JPH077740B2 - コンデンサ - Google Patents
コンデンサInfo
- Publication number
- JPH077740B2 JPH077740B2 JP1340733A JP34073389A JPH077740B2 JP H077740 B2 JPH077740 B2 JP H077740B2 JP 1340733 A JP1340733 A JP 1340733A JP 34073389 A JP34073389 A JP 34073389A JP H077740 B2 JPH077740 B2 JP H077740B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- capacitor
- polymer film
- acid
- aluminum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Paints Or Removers (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、多孔質化した導電体表面上に絶縁性高分子皮
膜を形成し、これを誘電体層とした上に導電性高分子膜
を形成してなるコンデンサに関するものである。
膜を形成し、これを誘電体層とした上に導電性高分子膜
を形成してなるコンデンサに関するものである。
従来の技術 フィルムコンデンサは、通常、ポリエステルフィルムや
ポリプロピレンフィルムなどを誘電体として、片面また
は両面にアルミニウム箔などの金属を巻回したり、真空
蒸着などの方法でフィルム表面に金属をコーティングし
て製造されている。
ポリプロピレンフィルムなどを誘電体として、片面また
は両面にアルミニウム箔などの金属を巻回したり、真空
蒸着などの方法でフィルム表面に金属をコーティングし
て製造されている。
一般に大容量のフィルムコンデンサを得るためには金属
化処理したプラスチックフィルムを巻回したり積層した
構造を採用しているが、プラスチックフィルムの誘電率
は無機酸化物系の誘電体の誘電率と比較して小さく、更
に、フィルムの取扱上薄膜化にも限界があるため大容量
のフィルムコンデンサは得にくく、数マイクロファラド
が限界であった。
化処理したプラスチックフィルムを巻回したり積層した
構造を採用しているが、プラスチックフィルムの誘電率
は無機酸化物系の誘電体の誘電率と比較して小さく、更
に、フィルムの取扱上薄膜化にも限界があるため大容量
のフィルムコンデンサは得にくく、数マイクロファラド
が限界であった。
大容量を得るためには誘電体表面積を大きくすると良
い。この目的のため、電極となる導電体の表面を多孔質
化して、その表面に誘電体を形成すると良い。しかし、
エッチングしたアルミニウム箔のように、粗面化処理を
行った導電体表面に誘電体として絶縁性高分子膜を形成
し、更に金属箔または金属を蒸着して対極を取り出そう
としても、粗面化した導電体の形状に応じて対極の金属
層を形成できず期待したほどの容量が得られない。
い。この目的のため、電極となる導電体の表面を多孔質
化して、その表面に誘電体を形成すると良い。しかし、
エッチングしたアルミニウム箔のように、粗面化処理を
行った導電体表面に誘電体として絶縁性高分子膜を形成
し、更に金属箔または金属を蒸着して対極を取り出そう
としても、粗面化した導電体の形状に応じて対極の金属
層を形成できず期待したほどの容量が得られない。
また、アルミニウム，タンタルなどの弁作用金属表面に
誘電体として酸化被膜を形成し、該酸化皮膜上に化学重
合による導電性高分子膜層を設け、更に電解重合による
導電性高分子膜層を形成した構造の固体電解コンデンサ
が提案されている（特開昭63−158829号公報および特開
昭63−173313号公報）。
誘電体として酸化被膜を形成し、該酸化皮膜上に化学重
合による導電性高分子膜層を設け、更に電解重合による
導電性高分子膜層を形成した構造の固体電解コンデンサ
が提案されている（特開昭63−158829号公報および特開
昭63−173313号公報）。
このものは、誘電体として用いる弁作用金属の酸化皮膜
は非常に薄くできるため、小型で大容量のコンデンサを
得ることが出来るが、その反面、誘電体酸化皮膜は脆い
ので機械的なストレスや衝撃に弱いなど欠陥が多く、漏
れ電流が大きい。また、弁作用金属の誘電体酸化皮膜は
整流作用を持っているため有極性のコンデンサしか形成
できない。
は非常に薄くできるため、小型で大容量のコンデンサを
得ることが出来るが、その反面、誘電体酸化皮膜は脆い
ので機械的なストレスや衝撃に弱いなど欠陥が多く、漏
れ電流が大きい。また、弁作用金属の誘電体酸化皮膜は
整流作用を持っているため有極性のコンデンサしか形成
できない。
発明が解決しようとする課題 本発明の目的とするところは、多孔質化した導電体上に
誘電体として絶縁性高分子皮膜を形成させ、該絶縁性高
分子皮膜上に対極を形成せしめた構造のコンデンサにお
いて、小型大容量化を可能にすると共に、多孔質化した
導電体の形状に応じて追従性のよい対極を形成せしめ、
優れたコンデンサ特性を持つコンデンサを提供すること
である。
誘電体として絶縁性高分子皮膜を形成させ、該絶縁性高
分子皮膜上に対極を形成せしめた構造のコンデンサにお
いて、小型大容量化を可能にすると共に、多孔質化した
導電体の形状に応じて追従性のよい対極を形成せしめ、
優れたコンデンサ特性を持つコンデンサを提供すること
である。
課題を解決するための手段 本発明のコンデンサは、多孔質化した導電体上に絶縁性
高分子膜からなる誘電体層を形成し、該誘電体層表面に
順次、化学酸化重合による導電性高分子膜，電解重合に
よる導電性高分子膜を形成し、該電解重合による導電性
高分子膜上に導電性塗膜を形成したものである。
高分子膜からなる誘電体層を形成し、該誘電体層表面に
順次、化学酸化重合による導電性高分子膜，電解重合に
よる導電性高分子膜を形成し、該電解重合による導電性
高分子膜上に導電性塗膜を形成したものである。
多孔質化した導電体としては、多孔質化のしやすさ、電
導度及び安定性から、アルミニウム，タンタル，ニッケ
ル，チタン，ステンレス，銅，及びカーボンが好まし
い。また、これらの電導体の多孔質化の方法としては、
例えば、電気化学的エッチング、酸やアルカリなどを用
いた化学的エッチング、イオンビームやスパッタリング
などによる粗面化、サンドブラストや表面研磨による粗
面化、導電体微粉の焼結による多孔質化などが挙げられ
るが、本発明の多孔質化した導電体はこれらの例によっ
て何等限定されない。
導度及び安定性から、アルミニウム，タンタル，ニッケ
ル，チタン，ステンレス，銅，及びカーボンが好まし
い。また、これらの電導体の多孔質化の方法としては、
例えば、電気化学的エッチング、酸やアルカリなどを用
いた化学的エッチング、イオンビームやスパッタリング
などによる粗面化、サンドブラストや表面研磨による粗
面化、導電体微粉の焼結による多孔質化などが挙げられ
るが、本発明の多孔質化した導電体はこれらの例によっ
て何等限定されない。
また、多孔質化した導電体上に絶縁性高分子皮膜を形成
させる方法としては、特に限定されないが、例えば、ポ
リエステル，ポリ塩化ビニル，ポリスチレン，ポリフェ
ニレンスルフィド，ポリフェニレンオキシド，ポリパラ
フェニレン，ポリウレタン，アクリル樹脂などを良溶媒
に溶解し多孔質化した導電体上に流延塗布した後、良溶
媒を除去して多孔質化した導電体上にこれらの絶縁性高
分子皮膜を形成させる方法がある。
させる方法としては、特に限定されないが、例えば、ポ
リエステル，ポリ塩化ビニル，ポリスチレン，ポリフェ
ニレンスルフィド，ポリフェニレンオキシド，ポリパラ
フェニレン，ポリウレタン，アクリル樹脂などを良溶媒
に溶解し多孔質化した導電体上に流延塗布した後、良溶
媒を除去して多孔質化した導電体上にこれらの絶縁性高
分子皮膜を形成させる方法がある。
また、多孔質化した導電体表面を基板とし、テトラカル
ボン酸及びジアミンを同時に真空蒸着して基板上で重縮
合を行い、多孔質化した導電体上に絶縁性のポリイミド
薄膜を形成させる方法がある。
ボン酸及びジアミンを同時に真空蒸着して基板上で重縮
合を行い、多孔質化した導電体上に絶縁性のポリイミド
薄膜を形成させる方法がある。
また、アクリル酸やメタアクリル酸及びそのエステル，
スチレンなどのビニル化合物、パラキシレンジクロライ
ド，ポリイソシアネート，ベンゼン及び縮合芳香族多核
炭化水素，アセチレン及びその誘導体，複素環式化合物
などは、多孔質化した導電体を電極として電解を行うと
その表面上に重合体の皮膜を形成する。
スチレンなどのビニル化合物、パラキシレンジクロライ
ド，ポリイソシアネート，ベンゼン及び縮合芳香族多核
炭化水素，アセチレン及びその誘導体，複素環式化合物
などは、多孔質化した導電体を電極として電解を行うと
その表面上に重合体の皮膜を形成する。
また、カルボン酸樹脂や、ポリアミノ樹脂のようなイオ
ン性ポリマーを水や有機溶媒に溶解した溶液を電解液と
し、多孔質化した導電体を電極として用いて電解を行う
と、該イオン性ポリマーが多孔質化した金属表面に析出
する。これを加熱硬化することによって該導電体表面上
に絶縁性高分子皮膜が形成される。
ン性ポリマーを水や有機溶媒に溶解した溶液を電解液と
し、多孔質化した導電体を電極として用いて電解を行う
と、該イオン性ポリマーが多孔質化した金属表面に析出
する。これを加熱硬化することによって該導電体表面上
に絶縁性高分子皮膜が形成される。
また、多孔質化した導電体表面にプレポリマーまたはモ
ノマー単独あるいは溶液状で架橋剤と同時あるいは順次
コーティングした後、架橋硬化させて該導電体表面上に
絶縁性高分子膜を形成させる方法がある。この時のプレ
ポリマーまたはモノマーとしては、不飽和ポリエステ
ル，ポリウレタンプレポリマー，ポリビニルアルコー
ル，ポリエチレングリコール，低分子量エポキシ樹脂，
ポリアクリル酸，ポリメタアクリル酸，ポリアミン，ポ
リエピハロヒドリンなどがあり、架橋剤としては、ポリ
イソシアネート，多塩基酸及びそのクロライド，ポリア
ミン，ビスフェノール，メラミンなどが挙げられる。
ノマー単独あるいは溶液状で架橋剤と同時あるいは順次
コーティングした後、架橋硬化させて該導電体表面上に
絶縁性高分子膜を形成させる方法がある。この時のプレ
ポリマーまたはモノマーとしては、不飽和ポリエステ
ル，ポリウレタンプレポリマー，ポリビニルアルコー
ル，ポリエチレングリコール，低分子量エポキシ樹脂，
ポリアクリル酸，ポリメタアクリル酸，ポリアミン，ポ
リエピハロヒドリンなどがあり、架橋剤としては、ポリ
イソシアネート，多塩基酸及びそのクロライド，ポリア
ミン，ビスフェノール，メラミンなどが挙げられる。
これらの方法を用いて多孔質化した導電体表面上に絶縁
性高分子皮膜を形成させれ後、該絶縁性高分子皮膜上に
導電性高分子モノマーを少なくとも0.01mol/1含む溶液
を均一に分散させた後、酸化剤を0.001mol/1〜2mol/1含
む溶液と接触させるか、または逆に酸化剤を均一に分散
した後、導電性高分子モノマー溶液と接触させる方法に
より化学重合した導電性高分子膜Ｉを形成し表面を導電
化する。導電性高分子としてはポリピロール，ポリチオ
フェン，ポリフランを用い、安定性の点から特に好まし
くはポリポピールを用いる。
性高分子皮膜を形成させれ後、該絶縁性高分子皮膜上に
導電性高分子モノマーを少なくとも0.01mol/1含む溶液
を均一に分散させた後、酸化剤を0.001mol/1〜2mol/1含
む溶液と接触させるか、または逆に酸化剤を均一に分散
した後、導電性高分子モノマー溶液と接触させる方法に
より化学重合した導電性高分子膜Ｉを形成し表面を導電
化する。導電性高分子としてはポリピロール，ポリチオ
フェン，ポリフランを用い、安定性の点から特に好まし
くはポリポピールを用いる。
化学重合に用いられる酸化剤は、ヨウ素，臭素，ヨウ化
臭素などのハロゲン，五フッ化ヒ素，五フッ化アンチモ
ン，四フッ化ケイ素，五塩化リン，五フッ化リン，塩化
アルミニウム，塩化モリブデンなどの金属ハロゲン化
物，硫酸，硝酸，フルオロ硫酸，トリフルオロメタン硫
酸，クロロ硫酸などのプロトン酸，三酸化イオウ，二酸
化窒素などの含酸素化合物，過硫酸ナトリウム，過硫酸
アンモニウムなどの過硫酸塩，過酸化水素，過酢酸など
の過酸化物などである。
臭素などのハロゲン，五フッ化ヒ素，五フッ化アンチモ
ン，四フッ化ケイ素，五塩化リン，五フッ化リン，塩化
アルミニウム，塩化モリブデンなどの金属ハロゲン化
物，硫酸，硝酸，フルオロ硫酸，トリフルオロメタン硫
酸，クロロ硫酸などのプロトン酸，三酸化イオウ，二酸
化窒素などの含酸素化合物，過硫酸ナトリウム，過硫酸
アンモニウムなどの過硫酸塩，過酸化水素，過酢酸など
の過酸化物などである。
その後、支持電解質0.01mol/1〜2mol/1および導電性高
分子モノマー0.01mol/1〜5mol/1を含む電解液中で電解
重合を行うと化学重合した導電性高分子膜Ｉ上に均一な
電解重合導電性高分子膜IIが形成される。
分子モノマー0.01mol/1〜5mol/1を含む電解液中で電解
重合を行うと化学重合した導電性高分子膜Ｉ上に均一な
電解重合導電性高分子膜IIが形成される。
本発明の電解重合に用いられる支持電解質は、陰イオン
がヘキサフロロリン，ヘキサフロロヒ素，テトラフロロ
ホウ素などのハロゲン化物アニオン，ヨウ素，臭素，塩
素などのハロゲンアニオン，過塩素酸アニオン，ベンゼ
ンスルホン酸，アルキルベンゼンスルホン酸などのスル
ホン酸アニオンであり、また、陽イオンがリチウム，カ
リウム，ナトリウムなどのアルカリ金属カチオン，アン
モニウム，テトラアルキルアンモニウムなどの４級アン
モニウムカチオンである。化合物としてはLiPF6，LiAsF
6，LiClO4，LiBF4,KI,NaPF6，NaClO4，トルエンスルホ
ン酸ナトリウム，トルエンスルホン酸テトラブチルアン
モニウムなどが挙げられる。
がヘキサフロロリン，ヘキサフロロヒ素，テトラフロロ
ホウ素などのハロゲン化物アニオン，ヨウ素，臭素，塩
素などのハロゲンアニオン，過塩素酸アニオン，ベンゼ
ンスルホン酸，アルキルベンゼンスルホン酸などのスル
ホン酸アニオンであり、また、陽イオンがリチウム，カ
リウム，ナトリウムなどのアルカリ金属カチオン，アン
モニウム，テトラアルキルアンモニウムなどの４級アン
モニウムカチオンである。化合物としてはLiPF6，LiAsF
6，LiClO4，LiBF4,KI,NaPF6，NaClO4，トルエンスルホ
ン酸ナトリウム，トルエンスルホン酸テトラブチルアン
モニウムなどが挙げられる。
しかる後、この素子をコロイダルカーボンに浸漬して表
面にカーボン層を形成する。更にその上に導電性ペース
トにより導電性塗膜を形成し、その一部に電極引出し用
のリード線が接続される。導電性ペーストとしては銀ペ
ースト，銅ペースト，アルミペーストなどが使用でき
る。以上のように構成されたコンデンサ素子は、樹脂モ
ールドまたは外装ケースに密封するなどの外装によりコ
ンデンサとして完成される。
面にカーボン層を形成する。更にその上に導電性ペース
トにより導電性塗膜を形成し、その一部に電極引出し用
のリード線が接続される。導電性ペーストとしては銀ペ
ースト，銅ペースト，アルミペーストなどが使用でき
る。以上のように構成されたコンデンサ素子は、樹脂モ
ールドまたは外装ケースに密封するなどの外装によりコ
ンデンサとして完成される。
作用 本発明によるコンデンサでは、多孔質化した導電体表面
に密着した絶縁性高分子皮膜を誘電体層として用い、更
に該絶縁性高分子材料に密着して形成した導電性高分子
膜を対極として作用させるため、小型で大容量で無極性
のコンデンサを得ることが出来る。
に密着した絶縁性高分子皮膜を誘電体層として用い、更
に該絶縁性高分子材料に密着して形成した導電性高分子
膜を対極として作用させるため、小型で大容量で無極性
のコンデンサを得ることが出来る。
実施例 以下、実施例及び比較例により本発明を詳細に説明す
る。
る。
実施例−１ 高純度アルミ箔の表面を電解エッチングによって100倍
に粗面化したアルミエッチ箔を得た。該アルミエッチ箔
を10mm×5mmに切断後かしめ付けによりリードを取り付
けて粗面化した金属電極を得た。
に粗面化したアルミエッチ箔を得た。該アルミエッチ箔
を10mm×5mmに切断後かしめ付けによりリードを取り付
けて粗面化した金属電極を得た。
該金属電極をポリエチレンテレフタレートの５％N,N−
ジメチルホルムアミド溶液に浸漬後100℃で乾燥して厚
さ0.1μｍの絶縁性のポリエチレンテレフタレート皮膜
を形成し素子を得た。
ジメチルホルムアミド溶液に浸漬後100℃で乾燥して厚
さ0.1μｍの絶縁性のポリエチレンテレフタレート皮膜
を形成し素子を得た。
この素子を2mol/1ピロール／エタノール溶液に５分間浸
漬した後、更に0.5mol/1過硫酸アンモニウム水溶液に５
分間浸漬して化学重合によりポリピロール膜を形成し
た。更にこの素子をピロールモノマー1mol/1及び支持電
解質としてパラトルエンスルホン酸ナトリウム1mol/1を
含むアセトニトリル溶液中に浸漬し、化学重合したポリ
ピロールを陽極とし、外部電極との間に定電流電解重合
（1mA/cm2,30min）を行い、電解重合によるポリピロー
ル膜を形成した。この素子をコロイダルカーボンに浸漬
してカーボン層を形成し、更に銀ペーストを塗布して導
電性塗膜を形成し、その一部から陰極を取り出した。こ
の素子をケースに密封してコンデンサを完成した。
漬した後、更に0.5mol/1過硫酸アンモニウム水溶液に５
分間浸漬して化学重合によりポリピロール膜を形成し
た。更にこの素子をピロールモノマー1mol/1及び支持電
解質としてパラトルエンスルホン酸ナトリウム1mol/1を
含むアセトニトリル溶液中に浸漬し、化学重合したポリ
ピロールを陽極とし、外部電極との間に定電流電解重合
（1mA/cm2,30min）を行い、電解重合によるポリピロー
ル膜を形成した。この素子をコロイダルカーボンに浸漬
してカーボン層を形成し、更に銀ペーストを塗布して導
電性塗膜を形成し、その一部から陰極を取り出した。こ
の素子をケースに密封してコンデンサを完成した。
このコンデンサの特性を第１表に示す。
実施例２〜６ 実施例１においてアルミエッチ箔を、焼結を行って50倍
に多孔質化したタンタル焼結体（実施例２）、実効表面
積の倍率が30倍のスポンジニッケル（実施例３）、実効
表面積が50倍のスポンジチタン（実施例４）、実効表面
積が30倍のスポンジスレンレス（SUS304）（実施例
５）、酸エッチングにより30倍に粗面化した厚さ50μｍ
で寸法が10mm×5mmの銅箔（実施例６）に変えた以外は
実施例１に準じた。
に多孔質化したタンタル焼結体（実施例２）、実効表面
積の倍率が30倍のスポンジニッケル（実施例３）、実効
表面積が50倍のスポンジチタン（実施例４）、実効表面
積が30倍のスポンジスレンレス（SUS304）（実施例
５）、酸エッチングにより30倍に粗面化した厚さ50μｍ
で寸法が10mm×5mmの銅箔（実施例６）に変えた以外は
実施例１に準じた。
得られたコンデンサの特性を第１表に示す。
実施例７ 実施例１において、アルミエッチ箔上にポリエチレンテ
レフタレートの皮膜を形成せしめる代わりに、アルミエ
ッチ箔を基板として真空蒸着装置内にセットし、ピロメ
リット酸無水物及び4,4′−ジアミノジフェニルエーテ
ルをそれぞれ単独で同時に真空蒸着することにより、該
アルミエッチ箔上にポリアミック酸を形成させ、しかる
後に200℃にて脱水閉環反応させ厚さ0.6μｍのポリイミ
ドの被膜を形成せしめる他は実施例１に準じた。
レフタレートの皮膜を形成せしめる代わりに、アルミエ
ッチ箔を基板として真空蒸着装置内にセットし、ピロメ
リット酸無水物及び4,4′−ジアミノジフェニルエーテ
ルをそれぞれ単独で同時に真空蒸着することにより、該
アルミエッチ箔上にポリアミック酸を形成させ、しかる
後に200℃にて脱水閉環反応させ厚さ0.6μｍのポリイミ
ドの被膜を形成せしめる他は実施例１に準じた。
得られたコンデンサの特性を第２表に示す。
実施例８ 実施例５において、スポンジステンレス上にポリエチレ
ンテレフタレートの皮膜を形成せしめる代わりに、該ス
ポンジステンレスを陽極として、五酸化リンを飽和し、
0.1Mのテトラブチルアンモニウムパークロレートを支持
電解質とした溶液に0.5Mにベンゼンを溶解して電解液と
し電解酸化を行って、該スポンジステンレス上に厚さ0.
3μｍの絶縁性のポリパラフェニレン膜を形成せしめる
他は実施例５に準じた。
ンテレフタレートの皮膜を形成せしめる代わりに、該ス
ポンジステンレスを陽極として、五酸化リンを飽和し、
0.1Mのテトラブチルアンモニウムパークロレートを支持
電解質とした溶液に0.5Mにベンゼンを溶解して電解液と
し電解酸化を行って、該スポンジステンレス上に厚さ0.
3μｍの絶縁性のポリパラフェニレン膜を形成せしめる
他は実施例５に準じた。
得られたコンデンサの特性を第２表に示す。
実施例９ 実施例５において、スポンジステンレス上にポリエチレ
ンテレフタレートの皮膜を形成せしめる代わりに、該ス
ポンジステンレスを陽極として、0.1Mのポリアクリル酸
を溶解した水溶液中で電着塗装を行い、引き続いて0.5N
のKOH水溶液に浸漬後水洗し、120℃で焼付けを行って、
該スポンジステンレス上に厚さ0.2μｍのポリアクリル
酸の皮膜を形成せしめた他は実施例５に準じた。
ンテレフタレートの皮膜を形成せしめる代わりに、該ス
ポンジステンレスを陽極として、0.1Mのポリアクリル酸
を溶解した水溶液中で電着塗装を行い、引き続いて0.5N
のKOH水溶液に浸漬後水洗し、120℃で焼付けを行って、
該スポンジステンレス上に厚さ0.2μｍのポリアクリル
酸の皮膜を形成せしめた他は実施例５に準じた。
得られたコンデンサの特性を第２表に示す。
実施例10 実施例１において、アルミエッチ箔上にポリエチレンテ
レフタレートの皮膜を形成せしめる代わりに、該アルミ
エッチ箔をセバコイルクロリドの0.5M塩化メチレン溶液
に５分間浸漬した後、風乾し、次いでヘキサメチレンジ
アミンの1M水溶液に20分間浸漬下の治水線、乾燥して該
アルミエッチ箔上に厚さ0.8μｍの6,10−ナイロンの皮
膜を形成せしめた以外は実施例１に準じた。
レフタレートの皮膜を形成せしめる代わりに、該アルミ
エッチ箔をセバコイルクロリドの0.5M塩化メチレン溶液
に５分間浸漬した後、風乾し、次いでヘキサメチレンジ
アミンの1M水溶液に20分間浸漬下の治水線、乾燥して該
アルミエッチ箔上に厚さ0.8μｍの6,10−ナイロンの皮
膜を形成せしめた以外は実施例１に準じた。
得られたコンデンサの特性を第２表に示す。
比較例１ 厚さ３μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムの両
面にアルミニウムを約500Åの厚さに真空蒸着して金属
化ポリエチレンテレフタレートフィルムを得た。このフ
ィルムを10mm×5mmに切断後、両面の各々一部に銀ペー
ストを用いてリードを取り出した後、エポキシ樹脂でモ
ールドしてフィルムコンデンサを得た。このコンデンサ
は定格は50Vであるものの静電容量は0.000443μＦであ
り、本発明で得られるコンデンサと同等の静電容量を得
るためには2000倍以上の面積を要する。
面にアルミニウムを約500Åの厚さに真空蒸着して金属
化ポリエチレンテレフタレートフィルムを得た。このフ
ィルムを10mm×5mmに切断後、両面の各々一部に銀ペー
ストを用いてリードを取り出した後、エポキシ樹脂でモ
ールドしてフィルムコンデンサを得た。このコンデンサ
は定格は50Vであるものの静電容量は0.000443μＦであ
り、本発明で得られるコンデンサと同等の静電容量を得
るためには2000倍以上の面積を要する。
比較例２ 実施例１において、アルミエッチ箔上にポリエチレンテ
レフタレート皮膜を形成せしめる代わりに、75Vで化成
処理を行って誘電体酸化皮膜を形成する以外は、実施例
１に準じた。得られたコンデンサは定格25V、静電容量
が7.6μＦ（at120Hz）であった。一方、このコンデンサ
の誘電体損失は0.011（at120Hz）絶縁抵抗は1250MΩで
あり、通常の液体電解質を使用したコンデンサに比べる
と優れているが本発明のコンデンサよりは劣っている。
レフタレート皮膜を形成せしめる代わりに、75Vで化成
処理を行って誘電体酸化皮膜を形成する以外は、実施例
１に準じた。得られたコンデンサは定格25V、静電容量
が7.6μＦ（at120Hz）であった。一方、このコンデンサ
の誘電体損失は0.011（at120Hz）絶縁抵抗は1250MΩで
あり、通常の液体電解質を使用したコンデンサに比べる
と優れているが本発明のコンデンサよりは劣っている。
比較例３ 実施例１において、ポリエチレンテレフタレート皮膜の
上にポリピロールの化学重合膜，電解重合膜を形成せし
める代わりに、金の蒸着膜を形成した他は、実施例１に
準じた。得られたコンデンサは定格16V、静電容量が0.0
177μＦ（at120Hz）であり、本発明で得られるコンデン
サと比較して小さな静電容量しか得られなかった。
上にポリピロールの化学重合膜，電解重合膜を形成せし
める代わりに、金の蒸着膜を形成した他は、実施例１に
準じた。得られたコンデンサは定格16V、静電容量が0.0
177μＦ（at120Hz）であり、本発明で得られるコンデン
サと比較して小さな静電容量しか得られなかった。
第３表に比較例1,2及び３で得られたコンデンサの特性
を示した。
を示した。
発明の効果 本発明によるコンデンサでは、多孔質化した導電体表面
に薄く形成した絶縁性高分子皮膜を誘電体として有効に
利用できるために、従来の電解コンデンサに匹敵する静
電容量を持つと共に無極性で誘電損失が小さく、また絶
縁抵抗が大きいなどの優れた特性を得ることが出来る。
に薄く形成した絶縁性高分子皮膜を誘電体として有効に
利用できるために、従来の電解コンデンサに匹敵する静
電容量を持つと共に無極性で誘電損失が小さく、また絶
縁抵抗が大きいなどの優れた特性を得ることが出来る。
フロントページの続き (72)発明者 久米 信行 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 橋詰 賢一 群馬県渋川市半田2470番地 日本カーリッ ト株式会社中央研究所内 (72)発明者 山本 秀雄 群馬県渋川市半田2470番地 日本カーリッ ト株式会社中央研究所内 (72)発明者 伊佐 功 群馬県渋川市半田2470番地 日本カーリッ ト株式会社中央研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】多孔質化した導電体上に絶縁性高分子から
なる誘電体層を形成し、該誘電体層表面に順次、化学酸
化重合による導電性高分子膜，電解重合による導電性高
分子膜を形成し、該電解重合による導電性高分子膜上に
導電性塗膜を形成したことを特徴とするコンデンサ。 - 【請求項２】導電性高分子膜がポリピロールである請求
項１記載のコンデンサ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1340733A JPH077740B2 (ja) | 1989-12-29 | 1989-12-29 | コンデンサ |
| US07/633,884 US5119274A (en) | 1989-12-29 | 1990-12-26 | Solid capacitor |
| EP90125769A EP0437857B1 (en) | 1989-12-29 | 1990-12-28 | A method for producing a solid capacitor and a solid capacitor obtainable by said method |
| DE69020880T DE69020880T2 (de) | 1989-12-29 | 1990-12-28 | Verfahren zur Herstellung eines Festkondensators und damit erhältlicher Festkondensator. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1340733A JPH077740B2 (ja) | 1989-12-29 | 1989-12-29 | コンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03203211A JPH03203211A (ja) | 1991-09-04 |
| JPH077740B2 true JPH077740B2 (ja) | 1995-01-30 |
Family
ID=18339792
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1340733A Expired - Lifetime JPH077740B2 (ja) | 1989-12-29 | 1989-12-29 | コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH077740B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0953996A3 (en) | 1998-04-21 | 2004-11-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Capacitor and its manufacturing method |
| GB2530576B (en) | 2014-09-29 | 2019-12-25 | Univ Tartu | Method of forming a dielectric layer on an electrode |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0763045B2 (ja) * | 1986-07-23 | 1995-07-05 | 昭和電工株式会社 | コンデンサ |
| JPS63173313A (ja) * | 1987-01-13 | 1988-07-16 | 日本カーリット株式会社 | 固体電解コンデンサ |
-
1989
- 1989-12-29 JP JP1340733A patent/JPH077740B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03203211A (ja) | 1991-09-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5119274A (en) | Solid capacitor | |
| JP2765462B2 (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| US6999303B2 (en) | Solid electrolytic capacitor and process for its fabrication | |
| JPH0474853B2 (ja) | ||
| JPH0458165B2 (ja) | ||
| JP2006024708A (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| JPH077740B2 (ja) | コンデンサ | |
| JPH0362298B2 (ja) | ||
| JP4618631B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP2001110685A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP2700420B2 (ja) | アルミニウム焼結体固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP2640864B2 (ja) | タンタル固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH0722068B2 (ja) | コンデンサの製造方法 | |
| JP2621093B2 (ja) | タンタル固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH0682588B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP2621087B2 (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| JP3549309B2 (ja) | コンデンサおよびその製造方法 | |
| JPH02224316A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH04239712A (ja) | コンデンサの製造方法 | |
| JPH06112094A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH033220A (ja) | タンタル固体電解コンデンサ | |
| JP2995109B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH04111407A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH0448709A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH02219211A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 |