膜形成金属に誘電体酸化皮膜を形
成し、該誘電体酸化皮膜上に、酸化剤を用いて化
学酸化重合した導電性高分子膜を形成し、更に該
導電性高分子膜の上に、電解重合法により得られ
る導電性高分子膜を積層して、二重に形成された
導電性高分子膜を固体電解質として用いることに
より、静電容量の大きくかつ電気特性、温度特性
の優れた固体電解コンデンサを提供することがで
きた。
討した結果、皮膜形成金属に誘電体酸化皮膜を形
成し、該誘電体酸化皮膜上に、酸化剤を用いて化
学酸化重合した導電性高分子膜を形成し、更に該
導電性高分子膜の上に、電解重合法により得られ
る導電性高分子膜を積層して、二重に形成された
導電性高分子膜を固体電解質として用いることに
より、静電容量の大きくかつ電気特性、温度特性
の優れた固体電解コンデンサを提供することがで
きた。
本発明を本発明の構成を示す第１図により更に
詳しく説明すると、エツチングして表面を粗した
皮膜形成金属１を電解酸化または空気酸化により
該金属の酸化物を生成させ、誘電体酸化皮膜２を
形成する。ついで誘電体酸化皮膜２上に、酸化剤
を0.001mol／１〜〜2mol／１含む溶液を塗布ま
たは噴霧などの方法により均一に分散した後導電
性高分子の単量体を少なくとも0.01mol／１含む
溶液または無溶媒で接触させるか、または逆に導
電性高分子の単量体を誘電体表面上に均一に分散
した後酸化剤を接触させて、誘電体酸化皮膜２上
に化学酸化重合による導電性高分子膜３を形成
し、表面を導電化する。ついで形成した導電性高
分子膜３を陽極とし、支持電解質を0.01mol／１
〜2mol／１および導電性高分子単量体を
0.01mol／１〜5mol／１含む電解液中にて電解酸
化重合を行なうと、酸化剤を用いて重合した導電
性高分子膜３の上に、電解酸化重合された強靭な
導電性高分子膜４が得られる。更に一般的に用い
られている銀ペーストなどにより対極リードを取
り出し、エポキシ樹脂などにより外装すると本発
明のコンデンサとなる。
詳しく説明すると、エツチングして表面を粗した
皮膜形成金属１を電解酸化または空気酸化により
該金属の酸化物を生成させ、誘電体酸化皮膜２を
形成する。ついで誘電体酸化皮膜２上に、酸化剤
を0.001mol／１〜〜2mol／１含む溶液を塗布ま
たは噴霧などの方法により均一に分散した後導電
性高分子の単量体を少なくとも0.01mol／１含む
溶液または無溶媒で接触させるか、または逆に導
電性高分子の単量体を誘電体表面上に均一に分散
した後酸化剤を接触させて、誘電体酸化皮膜２上
に化学酸化重合による導電性高分子膜３を形成
し、表面を導電化する。ついで形成した導電性高
分子膜３を陽極とし、支持電解質を0.01mol／１
〜2mol／１および導電性高分子単量体を
0.01mol／１〜5mol／１含む電解液中にて電解酸
化重合を行なうと、酸化剤を用いて重合した導電
性高分子膜３の上に、電解酸化重合された強靭な
導電性高分子膜４が得られる。更に一般的に用い
られている銀ペーストなどにより対極リードを取
り出し、エポキシ樹脂などにより外装すると本発
明のコンデンサとなる。
本発明の皮膜形成金属はアルミニウムまたはタ
ンタルを用いる。本発明の化学的酸化重合に用い
られる酸化剤は、ヨウ素、臭素、ヨウ化臭素など
のハロゲン、五フツ化ヒ素、五フツ化アンチモ
ン、四フツ化ケイ素、五塩化リン、五フツ化リ
ン、塩化アルミニウム、塩化モリブデンなどの金
属ハロゲン化物、硫酸、硝酸、フルオロ硫酸、ト
リフルオロメタン硫酸、クロロ硫酸などのプロト
ン酸、三酸化イオウ、二酸化窒素などの含酸素化
合物、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム、過硫
酸アンモニウムなどの過硫酸塩、過酸化水素、過
酢酸、ジフルオロスルホニルパーオキサイドなど
の過酸化物などの酸化剤を用いる。本発明の化学
的酸化重合により形成される導電性高分子膜は、
ポリピロール、ポリチオフエン、ポリアニリン、
ポリフランを用い、特に好ましくはポリピロール
を用いる。
ンタルを用いる。本発明の化学的酸化重合に用い
られる酸化剤は、ヨウ素、臭素、ヨウ化臭素など
のハロゲン、五フツ化ヒ素、五フツ化アンチモ
ン、四フツ化ケイ素、五塩化リン、五フツ化リ
ン、塩化アルミニウム、塩化モリブデンなどの金
属ハロゲン化物、硫酸、硝酸、フルオロ硫酸、ト
リフルオロメタン硫酸、クロロ硫酸などのプロト
ン酸、三酸化イオウ、二酸化窒素などの含酸素化
合物、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム、過硫
酸アンモニウムなどの過硫酸塩、過酸化水素、過
酢酸、ジフルオロスルホニルパーオキサイドなど
の過酸化物などの酸化剤を用いる。本発明の化学
的酸化重合により形成される導電性高分子膜は、
ポリピロール、ポリチオフエン、ポリアニリン、
ポリフランを用い、特に好ましくはポリピロール
を用いる。
本発明における支持電解質は陰イオンがヘキサ
フロロリン、ヘキサフロロヒ素、テトラフロロホ
ウ素などのハロゲン化物アニオワ、ヨウ素、臭
素、塩素などのハロゲンアニオン、過塩素酸アニ
オン、アルキルベンゼンスルホン酸、ニトロベン
ゼンスルホン酸、アミノベンゼンスルホン酸、ベ
ンゼンスルホン酸、β−ナフタレンスルホン酸等
のスルホン酸アニオンであり、好ましくはスルホ
ン酸アニオンである。また陽イオンがリチウム、
ナトリウム、カリウムなどのアルカリ金属カチオ
ン、アンモニウム、テトラアルキルアンモニウム
などの四級アンモニウムカチオンである。化合物
としては、LiPF6、LiAsF6、LiCIO4、NaI、
NaPF6、NaCIO、KI、KPF6、KASF6、
KCIO4、LiBF4、トルエンスルホン酸ナトリウ
ム、トルエンスルホン酸テトラブチルアンモニウ
ムなどを掲げることができる。
フロロリン、ヘキサフロロヒ素、テトラフロロホ
ウ素などのハロゲン化物アニオワ、ヨウ素、臭
素、塩素などのハロゲンアニオン、過塩素酸アニ
オン、アルキルベンゼンスルホン酸、ニトロベン
ゼンスルホン酸、アミノベンゼンスルホン酸、ベ
ンゼンスルホン酸、β−ナフタレンスルホン酸等
のスルホン酸アニオンであり、好ましくはスルホ
ン酸アニオンである。また陽イオンがリチウム、
ナトリウム、カリウムなどのアルカリ金属カチオ
ン、アンモニウム、テトラアルキルアンモニウム
などの四級アンモニウムカチオンである。化合物
としては、LiPF6、LiAsF6、LiCIO4、NaI、
NaPF6、NaCIO、KI、KPF6、KASF6、
KCIO4、LiBF4、トルエンスルホン酸ナトリウ
ム、トルエンスルホン酸テトラブチルアンモニウ
ムなどを掲げることができる。
本発明の電解酸化重合により得られる導電性高
分子はポリピロール、ポリチオフエン、ポリアニ
リン、ポリフランを用い、好ましくはポリピロー
ルを用いる。
分子はポリピロール、ポリチオフエン、ポリアニ
リン、ポリフランを用い、好ましくはポリピロー
ルを用いる。
以下実施例により本発明を具体的に説明する
が、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。
が、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。
実施例 １
電解酸化により化成処理を施して表面に酸化ア
ルミニウム誘電体を形成させた厚さ60μmのアル
ミニウム箔を、過硫酸アンモニウム0.04mol／ｌ
の水溶液に減圧下で10分間浸漬した後、乾燥し
た。これをピロール単量体2mol／ｌを含むアセ
トニトリル溶液に減圧下で10分間浸漬して、酸化
アルミニウム誘電体上にポリピロール薄膜を化学
酸化重合法により形成させた。ついで上記処理を
行なつたアルミニウム箔をピロール単量体
0.2mol／ｌ、シユウ酸0.02mol／ｌおよび支持電
解質としてトルエンスルホン酸テトラブチルアン
モニウム0.05mol／ｌを含む水溶液中に浸漬し
た。該アルミニウム箔上に形成したポリピロール
薄膜を陽極とし、ステンレス板を陰極として電流
密度0.5mA／cm2の条件下で150分間定電流電解を
行なつた結果、均一な黒色のポリピロールの薄膜
が表面に生成した。ついでこの表面に銀ペースト
を用いて対極リードを取り出し、エポキシ樹脂に
より外装しコンデンサを完成させた。得られたコ
ンデンサは120Hzにおいて静電容量2.2μF／cm2で損
失角の正接（tanδ）は1.5％であつた。なおこの
箔の液中容量は2.0μF／cm2であるので110％の容量
達成率であつた。
ルミニウム誘電体を形成させた厚さ60μmのアル
ミニウム箔を、過硫酸アンモニウム0.04mol／ｌ
の水溶液に減圧下で10分間浸漬した後、乾燥し
た。これをピロール単量体2mol／ｌを含むアセ
トニトリル溶液に減圧下で10分間浸漬して、酸化
アルミニウム誘電体上にポリピロール薄膜を化学
酸化重合法により形成させた。ついで上記処理を
行なつたアルミニウム箔をピロール単量体
0.2mol／ｌ、シユウ酸0.02mol／ｌおよび支持電
解質としてトルエンスルホン酸テトラブチルアン
モニウム0.05mol／ｌを含む水溶液中に浸漬し
た。該アルミニウム箔上に形成したポリピロール
薄膜を陽極とし、ステンレス板を陰極として電流
密度0.5mA／cm2の条件下で150分間定電流電解を
行なつた結果、均一な黒色のポリピロールの薄膜
が表面に生成した。ついでこの表面に銀ペースト
を用いて対極リードを取り出し、エポキシ樹脂に
より外装しコンデンサを完成させた。得られたコ
ンデンサは120Hzにおいて静電容量2.2μF／cm2で損
失角の正接（tanδ）は1.5％であつた。なおこの
箔の液中容量は2.0μF／cm2であるので110％の容量
達成率であつた。
比較例 １
アルミニウム箔上に化学酸化重合法によるポリ
ピロール薄膜を形成せずに実施例１に準じて電解
を行なつたが、酸化アルミニウム誘電体上の一部
にしかポリピロールが得られず、膜を形成するこ
とができなかつた。
ピロール薄膜を形成せずに実施例１に準じて電解
を行なつたが、酸化アルミニウム誘電体上の一部
にしかポリピロールが得られず、膜を形成するこ
とができなかつた。
実施例 ２
ヨウ素0.1mol／ｌを含むエチルエーテル溶液
を調製し、電解酸化により化成処理を施して表面
に酸化アルミニウム誘電体皮膜を形成させた厚さ
60μmのアルミニウム箔上に、先に調製したエチ
ルエーテル溶液を噴霧して乾燥した。上記処理を
行なつたアルミニウム箔をピロール単量体中に30
分間減圧下で浸漬し、化学酸化重合法により黒色
のポリピロール薄膜を形成した。以下実施例１に
準じてコンデンサを完成した。得られたコンデン
サは120Hzにおいて、静電容量2.0μF／cm2、tanδは
1.3％であつた。
を調製し、電解酸化により化成処理を施して表面
に酸化アルミニウム誘電体皮膜を形成させた厚さ
60μmのアルミニウム箔上に、先に調製したエチ
ルエーテル溶液を噴霧して乾燥した。上記処理を
行なつたアルミニウム箔をピロール単量体中に30
分間減圧下で浸漬し、化学酸化重合法により黒色
のポリピロール薄膜を形成した。以下実施例１に
準じてコンデンサを完成した。得られたコンデン
サは120Hzにおいて、静電容量2.0μF／cm2、tanδは
1.3％であつた。
実施例 ３
電解酸化により化成処理を施して表面を酸化ア
ルミニウム誘電体皮膜を形成させた厚さ60μmの
アルミニウム箔を塩化第二鉄0.02mol／ｌを含む
水溶液に減圧下で２分間浸漬した後、乾燥した。
これをピロール単量体0.1mol／ｌを含む水溶液
に30分間浸漬し、化学酸化重合法により黒色のポ
リピロール薄膜を形成した。以下実施例１に準じ
てコンデンサを完成した。得られたコンデンサは
120Hzにおいて、静電容量2.1μF／cm2、tanδは1.8
％であつた。
ルミニウム誘電体皮膜を形成させた厚さ60μmの
アルミニウム箔を塩化第二鉄0.02mol／ｌを含む
水溶液に減圧下で２分間浸漬した後、乾燥した。
これをピロール単量体0.1mol／ｌを含む水溶液
に30分間浸漬し、化学酸化重合法により黒色のポ
リピロール薄膜を形成した。以下実施例１に準じ
てコンデンサを完成した。得られたコンデンサは
120Hzにおいて、静電容量2.1μF／cm2、tanδは1.8
％であつた。
実施例 ４
化成処理を施して表面に酸化タンタル誘電体皮
膜を形成させたタンタル焼結体を過硫酸アンモニ
ウム塩0.04mol／ｌの水溶液に減圧下で５分間浸
漬した後、乾燥した。これをピロール単量体
0.2mol／ｌおよびアジピン酸0.02mol／ｌを含む
水溶液に減圧下で10分間浸漬して、酸化タンタル
誘電体上にポリピロール薄膜を化学酸化重合法に
より形成させた。ついで上記処理を行なつたタン
タル焼結体をピロール単量体0.2mol／ｌ、シユ
ウ酸0.02mol／ｌおよび支持電解質として過塩素
酸リチウム0.05mol／ｌを含む水溶液中に浸漬し
た。該タンタル焼結体上に形成したポリピロール
薄膜を陽極とし、ステンレス板を陰極として、電
流密度0.5mA／cm2の条件下で150分間、定電流電
解を行なつた結果、均一な黒色のポリピロールの
薄膜が表面に生成した。ついでこの表面に銀ペー
ストを用いて対極リードを取り出し、エポキシ樹
脂により外装しコンデンサを完成させた。得られ
たコンデンサは120Hzにおいて、静電容量は
1.2μF／cm2であり、損失角の正接（tanδ）は1.0％
であつた。尚このタンタル焼結体の液中容量は
1.0μF／cm2であるので容量達成率は120％であつ
た。
膜を形成させたタンタル焼結体を過硫酸アンモニ
ウム塩0.04mol／ｌの水溶液に減圧下で５分間浸
漬した後、乾燥した。これをピロール単量体
0.2mol／ｌおよびアジピン酸0.02mol／ｌを含む
水溶液に減圧下で10分間浸漬して、酸化タンタル
誘電体上にポリピロール薄膜を化学酸化重合法に
より形成させた。ついで上記処理を行なつたタン
タル焼結体をピロール単量体0.2mol／ｌ、シユ
ウ酸0.02mol／ｌおよび支持電解質として過塩素
酸リチウム0.05mol／ｌを含む水溶液中に浸漬し
た。該タンタル焼結体上に形成したポリピロール
薄膜を陽極とし、ステンレス板を陰極として、電
流密度0.5mA／cm2の条件下で150分間、定電流電
解を行なつた結果、均一な黒色のポリピロールの
薄膜が表面に生成した。ついでこの表面に銀ペー
ストを用いて対極リードを取り出し、エポキシ樹
脂により外装しコンデンサを完成させた。得られ
たコンデンサは120Hzにおいて、静電容量は
1.2μF／cm2であり、損失角の正接（tanδ）は1.0％
であつた。尚このタンタル焼結体の液中容量は
1.0μF／cm2であるので容量達成率は120％であつ
た。
（発明の効果）
先に述べたように固体電解コンデンサの固体電
解質に有機半導体であるTCNQ錯体を用いると
電気特性とくに高周波特性の優れたコンデンサが
得られることがすでに知られているが、その熱安
定性および溶解性が悪いため製造上大きな問題と
なつている。また電気絶縁体である誘電体酸化皮
膜上に直接電解重合によつて得られる強靭な導電
性高分子膜を重合することは不可能であつたが本
発明により可能となり、導電性高分子膜を固体電
解質として用いた温度特性、電気特性の優れた固
体電解コンデンサを提供することができた。
解質に有機半導体であるTCNQ錯体を用いると
電気特性とくに高周波特性の優れたコンデンサが
得られることがすでに知られているが、その熱安
定性および溶解性が悪いため製造上大きな問題と
なつている。また電気絶縁体である誘電体酸化皮
膜上に直接電解重合によつて得られる強靭な導電
性高分子膜を重合することは不可能であつたが本
発明により可能となり、導電性高分子膜を固体電
解質として用いた温度特性、電気特性の優れた固
体電解コンデンサを提供することができた。
第１図は本発明の固体電解コンデンサの構成を
示す概略断面図である。 １……皮膜形成金属、２……誘電体酸化皮膜、
３……化学酸化重合により形成した導電性高分子
膜、４……電解重合により得られた導電性高分子
膜。
示す概略断面図である。 １……皮膜形成金属、２……誘電体酸化皮膜、
３……化学酸化重合により形成した導電性高分子
膜、４……電解重合により得られた導電性高分子
膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 皮膜形成金属に誘電体酸化皮膜を形成し、該
誘電体酸化皮膜上に酸化剤を用いて化学酸化重合
した導電性高分子膜を形成し、更に該導電性高分
子膜上に電解重合により得られる導電性高分子膜
を積層して、二重に形成された導電性高分子膜を
固体電解質として用いることを特徴とする固体電
解コンデンサ。 ２ 皮膜形成金属がアルミニウムまたはタンタル
である特許請求の範囲第１項記載の固体電解コン
デンサ。 ３ 酸化剤を用いて化学酸化重合した導電性高分
子膜がポリピロールである特許請求の範囲第１項
記載の固体電解コンデンサ。 ４ 電解重合により得られる導電性高分子膜がポ
リピロールである特許請求の範囲第１項記載の固
体電解コンデンサ。
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