JPH0474866A - １，３―ジケトン系有機金属錯体を用いる薄膜の製造方法 - Google Patents
１，３―ジケトン系有機金属錯体を用いる薄膜の製造方法Info
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- JPH0474866A JPH0474866A JP18596690A JP18596690A JPH0474866A JP H0474866 A JPH0474866 A JP H0474866A JP 18596690 A JP18596690 A JP 18596690A JP 18596690 A JP18596690 A JP 18596690A JP H0474866 A JPH0474866 A JP H0474866A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、有機金属錯体を用いる薄膜の製造法、より詳
しくは超電導材料、透光性セラミックス材料、ＬＳＩ薄
膜材料等として有用な特定組成を有する金属薄膜作製の
ために、特定の１，３−ジケトン系有機化合物の金属錯
体を用いる薄膜の製造法に関する。
しくは超電導材料、透光性セラミックス材料、ＬＳＩ薄
膜材料等として有用な特定組成を有する金属薄膜作製の
ために、特定の１，３−ジケトン系有機化合物の金属錯
体を用いる薄膜の製造法に関する。
［従来の技術］
従来、単結晶、多結晶薄膜の形成方法としては、ドライ
プロセスとウェットプロセスとがあるが、一般には、ド
ライプロセスが多用されており、トライプロセスには、
真空蒸着法、イオンブレーティング法およびスパッタリ
ング法などの物理的成膜法と化学的気相蒸着（ＣＶＤ）
法等の化学的成膜法があるか、ＣＶＤ法は、０）成膜速
度の制御が容易、（わ成膜を高真空下で行う必要がない
、Ｇ）高速成膜か可能、等から、量産向きで一般によく
実用されている。
プロセスとウェットプロセスとがあるが、一般には、ド
ライプロセスが多用されており、トライプロセスには、
真空蒸着法、イオンブレーティング法およびスパッタリ
ング法などの物理的成膜法と化学的気相蒸着（ＣＶＤ）
法等の化学的成膜法があるか、ＣＶＤ法は、０）成膜速
度の制御が容易、（わ成膜を高真空下で行う必要がない
、Ｇ）高速成膜か可能、等から、量産向きで一般によく
実用されている。
なお、有機金属錯体の蒸気を分解させて金属薄膜を形成
させるＣＶＤ法には熱ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法およびプラ
スマＣＶＤ法が採用されている。
させるＣＶＤ法には熱ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法およびプラ
スマＣＶＤ法が採用されている。
従来、昇華させて使用する有機金属錯体の有機部分（配
位子）としては、アセチルアセトン、ジピバロイルメタ
ン、ヘキサフルオロアセチルアセトン、１１１，２．２
−ペンタフルオロ−８゜６−シメチルー３．５−ヘキサ
ンジオン、１，１１２．２，３．３−へブタフルオロ−
７，７ジメチルー４．６−オクタンジオンが知られてい
る。
位子）としては、アセチルアセトン、ジピバロイルメタ
ン、ヘキサフルオロアセチルアセトン、１１１，２．２
−ペンタフルオロ−８゜６−シメチルー３．５−ヘキサ
ンジオン、１，１１２．２，３．３−へブタフルオロ−
７，７ジメチルー４．６−オクタンジオンが知られてい
る。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、前記配位子からなる有機金属錯体を用い
て薄膜を形成させると、満足な薄膜形成が得られる前に
分解してしまったり、該錯体が低昇華性であるため、満
足な薄膜形成速度が得られず、結果的に再現性の良い均
一な薄膜が容易に得られないという問題があった。
て薄膜を形成させると、満足な薄膜形成が得られる前に
分解してしまったり、該錯体が低昇華性であるため、満
足な薄膜形成速度が得られず、結果的に再現性の良い均
一な薄膜が容易に得られないという問題があった。
また、ヘキサフルオロアセチルアセトン、１゜１．１，
２．２−ペンタフルオロ−８，６−シメチルー３，５−
ヘキサンジオン、１． Ｌ １． ２２．３．３−
へブタフルオロ−７，７−シメチルー４，６−オクタン
ジオンを配位子として有する有機金属錯体を用いると、
成膜中にフッ化物が生成してしまうという問題もあった
。
２．２−ペンタフルオロ−８，６−シメチルー３，５−
ヘキサンジオン、１． Ｌ １． ２２．３．３−
へブタフルオロ−７，７−シメチルー４，６−オクタン
ジオンを配位子として有する有機金属錯体を用いると、
成膜中にフッ化物が生成してしまうという問題もあった
。
したがって本発明の目的は、成膜途中で分解したり、あ
るいは成膜中にフッ化物が生成するといった上記課題を
解決して、再現性の良い均質な薄膜が高い成膜速度で得
られるような原料化合物としての有機金属錯体を見い出
し、結果として高速成膜と優れた膜特性の両方を満足す
る薄膜の製造法を提供することにある。
るいは成膜中にフッ化物が生成するといった上記課題を
解決して、再現性の良い均質な薄膜が高い成膜速度で得
られるような原料化合物としての有機金属錯体を見い出
し、結果として高速成膜と優れた膜特性の両方を満足す
る薄膜の製造法を提供することにある。
［課題を解決するための手段および作用］本発明者らは
、上記目的を達成すべく種々の有機金属錯体について検
討した過程で、以下に示す特定の１．３−ジケトン系有
機化合物と金属との錯体について物性測定したところ、
高昇華性であって、いずれも低、中温（２５０℃以下）
でかなりの蒸気圧を示し、かつ蒸発温度（昇華温度）と
分解温度かはっきり離れており、不活性ガスに同伴され
る錯体量か従来品よりも多いため高速成膜が可能で、そ
の上成膜された膜の特性も優れていることを見い出し、
本発明に到達した。
、上記目的を達成すべく種々の有機金属錯体について検
討した過程で、以下に示す特定の１．３−ジケトン系有
機化合物と金属との錯体について物性測定したところ、
高昇華性であって、いずれも低、中温（２５０℃以下）
でかなりの蒸気圧を示し、かつ蒸発温度（昇華温度）と
分解温度かはっきり離れており、不活性ガスに同伴され
る錯体量か従来品よりも多いため高速成膜が可能で、そ
の上成膜された膜の特性も優れていることを見い出し、
本発明に到達した。
すなわち、本発明は、気相成長法によって薄膜を製造す
るのに際し、原料化合物として、下記一般式（Ｉ）、（
ＩＩ）、（ＩＩＩ）のいずれかで表される１、３−ジケ
トン系有機化合物を配位子とする金属錯体を用いること
を特徴とする薄膜の製造方法を提供するものである。
るのに際し、原料化合物として、下記一般式（Ｉ）、（
ＩＩ）、（ＩＩＩ）のいずれかで表される１、３−ジケ
トン系有機化合物を配位子とする金属錯体を用いること
を特徴とする薄膜の製造方法を提供するものである。
（式中のＲは炭素数１〜５の低級アルキル基を表す。）
ＣＨｌ
（式中のＲは炭素数１〜５の低級アルキル基を表す。）
２−メチル−３
５−へブタンジオン
・・・・・・（ｍ）
（式中のＲは炭素数１〜５の低級アルキル基を表す。
２−メチル−３
５−オクタンジオン
また、
本発明の１゜
ジケトン系有機金属錯
体製造に用いる中心金属としては、
Ｃａ。
Ｓｒ。
Ｂａ等のＩＩＡ族元素、
Ｌａ等の■Ａ族元素、
Ｚ「等のＩＶＡ族元素およびＣｕ。
Ａｕ等のＩＢ族
元素を挙げることができる。
本発明の実施に好都合に使用できる有機金属錯２−メチ
ル−３゜ ノナンジオン 体の配位子を提供する１゜ ジケトン系有機化 合物には次のものが含まれる。
ル−３゜ ノナンジオン 体の配位子を提供する１゜ ジケトン系有機化 合物には次のものが含まれる。
Ｈ３
メチル−２
ヘキサンジオン
（以下余白）
メチル
３゜
５−デカンジオン
２゜
ジメチル−３゜
オ
クタンジオン
ＣＨ３
ＣＨ３
（以上
（Ｉ）
式で表されるもの。
２。
２−ジメチル−３。
ノナンジオン
５。
５−ジメチル−２。
４−ヘキサンジオン
ＣＨ３
ＣＨ３
ジメチル−３。
５−デカンジオン
２。
ジメチル−３。
ヘプタンジオン
ＣＨ。
ＣＨ。
ＣＨ３
（以上
（ＩＩ）
式で表されるもの。
（以下余白）
（１１）５−エチル
２゜
ヘプタンジオン
（１４） ３−エチル−４，６−ゾカンジオンＣＨ２，
ＣＨ。
ＣＨ。
エチル−４
オクタンジオン
（１５）３−エチル−４，６−ウンゾカンジオンＣＨ２
・ＣＨ３ エチル−４゜ ノナンジオン （以下余白） ＣＨ２争ＣＨ３ 上記の有機化合物と、金属無機酸塩（塩化物、硝酸塩、
硫化物等）あるいは金属カルボン酸塩（ギ酸塩、酢酸塩
等）との水・−アルコール溶液から金属錯体を合成し、
得られた粗結晶を水洗した後、溶剤（ｎ−ヘキサン、ベ
ンゼン等）で洗浄し、さらに乾燥させることによって、
１．３−ジケトン系有機金属錯体を容易に得ることかで
きる。
・ＣＨ３ エチル−４゜ ノナンジオン （以下余白） ＣＨ２争ＣＨ３ 上記の有機化合物と、金属無機酸塩（塩化物、硝酸塩、
硫化物等）あるいは金属カルボン酸塩（ギ酸塩、酢酸塩
等）との水・−アルコール溶液から金属錯体を合成し、
得られた粗結晶を水洗した後、溶剤（ｎ−ヘキサン、ベ
ンゼン等）で洗浄し、さらに乾燥させることによって、
１．３−ジケトン系有機金属錯体を容易に得ることかで
きる。
以下に、通常のＣＶＤ法による薄膜の製造法の一例とし
て、熱ＣＶＤ法の概略を模式的に図示した第１図を参照
して、本発明方法を説明する。
て、熱ＣＶＤ法の概略を模式的に図示した第１図を参照
して、本発明方法を説明する。
恒温槽３内にあって、上記のようにして得られた有機金
属錯体１が充填された原料容器２（５０〜２５０℃の恒
温に保持）に不活性キャリヤーガス４をフローメーター
５を経て流量を５〜５００ｄ ／ｆｆ１ｉｎに調節して
導入し、有機金属錯体原料を同伴、昇華させて熱分解炉
６内に設けられた石英反応管７に導入させ、ヒーター８
によって所定の温度２５０〜７５０℃に加熱保持されて
いる基板９上で、有機金属錯体を熱分解し、金属薄膜を
生成させる。なお、原料容器２から熱分解炉６までの配
管は凝縮を防ぐために保温層１０または加熱保温手段に
より５０〜２５０℃に保温維持した。また図中、１１は
冷却トラップ、１２はバルブ、１３はロータリーポンプ
である。なお、矢印は昇華した有機金属錯体が移送され
る方向あるいは分解ガスの排出方向を示している。
属錯体１が充填された原料容器２（５０〜２５０℃の恒
温に保持）に不活性キャリヤーガス４をフローメーター
５を経て流量を５〜５００ｄ ／ｆｆ１ｉｎに調節して
導入し、有機金属錯体原料を同伴、昇華させて熱分解炉
６内に設けられた石英反応管７に導入させ、ヒーター８
によって所定の温度２５０〜７５０℃に加熱保持されて
いる基板９上で、有機金属錯体を熱分解し、金属薄膜を
生成させる。なお、原料容器２から熱分解炉６までの配
管は凝縮を防ぐために保温層１０または加熱保温手段に
より５０〜２５０℃に保温維持した。また図中、１１は
冷却トラップ、１２はバルブ、１３はロータリーポンプ
である。なお、矢印は昇華した有機金属錯体が移送され
る方向あるいは分解ガスの排出方向を示している。
本発明に用いられる上記１．３−ジケトン系有機金属錯
体は高昇華性で昇華温度と分解温度がかなり離れており
、不活性ガスに同伴される錯体量が従来品よりも多く、
かつ成膜された膜が均質で不純物の混入もないので、１
，３−ジケトン系有機金属錯体を原料化合物として使用
すれば優れた膜特性、高速成膜の両方を満足させること
ができる。
体は高昇華性で昇華温度と分解温度がかなり離れており
、不活性ガスに同伴される錯体量が従来品よりも多く、
かつ成膜された膜が均質で不純物の混入もないので、１
，３−ジケトン系有機金属錯体を原料化合物として使用
すれば優れた膜特性、高速成膜の両方を満足させること
ができる。
以下、実施例により本発明をさらに説明する。
［実施例１コ
熱ＣＶＤ法の概略を模式的に示した前記第１図に従って
説明する。
説明する。
まずビス−５−メチル−２，４−ヘキサンジオノ銅鉗体
１ｇを原料容器２（ガラス製、１００℃の恒温に保持）
に充填した後、この容器２内にアルゴンガス４を２００
＋ｎｇ／ｍｉｎ導入し、このガスにビス−５−メチル−
２，４−ヘキサンジオン銅錯体を同伴させ、熱分解炉６
に導いた。一方、熱分解炉６の石英反応管７内に設置し
ておいたンリコン基板９はヒーター８により５００℃に
加熱されており、原料容器２から熱分解炉６まての配管
は１５０℃に保温した。
１ｇを原料容器２（ガラス製、１００℃の恒温に保持）
に充填した後、この容器２内にアルゴンガス４を２００
＋ｎｇ／ｍｉｎ導入し、このガスにビス−５−メチル−
２，４−ヘキサンジオン銅錯体を同伴させ、熱分解炉６
に導いた。一方、熱分解炉６の石英反応管７内に設置し
ておいたンリコン基板９はヒーター８により５００℃に
加熱されており、原料容器２から熱分解炉６まての配管
は１５０℃に保温した。
以上のような条件下において、１時間後に、基板９上に
厚さ２．８００人の均一な銅薄膜か得られた。
厚さ２．８００人の均一な銅薄膜か得られた。
［実施例２］
ビス−５−メチル−２，４−ヘキサンジオノ銅錯体の代
りにトリス−５−メチル−２，４−ヘキサンジオノイッ
トリウム錯体を使用した以外は実施例１と同様な方法で
成膜したところ、１時間後に厚さ１，８００への均一な
イツトリウム薄膜が得られた。
りにトリス−５−メチル−２，４−ヘキサンジオノイッ
トリウム錯体を使用した以外は実施例１と同様な方法で
成膜したところ、１時間後に厚さ１，８００への均一な
イツトリウム薄膜が得られた。
［実施例３］
ビス−２−メチル−３，５−へプタンジオノ銅錯体１ｇ
を原料容器２（ガラス製、１００℃の恒温に保持）に充
填した後、この容器２内にアルゴンガス４を２００１１
１．Ｑ ／ｍｉｎ導入し、このガスにビス−２メチル−
３５−ヘプタンジオノ銅錯体を同伴させ、熱分解炉６に
導いた。一方、熱分解炉６の石英反応管７内に設置して
おいたシリコン基板９はヒーター８により５００℃に加
熱されており、原料容器２から熱分解炉６まての配管は
１５０℃に保温した。
を原料容器２（ガラス製、１００℃の恒温に保持）に充
填した後、この容器２内にアルゴンガス４を２００１１
１．Ｑ ／ｍｉｎ導入し、このガスにビス−２メチル−
３５−ヘプタンジオノ銅錯体を同伴させ、熱分解炉６に
導いた。一方、熱分解炉６の石英反応管７内に設置して
おいたシリコン基板９はヒーター８により５００℃に加
熱されており、原料容器２から熱分解炉６まての配管は
１５０℃に保温した。
以上のような条件下において、］時間後に、基板９上に
厚さ２．０００への均一な銅薄膜か得られた。
厚さ２．０００への均一な銅薄膜か得られた。
［実施例４］
ビス−２−メチル−３，５−へプタンシオノ銅錯体の代
りにトリス−２−メチル−３，５−へブタンジオノイッ
トリウム錯体を使用した以外は実施例３と同様な方法で
成膜したところ、１時間後に厚さｌ 、 ６００人の均
一なイツトリウム薄膜か得られた。
りにトリス−２−メチル−３，５−へブタンジオノイッ
トリウム錯体を使用した以外は実施例３と同様な方法で
成膜したところ、１時間後に厚さｌ 、 ６００人の均
一なイツトリウム薄膜か得られた。
［実施例５］
有機金属錯体としてビス−５，５−ジメチル２．４−ヘ
キサンジオノ銅錯体１ｇを用いたこと以外は実施例１と
同様な方法で成膜したところ、１時間後に厚さ２，２０
０人の均一なイツトリウム薄膜か得られた。
キサンジオノ銅錯体１ｇを用いたこと以外は実施例１と
同様な方法で成膜したところ、１時間後に厚さ２，２０
０人の均一なイツトリウム薄膜か得られた。
［実施例６］
有機金属錯体として、トリス−５，５−ジメチル−２，
４−ヘキサンシオノイットリウム錯体１ｇを恒温槽に充
填し、実施例１と同様な方法で成膜したところ、１時間
後に厚さ１，８００人の均一なイツトリウム薄膜が得ら
れた。
４−ヘキサンシオノイットリウム錯体１ｇを恒温槽に充
填し、実施例１と同様な方法で成膜したところ、１時間
後に厚さ１，８００人の均一なイツトリウム薄膜が得ら
れた。
［実施例７コ
有機金属錯体として、ビス−２，２−ジメチル３５−オ
クタンジオノ銅錯体１ｇを恒温槽に充填し、実施例１と
同様な方法で成膜したところ、１時間後に厚さ２，００
０人の均一な銅薄膜が得られた。
クタンジオノ銅錯体１ｇを恒温槽に充填し、実施例１と
同様な方法で成膜したところ、１時間後に厚さ２，００
０人の均一な銅薄膜が得られた。
［実施例８］
有機金属錯体として、ビス−５−エチル−２゜４−へプ
タンジオノ銅錯体１ｇを恒温槽に充填し、実施例１と同
様な方法で成膜したところ、１時間後に厚さ２，５圓人
の均一な銅薄膜が得られた。
タンジオノ銅錯体１ｇを恒温槽に充填し、実施例１と同
様な方法で成膜したところ、１時間後に厚さ２，５圓人
の均一な銅薄膜が得られた。
［実施例９］
有機金属錯体として、トリス−５−エチル−２゜４−へ
プタンジオノイットリウム錯体１ｇを恒温槽に充填し、
実施例１と同様な方法で成膜したところ、１時間後に厚
さ２，２００人の均一なイツトリウム薄膜が得られた。
プタンジオノイットリウム錯体１ｇを恒温槽に充填し、
実施例１と同様な方法で成膜したところ、１時間後に厚
さ２，２００人の均一なイツトリウム薄膜が得られた。
［実施例１０］
有機金属錯体として、ビス−３−エチル−４゜６−ツナ
ンジオノ銅錯体１ｇを恒温槽に充填し、実施例１と同様
な方法で成膜したところ、１時間後に厚さ２．３００人
の均一な銅薄膜が得られた。
ンジオノ銅錯体１ｇを恒温槽に充填し、実施例１と同様
な方法で成膜したところ、１時間後に厚さ２．３００人
の均一な銅薄膜が得られた。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明方法に用いられる１、３−
ジケトン系有機金属錯体は、合成が容易であり、蒸気圧
が高い上に昇華温度と分解温度が明らかに離れているた
め、気相成長法によって金属薄膜を製造する際に、原料
化合物として用いた場合、薄膜の高速形成が可能となり
、しかも成膜中にフッ化物が生成してしまうこともなく
、成膜された金属膜が均質で膜特性に優れているので、
従来見い出せなかった優れた膜特性と高速成膜とを満足
する薄膜の製造法を提供することができる。
ジケトン系有機金属錯体は、合成が容易であり、蒸気圧
が高い上に昇華温度と分解温度が明らかに離れているた
め、気相成長法によって金属薄膜を製造する際に、原料
化合物として用いた場合、薄膜の高速形成が可能となり
、しかも成膜中にフッ化物が生成してしまうこともなく
、成膜された金属膜が均質で膜特性に優れているので、
従来見い出せなかった優れた膜特性と高速成膜とを満足
する薄膜の製造法を提供することができる。
第１図は、通常のＣＶＤ法による薄膜の製造法のうち、
熱ＣＶＤ法の概略を示す模式断面図である。 符号の説明 １ ・・・有機金属錯体 ２・・・・原料容器 ３・・・・恒温槽 ４・・・・不活性ギヤリヤーガス ５・・・・フローメーター ６・・・・熱分解炉 ７・・・・石英反応管 ８・・ ・ヒーター ９・・・・基板 １０・・・・保温層 １１・・・冷却トラップ １２・・・バルブ １３・・・ロータリーポンプ
熱ＣＶＤ法の概略を示す模式断面図である。 符号の説明 １ ・・・有機金属錯体 ２・・・・原料容器 ３・・・・恒温槽 ４・・・・不活性ギヤリヤーガス ５・・・・フローメーター ６・・・・熱分解炉 ７・・・・石英反応管 ８・・ ・ヒーター ９・・・・基板 １０・・・・保温層 １１・・・冷却トラップ １２・・・バルブ １３・・・ロータリーポンプ
Claims (2)
- （１）気相成長法によって薄膜を製造するのに際し、原
料化合物として、下記一般式（ I ）、（II）、（III）
のいずれかで表される１，３−ジケトン系有機化合物を
配位子とする金属錯体を用いることを特徴とする薄膜の
製造方法。 ▲数式、化学式、表等があります▼ ・・・・・・ （
I ） （式中のＲは炭素数１〜５の低級アルキル基を表す。） ▲数式、化学式、表等があります▼ ・・・・・・（I
I） （式中のＲは炭素数１〜５の低級アルキル基を表す。） ▲数式、化学式、表等があります▼ ・・・・・・（I
II） （式中のＲは炭素数１〜５の低級アルキル基を表す。） - （２）上記有機金属錯体の中心金属が周期律表IIＡ族金
属、IIIＡ族金属、IVＡ族金属および I Ｂ族金属からな
る群より選ばれた金属元素である請求項１記載の薄膜の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2185966A JP2802676B2 (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | １，３―ジケトン系有機金属錯体を用いる薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2185966A JP2802676B2 (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | １，３―ジケトン系有機金属錯体を用いる薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0474866A true JPH0474866A (ja) | 1992-03-10 |
| JP2802676B2 JP2802676B2 (ja) | 1998-09-24 |
Family
ID=16179992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2185966A Expired - Lifetime JP2802676B2 (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | １，３―ジケトン系有機金属錯体を用いる薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2802676B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100382534B1 (ko) * | 2000-12-13 | 2003-05-09 | 삼성전자주식회사 | 리간드 및 그에 의한 유기금속 전구체 |
| US7048973B2 (en) | 2001-08-08 | 2006-05-23 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Metal film vapor phase deposition method and vapor phase deposition apparatus |
| US12703798B2 (en) | 2022-01-07 | 2026-08-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Compositions for manufacturing thin film and methods for manufacturing semiconductor device using the same |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51141738A (en) * | 1975-05-20 | 1976-12-06 | Int Nickel Ltd | Method of depositing luthenium |
| JPS63270313A (ja) * | 1987-04-30 | 1988-11-08 | Mitsubishi Metal Corp | 希土類金属酸化物の膜と粉末を形成するための組成物 |
| JPH0280306A (ja) * | 1988-05-13 | 1990-03-20 | Ube Ind Ltd | 高温超電導結晶性薄膜の製造法 |
-
1990
- 1990-07-13 JP JP2185966A patent/JP2802676B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH0280306A (ja) * | 1988-05-13 | 1990-03-20 | Ube Ind Ltd | 高温超電導結晶性薄膜の製造法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100382534B1 (ko) * | 2000-12-13 | 2003-05-09 | 삼성전자주식회사 | 리간드 및 그에 의한 유기금속 전구체 |
| US7048973B2 (en) | 2001-08-08 | 2006-05-23 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Metal film vapor phase deposition method and vapor phase deposition apparatus |
| EP2071052A2 (en) | 2001-08-08 | 2009-06-17 | Canon Anelva Corporation | Copper film vapor phase deposition apparatus |
| US12703798B2 (en) | 2022-01-07 | 2026-08-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Compositions for manufacturing thin film and methods for manufacturing semiconductor device using the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2802676B2 (ja) | 1998-09-24 |
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