JPH047596B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は可撓性基板上に、第一層目として抵抗
層、更に第二層目として導体層を設けた抵抗層付
プリント回路基板に関する。更に詳しく、はポリ
イミドフイルムに代表される耐熱性フイルム、あ
るいは金属箔上に耐熱性樹脂を被覆した二層から
なる可撓性基板上に、第一層目として、酸化イン
ジウムが主成分である抵抗層を設け、更に第二層
として導体層を設けた事を特徴とする抵抗層付プ
リント回路基板に関するものである。 従来より抵抗層付プリント回路基板として、印
刷法、無電解メツキ法、蒸着法等によつて基板上
に形成したものがあるが、いずれもガラスセラミ
ツク等に代表される硬質基板上に形成されてい
る。したがつてこれらの基板を用いて実装する際
には、一様に平面的な場所が必要で、凹凸面や、
狭い平面上並びに局面上の間隙部分に実装する事
は不可能である。そこで上記の欠点を補うために
は、可撓性の優れた薄い基板を用いる事が必要に
なる。しかしながらこの様に可撓性のある基板に
抵抗層を設けた際の問題点は、ニクロムに代表さ
れる様に従来用いられている抵抗体はいずれも硬
度が大きいため、基板の変形に伴ないクラツクが
生じ、抵抗体としての使用が不可能であつた。 本発明は上記の問題点を解決したものであり、
可撓性基板の変形に対しては、抵抗体自体の伸び
によつてクロツクの発生を押さえ、種々の実装状
態の使用にも耐え、かつ抵抗体としてもニクロム
以上の性能を有する抵抗層付プリント基板を見出
したものである。 従来より抵抗体の要求性能としては、比抵抗が
高く、経時変化が少なく、かつ抵抗温度係数が小
さい事が望まれ、現在に至るまで多くの組成につ
いて検討されて来た。本発明による酸化インジウ
ムを主成分とする低抗体の場合には、ニクロム
（ニツケル：クロムの重量比80％：20％）に比べ
伸びが約20倍に増加する事を見出した。このため
所望の抵抗値を得るために、種々の基板の変形が
伴なうエツチング加工を経ても、抵抗値に異常が
ない抵抗体パターンが形成出来、更に種々の実装
状態に於いても、抵抗値変形が認められない、非
常に可撓性の優れた抵抗層付プリント回路基板を
得る事が出来た。又本発明の酸化インジウムを主
成分とする抵抗層は、ニクロムに比べ５倍以上の
比抵抗を有するため、パターン加工により、ニク
ロムに比べ広い抵抗値範囲の抵抗体を形成する事
が可能になり、又抵抗体の小型化が容易になつ
た。更に必要性能である経時変化や抵抗温度係数
についても、ニクロムと同等以上の性能を有する
事を見出した。又、最近の電子部品の高密度化に
伴ない実装する抵抗体の数も増加し、このため電
極部分との接合に掛かる工数がコストに大きな影
響を与えている。しかし本発明による抵抗層付プ
リント回路基板では、抵抗部分と電極部分が一体
化されているため、工程が省け、加工費の大巾な
削減が可能になる。 ここで電子材料に広く用いられているハンダに
よるリード線との接合を酸化インジウムを主成分
とする抵抗層に直接行なつた場合、ハンダ付着後
の急激な応力により抵抗層にクラツクが生じ、使
用しえない。 これは、ハンダの冷却の際に生じる応力は、ハ
ンダの破断強度に等しい応力が抵抗層に直接かか
り、境界面付近でクラツクと云う形で応力緩和が
計られるからである。 この点本発明によれば抵抗層上に導電層を形成
し、この導電層にハンダ付をするため抵抗層を保
護出来、安定したフレキシブル抵抗体となるもの
である。又、電子部品として用いるためには各種
境界下に於ける長時間の安定性が必要となるため
導電ペースト、導電ゴムを用いた電極付けでは、
不安定になる。特に本発明の目的である抵抗体と
して用いる場合には、高温多湿の環境下や抵抗温
度係数の点から、使用に耐えない。 以下に本発明を更に詳しく述べる。 本発明に於ける基板については、充分な可撓性
を有すれば特に制約はないが、高温使用目的の際
にはハンダ使用にも耐える耐熱性に優れたポリイ
ミド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルサルホ
ン等のフイルムあるいはこれらの樹脂を金属箔上
に接着した複合基板が最も望ましい。 特に基板として透明なポリエーテルイミド、ポ
リエーテルサルホンフイルムを用いた場合、面ス
イツチ等に使用出来る透明フレキシブル抵抗体と
なり多くの応用が期待出来る。 次に抵抗層としては、可撓性があり化学的に安
定な酸化インジウムを主成分とするものが良い。 ここで酸化インジウム以外の成分としては目的
とする比抵抗によつて異なるが、スズ、アンチモ
ン、カドミニウム、インジウム、アルミニウム、
チタン等あるいはこれらの酸化物が好ましい。
又、酸化インジウムの重量比は70〜98％である事
が好ましい。これは、98％以上になると絶縁物に
近づき、比抵抗が余りにも増大して一般的な抵抗
体としては使用しえなくなるためである。 又、酸化インジウムを主成分とする抵抗層の膜
厚は所望する抵抗値や面積の制限により変化する
が、比抵抗の安定する0.03μ〜0.2μが望ましい。
更に抵抗層上に形成する導体層は導電性、加工性
の上から銅が望ましい。 以下実施例により本発明を更に詳細に説明す
る。 実施例 １、２ 50μのポリイミドフイルム上並びに7.5μ厚の銅
箔上にポリイミド樹脂を10μ被覆した基板の樹脂
被覆上に、抵抗層として主成分として酸化インジ
ウムを84wt％との他の成分として酸化スズを
16wt％含む化合物をスパツタ法により0.1μの厚
みで形成し、更に導体層として銅を連続的に5μ
の厚みにスパツタ法により形成した抵抗層付プリ
ント基板を用いて、回路巾100μ、長さ８cmの薄
膜抵抗体を化学的なエツチング法により形成し
た。この薄膜抵抗体の可撓性と、ニクロムに対し
ての比抵抗の高低を第一表に示す。尚第一表中に
於ける可撓性とは、加工時の変形に伴なう異常個
所の有無並びに半径1.5mmの曲率面を巻く様に実
装した際の抵抗値変化の有無によつて示す。 比較例 １ 50μのポリイミドフイルムに、抵抗層としてニ
ツケル、クロムの重量比が80％、20％からなる合
金をスパツタ法により0.1μの厚みで形成し、更に
導体層として銅を連続的に5μの厚みにスパツタ
法により形成した抵抗層付プリント回路基板を用
いて、同様な薄膜抵抗体を形成したものの結果を
第一表に示す。

【表】 第一表で明らかな様に、本実施例による抵抗層
付プリント回路基板を用いて作成した薄膜抵抗体
は、ニクロムに比べ高い比抵抗を有し、かつ非常
に優れた可撓性を示す事がわかる。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 可撓性基板上に、第一層目として酸化インジ
   ウムが主成分である抵抗層を設け、更にその上に
   第二層目として導体層を設けたことを特徴とする
   フレキシブル抵抗層付プリント回路基板。 ２ 可撓性基板がポリイミド等の耐熱性樹脂フイ
   ルムである特許請求の範囲第１項記載の抵抗層付
   プリント回路基板。 ３ 可撓性基板が金属箔上に耐熱樹脂を被覆した
   二層からなるものである特許請求の範囲第１項記
   載の抵抗層付プリント回路基板。