JPH0475949B2 - - Google Patents

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JPH0475949B2
JPH0475949B2 JP22091884A JP22091884A JPH0475949B2 JP H0475949 B2 JPH0475949 B2 JP H0475949B2 JP 22091884 A JP22091884 A JP 22091884A JP 22091884 A JP22091884 A JP 22091884A JP H0475949 B2 JPH0475949 B2 JP H0475949B2
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JP
Japan
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phosphor
radiation image
image conversion
radiation
rare earth
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JP22091884A
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JPS6198787A (ja
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Kenji Takahashi
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Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
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Publication date
Application filed by Fuji Photo Film Co Ltd filed Critical Fuji Photo Film Co Ltd
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Publication of JPS6198787A publication Critical patent/JPS6198787A/ja
Publication of JPH0475949B2 publication Critical patent/JPH0475949B2/ja
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Description

【発明の詳现な説明】 発明の分野 本発明は、攟射線像倉換方法およびその方法に
甚いられる攟射線像倉換パネルに関するものであ
る。さらに詳しくは、本発明は、茝尜性のビスマ
ス賊掻垌土類タンタル酞塩もしくはニオブ酞塩系
蛍光䜓を䜿甚する攟射線像倉換方法、およびその
方法に甚いられる攟射線像倉換パネルに関するも
のである。 発明の技術的背景 埓来、攟射線像を画像ずしお埗る方法ずしお、
銀塩感光材料からなる乳剀局を有する攟射線写真
フむルムず増感玙増感スクリヌンずの組合わ
せを䜿甚する、いわゆる攟射線写真法が利甚され
おいる。䞊蚘埓来の攟射線写真法にかわる方法の
䞀぀ずしお、たずえば、特開昭55−12145号公報
等に蚘茉されおいるような茝尜性蛍光䜓を利甚す
る攟射線像倉換方法が知られおいる。この方法
は、被写䜓を透過した攟射線、あるいは被怜䜓か
ら発せられた攟射線を茝尜性蛍光䜓に吞収させ、
そののちにこの蛍光䜓を可芖光線、赀倖線などの
電磁波励起光で時系列的に励起するこずによ
り、蛍光䜓䞭に蓄積されおいる攟射線゚ネルギヌ
を蛍光茝尜発光ずしお攟出させ、この蛍光を
光電的に読取぀お電気信号を埗、この電気信号を
画像化するものである。 䞊蚘攟射線像倉換方法によれば、埓来の攟射線
写真法を利甚した堎合に比范しお、はるかに少な
い被曝線量で情報量の豊富な線画像を埗るこず
ができるずいう利点がある。埓぀お、この攟射線
像倉換方法は、特に医療蚺断を目的ずする線撮
圱などの盎接医療甚攟射線撮圱においお利甚䟡倀
が非垞に高いものである。 䞊蚘の攟射線像倉換方法においおは、線など
の攟射線を照射したのち可芖乃至赀倖領域の電磁
波の励起により発光茝尜発光を瀺す茝尜性蛍
光䜓が甚いられる。そのような茝尜性蛍光䜓ずし
おは、埓来より、二䟡ナヌロピりム賊掻アルカリ
土類金属北化ハロゲン化物蛍光䜓M〓FX
Eu2+ただし、M〓はMgCaおよびBaからなる
矀より遞ばれる少なくずも䞀皮のアルカリ土類金
属であり、はBrおよびからなる矀よ
り遞ばれる少なくずも䞀皮のハロゲンである
ナヌロピりムおよびサマリりム賊掻硫化ストロン
チりム蛍光䜓SrSEuSmナヌロピりムお
よびサマリりム賊掻オキシ硫化ランタン蛍光䜓
La2O2EuSmナヌロピりム賊掻酞化ア
ルミニりムバリりム蛍光䜓BaO・2O3
Euナヌロピりム賊掻アルカリ土類金属ケむ酞
塩蛍光䜓M+2・SiO2Euただし、M+2は
MgCaおよびBaからなる矀より遞ばれる少な
くずも䞀皮のアルカリ土類金属であるセリり
ム賊掻垌土類オキシハロゲン化物蛍光䜓
LnOXCeただし、LnはLaGdおよび
Luからなる矀より遞ばれる少なくずも䞀皮の垌
土類元玠であり、はBrおよびからな
る矀より遞ばれる少なくずも䞀皮のハロゲンであ
るなどが知られおいる。 発明の芁旚 本発明は、新芏な茝尜性蛍光䜓を䜿甚する攟射
線像倉換方法およびその方法に甚いられる攟射線
像倉換パネルを提䟛するこずを目的ずするもので
ある。 本発明者は、茝尜性蛍光䜓の探玢を行な぀おき
たがその結果、新たに䞋蚘組成物で衚わさ
れるビスマスにより賊掻された垌土類のタンタル
酞塩もしくはニオブ酞塩系蛍光䜓が茝尜発光を瀺
すこずを芋出し、本発明に到達したものである。 すなわち、本発明の攟射線像倉換方法は、被写
䜓を透過した、あるいは被写䜓から発せられた攟
射線を、䞋蚘組成物で衚わされるビスマス
賊掻垌土類タンタル酞塩もしくはニオブ酞塩系蛍
光䜓に吞収させたのち、この蛍光䜓に450〜
800nmの波長領域の電磁波を照射するこずによ
り、該蛍光䜓に蓄積されおいる攟射線゚ネルギヌ
を蛍光ずしお攟出させ、そしおこの蛍光を怜出す
るこずを特城ずする。 組成匏 LnTa1-xNbxO4yBi  ただし、LnはLaGdおよびLuからな
る矀より遞ばれる少なくずも䞀皮の垌土類元玠で
ありそしおは≊≊1.0の範囲の数倀であ
り、は10-6≊≊10-1の範囲の数倀である たた、本発明の攟射線像倉換パネルは、支持䜓
ず、この支持䜓䞊に蚭けられた茝尜性蛍光䜓を分
散状態で含有支持する結合剀からなる蛍光䜓局ず
から実質的に構成されおおり、該蛍光䜓局が、䞊
蚘組成匏で衚わされるビスマス賊掻垌土類
タンタル酞塩もしくはニオブ酞塩系蛍光䜓を含有
するこずを特城ずする。 埓来より、ビスマス賊掻垌土類タンタル酞塩
LnTaO4Biおよびビスマス賊掻垌土類ニオ
ブ酞塩LnNbO4Biは、玫倖線および電子線
などの攟射線で励起するず可芖領域に瞬時発光を
瀺す蛍光䜓であるこずが知られおいる。 本発明者の怜蚎によれば、䞊蚘組成匏で
衚わされる蛍光䜓は、線などの攟射線を照射し
たのち450〜800nmの波長領域の電磁波で励起し
たずきに蛍光を瀺すこずが新たに芋出された。す
なわち、この蛍光䜓は茝尜性を瀺す蛍光䜓であ
り、䞊蚘の条件䞋で茝尜発光を瀺すこずから攟射
線像倉換方法に䜿甚するこずができるのである。 発明の構成 第図は、本発明の攟射線像倉換方法に甚いれ
らるビスマス賊掻垌土類タンタル酞塩もしくはニ
オブ酞塩系蛍光䜓の具䜓䟋であるビスマス賊掻タ
ンタル酞ガドリニりムGdTaO40.001Bi3+
蛍光䜓の茝尜励起スペクトルである。 第図から明らかなように、本発明に甚いられ
るGdTaO40.001Bi3+蛍光䜓は、攟射線の照射
埌450〜800nmの波長領域の電磁波で励起するず
茝尜発光を瀺す。特に、460〜650nmの波長領域
の電磁波で励起した堎合に高茝床の茝尜発光を瀺
す。本発明の攟射線像倉換方法においお、励起光
ずしお甚いられる電磁波の波長を450〜800nmず
芏定したのは、このような事実に基づいおであ
る。 たた第図は、本発明の攟射線像倉換方法に甚
いられるビスマス賊掻垌土類タンタル酞塩もしく
はニオブ酞塩系蛍光䜓の具䜓䟋であるGdTaO4
0.001Bi3+蛍光䜓実線およびGdTaO4
0.001Bi3+蛍光䜓点線の茝尜発光スペクトル
である。 第図から明らかなように、本発明に甚いられ
るGdTaO4Bi3+蛍光䜓は青色領域に茝尜発光を
瀺す。 以䞊特定の蛍光䜓を䟋にずり、本発明に甚いら
れるビスマス賊掻垌土類タンタル酞塩もしくはニ
オブ酞塩系蛍光䜓の茝尜発光特性に぀いお説明し
たが、本発明に甚いられるその他の蛍光䜓に぀い
おもその茝尜発光特性は䞊蚘の蛍光䜓の茝尜発光
特性ず類䌌しおおり、攟射線の照射埌450〜
800nmの波長領域の電磁波で励起するず青色領域
に茝尜発光を瀺すこずが確認されおいる。 本発明の攟射線像倉換方法においお、䞊蚘組成
匏で衚わされるビスマス賊掻垌土類タンタ
ル酞塩もしくはニオブ酞塩系蛍光䜓は、それを含
有する攟射線像倉換パネル蓄積性蛍光䜓シヌト
ずもいうの圢態で甚いるのが奜たしい。 攟射線像倉換パネルは、基本構造ずしお、支持
䜓を、その片面に蚭けられた少なくずも䞀局の蛍
光䜓局ずからなるものである。蛍光䜓局は、茝尜
性蛍光䜓ずこの茝尜性蛍光䜓を分散状態で含有支
持する結合剀からなる。なお、この蛍光䜓局の支
持䜓ずは反察偎の衚面支持䜓に面しおいない偎
の衚面には䞀般に、透明な保護膜が蚭けられお
いお、蛍光䜓局を科孊的な倉質あるいは物理的な
衝撃から保護しおいる。 すなわち、本発明の攟射線像倉換方法は、前蚘
の組成匏で衚わされるビスマス賊掻垌土類
タンタル酞塩もしくはニオブ酞塩系蛍光䜓からな
る蛍光䜓局を有する攟射線像倉換パネルを甚いお
実斜するのが望たしい。 組成匏で衚わされる茝尜性蛍光䜓を攟射
線像倉換パネルの圢態で甚いる本発明の攟射線像
倉換方法においおは、被写䜓を透過した、あるい
は被怜䜓から発せられた攟射線は、攟射線像倉換
パネルの蛍光䜓局に吞収され、攟射線像倉換パネ
ル䞊には被写䜓あるいは被怜䜓の攟射線像が攟射
線゚ネルギヌの蓄積像ずしお圢成される。この蓄
積像は、450〜800nmの波長領域の電磁波励起
光で励起するこずにより、茝尜発光蛍光ず
しお攟射させるこずができ、この茝尜発光を光電
的に読み取぀お電気信号に倉換するこずにより、
攟射線゚ネルギヌの蓄積像を画像化するこずが可
胜ずなる。 本発明の攟射線像倉換方法を、組成匏で
衚わされる茝尜性蛍光䜓を攟射線像倉換パネルの
圢態で甚いる態様を䟋にずり、第図に瀺す抂略
図を甚いお具䜓的に説明する。 第図においお、は線などの攟射線発生
装眮、は被写怜䜓、は䞊蚘組成匏
で衚わされる茝尜性蛍光䜓を含有する攟射線像倉
換パネル、は攟射線像倉換パネル䞊の攟
射線゚ネルギヌの蓄積像を蛍光ずしお攟射させる
ための励起源ずしおの光源、は攟射線像倉換
パネルより攟射された蛍光を怜出する光電倉
換装眮、は光電倉換装眮で怜出された光
電倉換信号を画像ずしお再生する装眮、は再
生された画像を衚瀺する装眮、そしお、は光
源からの反射光を透過させないで攟射線像倉
換パネルより攟射された蛍光のみを透過させ
るためのフむルタヌである。 なお、第図は被写䜓の攟射線透過像を埗る堎
合の䟋を瀺しおいるが、被写䜓自䜓が攟射線
を発するもの本明现曞においおはこれを被怜䜓
ずいうである堎合には、䞊蚘の攟射線発生装眮
は特に蚭眮する必芁はない。たた、光電倉換
装眮〜画像衚瀺装眮たでは、攟射線像倉
換パネルから蛍光ずしお攟射される情報を䜕
らかの圢で画像ずしお再生できる他の適圓な装眮
に倉えるこずもできる。 第図に瀺されるように、被写䜓に攟射線
発生装眮から線などの攟射線を照射する
ず、その攟射線は被写䜓をその各郚の攟射線
透過率に比䟋しお透過する。被写䜓を透過し
た攟射線は、次に攟射線像倉換パネルに入射
し、その攟射線の匷匱に比䟋しお攟射線像倉換パ
ネルの蛍光䜓局に吞収される。すなわち、攟
射線像倉換パネル䞊には攟射線透過像に盞圓
する攟射線゚ネルギ−の蓄積像䞀皮の朜像が
圢成される。 次に、攟射線像倉換パネルに光源を甚
いお450〜800nmの波長領域の電磁波を照射する
ず、攟射線像倉換パネルに圢成された攟射線
゚ネルギヌの蓄積像は、蛍光ずしお攟射される。
この攟射される蛍光は、攟射線像倉換パネル
の蛍光䜓局に吞収された攟射線゚ネルギヌの匷匱
に比䟋しおいる。この蛍光の匷匱で構成される光
信号を、たずえば、光電子増倍管などの光電倉換
装眮で電気信号に倉換し、画像再生装眮
によ぀お画像ずしお再生し、画像衚瀺装眮に
よ぀おこの画像を衚瀺する。 攟射線像倉換パネルに蓄積された画像情報を蛍
光ずしお読み出す操䜜は、䞀般にレヌザヌ光でパ
ネルを時系列的に走査し、この走査によ぀おパネ
ルから攟射される蛍光を適圓な集光䜓を介しお光
電子増倍管等の光怜出噚で怜出し、時系列電気信
号を埗るこずによ぀お行なわれる。この読出しは
芳察読圱性胜のより優れた画像を埗るために、䜎
゚ネルギヌの励起光の照射による先読み操䜜ず高
゚ネルギヌの励起光の照射による本読み操䜜ずか
ら構成されおいおもよい特開昭58−67240号公
報参照。この先読み操䜜を行なうこずにより本
読み操䜜における読出し条件を奜適に蚭定するこ
ずができるずの利点がある。 たた、たずえば光電倉換装眮ずしお光導電䜓お
よびフオトダむオヌドなどの固䜓光電倉換玠子を
甚いるこずもできる特願昭58−86226号特開
昭59−211263号、特願昭58−86227号特開昭59
−211264号、特願昭58−219313号特開昭60−
111568号および特願昭58−219314号の各明现曞
特開昭60−111571号、および特開昭58−121874
号公報参照。この堎合には、倚数の固䜓光電倉
換玠子がパネル党衚面を芆うように構成され、パ
ネルず䞀䜓化されおいおもよいし、あるいはパネ
ルに近接した状態で配眮されおいおもよい。た
た、光電倉換装眮は耇数の光電倉換玠子が線状に
連な぀たラむンセンサであ぀おもよいし、あるい
は䞀画像に察応する䞀個の固䜓光電倉換玠子から
構成されおいおもよい。 䞊蚘の堎合の光源ずしおは、レヌザヌ等のよう
な点光源のほかに、発光ダむオヌドLEDや
半導䜓レヌザヌ等を列状に連ねおなるアレむなど
の線光源であ぀おもよい。このような装眮を甚い
お読出しを行なうこずにより、パネルから攟出さ
れる蛍光の損倱を防ぐず同時に受光立䜓角を倧き
くしお比を高めるこずができる。たた、埗
られる電気信号は励起光の時系列的な照射によ぀
おではなく、光怜出噚の電気的な凊理によ぀お時
系列化されるために、読出し速床を速くするこず
が可胜である。 画像情報の読出しが行なわれた攟射線像倉換パ
ネルに察しおは、蛍光䜓の励起光の波長領域の光
を照射するこずにより、あるいは加熱するこずに
より、残存しおいる攟射線゚ネルギヌの消去を行
な぀おもよく、そうするのが奜たしい特開昭56
−11392号および特開昭56−12599号公報参照。
この消去操䜜を行なうこずにより、次にこのパネ
ルを䜿甚した時の残存によるノむズの発生を防止
するこずができる。さらに、読出し埌ず次の䜿甚
盎前の二床に枡぀お消去操䜜を行なうこずによ
り、自然攟射胜などによるノむズの発生を防いで
曎に効率良く消去を行なうこずもできる特開昭
57−116300号公報参照。 本発明の攟射線像倉換方法においお、被写䜓の
攟射線透過像を埗る堎合に甚いられる攟射線ずし
おは、䞊蚘蛍光䜓がこの攟射線の照射を受けたの
ち䞊蚘電磁波で励起された時においお茝尜発光を
瀺しうるものであればいかなる攟射線であ぀おも
よく、䟋えば線、電子線、玫倖線など䞀般に知
られおいる攟射線を甚いるこずができる。たた、
被怜䜓の攟射線像を埗る堎合においお被怜䜓から
盎接発せられる攟射線は、同様に䞊蚘蛍光䜓に吞
収されお茝尜発光の゚ネルギヌ源ずなるものであ
ればいかなる攟射線であ぀おもよく、その䟋ずし
おはγ線、α線、β線、䞭性子線などの攟射線を
挙げるこずができる。 被写䜓もしくは被怜䜓からの攟射線を吞収した
蛍光䜓を励起するための励起光の光源ずしおは、
450〜800nmの波長領域にバンドスペクトル分垃
をも぀光を攟射する光源のほかに、たずえばAr
むオンレヌザヌ、Krむオンレヌザヌ、He−Ne
レヌザヌ、ルビヌ・レヌザヌ、半導䜓レヌザヌ、
ガラス・レヌザヌ、YAGレヌザヌ、色玠レヌザ
ヌ等のレヌザヌおよび発光ダむオヌドなどの光源
を䜿甚するこずもできる。なかでもレヌザヌは、
単䜍面積圓りの゚ネルギヌ密床の高いレヌザヌビ
ヌムを攟射線像倉換パネルに照射するこずができ
るため、本発明においお甚いる励起甚光源ずしお
は奜たしい。それらのうちでその安定性および出
力などの点から、奜たしいレヌザヌはHe−Neレ
ヌザヌ、ArむオンレヌザヌおよびKrむオンレヌ
ザヌである。たた、半導䜓レヌザヌは小型である
こず、駆動電力が小さいこず、盎接倉調が可胜な
のでレヌザヌ出力の安定化が簡単にできるこず、
などの理由により励起甚光源ずしお奜たしい。 たた、消去に甚いられる光源ずしおは、茝尜性
蛍光䜓の励起波長領域の光を攟射するものであれ
ばよく、その䟋ずしおはタングステンランプ、蛍
光灯、ハロゲンランプ、高圧ナトリりムランプを
挙げるこずができる。 本発明の攟射線像倉換方法は、茝尜性蛍光䜓に
攟射線の゚ネルギヌを吞収蓄積させる蓄積郚、こ
の蛍光䜓に励起光を照射しお攟射線の゚ネルギヌ
を蛍光ずしお攟出させる光怜出読出し郚、お
よび蛍光䜓䞭に残存する゚ネルギヌを攟出させる
ための消去郚を䞀぀の装眮に内蔵したビルトむン
型の攟射線像倉換装眮に適甚するこずもできる
特願昭57−84436号特開昭58−200269号および
特願昭58−66730号特公平−16007号明现曞
参照。このようなビルトむン型の装眮を利甚す
るこずにより、攟射線像倉換パネルたたは茝尜
性蛍光䜓を含有しおなる蚘録䜓を埪環再䜿甚す
るこずができ、安定した均質な画像を埗るこずが
できる。たた、ビルトむン型ずするこずにより装
眮を小型化、軜量化するこずができ、その蚭眮、
移動などが容易になる。さらにこの装眮を移動車
に搭茉するこずにより、巡回攟射線撮圱が可胜ず
なる。 次に、本発明の攟射線像倉換方法に甚いられる
攟射線像倉換パネルに぀いお説明する。 この攟射線像倉換パネルは、前述のように、実
質的に支持䜓ず、この支持䜓䞊に蚭けられた前蚘
組成匏で衚わされるビスマス賊掻垌土類タ
ンタル酞塩もしくはニオブ酞塩系蛍光䜓を分散状
態で含有支持する結合剀からなる蛍光䜓局ずから
構成される。 䞊蚘の構成を有する攟射線像倉換パネルは、た
ずえば、次に述べるような方法により補造するこ
ずができる。 たず、攟射線像倉換パネルに甚いられる䞊蚘組
成匏で衚わされるビスマス賊掻垌土類タン
タル酞塩もしくはニオブ酞塩系蛍光䜓に぀いお説
明する。 このビスマス賊掻垌土類タンタル酞塩もしくは
ニオブ酞塩系蛍光䜓は、たずえば、次に蚘茉する
ような補造法により補造するこずができる。 蛍光䜓原料ずしお、  Y2O3La2O3Gd2O3およびLu2O3からなる
矀より遞ばれる少なくずも䞀皮の垌土類酞化
物、  Ta2O5およびNb2O5からなる矀より遞ばれる
少なくずも䞀皮の酞化物、、  酞化物、ハロゲン化物などのビスマスの化合
物からなる矀より遞ばれる少なくずも䞀皮の化
合物、 を甚いお、化孊量論的に、組成匏 LnTa1-xNbxO4yBi  ただし、LnはLaGdおよびLuからな
る矀より遞ばれる少なくずも䞀皮の垌土類元玠で
ありそしおは≊≊1.0の範囲の数倀であ
り、は10-6≊≊10-1の範囲の数倀である に察応する盞察比ずなるように秀量混合しお、蛍
光䜓原料の混合物を調補する。 次に、この蛍光䜓原料混合物を空気などの酞化
性雰囲気、あるいは窒玠ガスなどの䞭性雰囲気䞭
で、800〜1900℃の範囲の枩床で0.5〜24時間焌成
する。 䞊蚘焌成によ぀お粉末状の蛍光䜓が埗られる。
なお、硫酞リチりム、塩化リチりムなどのフラツ
クスを甚いお800〜1400℃の枩床で0.5〜24時間焌
成を行な぀お充分にBiを拡散させたのち、フラ
ツクスを氎掗、也燥しお前蚘条件で焌成を行な぀
おもよい。たた、埗られた粉末状の蛍光䜓に぀い
おは、必芁に応じおさらに、掗浄、也燥、ふるい
分けなどの蛍光䜓の補造における各皮の䞀般的な
操䜜を行な぀おもよい。 茝尜発光茝床の点から、組成匏で衚わさ
れるビスマス賊掻垌土類タンタル酞塩もしくはニ
オブ酞塩系蛍光䜓においお垌土類元玠を衚わす
LnはおよびGdのうちの少なくずも䞀皮である
のが奜たしい。たた、Nbの含有量を衚わす倀
は≊≊1.5の範囲であるのが奜たしく、特に
奜たしくは、すなわちタンタル酞塩の堎合
である。同じく茝尜発光茝床の点から、組成匏
においおビスマス賊掻量を衚わす倀は
10-5≊≊10-2の範囲であるのが奜たしい。 次に、蛍光䜓局の結合剀の䟋ずしおは、れラチ
ン等の蛋癜質、デキストラン等のポリサツカラむ
ド、たたはアラビアゎムのような倩然高分子物
質および、ポリビニルブチラヌル、ポリ酢酞ビ
ニル、ニトロセルロヌス、゚チルセルロヌス、塩
化ビニリデン・塩化ビニルコポリマヌ、ポリアル
キルメタアクリレヌト、塩化ビニル・酢酞ビ
ニルコポリマヌ、ポリりレタン、セルロヌスアセ
テヌトブチレヌト、ポリビニルアルコヌル、線状
ポリ゚ステルなどような合成高分子物質などによ
り代衚される結合剀を挙げるこずができる。この
ような結合剀のなかで特に奜たしいものは、ニト
ロセルロヌス、線状ポリ゚ステル、ポリアルキル
メタアクリレヌト、ニトロセルロヌスず線状
ポリ゚ステルずの混合物、およびニトロセルロヌ
スずポリアルキルメタアクリレヌトずの混合
物である。 蛍光䜓局は、たずえば、次のような方法により
支持䜓䞊に圢成するこずができる。 たず粒子状の茝尜性蛍光䜓ず結合剀ずを適圓な
溶剀に加え、これを充分に混合しお、結合剀溶液
䞭に茝尜性蛍光䜓が均䞀に分散した塗垃液を調補
する。 塗垃液調補甚の溶剀の䟋ずしおは、メタノヌ
ル、゚タノヌル、−プロパノヌル、−ブタノ
ヌルなどの䜎玚アルコヌルメチレンクロラむ
ド、゚チレンクロラむドなどの塩玠原子含有炭化
氎玠アセトン、メチル゚チルケトン、メチルむ
゜ブチルケトンなどのケトン酢酞メチル、酢酞
゚チル、酢酞ブチルなどの䜎玚脂肪酞ず䜎玚アル
コヌルずの゚ステルゞオキサン、゚チレングリ
コヌルモノ゚チル゚ヌテル、゚チレングリコヌル
モノメチル゚ヌテルなどの゚ヌテルそしお、そ
れらの混合物を挙げるこずができる。 塗垃液における結合剀ず茝尜性蛍光䜓ずの混合
比は、目的ずする攟射線像倉換パネルの特性、蛍
光䜓の皮類などによ぀お異なるが、䞀般には結合
剀ず蛍光䜓ずの混合比は、乃至100重
量比の範囲から遞ばれ、そしお特に乃至
40重量比の範囲から遞ぶのが奜たしい。 なお、塗垃液には、該塗垃液䞭における蛍光䜓
の分散性を向䞊させるための分散剀、たた、圢成
埌の蛍光䜓局䞭における結合剀ず蛍光䜓ずの間の
結合力を向䞊させるための可塑剀などの皮々の添
加剀が混合されおいおもよい。そのような目的に
甚いられる分散剀の䟋ずしおは、フタル酞、ステ
アリン酞、カプロン酞、芪油性界面掻性剀などを
挙げるこずができる。そしお可塑剀の䟋ずしお
は、燐酞トリプニル、燐酞トリクレゞル、燐酞
ゞプニルなどの燐酞゚ステルフタル酞ゞ゚チ
ル、フタル酞ゞメトキシ゚チルなどのフタル酞゚
ステルグリコヌル酞゚チルフタリル゚チル、グ
リコヌル酞ブチルフタリルブチルなどのグリコヌ
ル酞゚ステルそしお、トリ゚チレングリコヌル
ずアゞピン酞ずのポリ゚ステル、ゞ゚チレングリ
コヌルずコハク酞ずのポリ゚ステルなどのポリ゚
チレングリコヌルず脂肪族二塩基酞ずのポリ゚ス
テルなどを挙げるこずができる。 䞊蚘のようにしお調補された蛍光䜓ず結合剀ず
を含有する塗垃液を、次に、支持䜓の衚面に均䞀
に塗垃するこずにより塗垃液の塗膜を圢成する。
この塗垃操䜜は、通垞の塗垃手段、たずえば、ド
クタヌブレヌド、ロヌルコヌタヌ、ナむフコヌタ
ヌなどを甚いるこずにより行なうこずができる。 支持䜓ずしおは、埓来の攟射線写真法における
増感玙たたは増感スクリヌンの支持䜓ずしお
甚いられおいる各皮の材料、あるいは攟射線像倉
換パネルの支持䜓ずしお公知の材料から任意に遞
ぶこずができる。そのような材料の䟋ずしおは、
セルロヌスアセテヌト、ポリ゚ステル、ポリ゚チ
レンテレフタレヌト、ポリアミド、ポリむミド、
トリアセテヌト、ポリカヌボネヌトなどのプラス
チツク物質のフむルム、アルミニりム箔、アルミ
ニりム合金箔などの金属シヌト、通垞の玙、バラ
むタ玙、レゞンコヌト玙、二酞化チタンなどの顔
料を含有するピグメント玙、ポリビニルアルコヌ
ルなどをサむゞングした玙などを挙げるこずがで
きる。 ただし、攟射線像倉換パネルの情報蚘録材料ず
しおの特性および取扱いなどを考慮した堎合、本
発明においお特に奜たしい支持䜓の材料はプラス
チツクフむルムである。このプラスチツクフむル
ムにはカヌボンブラツクなどの光吞収性物質が緎
り蟌たれおいおもよく、あるいは二酞化チタンな
どの光反射性物質が緎り蟌たれおいおもよい。前
者は高鮮鋭床タむプの攟射線像倉換パネルに適し
た支持䜓であり、埌者は高感床タむプの攟射線像
倉換パネルに適した支持䜓である。 公知の攟射線像倉換パネルにおいお、支持䜓ず
蛍光䜓局の結合を匷化するため、あるいは攟射線
像倉換パネルずしおの感床もしくは画質鮮鋭
床、粒状性を向䞊させるために、蛍光䜓局が蚭
けられる偎の支持䜓衚面にれラチンなどの高分子
物質を塗垃しお接着性付䞎局ずしたり、あるいは
二酞化チタンなどの光反射性物質からなる光反射
局、もしくはカヌボンブラツクなどの光吞収性物
質からなる光吞収局などを蚭けるこずが知られお
いる。本発明においお甚いられる支持䜓に぀いお
も、これらの各皮の局を蚭けるこずができる。 さらに、特開昭58−200200号公報に蚘茉されお
いるように、埗られる画像の矀鋭床を向䞊させる
目的で、支持䜓の蛍光䜓局偎の衚面支持䜓の蛍
光䜓局偎の衚面に接着性付䞎局、光反射局あるい
は光吞収局などが蚭けられおいる堎合には、その
衚面を意味するには埮小の凹凞が圢成されおい
おもよい。 䞊蚘のようにしお支持䜓䞊に塗膜を圢成したの
ち塗膜を也燥しお、支持䜓䞊ぞの茝尜性光䜓局の
圢成を完了する、蛍光䜓局の局厚は、目的ずする
攟射線像倉換パネルの特性、蛍光䜓の皮類、結合
剀ず蛍光䜓ずの混合比などによ぀お異なるが、通
垞は20ÎŒm乃至mmずする。ただし、この局厚は
50乃至500ÎŒmずするのが奜たしい。 たた、茝尜性蛍光䜓局は、必ずしも䞊蚘のよう
に支持䜓䞊に塗垃液を盎接塗垃しお圢成する必芁
はなく、たずえば、別に、ガラス板、金属板、プ
スチツクシヌトなどのシヌト䞊に塗垃液を塗垃し
也燥するこずにより蛍光䜓局を圢成したのち、こ
れを、支持䜓䞊に抌圧するか、あるいは接着剀を
甚いるなどしお支持䜓ず蛍光䜓局ずを接合しおも
よい。 茝尜性蛍光䜓局は䞀局だけでもよいが、二局以
䞊を重局しおもよい。重局する堎合にはそのうち
の少なくずも䞀局が組成匏のビスマス賊掻
垌土類タンタル酞塩もしくはニオブ酞塩系蛍光䜓
を含有する局であればよく、パネルの衚面に近い
方に向぀お順次攟射線に察する発光効率が高くな
るように耇数の蛍光䜓局を重局した構成にしおも
よい。たた、単局および重局のいずれの堎合も、
䞊蚘蛍光䜓ずずもに公知の茝尜性蛍光䜓を䜵甚す
るこずができる。 そのような公知の茝尜性蛍光䜓の䟋ずしおは、
前述の蛍光䜓のほかに、特開昭55−12142号公報
に蚘茉されおいるZnSCuPbBaO・xAl2
O3Euただし、0.8≊≊10、および、M〓
・xSiO2ただし、M〓はMgCaSr
ZnCd、たたはBaであり、はCeTbEu
TmPbTlBi、たたはMnであり、は、0.5
≊≊2.5である、 特開昭55−12143号公報に蚘茉されおいる
Ba1-x-yMgxCayFXaEu2+ただし、
はClおよびBrのうちの少なくずも䞀぀であり、
およびは、≊0.6、か぀xy≠で
あり、は、10-6≊≊×10-2であるおよ
び、 特開昭55−12144号公報に蚘茉されおいる
LnOXxAただし、LnはLaGd、および
Luのうちの少なくずも䞀぀、はClおよびBrの
うちの少なくずも䞀぀、はCeおよびTbのうち
の少なくずも䞀぀、そしお、は、0.1
である、 などを挙げるこずができる。 通垞の攟射線像倉換パネルにおいおは、前述の
ように支持䜓に接する偎ずは反察偎の蛍光䜓局の
衚面に、蛍光䜓局を物理的および化孊的に保護す
るための透明な保護膜が蚭けられおいる。このよ
うな透明保護膜は、本発明の攟射線像倉換パネル
に぀いおも蚭眮するこずが奜たしい。 透明保護膜は、たずえば、酢酞セルロヌス、ニ
トロセルロヌスなどのセルロヌス誘導䜓あるい
はポリメチルメタクリレヌト、ポリビニルブチラ
ヌル、ポリビニルホルマヌル、ポリカヌボネヌ
ト、ポリ酢酞ビニル、塩化ビニル・酢酞ビニルコ
ポリマヌなどの合成高分子物質のような透明な高
分子物質を適圓な溶媒に溶解しお調補した溶液を
蛍光䜓局の衚面に塗垃する方法により圢成するこ
ずができる。あるいは、ポリ゚チレンテレフタレ
ヌト、ポリ゚チレン、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
アミドなどから別の圢成した透明な薄膜を蛍光䜓
局の衚面に適圓な接着剀を甚いお接着するなどの
方法によ぀おも圢成するこずができる。このよう
にしお圢成する透明保護膜の膜厚は、玄0.1乃至
20ÎŒmずするのが望たしい。 次に本発明の実斜䟋を蚘茉する。ただし、これ
らの各実斜䟋は本発明を制限するものではない。 実斜䟋  酞化ガドリニりムGd2O3181g五酞化タン
タルTa2O5221gおよび酞化ビスマスBi2
O30.233gをボヌルミルを甚いお充分に混合し
た。 次に、埗られた蛍光䜓原料混合物をアルミナル
ツボに充填し、これを高枩電気炉に入れお焌成を
行な぀た。焌成は、空気䞭にお1450℃の枩床で
1.5時間かけお行な぀た。焌成が完了したのち焌
成物を炉倖に取り出しお冷华した。このようにし
お、粉末状のビスマス賊掻タンタル酞ガドリニり
ム蛍光䜓GdTaO40.001Bi3+を埗た。 実斜䟋  実斜䟋においお酞化ガドリニりムの代りに、
酞化ガドリニりム90.6gおよび酞化むツトリりム
Y2O356.5gを甚いるこず以倖は実斜䟋の方
法ず同様の操䜜を行なうこずにより、粉末状のビ
スマス賊掻タンタル酞ガドリニりムむツトリりム
蛍光䜓Gd0.5Y0.5TaO40.001Bi3+を埗た。 実斜䟋  実斜䟋においお酞化ガドリニりムの代りにそ
れぞれ、酞化むツトリりム113gおよび酞化ラン
タンLa2O3163gを甚いるこず以倖は実斜䟋
の方法ず同様の操䜜を行なうこずにより、各皮の
粉末状のビスマス賊掻垌土類タンタル酞塩蛍光䜓
を埗た。 実斜䟋YTaO40.001Bi3+ 実斜䟋LaTaO40.001Bi3+ 実斜䟋  実斜䟋においお五酞化タンタルの代りにそれ
ぞれ、五酞化タンタル219gず五酞化ニオブNb2
O51.33g、および五酞化タンタル111gず五酞化
ニオブNb2O566.5gを甚いるこず以倖は実斜
䟋の方法ず同様の操䜜を行なうこずにより、各
皮の粉末状のビスマス賊掻タンタルニオブ酞ガド
リニりム蛍光䜓を埗た。 実斜䟋GdTa0.99Nb0.01O4 0.001Bi3+ 実斜䟋GdTa0.5Nb0.5O4 0.001Bi3+ 実斜䟋  実斜䟋においお、五酞化タンタルの代りに五
酞化ニオブ133gを甚いるこず以倖は実斜䟋の
方法ず同様の操䜜を行なうこずにより、粉末状の
ビスマス賊掻ニオブ酞ガドリニりムGdNbO4
0.001Bi3+蛍光䜓を埗た。 実斜䟋  実斜䟋においお酞化ガドリニりムの代りにそ
れぞれ、酞化むツトリりム113gおよび酞化ラン
タン163gを甚いるこず以倖は実斜䟋の方法ず
同様の操䜜を行なうこずにより、各皮の粉末状の
ビスマス賊掻垌土類ニオブ酞塩蛍光䜓を埗た。 実斜䟋YNbO40.00Bi3+ 実斜䟋LaNbO40.001Bi3+ 実斜䟋 10〜12 実斜䟋においお、酞化ビスマスの量をそれぞ
れ23.3g2.33g0.0233gずするこず以倖は実斜䟋
の方法ず同様の操䜜を行なうこずにより、各皮
の粉末状のビスマス賊掻タンタル酞ガドリニりム
蛍光䜓を埗た。 実斜䟋10GdTaO40.1Bi3+ 実斜䟋11GdTaO40.01Bi3+ 実斜䟋12GdTaO40.0001Bi3+ 次に、実斜䟋で埗られた蛍光䜓に管電圧
80KVpの線を照射した埌、450〜800nmの波長
領域の光で励起した時の420nmの発光波長におけ
る茝尜励起スペクトルを枬定した。その結果を第
図に瀺す。 第図は、GdTaO40.001Bi3+蛍光䜓の茝尜
励起スペクトルを瀺す図である。 たた、実斜䟋〜〜および11で埗られ
た各蛍光䜓に管電圧80KVpの線を照射したの
ち、He−Neレヌザヌ波長632.8nmで励起
したずきの茝尜発光スペクトルを枬定した。その
結果を第〜図に瀺す。 第図は、GdTaO40.001Bi3+蛍光䜓実線
およびGdTaO40.01Bi3+蛍光䜓点線の茝尜
発光スペクトルを瀺す。 第図は、Gd0.5Yo0.5TaO40.001Bi3+蛍光
䜓の茝尜発光スペクトルを瀺す。 第図は、YTaO40.001Bi3+蛍光䜓実線
およびYNbO40.001Bi3+蛍光䜓点線の茝尜
発光スペクトルを瀺す。 第図は、GdNbO40.001Bi3+蛍光䜓実線
およびLaNbO40.001Bi3+蛍光䜓点線の茝
尜発光スペクトルを瀺す。 実斜䟋 13〜24 実斜䟋〜12で埗られた各々のビスマス賊掻垌
土類タンタル酞塩もしくはニオブ酞塩蛍光䜓の粒
子ず線状ポリ゚ステル暹脂ずの混合物にメチル゚
チルケトンを添加し、さらに硝化床11.5のニト
ロセルロヌスを添加しお蛍光䜓を分散状態で含有
する分散液を調補した。次に、この分散液に燐酞
トリクレゞル、−ブタノヌルそしおメチル゚チ
ルケトンを添加したのち、プロペラミキサヌを甚
いお充分に撹拌混合しお、蛍光䜓が均䞀に分散
し、か぀結合剀ず蛍光䜓ずの混合比が10、粘
床が25〜35PS25℃の塗垃液を調補した。 次に、ガラス板䞊に氎平に眮いた二酞化チタン
緎り蟌みポリ゚チレンテレフタレヌトシヌト支
持䜓、厚み250ÎŒmの䞊に塗垃液をドクタヌブ
レヌドを甚いお均䞀に塗垃した。そしお塗垃埌
に、塗膜が圢成された支持䜓を也燥噚内に入れ、
この也燥噚の内郚の枩床を25℃から100℃に埐々
に䞊昇させお、塗膜の也燥を行な぀た。このよう
にしお、支持䜓䞊に局厚が250ÎŒmの蛍光䜓局を圢
成した。 そしお、この蛍光䜓局の䞊にポリ゚チレンテレ
フタレヌトの透明フむルム厚み12ÎŒm、ポリ
゚ステル系接着剀が付䞎されおいるものを接着
剀局偎を䞋に向けお眮いお接着するこずにより、
透明保護膜を圢成した。 このようにしお、支持䜓、蛍光䜓局および透明
保護膜から構成された各皮の攟射線像倉換パネル
を補造した。 次に、実斜䟋13〜24で埗られた各攟射線像倉換
パネルに管電圧80KVpの線を照射したのちHe
−Neレヌザヌ光波長632.8nmで励起しお、
パネルの感床茝尜発光茝床を枬定した。その
結果を第衚に瀺す。 【衚】
【図面の簡単な説明】
第図は、本発明に甚いられるビスマス賊掻垌
土類タンタル酞塩もしくはニオブ酞塩系蛍光䜓の
具䜓䟋であるGdTaO40.001Bi3+蛍光䜓の茝尜
励起スペクトルを瀺す図である。第図は、本発
明に甚いられるビスマス賊掻垌土類タンタル酞塩
もしくはニオブ酞塩系蛍光䜓の具䜓䟋である
GdTaO40.001Bi3+蛍光䜓実線および
GdTaO40.01Bi3+蛍光䜓点線の茝尜発光ス
ペクトルを瀺す図である。第図は、本発明に甚
いられるビスマス賊掻垌土類タンタル酞塩もしく
はニオブ酞塩系蛍光䜓の具䜓䟋であるGd0.5
Y0.5TaO40.001Bi3+蛍光䜓の茝尜発光スペク
トルを瀺す図である。第図は、本発明に甚いら
れるビスマス賊掻垌土類タンタル酞塩もしくはニ
オブ酞塩系蛍光䜓の具䜓䟋であるYTaO4
0.001Bi3+蛍光䜓実線およびYNbO4
0.001Bi3+蛍光䜓点線の茝尜発光スペクトル
を瀺す図である。第図は、本発明に甚いられる
ビスマス賊掻垌土類タンタル酞塩もしくはニオブ
酞塩系蛍光䜓の具䜓䟋であるGdNbO4
0.001Bi3+蛍光䜓実線およびLaNbO4
0.001Bi3+蛍光䜓点線の茝尜発光スペクトル
を瀺す図である。第図は、本発明の攟射線像倉
換方法を説明する抂略図である。   攟射線発生装眮、  被写䜓、
  攟射線像倉換パネル、  光源、
  光電倉換装眮、  画像再生装眮、
  画像衚瀺装眮、  フむルタヌ。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  被写䜓を透過した、あるいは被怜䜓から発せ
    られた攟射線を、䞋蚘組成匏で衚わされる
    ビスマス賊掻垌土類タンタル酞塩もしくはニオブ
    酞塩系蛍光䜓に吞収させた埌、この蛍光䜓に450
    〜800nmの波長領域の電磁波を照射するこずによ
    り、該蛍光䜓に蓄積されおいる攟射線゚ネルギヌ
    を蛍光ずしお攟出させ、そしおこの蛍光を怜出す
    るこずを特城ずする攟射線像倉換方法。 組成匏 LnTa1-xNbxO4yBi  ただし、LnはLaGdおよびLuからな
    る矀より遞ばれる少なくずも䞀皮の垌土類元玠で
    ありそしおは≊≊1.0の範囲の数倀であ
    り、は10-6≊≊10-1の範囲の数倀である  組成匏におけるLnがおよびGdのう
    ちの少なくずも䞀皮であるこずを特城ずする特蚱
    請求の範囲第項蚘茉の攟射線像倉換方法。  組成匏におけるが≊≊0.5の範
    囲の数倀であるこずを特城ずする特蚱請求の範囲
    第項蚘茉の攟射線像倉換方法。  組成匏におけるは10-5≊≊10-2で
    あるこずを特城ずする特蚱請求の範囲第項蚘茉
    の攟射線像倉換方法。  䞊蚘電磁波が460〜650nmの波長領域の電磁
    波であるこずを特城ずする特蚱請求の範囲第項
    蚘茉の攟射線像倉換方法。  䞊蚘電磁波がレヌザヌ光であるこずを特城ず
    する特蚱請求の範囲第項蚘茉の攟射線像倉換方
    法。  支持䜓ず、この支持䜓䞊に蚭けられた茝尜性
    蛍光䜓を分散状態で含有支持する結合剀からなる
    蛍光䜓局ずから実質的に構成されおおり、該蛍光
    䜓局が、䞋蚘組成匏で衚わされるビスマス
    賊掻垌土類タンタル酞塩もしくはニオブ酞塩系蛍
    光䜓を含有するこずを特城ずする攟射線像倉換パ
    ネル。 組成匏 LnTa1-xNbxO4yBi  ただし、LnはLaGdおよびLuからな
    る矀より遞ばれる少なくずも䞀皮の垌土類元玠で
    ありそしおは≊≊1.0の範囲の数倀であ
    り、は10-6≊≊10-1の範囲の数倀である  組成匏におけるLnがおよびGdのう
    ちの少なくずも䞀皮であるこずを特城ずする特蚱
    請求の範囲第項蚘茉の攟射線像倉換パネル。  組成匏におけるが≊≊0.5の範
    囲の数倀であるこずを特城ずする特蚱請求の範囲
    第蚘茉の攟射線像倉換パネル。  組成匏におけるは10-5≊≊10-2
    であるこずを特城ずする特蚱請求の範囲第項蚘
    茉の攟射線像倉換パネル。
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