JPH0476959A - 半導体圧力センサの製造方法 - Google Patents
半導体圧力センサの製造方法Info
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- JPH0476959A JPH0476959A JP19129690A JP19129690A JPH0476959A JP H0476959 A JPH0476959 A JP H0476959A JP 19129690 A JP19129690 A JP 19129690A JP 19129690 A JP19129690 A JP 19129690A JP H0476959 A JPH0476959 A JP H0476959A
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- forming
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- forming step
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
この発明は半導体圧力センサの製造方法、特に、シリコ
ン基板の一部の肉厚を薄くしてダイヤフラムを形成し、
そのダイヤフラムに対応してシリコン基板上に抵抗を形
成し、上記ダイヤフラムに加わる圧力によりシリコン基
板とともに抵抗を変形させ、この変形による抵抗値の変
化を検出して圧力を測定する半導体圧力センサの製造方
法に関するものである。
ン基板の一部の肉厚を薄くしてダイヤフラムを形成し、
そのダイヤフラムに対応してシリコン基板上に抵抗を形
成し、上記ダイヤフラムに加わる圧力によりシリコン基
板とともに抵抗を変形させ、この変形による抵抗値の変
化を検出して圧力を測定する半導体圧力センサの製造方
法に関するものである。
第６図は例えば特開昭６３−１５６３６５号公報に示さ
れた従来の半導体圧力センサの製造方法を示す図であり
、第１の単結晶シリコン基板１の主表面上の所定領域に
形成したシリコン酸化層２をマスクとしてエツチングし
く第６図ａ）、凹部３を形成する（第６図ｂ）。
れた従来の半導体圧力センサの製造方法を示す図であり
、第１の単結晶シリコン基板１の主表面上の所定領域に
形成したシリコン酸化層２をマスクとしてエツチングし
く第６図ａ）、凹部３を形成する（第６図ｂ）。
一方、第２の単結晶シリコン基板４の主表面上の所定領
域にシリコン酸化層５を形成しく第６図ｇ）、このシリ
コン酸化層５をマスクとして抵抗層６を形成する。引続
き、シリコン酸化層５を除去した後に第２の単結晶シリ
コン基板４の主表面上の前面にシリコン窒化Ｈ７を形成
し、さらにこの上にＢＰＳＧ層８を形成する（第６図ｄ
）。
域にシリコン酸化層５を形成しく第６図ｇ）、このシリ
コン酸化層５をマスクとして抵抗層６を形成する。引続
き、シリコン酸化層５を除去した後に第２の単結晶シリ
コン基板４の主表面上の前面にシリコン窒化Ｈ７を形成
し、さらにこの上にＢＰＳＧ層８を形成する（第６図ｄ
）。
そして、第１の単結晶シリコン基板１の主表面上に、上
下のパターンが設定通り重なるように位置合せを行ない
、第２の単結晶シリコン基板４に形成されたＢＰＳＧ１
１８を配置する（第６図ｅ）。
下のパターンが設定通り重なるように位置合せを行ない
、第２の単結晶シリコン基板４に形成されたＢＰＳＧ１
１８を配置する（第６図ｅ）。
しかる後、第２の単結晶シリコン基板４をエツチング除
去しく第６図ｆ）、表面保護層９および配線層１０を形
成して（第６図ｇ）、半導体圧力センサを構成している
。
去しく第６図ｆ）、表面保護層９および配線層１０を形
成して（第６図ｇ）、半導体圧力センサを構成している
。
〔発明が解決しようとする課題Ｊ
従来の半導体圧力センサの製造方法は、以上のようにし
て行なわれるので、２枚のシリコン基板を用意し、一方
のシリコン基板上に酸化層を形成し他方のシリコン基板
表面を鏡面状態にした後、これらを陽極接合により貼り
合わせるため、必然的にシリコン基板が２枚必要であり
、出発的状態からコスト的な課題があった。
て行なわれるので、２枚のシリコン基板を用意し、一方
のシリコン基板上に酸化層を形成し他方のシリコン基板
表面を鏡面状態にした後、これらを陽極接合により貼り
合わせるため、必然的にシリコン基板が２枚必要であり
、出発的状態からコスト的な課題があった。
また、シリコン基板表面を鏡面に仕上げる必要があるが
、この仕上げ状態により歩留まりが左右される。しかも
、２枚のシリコン基板貼り合わせ後、表面の研磨が必要
であるが、研磨量が多いため、表面の平坦度の精度を出
すのが困難である等の課題があった。
、この仕上げ状態により歩留まりが左右される。しかも
、２枚のシリコン基板貼り合わせ後、表面の研磨が必要
であるが、研磨量が多いため、表面の平坦度の精度を出
すのが困難である等の課題があった。
この発明は上記のような課題を解消するためになされた
もので、性能精度が保証された半導体圧力センサを安価
に得ることのできる半導体圧力センサの製造方法を提供
することを目的とする。
もので、性能精度が保証された半導体圧力センサを安価
に得ることのできる半導体圧力センサの製造方法を提供
することを目的とする。
請求項（１）記載の発明に係る半導体圧力センサの製造
方法は、シリコン基板の表面に凸状のシード部を形成す
るシード部形成工程と、上記シリコン基板の表面に設け
た酸化層上にポリシリコン層、窒化層を順次に堆積した
後、レーザを照射、走査して前記ポリシリコン層を溶融
し再結晶化して単結晶シリコン層を形成する再結晶化工
程と、拡散抵抗となる部分を残して上記単結晶シリコン
層をエツチング除去した後、その残留部分に不純物を注
入して拡散抵抗を形成する抵抗形成工程と、コンタクト
となる部分の上記酸化層を除去して全面に金属層を形成
した後、配線領域を残して上記金属層を除去する配線形
成工程と、上記コンタクト部分以外の全面に絶縁層を形
成して保護層とする保護層形成工程と、上記拡散抵抗に
対応する上記シリコン基板の裏面を等方性エツチングし
てダイヤフラムを形成するダイヤプラム形成工程とから
なるものである。
方法は、シリコン基板の表面に凸状のシード部を形成す
るシード部形成工程と、上記シリコン基板の表面に設け
た酸化層上にポリシリコン層、窒化層を順次に堆積した
後、レーザを照射、走査して前記ポリシリコン層を溶融
し再結晶化して単結晶シリコン層を形成する再結晶化工
程と、拡散抵抗となる部分を残して上記単結晶シリコン
層をエツチング除去した後、その残留部分に不純物を注
入して拡散抵抗を形成する抵抗形成工程と、コンタクト
となる部分の上記酸化層を除去して全面に金属層を形成
した後、配線領域を残して上記金属層を除去する配線形
成工程と、上記コンタクト部分以外の全面に絶縁層を形
成して保護層とする保護層形成工程と、上記拡散抵抗に
対応する上記シリコン基板の裏面を等方性エツチングし
てダイヤフラムを形成するダイヤプラム形成工程とから
なるものである。
請求項２証載の発明は拡散抵抗および拡散リードとなる
部分を残して上記単結晶シリコン層をエツチング除去し
た後、その残留部分に不純物を注入して拡散抵抗とする
とともに注入不純物量を変えて拡散リードを形成する拡
散抵抗および拡散リード形成工程を具備したものである
。
部分を残して上記単結晶シリコン層をエツチング除去し
た後、その残留部分に不純物を注入して拡散抵抗とする
とともに注入不純物量を変えて拡散リードを形成する拡
散抵抗および拡散リード形成工程を具備したものである
。
また、請求項３記載の発明は上記コンタクトとなる部分
の酸化層を除去し、その全面に上記シード部に対応する
部分を除いて金属層を形成した後、配線領域を残して上
記金属層を除去する配線形成工程を具備したものである
。
の酸化層を除去し、その全面に上記シード部に対応する
部分を除いて金属層を形成した後、配線領域を残して上
記金属層を除去する配線形成工程を具備したものである
。
［作用〕
請求項１記載の発明における半導体圧力センサの製造方
法は、凸状のシード部を形成したシリコン基板上に酸化
層を形成し、この酸化層上に堆積した多結晶シリコンを
上記シード部を通じて単結晶化し、この単結晶シリコン
１に不純物を注入して拡散抵抗を複数個形成後、この拡
散抵抗部以外の単結晶シリコン層を除去することにより
、拡散抵抗は酸化層である絶縁層上に形成され、各拡散
抵抗の相互間は電気的に絶縁される。この結果、高温雰
囲気中でも安定して動作可能であり、性能精度が保証さ
れた半導体圧力センサを簡単な製法によって安価に得る
ことができる。
法は、凸状のシード部を形成したシリコン基板上に酸化
層を形成し、この酸化層上に堆積した多結晶シリコンを
上記シード部を通じて単結晶化し、この単結晶シリコン
１に不純物を注入して拡散抵抗を複数個形成後、この拡
散抵抗部以外の単結晶シリコン層を除去することにより
、拡散抵抗は酸化層である絶縁層上に形成され、各拡散
抵抗の相互間は電気的に絶縁される。この結果、高温雰
囲気中でも安定して動作可能であり、性能精度が保証さ
れた半導体圧力センサを簡単な製法によって安価に得る
ことができる。
請求項２記載の発明においては、請求項１記載の発明に
おける拡散抵抗の形成時に同時に注入不純物量を変えて
拡散リードを形成することにより、異種金属の部分が存
在しなくなるため、高温雰囲気中でも熱応力が緩和され
、温度ドリフトを減少させることができる。
おける拡散抵抗の形成時に同時に注入不純物量を変えて
拡散リードを形成することにより、異種金属の部分が存
在しなくなるため、高温雰囲気中でも熱応力が緩和され
、温度ドリフトを減少させることができる。
また、請求項３記載の発明においては、シード部に対応
する部分に配線領域を設けないようにしたことにより、
耐電圧性を高く維持することができ、高温雰囲気中でも
安定して動作可能である。
する部分に配線領域を設けないようにしたことにより、
耐電圧性を高く維持することができ、高温雰囲気中でも
安定して動作可能である。
〔実施例］
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、１１はＮ型シリコン基板、１２は下敷酸化
層、１３は窒化、ｉｉｌ、１４は酸化１．１５はポリシ
リコン層、１６は窒化層、１７は反射防止層、１８は高
温酸化層、１９は金属層としてのアルミニューム贋、２
０は保護層としてのガラスコート層である。
図において、１１はＮ型シリコン基板、１２は下敷酸化
層、１３は窒化、ｉｉｌ、１４は酸化１．１５はポリシ
リコン層、１６は窒化層、１７は反射防止層、１８は高
温酸化層、１９は金属層としてのアルミニューム贋、２
０は保護層としてのガラスコート層である。
次に上記実施例の製造方法について説明する。
Ｎ型シリコン（Ｓｉ）基板１層上に厚さ５００人の下敷
酸化１１ （ＳｉＯａ ）１２を形成しく５Ｔ１）、そ
の下敷酸化「上に厚さ８００人の窒化層（Ｓｉ、Ｎ４）
１３を堆積する（ＳＴ−２）。
酸化１１ （ＳｉＯａ ）１２を形成しく５Ｔ１）、そ
の下敷酸化「上に厚さ８００人の窒化層（Ｓｉ、Ｎ４）
１３を堆積する（ＳＴ−２）。
上記シード部１１ａに対応する部分を残して、窒化層１
３、下敷酸化層１２、Ｎ型シリコン基板１１を順次にエ
ツチング除去する（ＳＴ−３〜Ｓ丁−５）。この場合、
Ｎ型シリコン基板１１のエツチング量Ｈ１は３５００人
程度前記る。
３、下敷酸化層１２、Ｎ型シリコン基板１１を順次にエ
ツチング除去する（ＳＴ−３〜Ｓ丁−５）。この場合、
Ｎ型シリコン基板１１のエツチング量Ｈ１は３５００人
程度前記る。
次いで、残留している窒化層１３上のレジスト２１を除
去後（ＳＴ−６） 、熱酸化によってＮ型シリコン基板
層上に厚さＴ＝１．１μｍの酸化層１４を形成後（ＳＴ
−７）。残留している窒化層１３を除去し、引続き残留
している下敷酸化層１２を除去するとともに酸化層１４
を０．１μｍ程度エツチング除去して表面を平坦化する
（ＳＴ−８，５Ｔ−９）。
去後（ＳＴ−６） 、熱酸化によってＮ型シリコン基板
層上に厚さＴ＝１．１μｍの酸化層１４を形成後（ＳＴ
−７）。残留している窒化層１３を除去し、引続き残留
している下敷酸化層１２を除去するとともに酸化層１４
を０．１μｍ程度エツチング除去して表面を平坦化する
（ＳＴ−８，５Ｔ−９）。
しかる後、上記酸化Ｎ１４上にポリシリコン層１５を厚
さ５０００人堆積しく５Ｔ−１０）、その上に窒化層１
６を厚さ５００人堆積しく５Ｔ−１１）、この窒化層１
６をストライブ上に残るようにレジスト２２をエツチン
グ除去して反射防止層１７を形成する（ＳＴ−１２、Ｓ
Ｔ−１３）。
さ５０００人堆積しく５Ｔ−１０）、その上に窒化層１
６を厚さ５００人堆積しく５Ｔ−１１）、この窒化層１
６をストライブ上に残るようにレジスト２２をエツチン
グ除去して反射防止層１７を形成する（ＳＴ−１２、Ｓ
Ｔ−１３）。
次いで、上部より不図示のレーザ（アルゴンレーザ）を
照射、走査し、上記ポリシリコン層１５を溶融させた後
、単結晶に再結晶化させる（ＳＴ−１４）。この後、上
記反射防止層１７、窒化層１６を除去する（ＳＴ−１５
）。
照射、走査し、上記ポリシリコン層１５を溶融させた後
、単結晶に再結晶化させる（ＳＴ−１４）。この後、上
記反射防止層１７、窒化層１６を除去する（ＳＴ−１５
）。
上記再結晶化されたポリシリコン層１５を拡散抵抗とな
る部分を残してレジスト２３とともにエツチング除去す
る（ＳＴ−１６、ＳＴ−１７）。
る部分を残してレジスト２３とともにエツチング除去す
る（ＳＴ−１６、ＳＴ−１７）。
残留されたポリシリコン層５に不純物（例えばボロン）
を注入して複数の拡散抵抗１５ａ〜１５ｄとする（ＳＴ
−１８）、これにより、酸化層である絶縁層上に複数の
拡散抵抗を電気的に絶縁分離された状態で形成すること
ができ、この後、その拡散抵抗を覆うように酸化層１４
の全面に高温酸化層１８を堆積する（ＳＴ−１９）。
を注入して複数の拡散抵抗１５ａ〜１５ｄとする（ＳＴ
−１８）、これにより、酸化層である絶縁層上に複数の
拡散抵抗を電気的に絶縁分離された状態で形成すること
ができ、この後、その拡散抵抗を覆うように酸化層１４
の全面に高温酸化層１８を堆積する（ＳＴ−１９）。
次いで、コンタクトとなる部分の高温酸化層１８をレジ
スト層２３とともにエツチング除去した後（ＳＴ−２０
＞、レジスト層２３をエツチング除去する（ＳＴ−２１
）。しかる後、全面にアルミニューム層１９を形成しく
５Ｔ−２２）、配線領域に対応する上記アルミニューム
層１９を残して、他の部分およびレジスト層２４をエツ
チング除去した後（ＳＴ−２３，５Ｔ２４）、全面にガ
ラスコートによる保護層２０ （ＳＴ−２５）を施す。
スト層２３とともにエツチング除去した後（ＳＴ−２０
＞、レジスト層２３をエツチング除去する（ＳＴ−２１
）。しかる後、全面にアルミニューム層１９を形成しく
５Ｔ−２２）、配線領域に対応する上記アルミニューム
層１９を残して、他の部分およびレジスト層２４をエツ
チング除去した後（ＳＴ−２３，５Ｔ２４）、全面にガ
ラスコートによる保護層２０ （ＳＴ−２５）を施す。
しかる後、保護層２０の一部をエツチング除去して電極
バッド２９を形成するとともにＮ型シリコン基板ｌの裏
面研磨を行って所望の厚さにウェハを形成し、裏面に金
（Ａｕ）２５を形成する（ＳＴ−２６）、そして、ダイ
ヤフラム部となる部分の金２５およびレジスト２６を除
去しく５Ｔ−２７，５Ｔ−２８）、残った金２５をマス
クとして、Ｎ型シリコン基板１１の裏面をエツチング除
去してダイヤフラムとなる薄肉部２７を形成する（ＳＴ
−２９）。
バッド２９を形成するとともにＮ型シリコン基板ｌの裏
面研磨を行って所望の厚さにウェハを形成し、裏面に金
（Ａｕ）２５を形成する（ＳＴ−２６）、そして、ダイ
ヤフラム部となる部分の金２５およびレジスト２６を除
去しく５Ｔ−２７，５Ｔ−２８）、残った金２５をマス
クとして、Ｎ型シリコン基板１１の裏面をエツチング除
去してダイヤフラムとなる薄肉部２７を形成する（ＳＴ
−２９）。
ここで、上記ＳＴ−１〜５Ｔ−９はシード部形成工程、
ＳＴ−１０〜ＳＴ−１５は再結晶化工程、ＳＴ−１６〜
５Ｔ−１８は拡散抵抗形成工程５Ｔ−１９〜５Ｔ−２５
は配線形成工程、５Ｔ−２６〜５Ｔ−２９はダイヤフラ
ム形成工程をなしている。
ＳＴ−１０〜ＳＴ−１５は再結晶化工程、ＳＴ−１６〜
５Ｔ−１８は拡散抵抗形成工程５Ｔ−１９〜５Ｔ−２５
は配線形成工程、５Ｔ−２６〜５Ｔ−２９はダイヤフラ
ム形成工程をなしている。
なお、上記５Ｔ−３，５Ｔ−１２、ＳＴ−１６，５Ｔ−
２３，５Ｔ−２７におけるレジスト層２１〜２４．２６
はそれぞれの前段階でエツチングするためのマスク合わ
せ（パターン合わせ）のとき塗布する。これがエツチン
グを行うときのマスクとなる。
２３，５Ｔ−２７におけるレジスト層２１〜２４．２６
はそれぞれの前段階でエツチングするためのマスク合わ
せ（パターン合わせ）のとき塗布する。これがエツチン
グを行うときのマスクとなる。
以上の製造方法によって、半導体シリコン単結晶基板上
に形成した絶縁層上に単結晶シリコンからなる複数の拡
散抵抗を、相互に電気的に絶縁された状態で形成するこ
とができ、高温雰囲気でも安定して動作可能な半導体圧
力センサが得られる。
に形成した絶縁層上に単結晶シリコンからなる複数の拡
散抵抗を、相互に電気的に絶縁された状態で形成するこ
とができ、高温雰囲気でも安定して動作可能な半導体圧
力センサが得られる。
また、上記製造方法において、単結晶シリコンに不純物
を注入して拡散抵抗を形成するとき該単結晶シリコンに
高濃度の不純物を注入して低抵抗の拡散リード２８を第
２図、第３図に示すように形成して配線とすることによ
り、上記拡散抵抗１５ａ〜１５ｄを相互に接続すること
ができる。
を注入して拡散抵抗を形成するとき該単結晶シリコンに
高濃度の不純物を注入して低抵抗の拡散リード２８を第
２図、第３図に示すように形成して配線とすることによ
り、上記拡散抵抗１５ａ〜１５ｄを相互に接続すること
ができる。
２９は拡散リード２８の一部に形成したアルミ層よりな
る外部リード接続用の電極パッドである。
る外部リード接続用の電極パッドである。
さらに、上記製造方法において、第４図、第５図に示す
ように、シード部１１ａに対応する部分の配線領域１９
に穴３０をあけて、シード部１１ａに対応する部分には
配線領域を設けないようにすることにより、耐電圧性を
高く維持することができ、高温雰囲気中でも安定して動
作可能とできる。
ように、シード部１１ａに対応する部分の配線領域１９
に穴３０をあけて、シード部１１ａに対応する部分には
配線領域を設けないようにすることにより、耐電圧性を
高く維持することができ、高温雰囲気中でも安定して動
作可能とできる。
〔発明の効果］
以上のように、請求項１記載の発明によれば、凸状のシ
ード部を形成したシリコン基板上に酸化層を形成し、こ
の酸化層上に堆積した多結晶シリコンを上記シード部よ
り溶融再結晶化させて単結晶化し、この単結晶シリコン
層に不純物を注入して拡散抵抗を形成するとともにそれ
以外の単結晶シリコン層を除去することにより、酸化層
である絶縁層上に電気的に絶縁された複数個の拡散抵抗
を形成する。この結果、高温雰囲気中でも安定して動作
可能であり、性能精度が保証された半導体′圧カセンサ
を簡単な製法により安価に得ることができる。
ード部を形成したシリコン基板上に酸化層を形成し、こ
の酸化層上に堆積した多結晶シリコンを上記シード部よ
り溶融再結晶化させて単結晶化し、この単結晶シリコン
層に不純物を注入して拡散抵抗を形成するとともにそれ
以外の単結晶シリコン層を除去することにより、酸化層
である絶縁層上に電気的に絶縁された複数個の拡散抵抗
を形成する。この結果、高温雰囲気中でも安定して動作
可能であり、性能精度が保証された半導体′圧カセンサ
を簡単な製法により安価に得ることができる。
また、請求項２記載の発明によれば、絶縁層上に複数の
拡散抵抗を形成すると同時に該拡散抵抗相互間を接続す
る拡散リードを形成することにより、異種金属の部分を
存在しないようにすること′ができ、高温雰囲気中でも
熱応力が緩和され、温度ドリフトを減少させることがで
きる。
拡散抵抗を形成すると同時に該拡散抵抗相互間を接続す
る拡散リードを形成することにより、異種金属の部分を
存在しないようにすること′ができ、高温雰囲気中でも
熱応力が緩和され、温度ドリフトを減少させることがで
きる。
請求項３記載の発明によれば、シード部に対応する部分
に配線領域を設けないようにしたことにより、耐電圧性
を高（維持することができ、高温雰囲気中でも安定して
動作可能である等の効果が得られる。
に配線領域を設けないようにしたことにより、耐電圧性
を高（維持することができ、高温雰囲気中でも安定して
動作可能である等の効果が得られる。
第１図は請求項１記載の発明の実施例による圧力センサ
の製造方法を示す説明図、第２図は請求項２記載の発明
の実施例による圧力センサの製造方法を示す要部の平面
図、第３図はその断面図、第４図は請求項３記載の発明
の実施例による圧力センサの製造方法を示す要部の平面
図、第５図はその断面図、第６図は従来の圧力センサの
製造方法を説明する説明図である。 １１はシリコン基板、ｌｌａはシード部、１４は酸化屡
、１５はポリシリコン層、１５ａ〜１５ｄは拡散抵抗、
１６は窒化層、１９はアルミニュームＷＩ（金属層）、
２０はガラスコート層（保護層）、２８は拡散リード、
３０は穴。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 第１図 （￥の１） 第 図 第１図 （￥０４）
の製造方法を示す説明図、第２図は請求項２記載の発明
の実施例による圧力センサの製造方法を示す要部の平面
図、第３図はその断面図、第４図は請求項３記載の発明
の実施例による圧力センサの製造方法を示す要部の平面
図、第５図はその断面図、第６図は従来の圧力センサの
製造方法を説明する説明図である。 １１はシリコン基板、ｌｌａはシード部、１４は酸化屡
、１５はポリシリコン層、１５ａ〜１５ｄは拡散抵抗、
１６は窒化層、１９はアルミニュームＷＩ（金属層）、
２０はガラスコート層（保護層）、２８は拡散リード、
３０は穴。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 第１図 （￥の１） 第 図 第１図 （￥０４）
Claims (3)
- （１）シリコン基板の表面に凸状のシード部を形成する
シード部形成工程と、前記シリコン基板の表面に設けた
酸化層上にポリシリコン層、窒化層を順次に堆積した後
、レーザを照射、走査して前記ポリシリコン層を溶融し
再結晶化する再結晶化工程と、拡散抵抗となる部分を残
して前記単結晶シリコン層をエッチング除去した後、そ
の残留部分に不純物を注入して拡散抵抗を形成する拡散
抵抗形成工程と、コンタクトとなる部分の酸化層を除去
して全面に金属層を形成した後、配線領域を残して前記
金属層を除去する配線形成工程と、前記コンタクト以外
の全面に絶縁材よりなる保護層を形成する保護層形成工
程と、前記拡散抵抗に対応するシリコン基板の裏面を等
方性エッチングしてダイヤフラムを形成するダイヤフラ
ム形成工程とを備えた半導体圧力センサの製造方法。 - （２）シリコン基板の表面に凸状のシード部を形成する
シード部形成工程と、前記シリコン基板の表面に設けた
酸化層上にポリシリコン層、窒化層を順次に堆積した後
、レーザを照射、走査して前記ポリシリコン層を溶融し
再結晶化して単結晶シリコン層を形成する再結晶化工程
と、拡散抵抗および拡散リードとなる部分を残して前記
単結晶シリコン層をエッチング除去した後、その残留部
分に不純物を注入して拡散抵抗とするとともに注入不純
物量を変えて拡散リードを形成する拡散抵抗および拡散
リード形成工程と、コンタクトとなる部分の酸化層を除
去した後、そのコンタクト以外の全面に絶縁材よりなる
保護層を形成する保護層形成工程と、前記拡散抵抗に対
応するシリコン基板の裏面を等方性エッチングしてダイ
ヤフラムを形成するダイヤフラム形成工程とを備えた半
導体圧力センサの製造方法。 - （３）シリコン基板の表面に凸状のシード部を形成する
シード部形成工程と、前記シリコン基板の表面に設けた
酸化層上にポリシリコン層、窒化層を順次に堆積した後
、レーザを照射、走査して前記ポリシリコン層を溶融し
再結晶化して単結晶シリコン層を形成する再結晶化工程
と、拡散抵抗となる部分を残して前記単結晶シリコン層
をエッチング除去した後、その残留部分に不純物を注入
して拡散抵抗を形成する拡散抵抗形成工程と、コンタク
トとなる部分の酸化層を除去し、その全面に前記シード
部に対応する部分を除いて金属層を形成した後、配線領
域を残して前記金属層を除去する配線形成工程と、前記
コンタクト以外の全面に絶縁材よりなる保護層を形成す
る保護層形成工程と、前記拡散抵抗に対応するシリコン
基板の裏面を等方性エッチングしてダイヤフラムを形成
するダイヤフラム形成工程とを備えた半導体圧力センサ
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19129690A JPH0476959A (ja) | 1990-07-19 | 1990-07-19 | 半導体圧力センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19129690A JPH0476959A (ja) | 1990-07-19 | 1990-07-19 | 半導体圧力センサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0476959A true JPH0476959A (ja) | 1992-03-11 |
Family
ID=16272206
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19129690A Pending JPH0476959A (ja) | 1990-07-19 | 1990-07-19 | 半導体圧力センサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0476959A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0689939A (ja) * | 1992-09-09 | 1994-03-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体圧力センサおよびその製造方法 |
| JPH06125096A (ja) * | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体圧力センサ |
| US5471086A (en) * | 1992-09-29 | 1995-11-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device having piezo resistance |
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1990
- 1990-07-19 JP JP19129690A patent/JPH0476959A/ja active Pending
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