JPH0476537B2 - - Google Patents

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Publication number
JPH0476537B2
JPH0476537B2 JP60233439A JP23343985A JPH0476537B2 JP H0476537 B2 JPH0476537 B2 JP H0476537B2 JP 60233439 A JP60233439 A JP 60233439A JP 23343985 A JP23343985 A JP 23343985A JP H0476537 B2 JPH0476537 B2 JP H0476537B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
current
output
base
npn
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP60233439A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6294019A (ja
Inventor
Akyasu Yokosuka
Masaru Maruta
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
Priority to JP60233439A priority Critical patent/JPS6294019A/ja
Publication of JPS6294019A publication Critical patent/JPS6294019A/ja
Publication of JPH0476537B2 publication Critical patent/JPH0476537B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/60Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
    • H03K17/615Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors in a Darlington configuration

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  • Electronic Switches (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、入力信号に応じて出力トランジスタ
の導通、しや断を制御するスイツチング回路に関
するものである。
[従来の技術] 従来のスイツチング回路の一例を第3図に示
す。ここで、定電流源CSを制御する入力トラン
ジスタQ1は、その入力信号Vinの大きさに応じ
て、出力トランジスタQ2の開放を制御してい
る。今、入力信号Vinがローレベルであるとする
と、出力トランジスタQ2は導通し、出力電流I0
が流れている。
一般に、トランジスタのコレクタ電流Icが大き
くなると、第3図に示すように、コレクタ・エミ
ツタ間の飽和電圧VCE(sat)を増えていく。従つて、
第3図の回路において、出力電流I0が小さいとき
には、出力トランジスタQ2のコレクタに現われ
る出力電圧V0は低く、トランジスタQ3のみが
導通して、トランジスタQ4はしや断状態にあ
る。従つて、この時の出力トランジスタQ2のベ
ース電流IBは、定電流源CSから取り出され、ト
ランジスタQ3より供給される電流I1だけとな
る。
次に、出力電流I0が大きくなつてくると、トラ
ンジスタQ2の電流増幅率には制限があるため、
ベース電流IBが定電流I1だけでは出力電流I0を流
し切れなくなつている。その時、出力電圧V0
上昇してくるので、トランジスタQ4が導通し、
ベース電流IBがトランジスタQ4からも供給さ
れ、出力電流I0に対して適当なベース電流となつ
たところで出力電圧V0は一定値に落ち着く。
以上の動作を、出力電圧I0に対する回路の消費
電流Icc関係で示すと、第5図のようになる。す
なわち、このスイツチング回路は、出力電流が小
さい時には、無駄な消費電流を省き、出力電流が
大きくなつて行くにつれて消費電流を増やして行
こうとするものであつた。
ところが、このスイツチング回路においては、
第5図に示すように、出力電流I0が増加するのに
つれて消費電流Iccも増加してしまい、したがつ
て、低消費電流化に相反するという欠点があつ
た。
[発明が解決しようとする問題点] そこで、本発明の目的は、上述の欠点を除去
し、出力電流が増加しても消費電流は増加するこ
となく略々一定に保たれるように構成したスイツ
チング回路を提供することにある。
[問題点を解決するための手段] 上記目的を達成するために、本発明は、定電流
源を制御するNPNトランジスタと、NPN出力ト
ランジスタと、エミツタは該NPN出力トランジ
スタのコレクタに接続し、コレクタは該NPN出
力トランジスタのベースに接続するPNPトラン
ジスタと、ベースは前記定電流電源に接続し、エ
ミツタは前記NPN出力トランジスタのベースに
接続し、コレクタは前記PNPトランジスタのベ
ースに接続するNPNトランジスタとを具備した
ことを特徴とする。
[作用] 本発明では、入力トランジスタと出力トランジ
スタの間にNPNトランジスタを接続して出力ト
ランジスタのベース電流を出力電流から供給させ
るように構成したので、出力電圧V0の飽和電圧
を低く抑えることができ、また低い電源電圧にも
有効に適用できる。
従つて、本発明によれば、出力電流の大きさが
変化しても消費電流は略一定に保たれ、以て出力
電流が増大しても低消費電力化を達成できる。
[実施例] 以下、図面を参照して本発明を詳細に説明す
る。
本発明の一実施例を第1図に示す。ここで、第
3図示の従来回路と同様の機能部分については同
一の記号を付してある。第1図の回路における第
3図の回路との相違点は、トランジスタQ3およ
びQ4を取り除き、NPNトランジスタQ5と
NPNトランジスタQ6を設けた点である。すな
わち、トランジスタQ5のエミツタを出力トラン
ジスタQ2のコレクタに、同ベースをトランジス
タQ6のコレクタにおよび同コレクタを出力トラ
ンジスタQ2のベースに接続し、トランジスタQ
6のベースを入力トランジスアQ1のコレクタ
に、同エミツタを出力トランジスタQ2のベース
に接続する。
次に、第1図の回路の動作原理について説明す
る。
出力電流I0が小さいときには、トランジスタQ
6のベースに定電流源CSからの定電流I1が流れ、
これにより出力トランジスタQ2に対してベース
電流IBを供給することになる。一方、出力電流I0
が大きくなつてくると、出力トランジスタQ2の
飽和電圧が上昇し、トランジスタQ5が導通する
ことになる。
従つて、この第1図示のスイツチング回路にお
いては、出力電流I0が大きくなつたときには、出
力トランジスタQ2に対するベース電流が、導通
状態のトランジスタQ5により負荷電流I0からも
供給されるので、第2図に示すように、消費電流
Iccは略一定であり、出力電流I0の大きさに拘わ
らず一定となり、以て低消費電流化を達成でき
る。
[発明の効果] 以上説明したように、本発明によれば、入力ト
ランジスタと出力トランジスタの間にNPNトラ
ンジスタを接続して出力トランジスタのベース電
流を出力電流から供給させるように構成したの
で、出力電圧V0の飽和電圧を低く抑えることが
でき、また低い電源電圧にも有効に適用できる。
従つて、本発明によれば、出力電流の大きさが
変化しても消費電流は略一定に保たれ、以て出力
電流が増大しても低消費電力化を達成できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す回路図、第2
図はその出力電流特性図、第3図は従来のスイツ
チング回路の一例を示す回路図、第4図はトラン
ジスタのIc−VCE(sat)特性図、第5図は従来の出力
電流特性図である。 Q1……入力トランジスタ、Q2……出力トラ
ンジスタ、Q5……PNPトランジスタ、Q6…
…NPNトランジスタ、CS……定電流源。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 定電流源を制御するNPNトランジスタと、 NPN出力トランジスタと、 エミツタは該NPN出力トランジスタのコレク
    タに接続し、コレクタは該NPN出力トランジス
    タのベースに接続するPNPトランジスタと、 ベースは前記定電流電源に接続し、エミツタは
    前記NPN出力トランジスタのベースに接続し、
    コレクタは前記PNPトランジスタのベースに接
    続するNPNトランジスタと を具備したことを特徴とするスイツチング回路。
JP60233439A 1985-10-21 1985-10-21 スイッチング回路 Granted JPS6294019A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60233439A JPS6294019A (ja) 1985-10-21 1985-10-21 スイッチング回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60233439A JPS6294019A (ja) 1985-10-21 1985-10-21 スイッチング回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6294019A JPS6294019A (ja) 1987-04-30
JPH0476537B2 true JPH0476537B2 (ja) 1992-12-03

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ID=16955058

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JP60233439A Granted JPS6294019A (ja) 1985-10-21 1985-10-21 スイッチング回路

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JP (1) JPS6294019A (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3123667C2 (de) * 1981-06-15 1985-04-18 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Darlington-Transistorschaltung

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6294019A (ja) 1987-04-30

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