JPH0476931A - 半導体素子実装装置 - Google Patents
半導体素子実装装置Info
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- JPH0476931A JPH0476931A JP19016790A JP19016790A JPH0476931A JP H0476931 A JPH0476931 A JP H0476931A JP 19016790 A JP19016790 A JP 19016790A JP 19016790 A JP19016790 A JP 19016790A JP H0476931 A JPH0476931 A JP H0476931A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 49
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 59
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 28
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 17
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体素子実装装置に関し、特に詳細には、半
導体素子をフェースダウンボンディングで基板上に実装
する半導体素子実装装置に関する。
導体素子をフェースダウンボンディングで基板上に実装
する半導体素子実装装置に関する。
近年、半導体素子を基板上に実装する際、実装密度及び
作業性の点からフェースダウン方式において、フリップ
チップ実装技術が注目されるようになってきた。この方
法は、「エレクトロニック・パッケージング・テクノロ
ジーJの1989年12月号に掲載された[フリップチ
ップ実装の技術動向」と題する文献に記載されている。
作業性の点からフェースダウン方式において、フリップ
チップ実装技術が注目されるようになってきた。この方
法は、「エレクトロニック・パッケージング・テクノロ
ジーJの1989年12月号に掲載された[フリップチ
ップ実装の技術動向」と題する文献に記載されている。
そして、フリップチップをフェースダウン方式で基板上
に実装する際、半導体素子を実装する基板面に対して平
行に保った状態でフェースダウンしなければならない。
に実装する際、半導体素子を実装する基板面に対して平
行に保った状態でフェースダウンしなければならない。
しかし、従来は実装装置の最初の調節の際、ボンディン
グツールと基板面との平行度を調整した後は、調節をお
こなわずフェースダウンボンディングを実施していた。
グツールと基板面との平行度を調整した後は、調節をお
こなわずフェースダウンボンディングを実施していた。
このような方法では、半導体素子を基板面に対して確実
にボンディングできない場合があった。そこで、フェー
スダウンボンディング中に半導体素子を吸着保持したソ
ールの真横にTV左カメラを設け、このカメラ等で、半
導体素子を観察し、ツールと基板との平行度を観察しつ
つフェースダウンを行っていた。
にボンディングできない場合があった。そこで、フェー
スダウンボンディング中に半導体素子を吸着保持したソ
ールの真横にTV左カメラを設け、このカメラ等で、半
導体素子を観察し、ツールと基板との平行度を観察しつ
つフェースダウンを行っていた。
しかし、上記のような従来の装置では、バンプが設けら
れた半導体素子とこれがボンディングされる基板との間
では、10mm当たり数μm程度の平行度しか実現でき
ず、その結果、フリップチップのバンプ高さか10μm
以下となるような高密度化に伴う微細化に十分対応する
ことができなかった。
れた半導体素子とこれがボンディングされる基板との間
では、10mm当たり数μm程度の平行度しか実現でき
ず、その結果、フリップチップのバンプ高さか10μm
以下となるような高密度化に伴う微細化に十分対応する
ことができなかった。
本発明は上記課題を解決し、高密度化に伴い微細化に対
応できる半導体素子実装装置を提供することを目的とす
る。
応できる半導体素子実装装置を提供することを目的とす
る。
本発明の半導体素子実装装置は、吸着面を有し、片面に
バンプ電極が形成されている半導体素子を反対面で吸着
面に吸着させて保持するポンプイングツ〜ルと、半導体
素子が実装される基板を保持する保持部材と、ボンディ
ングツールを保持部材に対して移動させる移動機構と、
保持部材の基板保持面の周囲に設けられ、保持部材内に
収納可能で、その先端部が基板保持面に対して平行な面
を画成する少なくとも3本以上の導電ピンと、吸着面の
周囲であって、導電ピンに対応する位置に設けられた導
電部と、導電ピンと導電部との対にそれぞれ設けられ、
導電ピンと導電部との接触状態を電気的に検出する電気
検出手段とを備えたことを特徴とする。
バンプ電極が形成されている半導体素子を反対面で吸着
面に吸着させて保持するポンプイングツ〜ルと、半導体
素子が実装される基板を保持する保持部材と、ボンディ
ングツールを保持部材に対して移動させる移動機構と、
保持部材の基板保持面の周囲に設けられ、保持部材内に
収納可能で、その先端部が基板保持面に対して平行な面
を画成する少なくとも3本以上の導電ピンと、吸着面の
周囲であって、導電ピンに対応する位置に設けられた導
電部と、導電ピンと導電部との対にそれぞれ設けられ、
導電ピンと導電部との接触状態を電気的に検出する電気
検出手段とを備えたことを特徴とする。
本発明の半導体素子実装装置では、先端部が基板保持面
に平行な面を画成する複数の導電ピンが基板保持面より
突出して設けられ、かっこの導電ピンに対応したボンデ
ィングツールの先端部には、吸着面に対して平行な面を
構成する複数の導電部が設けられている。そのたぬ、ボ
ンディングツルを保持部材に向けて移動させ、この導電
性ピンとボンディングツール上に導電ピンに対応して設
けた導電部との接触状態を見ることにより、ボンディン
グツールの吸着面の傾斜状態を正確に検知できる。そし
てこの検知された結果により、ボンディングツールの傾
斜状態を補正し、ボンディングツール上の半導体素子の
面を基板め素子搭載面に対して平行にすることができる
。
に平行な面を画成する複数の導電ピンが基板保持面より
突出して設けられ、かっこの導電ピンに対応したボンデ
ィングツールの先端部には、吸着面に対して平行な面を
構成する複数の導電部が設けられている。そのたぬ、ボ
ンディングツルを保持部材に向けて移動させ、この導電
性ピンとボンディングツール上に導電ピンに対応して設
けた導電部との接触状態を見ることにより、ボンディン
グツールの吸着面の傾斜状態を正確に検知できる。そし
てこの検知された結果により、ボンディングツールの傾
斜状態を補正し、ボンディングツール上の半導体素子の
面を基板め素子搭載面に対して平行にすることができる
。
以下、図面を参照しつつ本発明に従う実施例を説明して
いく。
いく。
第1図は本発明に従う半導体素子実装装置の一実施例の
構成図である。
構成図である。
第1図に示すように、半導体素子実装装置は、半導体素
子1を搭載するボンディングツール2と、半導体素子が
実装される半導体基板を保持する基板保持部12と、ボ
ンディングツール2と基板保持部12との平行度を検出
する電気検出部4とを備えている。
子1を搭載するボンディングツール2と、半導体素子が
実装される半導体基板を保持する基板保持部12と、ボ
ンディングツール2と基板保持部12との平行度を検出
する電気検出部4とを備えている。
このボンディングツール2の先端部には、半導体素子1
を吸着固定する平面2a(吸着面)が形成されている。
を吸着固定する平面2a(吸着面)が形成されている。
そして、この平面2aの中央部には、真空ポンプ20に
接続された貫通口2bが形成されている。更に、このボ
ンディングツール2には、第2図(a)に示すように、
貫通口2bの中心部を中心にして120度の角度で振り
分けられた位置であって、後述する基板保持部12上に
固定された基板の対応する位置から外れた位置に導電部
13.14.15が設けられている。そして、これらの
導電部13等は後に述べる導電ピン9.10,11に対
応する位置に設けられ、このボンディングツール2があ
る程度傾斜しても、それぞれ導電ピン13.14.15
に当接できるように十分な面積をもち、その上面はボン
ディングツール2の吸着面2aに対して平行となってい
る。
接続された貫通口2bが形成されている。更に、このボ
ンディングツール2には、第2図(a)に示すように、
貫通口2bの中心部を中心にして120度の角度で振り
分けられた位置であって、後述する基板保持部12上に
固定された基板の対応する位置から外れた位置に導電部
13.14.15が設けられている。そして、これらの
導電部13等は後に述べる導電ピン9.10,11に対
応する位置に設けられ、このボンディングツール2があ
る程度傾斜しても、それぞれ導電ピン13.14.15
に当接できるように十分な面積をもち、その上面はボン
ディングツール2の吸着面2aに対して平行となってい
る。
更に、ボンディングツール2は、実装装置に装着される
基板3の半導体素子搭載面3aをXY平面としたとき、
このXY平面に対して直交する方向Zに移動可能であり
、更に、このXY平面に平行で、平面2a上の貫通孔2
bの中心を通る平面を規定するXY両軸に対してそれぞ
れ回転角θX、θy力方向調節可能に保持されている。
基板3の半導体素子搭載面3aをXY平面としたとき、
このXY平面に対して直交する方向Zに移動可能であり
、更に、このXY平面に平行で、平面2a上の貫通孔2
bの中心を通る平面を規定するXY両軸に対してそれぞ
れ回転角θX、θy力方向調節可能に保持されている。
・この半導体素子実装装置の基板保持部12は、基板3
をその下面全面で支持し、基板3を所定の位置に保持固
定する固定機構(図示せず)を備えている。そして、こ
の基板保持部12の基板保持領域の外側領域には、3つ
のビン機構5.6.7が設けられである。そして、これ
らのビン機構う等は全て同じ構造なので、ピン機1’5
を例に挙げて説明する。このビン機構5は、第1図に示
すように、円筒状のシリンダ部5aとこのシリンダ、部
5aに接続され、これを保持部材12内に収納する駆動
機構(図示せず)を備えている。更にこのシリンダ部5
aは、導電性の材料より構成された導電ピン9とこの導
電ピン9の先端部9aを基板保持部12の基板保持面1
2aより突出させるように導電ピン9の底部を押圧する
ように圧縮スプリング8が配置されている。
をその下面全面で支持し、基板3を所定の位置に保持固
定する固定機構(図示せず)を備えている。そして、こ
の基板保持部12の基板保持領域の外側領域には、3つ
のビン機構5.6.7が設けられである。そして、これ
らのビン機構う等は全て同じ構造なので、ピン機1’5
を例に挙げて説明する。このビン機構5は、第1図に示
すように、円筒状のシリンダ部5aとこのシリンダ、部
5aに接続され、これを保持部材12内に収納する駆動
機構(図示せず)を備えている。更にこのシリンダ部5
aは、導電性の材料より構成された導電ピン9とこの導
電ピン9の先端部9aを基板保持部12の基板保持面1
2aより突出させるように導電ピン9の底部を押圧する
ように圧縮スプリング8が配置されている。
シリンダ部5aは駆動機構から伸びるロンド5cに結合
されている。この駆動機構は、シリンダ部5aを基板保
持面12aに対して垂直方向に移動するように構成され
、その導電ピン9の先端部9aを基板保持部12の内部
に収納可能にしている。このように構成された駆動機構
、シリンダ部、導電ピンか3対基板保持部12に設けら
れている。そして、この3本の導電ピン9.10.11
の先端部は無負荷状態で、基板保持面12aに対して平
行な面を画成している。
されている。この駆動機構は、シリンダ部5aを基板保
持面12aに対して垂直方向に移動するように構成され
、その導電ピン9の先端部9aを基板保持部12の内部
に収納可能にしている。このように構成された駆動機構
、シリンダ部、導電ピンか3対基板保持部12に設けら
れている。そして、この3本の導電ピン9.10.11
の先端部は無負荷状態で、基板保持面12aに対して平
行な面を画成している。
電気検出部4は、先に説明した導電ピンと導電部との対
に対してそれぞれ設けられ、それらは同し構造を有して
いる。そのため、導電ピン9と導電部13との対に対し
て設けである電気検出部4について説明する。この電気
検出部4は、互いに直列に接続された電源部16と電流
検出器17とを備え、第1図に示すように電源部16の
一端は、導電部13の一端に、又、電流検出器17の一
端は導電ピン12に接続されている。そして、導電ピン
9の先端部9aが導電部13に接触して導通状態となっ
たとき、電流検出器17は、そこに流れる電流を検知し
、接触したことを指示するように構成されている。この
ような電気検出部か導電ピン7.8.9と導電部13.
14.15との対のそれぞれ独立に設けである。
に対してそれぞれ設けられ、それらは同し構造を有して
いる。そのため、導電ピン9と導電部13との対に対し
て設けである電気検出部4について説明する。この電気
検出部4は、互いに直列に接続された電源部16と電流
検出器17とを備え、第1図に示すように電源部16の
一端は、導電部13の一端に、又、電流検出器17の一
端は導電ピン12に接続されている。そして、導電ピン
9の先端部9aが導電部13に接触して導通状態となっ
たとき、電流検出器17は、そこに流れる電流を検知し
、接触したことを指示するように構成されている。この
ような電気検出部か導電ピン7.8.9と導電部13.
14.15との対のそれぞれ独立に設けである。
上記のように構成したことにより、ボンディングツール
2を基板保持部12に対して下降させていったとき、も
しンボンデイングッール2の素子吸着面2aが基板保持
部12基板保持面12aに対して傾斜している場合には
、電気検出部4.5.6のうち、傾斜面の一番下側に近
い導電ピンと導電部とが接触し、この対に対応する電気
検出器が、その接触を検知する。これにより、どの電気
検出器か真っ先に電流を検出したかにより、どの部分か
一番低くなっているか、すなわちどの方向に傾斜してい
るかを知ることができる。
2を基板保持部12に対して下降させていったとき、も
しンボンデイングッール2の素子吸着面2aが基板保持
部12基板保持面12aに対して傾斜している場合には
、電気検出部4.5.6のうち、傾斜面の一番下側に近
い導電ピンと導電部とが接触し、この対に対応する電気
検出器が、その接触を検知する。これにより、どの電気
検出器か真っ先に電流を検出したかにより、どの部分か
一番低くなっているか、すなわちどの方向に傾斜してい
るかを知ることができる。
また、最初の電流検知の後、更にボンディングツール2
を下降させ、次にどの電気検出器で電流検知か行われる
かを調べることにより、さらに正確に、ボンディングツ
ール2の傾斜方向、傾斜の程度を知ることもかできる。
を下降させ、次にどの電気検出器で電流検知か行われる
かを調べることにより、さらに正確に、ボンディングツ
ール2の傾斜方向、傾斜の程度を知ることもかできる。
そして、全ての電気検出器が同時に電流検知をしたとき
は、ボンディングツール2の吸着面か、基板保持部12
の保持布12aに平行となっている。ここで、基板3の
下面は、基板3の上面3aに対して平行に構成され、3
本の導電ピンの先端により構成される平面が、ボンディ
ングツール2に搭載した半導体素子1のフェースダウン
ボンディング面に対して平行となるように構成しである
。
は、ボンディングツール2の吸着面か、基板保持部12
の保持布12aに平行となっている。ここで、基板3の
下面は、基板3の上面3aに対して平行に構成され、3
本の導電ピンの先端により構成される平面が、ボンディ
ングツール2に搭載した半導体素子1のフェースダウン
ボンディング面に対して平行となるように構成しである
。
そのため、3つの電気検出器で同時に電流検知がされた
ときは、半導体素子1のボンディング面と基板3の上面
3aとが、平行になっている。
ときは、半導体素子1のボンディング面と基板3の上面
3aとが、平行になっている。
次に、上記装置を使用して、半導体素子1を基板3上の
半導体素子搭載面3a上にフェースダウンボンディング
する方法について、第3図を用いて説明する。
半導体素子搭載面3a上にフェースダウンボンディング
する方法について、第3図を用いて説明する。
まず、駆動機構を作動させ、シリンダ部5a等を動かし
、導電ピンを基板保持部12内に収納した後、基板3を
基板保持部12上の所定の位置に固定する。次に、バン
プ電極か形成されている面の反対面がボンディングツー
ル2の貫通孔2bを覆うように半導体素子1をセットし
、真空ポンプ20て貫通孔2b内を真空吸引して、半導
体素子1をボンディングツール2の先端部に吸着固定す
る(第3図(a)参照)。
、導電ピンを基板保持部12内に収納した後、基板3を
基板保持部12上の所定の位置に固定する。次に、バン
プ電極か形成されている面の反対面がボンディングツー
ル2の貫通孔2bを覆うように半導体素子1をセットし
、真空ポンプ20て貫通孔2b内を真空吸引して、半導
体素子1をボンディングツール2の先端部に吸着固定す
る(第3図(a)参照)。
次に、駆動機構を作動させ、導電ピン9等を基板保持面
から突出させる。
から突出させる。
次に、ボンディングツール2を−Z力方向徐々に下降さ
せていく。下降中、どの電気検出部において、電流が検
出されるかを観察する。第3図(b)は、3本の導電ピ
ンのうち、−本の導電ピンか、対応する導電部に接触し
た状態を示している。この状態では、接触している導電
ピンと導電部との対に対応する電流検知器か電流を検知
し、接触したことを表示する。
せていく。下降中、どの電気検出部において、電流が検
出されるかを観察する。第3図(b)は、3本の導電ピ
ンのうち、−本の導電ピンか、対応する導電部に接触し
た状態を示している。この状態では、接触している導電
ピンと導電部との対に対応する電流検知器か電流を検知
し、接触したことを表示する。
そこで、次に、ボンディングツール2を2方向こ上昇さ
せ、接触している導電ピンと導電部とを離間させた後、
先の電流検知した電流検知器に対応する導電ピンの位置
する部分が他の2つの導電ピンか設けられている位置に
対して同し高さになるようにボンディングツール2のX
軸方向の回転角θxSY軸方向の回転角θyを微調整す
る。そして、再度、ボンディングツール2を−Z力方向
移動し、電流検知器の電流検知状態を観察する。
せ、接触している導電ピンと導電部とを離間させた後、
先の電流検知した電流検知器に対応する導電ピンの位置
する部分が他の2つの導電ピンか設けられている位置に
対して同し高さになるようにボンディングツール2のX
軸方向の回転角θxSY軸方向の回転角θyを微調整す
る。そして、再度、ボンディングツール2を−Z力方向
移動し、電流検知器の電流検知状態を観察する。
全ての電流検知器か同時に電流を検知するまで、上記ボ
ンディングツール2の上下降、傾斜調整を繰返す。そし
て、全ての電流検知器が同時に電流検知をするようにな
った状態で、ボンディングツール2の傾斜を固定しする
。この状態を第3図(C)に示す。
ンディングツール2の上下降、傾斜調整を繰返す。そし
て、全ての電流検知器が同時に電流検知をするようにな
った状態で、ボンディングツール2の傾斜を固定しする
。この状態を第3図(C)に示す。
その後、駆動機構を作動し導電ピン9等を基板保持面1
2a内に収納した後、ボンディングツル2を−Z方向に
移動させ、半導体素子1を基板3の上面3a上にフェー
スダウンボンディングする。
2a内に収納した後、ボンディングツル2を−Z方向に
移動させ、半導体素子1を基板3の上面3a上にフェー
スダウンボンディングする。
二のようにして、半導体素子1のバンプ電極が形成され
ている面と、基板の半導体素子搭載面3aとの平行度を
簡単にかつ精度よく検出てき、この検出結果に基づいて
、ボンディングツール2の傾斜を調整することにより、
高精度なフェースダウンボンディングを実施することが
できる。
ている面と、基板の半導体素子搭載面3aとの平行度を
簡単にかつ精度よく検出てき、この検出結果に基づいて
、ボンディングツール2の傾斜を調整することにより、
高精度なフェースダウンボンディングを実施することが
できる。
本発明は上記実施例に限定されず種々の変形例が考えら
れ得る。
れ得る。
具体的には、上記実施例で使用する装置では、3対の導
電ピンと導電部とを設けているが、3対以上であれば、
幾つでもよい。この導電ピンと導電部との組み合わせの
数を増加させることにより、ボンディングツール2の傾
斜状態をより詳しく知ることができる。
電ピンと導電部とを設けているが、3対以上であれば、
幾つでもよい。この導電ピンと導電部との組み合わせの
数を増加させることにより、ボンディングツール2の傾
斜状態をより詳しく知ることができる。
また、上記実施例では、導電ピンの先端により形成され
る面をボンディングツール2上の半導体素子面に平行と
なるように構成し、また導電部の上面を基板上面と平行
となるように構成しているか、このように構成せず、半
導体素子の上面と基板上面とか平行な状態になった状態
で全ての導電ピンか導電部に同時に接触するように構成
しておいてもよい。
る面をボンディングツール2上の半導体素子面に平行と
なるように構成し、また導電部の上面を基板上面と平行
となるように構成しているか、このように構成せず、半
導体素子の上面と基板上面とか平行な状態になった状態
で全ての導電ピンか導電部に同時に接触するように構成
しておいてもよい。
また、上記実施例において、ボンディングツル2の傾斜
を調整することかできるステッピングモータ等の電気制
御型の傾斜駆動機構と導電ピンを基板保持部12内に収
容できるようにソレノイドのような電気制御型の駆動機
構を設け、更に、ボンディングツール2を2方向に移動
させる駆動機構を電気制御型にして、これらを制御する
、例えば、マイクロコンピュータのような電子制御装置
を設けておくことにより、自動的に半導体素子のバンプ
電極が形成されている面を基板の半導体素子搭載面に対
して平行に調節し、フェースダウンボンディングを実施
させることができる。具体的には電子制御装置は、Z方
向にボンディングツ−ル2を移動させる移動機構を付勢
する。これによりボンディングツール2か−Z方向に移
動する。
を調整することかできるステッピングモータ等の電気制
御型の傾斜駆動機構と導電ピンを基板保持部12内に収
容できるようにソレノイドのような電気制御型の駆動機
構を設け、更に、ボンディングツール2を2方向に移動
させる駆動機構を電気制御型にして、これらを制御する
、例えば、マイクロコンピュータのような電子制御装置
を設けておくことにより、自動的に半導体素子のバンプ
電極が形成されている面を基板の半導体素子搭載面に対
して平行に調節し、フェースダウンボンディングを実施
させることができる。具体的には電子制御装置は、Z方
向にボンディングツ−ル2を移動させる移動機構を付勢
する。これによりボンディングツール2か−Z方向に移
動する。
この電子制御装置は、電気検知部に接続され、電気検知
部からの導電ピンと導電部との接触状態の検出結果に基
づき、傾斜駆動機構を付勢させ、ボンディングツールの
傾斜の調節を行なわせる。調整終了後、この電子制御装
置は、導電ピンの駆動機構を付勢し、導電ピンを基板保
持部12内に収納させ、その後、移動機構を付勢してフ
ェースダウンボンディングを行う。
部からの導電ピンと導電部との接触状態の検出結果に基
づき、傾斜駆動機構を付勢させ、ボンディングツールの
傾斜の調節を行なわせる。調整終了後、この電子制御装
置は、導電ピンの駆動機構を付勢し、導電ピンを基板保
持部12内に収納させ、その後、移動機構を付勢してフ
ェースダウンボンディングを行う。
本発明の半導体素子実装装置では、先に説明したように
、基板保持部に設けた導電ピンとボンディングツールに
設けた導電部との当接状態を、電気的に検知し、その検
知結果から半導体素子と基板との平行度を精度よく検出
しているので、微細なバンプを有する半導体素子におい
ても確実なフェースダウンボンディングを行うことがで
きる。
、基板保持部に設けた導電ピンとボンディングツールに
設けた導電部との当接状態を、電気的に検知し、その検
知結果から半導体素子と基板との平行度を精度よく検出
しているので、微細なバンプを有する半導体素子におい
ても確実なフェースダウンボンディングを行うことがで
きる。
第1図は本発明の一実施例の半導体素子実装装置の構成
を示す図、第2図は第1図に示すボンディングツールの
導電ピンの配置状態を示す図、第3図は第1図に示す実
施例の装置で半導体素子を実装する際のボンディングツ
ールと基板保持部との関係を示す図である。 1・・半導体素子、2・・ボンディングツール、3・・
基板、4・・・電気検知部、5.6.7・・ピン機構、
5a・・シリンダ部、8・・圧縮スプリング、9.10
.11・・・導電ピン、12・・基板保持部、13.1
4.15・・導電部、16・・・電源、17・・・電流
検知器。 代理人弁理士 長谷用 芳 同 寺 崎 史樹 朗 第1図 第2図 動作(前半) 第3図(1) 動作(後半) 第3図(2)
を示す図、第2図は第1図に示すボンディングツールの
導電ピンの配置状態を示す図、第3図は第1図に示す実
施例の装置で半導体素子を実装する際のボンディングツ
ールと基板保持部との関係を示す図である。 1・・半導体素子、2・・ボンディングツール、3・・
基板、4・・・電気検知部、5.6.7・・ピン機構、
5a・・シリンダ部、8・・圧縮スプリング、9.10
.11・・・導電ピン、12・・基板保持部、13.1
4.15・・導電部、16・・・電源、17・・・電流
検知器。 代理人弁理士 長谷用 芳 同 寺 崎 史樹 朗 第1図 第2図 動作(前半) 第3図(1) 動作(後半) 第3図(2)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、吸着面を有し、片面にバンプ電極が形成されている
半導体素子を反対面で吸着面に吸着させて保持するボン
ディングツールと、 前記半導体素子が実装される基板を保持する保持部材と
、 前記ボンディングツールを前記保持部材に対して移動さ
せる移動機構と、 前記保持部材の基板保持面の周囲に設けられ、前記保持
部材内に収納可能で、その先端部が前記基板保持面に対
して平行な面を画成する少なくとも3本以上の導電ピン
と、 前記吸着面の周囲であって、前記導電ピンに対応する位
置に設けられた導電部と、 前記導電ピンと前記導電部との対にそれぞれ設けられ、
前記導電ピンと導電部との接触状態を電気的に検出する
電気検出手段とを備えた半導体素子実装装置。 2、前記ボンディングツールがその吸着面の基板保持面
に対する傾斜を調整できる傾斜調整機構を含み、前記基
板保持部が前記導電ピンを収納させる収納機構とを含み
、前記半導体素子実装装置か前記電気検出手段での検出
に基づいて前記傾斜調整機構と前記収納機構と前記移動
機構とを制御する制御手段を含む請求項1記載の半導体
素子実装装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19016790A JPH0476931A (ja) | 1990-07-18 | 1990-07-18 | 半導体素子実装装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19016790A JPH0476931A (ja) | 1990-07-18 | 1990-07-18 | 半導体素子実装装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0476931A true JPH0476931A (ja) | 1992-03-11 |
Family
ID=16253551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19016790A Pending JPH0476931A (ja) | 1990-07-18 | 1990-07-18 | 半導体素子実装装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0476931A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0494553A (ja) * | 1990-08-10 | 1992-03-26 | Nippon Steel Corp | ボンディング装置 |
| WO2016024364A1 (ja) * | 2014-08-13 | 2016-02-18 | 株式会社新川 | 実装装置および測定方法 |
| JPWO2022024291A1 (ja) * | 2020-07-30 | 2022-02-03 |
-
1990
- 1990-07-18 JP JP19016790A patent/JPH0476931A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0494553A (ja) * | 1990-08-10 | 1992-03-26 | Nippon Steel Corp | ボンディング装置 |
| WO2016024364A1 (ja) * | 2014-08-13 | 2016-02-18 | 株式会社新川 | 実装装置および測定方法 |
| US10492351B2 (en) | 2014-08-13 | 2019-11-26 | Shinkawa Ltd. | Mounting apparatus and measuring method |
| JPWO2022024291A1 (ja) * | 2020-07-30 | 2022-02-03 | ||
| WO2022024291A1 (ja) * | 2020-07-30 | 2022-02-03 | 株式会社新川 | 実装装置及び実装装置における平行度検出方法 |
| US12018936B2 (en) | 2020-07-30 | 2024-06-25 | Shinkawa Ltd. | Mounting apparatus and parallelism detection method in mounting apparatus |
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