JPH0475338A - 機械・化学研磨法 - Google Patents
機械・化学研磨法Info
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- JPH0475338A JPH0475338A JP2189686A JP18968690A JPH0475338A JP H0475338 A JPH0475338 A JP H0475338A JP 2189686 A JP2189686 A JP 2189686A JP 18968690 A JP18968690 A JP 18968690A JP H0475338 A JPH0475338 A JP H0475338A
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Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は主としてシリコン・ウェーハや石英板等の機械
・化学研磨法に係り２新しい研磨剤に関する。
・化学研磨法に係り２新しい研磨剤に関する。
従来、シリコン・ウェーハや石英板の鏡面研磨には回外
ソーダを添加した、ｐＨ１Ｏ−１２程度のアルカリ溶液
に高純度石英の微粒子から成る研磨剤を分散させた溶液
を滴下しなからパフ研磨等の鏡面研磨等の精密研磨を行
なうのが通例であった。
ソーダを添加した、ｐＨ１Ｏ−１２程度のアルカリ溶液
に高純度石英の微粒子から成る研磨剤を分散させた溶液
を滴下しなからパフ研磨等の鏡面研磨等の精密研磨を行
なうのが通例であった。
しかし、上記従来技術によると、回外ソーダや可性カリ
あるいは炭酸ソーダ等のアルカリ金属を含有した化合物
溶液を研磨液として用いると、研磨時にシリコン・ウェ
ーハ表面に露呈した５ｉ０２膜や石英板中にアルカリ金
属が侵入し、トランジスタ特性の劣化を起す等の課題か
あった。
あるいは炭酸ソーダ等のアルカリ金属を含有した化合物
溶液を研磨液として用いると、研磨時にシリコン・ウェ
ーハ表面に露呈した５ｉ０２膜や石英板中にアルカリ金
属が侵入し、トランジスタ特性の劣化を起す等の課題か
あった。
本発明は、かかる従来技術の課題を解決し、アルカリ金
属による汚染の発生しない新しい研磨溶液を提供する事
を目的とする。
属による汚染の発生しない新しい研磨溶液を提供する事
を目的とする。
本発明は、かかる従来技術の課題を解決する為に、機械
・化学研磨法に関し、過酸化水素を添加したアンモニア
水溶液の如く、酸化・溶解作用を持ったアルカリ溶液又
は酸溶液に高純度石英の微粒子から成る研磨剤を分散さ
せた溶液を滴下させる手段を取る。
・化学研磨法に関し、過酸化水素を添加したアンモニア
水溶液の如く、酸化・溶解作用を持ったアルカリ溶液又
は酸溶液に高純度石英の微粒子から成る研磨剤を分散さ
せた溶液を滴下させる手段を取る。
以下、実施例により本発明を詳述する。
いま、シリコン・ウェーハの無歪鏡面研磨を行なうに際
し、厚さが約２ｍｍの不飽和ポリエステル等の繊維から
成るクロスが均一に接着された金属また合金製あるいは
セラミック製の定盤を回転せしめ、クロス上に０．０２
μｍ程度の粒度から成る高純度５ｉ０２粒子が分散され
たｐＨＩＱ〜１２程度のアンモニア水溶液に過酸化水素
水を１〜２０％程度添加した溶液を滴下せしめ、この面
に加工すべきシリコンΦウェーハを１００〜５００ ｇ
／ ｃｄの圧力で加圧し、摩擦する。すなわち、前記
定盤面に平行に配置された平坦な支持台に一シリコン・
ウェーハを固定し、その表面を前記過酸化水素を添加し
たアンモニア水溶液による表面エツチング効果と、この
溶液中の５ｉ０２粒子による加工効果とによって加圧さ
れる。
し、厚さが約２ｍｍの不飽和ポリエステル等の繊維から
成るクロスが均一に接着された金属また合金製あるいは
セラミック製の定盤を回転せしめ、クロス上に０．０２
μｍ程度の粒度から成る高純度５ｉ０２粒子が分散され
たｐＨＩＱ〜１２程度のアンモニア水溶液に過酸化水素
水を１〜２０％程度添加した溶液を滴下せしめ、この面
に加工すべきシリコンΦウェーハを１００〜５００ ｇ
／ ｃｄの圧力で加圧し、摩擦する。すなわち、前記
定盤面に平行に配置された平坦な支持台に一シリコン・
ウェーハを固定し、その表面を前記過酸化水素を添加し
たアンモニア水溶液による表面エツチング効果と、この
溶液中の５ｉ０２粒子による加工効果とによって加圧さ
れる。
尚、シリコン・ウェーハに限らず石英板も不法により鏡
面加工することができる。
面加工することができる。
更に、滴下溶液は、アンモニア水溶液に過酸化水素水溶
液を混合した溶液のみならず、塩酸水溶液に過酸化水素
水溶液を混合した溶液や硫酸水溶液に過酸化水素水溶液
を混合した溶液や、あるいは硝酸アンモニウム水溶液等
のアルカリ金属を含まず、且つ、研磨基板を僅かに溶解
する水溶液であれば良い。
液を混合した溶液のみならず、塩酸水溶液に過酸化水素
水溶液を混合した溶液や硫酸水溶液に過酸化水素水溶液
を混合した溶液や、あるいは硝酸アンモニウム水溶液等
のアルカリ金属を含まず、且つ、研磨基板を僅かに溶解
する水溶液であれば良い。
更に、研磨剤は、石英微粒子のみならず、アルミナ微粒
子や炭化硅素微粒子等の他の研磨剤であっても良い。
子や炭化硅素微粒子等の他の研磨剤であっても良い。
又、本研磨はパフ研磨のみならず、炭化硅素定盤等を用
いた剛性研磨にも適用することができる。
いた剛性研磨にも適用することができる。
本発明によりアルカリ金属汚染の無い高精度鏡面研磨等
の研磨を行なう事ができ、本研磨により研磨されたシリ
コン・ウェーハや石英板等の部材を用いて、トランジス
タや薄膜トランジスタを形成すると、トランジスタのリ
ーク電流等の無い、特性の良好なトランジスタを得るこ
とができる等の効果がある。
の研磨を行なう事ができ、本研磨により研磨されたシリ
コン・ウェーハや石英板等の部材を用いて、トランジス
タや薄膜トランジスタを形成すると、トランジスタのリ
ーク電流等の無い、特性の良好なトランジスタを得るこ
とができる等の効果がある。
Claims (1)
- 過酸化水素を添加したアンモニア水溶液の如く酸化・溶
解作用を持ったアルカリ溶液又は酸溶液に高純度石英の
微粒子から成る研磨剤を分散させた溶液を滴下する事を
特徴とする機械・化学研磨法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2189686A JPH0475338A (ja) | 1990-07-18 | 1990-07-18 | 機械・化学研磨法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2189686A JPH0475338A (ja) | 1990-07-18 | 1990-07-18 | 機械・化学研磨法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0475338A true JPH0475338A (ja) | 1992-03-10 |
Family
ID=16245483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2189686A Pending JPH0475338A (ja) | 1990-07-18 | 1990-07-18 | 機械・化学研磨法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0475338A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5459104A (en) * | 1993-01-18 | 1995-10-17 | Mitsubishi Materials Silicon Corporation | Process for production of semiconductor substrate |
| US5603654A (en) * | 1994-02-14 | 1997-02-18 | Nec Corporation | Method for supplying a polishing liquid and polishing method using the same |
| US5626509A (en) * | 1994-03-16 | 1997-05-06 | Nec Corporation | Surface treatment of polishing cloth |
| WO1998054756A1 (fr) * | 1997-05-26 | 1998-12-03 | Hitachi, Ltd. | Procede de polissage et procede de fabrication de composant a semi-conducteur dans lequel ledit procede est utilise |
| US5906532A (en) * | 1994-08-10 | 1999-05-25 | Nec Corporation | Method for polishing semiconductor substrate and apparatus for the same |
| JP2001003036A (ja) * | 1998-06-22 | 2001-01-09 | Fujimi Inc | 研磨用組成物および表面処理用組成物 |
| DE10247202A1 (de) * | 2002-10-10 | 2003-10-30 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Herstellung einer polierten Siliciumscheibe mit niedrigem Kupfergehalt |
| CN105355656A (zh) * | 2015-11-23 | 2016-02-24 | 江苏物联网研究发展中心 | 能降低米勒电容的超结igbt器件 |
-
1990
- 1990-07-18 JP JP2189686A patent/JPH0475338A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5459104A (en) * | 1993-01-18 | 1995-10-17 | Mitsubishi Materials Silicon Corporation | Process for production of semiconductor substrate |
| WO2004077537A1 (ja) * | 1993-01-18 | 2004-09-10 | Shinsuke Sakai | 半導体基板の製造方法 |
| US5603654A (en) * | 1994-02-14 | 1997-02-18 | Nec Corporation | Method for supplying a polishing liquid and polishing method using the same |
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| US5906532A (en) * | 1994-08-10 | 1999-05-25 | Nec Corporation | Method for polishing semiconductor substrate and apparatus for the same |
| WO1998054756A1 (fr) * | 1997-05-26 | 1998-12-03 | Hitachi, Ltd. | Procede de polissage et procede de fabrication de composant a semi-conducteur dans lequel ledit procede est utilise |
| JP2001003036A (ja) * | 1998-06-22 | 2001-01-09 | Fujimi Inc | 研磨用組成物および表面処理用組成物 |
| DE10247202A1 (de) * | 2002-10-10 | 2003-10-30 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Herstellung einer polierten Siliciumscheibe mit niedrigem Kupfergehalt |
| CN105355656A (zh) * | 2015-11-23 | 2016-02-24 | 江苏物联网研究发展中心 | 能降低米勒电容的超结igbt器件 |
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