JPH0475324A - レジスト膜の除去法 - Google Patents
レジスト膜の除去法Info
- Publication number
- JPH0475324A JPH0475324A JP2188706A JP18870690A JPH0475324A JP H0475324 A JPH0475324 A JP H0475324A JP 2188706 A JP2188706 A JP 2188706A JP 18870690 A JP18870690 A JP 18870690A JP H0475324 A JPH0475324 A JP H0475324A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist film
- resist
- removal method
- film
- oxygen plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ホトレジスト膜の除去方法に関する＋２１
加熱ベンゼン・スルホン酸液に浸漬する方法。
加熱ベンゼン・スルホン酸液に浸漬する方法。
（３） オゾン雰囲気に晒す方法。
（４） 酸素プラズマ又は、酸素プラズマとフレオン
・プラズマ雰囲気に晒す方法。
・プラズマ雰囲気に晒す方法。
等があった。
しかし、上記従来技術によると、イオン打込み処理を施
したホト・レジスト膜は完全に除去する事が困難である
と云う課題があった。
したホト・レジスト膜は完全に除去する事が困難である
と云う課題があった。
本発明は、かかる従来技術の課題を解決し、イオン打込
み処理を施したホト・レジスト膜をも完全に除去する方
法を提供する事を目的とする。
み処理を施したホト・レジスト膜をも完全に除去する方
法を提供する事を目的とする。
従来、レジスト膜の除去法は、例えば半導体集積回路装
置の製造に用いるホト・レジスト膜の除去法として、 （１） オゾン・硫酸液に浸漬する方法。
置の製造に用いるホト・レジスト膜の除去法として、 （１） オゾン・硫酸液に浸漬する方法。
上記課題を解決する為に、本発明はレジスト膜の除去法
に関し、レジスト塗布面に対し小角度方向にレジスト除
去ガスを照射する手段を取る。
に関し、レジスト塗布面に対し小角度方向にレジスト除
去ガスを照射する手段を取る。
以下、実施例により本発明を詳述する。
いま、半導体基板表面に塗布し、露光・現像処理して、
イオン打込み処理したホト・レジス）膜に対し、方向性
を持った酸素プラズマを塗布面に対して小角度（１°〜
１０° ）の傾斜を持たせて照射し、且つ基板を回転さ
せると、レジスト膜と下地との接着部界面から優先的に
エツチングが進行し、レジスト膜が表面と裏面及び側面
からエツチングされる。この場合、界面のエツチングの
完了と共に重合の進んだレジスト膜の薄膜は剥離するこ
ととなるが、該剥離膜はそのまま落下させて捕集するか
、あるいは対向電極等を設け、静電気的に除去、捕集す
る等の手段を取る事によって、レジスト膜を基板表面に
残存させる事な（、完全に除去する事ができる。
イオン打込み処理したホト・レジス）膜に対し、方向性
を持った酸素プラズマを塗布面に対して小角度（１°〜
１０° ）の傾斜を持たせて照射し、且つ基板を回転さ
せると、レジスト膜と下地との接着部界面から優先的に
エツチングが進行し、レジスト膜が表面と裏面及び側面
からエツチングされる。この場合、界面のエツチングの
完了と共に重合の進んだレジスト膜の薄膜は剥離するこ
ととなるが、該剥離膜はそのまま落下させて捕集するか
、あるいは対向電極等を設け、静電気的に除去、捕集す
る等の手段を取る事によって、レジスト膜を基板表面に
残存させる事な（、完全に除去する事ができる。
尚、酸素プラズマ・ガスの他、酸素プラズマと７レオン
・プラズマの混合ガスやオゾン・ガス等の他のガスを用
いても良い事は云うまでもない。
・プラズマの混合ガスやオゾン・ガス等の他のガスを用
いても良い事は云うまでもない。
本発明により、従来困難であったイオン打込み処理が施
されたホト・レジスト膜をも効率よく、完全に除去する
ことができる効果がある。
されたホト・レジスト膜をも効率よく、完全に除去する
ことができる効果がある。
以上
Claims (1)
- レジスト塗布面の小角方向に酸素プラズマ、イオンあ
るいはオゾン・ガス等のレジスト除去ガスを照射する事
を特徴とするレジスト膜の除去法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2188706A JPH0475324A (ja) | 1990-07-17 | 1990-07-17 | レジスト膜の除去法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2188706A JPH0475324A (ja) | 1990-07-17 | 1990-07-17 | レジスト膜の除去法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0475324A true JPH0475324A (ja) | 1992-03-10 |
Family
ID=16228380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2188706A Pending JPH0475324A (ja) | 1990-07-17 | 1990-07-17 | レジスト膜の除去法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0475324A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4319683A1 (de) * | 1992-06-15 | 1993-12-16 | Micron Technology Inc | Entfernen von Polymerrückständen auf Kohlenstoffbasis mit Ozon, die bei der Reinigung von Plasmareaktoren von Nutzen ist |
| KR100241531B1 (ko) * | 1996-12-04 | 2000-03-02 | 김영환 | 감광막 제거 방법 |
| US6371134B2 (en) * | 2000-01-31 | 2002-04-16 | Advanced Micro Devices, Inc. | Ozone cleaning of wafers |
-
1990
- 1990-07-17 JP JP2188706A patent/JPH0475324A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4319683A1 (de) * | 1992-06-15 | 1993-12-16 | Micron Technology Inc | Entfernen von Polymerrückständen auf Kohlenstoffbasis mit Ozon, die bei der Reinigung von Plasmareaktoren von Nutzen ist |
| US5417826A (en) * | 1992-06-15 | 1995-05-23 | Micron Technology, Inc. | Removal of carbon-based polymer residues with ozone, useful in the cleaning of plasma reactors |
| KR100241531B1 (ko) * | 1996-12-04 | 2000-03-02 | 김영환 | 감광막 제거 방법 |
| US6371134B2 (en) * | 2000-01-31 | 2002-04-16 | Advanced Micro Devices, Inc. | Ozone cleaning of wafers |
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