JPH0476956A - 半導体加速度センサの製造方法 - Google Patents
半導体加速度センサの製造方法Info
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- JPH0476956A JPH0476956A JP19129790A JP19129790A JPH0476956A JP H0476956 A JPH0476956 A JP H0476956A JP 19129790 A JP19129790 A JP 19129790A JP 19129790 A JP19129790 A JP 19129790A JP H0476956 A JPH0476956 A JP H0476956A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
この発明は半導体加速度センサの製造方法、特に、表面
の抵抗に対応して薄肉部を形成したシリ５コン基板の裏
面一端に台座を設け、例えば車両加速度または制動時に
生ずる加速度により、上記薄肉部でシリコン基板が屈曲
して振れることによる抵抗値変化で、上記加速度を測定
する半導体加速度センサの製造方法に関するものである
。
の抵抗に対応して薄肉部を形成したシリ５コン基板の裏
面一端に台座を設け、例えば車両加速度または制動時に
生ずる加速度により、上記薄肉部でシリコン基板が屈曲
して振れることによる抵抗値変化で、上記加速度を測定
する半導体加速度センサの製造方法に関するものである
。
第６図は例えば特開昭６３−１５６３６５号公報に示さ
れた従来の半導体圧力センサの製造方法を示す図であり
、この製造方法はこの発明の半導体加速度センサの製造
方法にきわめて共通点が多いものである。第６図におい
て、第１の単結晶シリコン基板１の主表面上の所定領域
に形成したシリコン酸化層２をマスクとしてエツチング
しく第６図ａ）、凹部３を形成する（第６図ｂ）。 一方、第２の単結晶シリコン基板４の主表面上の所定領
域にシリコン酸化層５を形成しく第６図ｃ）、このシリ
コン酸化層５をマスクとして抵抗層６を形成する。引続
き、シリコン酸化層５を除去した後に第２の単結晶シリ
コン基板４の主表面上の前面にシリコン窒化層７を形成
し、さらにこの上にＢＰＳＣ，層８を形成する（第６図
ｄ）。 そして、第１の単結晶シリコン基板１の主表面上に、上
下のパターンが設定通り重なるように位置合せを行ない
、第２の単結晶シリコン基板４に形成されたＢＰＳＧ層
８を配置する（第６図ｅ）。 しかる後、第２の単結晶シリコン基板４をエツチング除
去しく第６図ｆ）、表面保護層９および配線層１０を形
成して（第６図ｇＬ半導体圧カセンサを構成している。 そして、この半導体圧力センサの単結晶シリコン基板１
の裏面一端に台座（図示せず）を設けることにより、半
導体加速度センサとすることができる。
れた従来の半導体圧力センサの製造方法を示す図であり
、この製造方法はこの発明の半導体加速度センサの製造
方法にきわめて共通点が多いものである。第６図におい
て、第１の単結晶シリコン基板１の主表面上の所定領域
に形成したシリコン酸化層２をマスクとしてエツチング
しく第６図ａ）、凹部３を形成する（第６図ｂ）。 一方、第２の単結晶シリコン基板４の主表面上の所定領
域にシリコン酸化層５を形成しく第６図ｃ）、このシリ
コン酸化層５をマスクとして抵抗層６を形成する。引続
き、シリコン酸化層５を除去した後に第２の単結晶シリ
コン基板４の主表面上の前面にシリコン窒化層７を形成
し、さらにこの上にＢＰＳＣ，層８を形成する（第６図
ｄ）。 そして、第１の単結晶シリコン基板１の主表面上に、上
下のパターンが設定通り重なるように位置合せを行ない
、第２の単結晶シリコン基板４に形成されたＢＰＳＧ層
８を配置する（第６図ｅ）。 しかる後、第２の単結晶シリコン基板４をエツチング除
去しく第６図ｆ）、表面保護層９および配線層１０を形
成して（第６図ｇＬ半導体圧カセンサを構成している。 そして、この半導体圧力センサの単結晶シリコン基板１
の裏面一端に台座（図示せず）を設けることにより、半
導体加速度センサとすることができる。
従来の半導体加速度センサの製造方法は、以上のように
して行なわれるので、２枚のシリコン基板を用意し、一
方のシリコン基板上に酸化層を形成し他方のシリコン基
板表面を鏡面状態にした後、これらを陽極接合により張
り合わせるため、必然的にシリコン基板が２枚必要であ
り、出発状態からコスト的な課題があった。 また、シリコン基板表面を鏡面に仕上げる必要があるが
、この仕上げ状態により歩留まりが左右される。しかも
、２枚のシリコン基板貼り合わせ後、表面の研磨が必要
であるが、研磨量が多いため、表面の平坦度の精度を出
すのが困難である等の課題があった。 この発明は上記のような課題を解消するためになされた
もので、性能精度が保証された半導体加速度センサを安
価に得ることのできる半導体加速度センサの製造方法を
提供することを目的とする。
して行なわれるので、２枚のシリコン基板を用意し、一
方のシリコン基板上に酸化層を形成し他方のシリコン基
板表面を鏡面状態にした後、これらを陽極接合により張
り合わせるため、必然的にシリコン基板が２枚必要であ
り、出発状態からコスト的な課題があった。 また、シリコン基板表面を鏡面に仕上げる必要があるが
、この仕上げ状態により歩留まりが左右される。しかも
、２枚のシリコン基板貼り合わせ後、表面の研磨が必要
であるが、研磨量が多いため、表面の平坦度の精度を出
すのが困難である等の課題があった。 この発明は上記のような課題を解消するためになされた
もので、性能精度が保証された半導体加速度センサを安
価に得ることのできる半導体加速度センサの製造方法を
提供することを目的とする。
請求項１記載の発明に係る半導体加速度センサの製造方
法は、シリコン基板の表面に凸状のシード部を形成する
シード部形成工程と、上記シリコン基板の表面に設けた
酸化層上にポリシリコン層。 窒化層を順次に堆積した後、レーザを照射、走査して前
記ポリシリコン層を溶融し再結晶化して単結晶シリコン
層を形成する再結晶化工程と、拡散抵抗となる部分を残
して上記単結晶シリコン層をエツチング除去した後、そ
の残留部分に不純物を注入して拡散抵抗を形成する抵抗
形成工程と、コンタクトとなる部分の上記酸化層を除去
して全面に金属層を形成した後、配線領域を残して上記
金属層を除去する配線形成工程と、上記コンタクト部分
以外の全面に絶縁層を形成して保護層とする保護層形成
工程と、上記拡散抵抗に対応する上記シリコン基板の裏
面を等方性マツチングして薄肉部を形成する薄肉部形成
工程、上記シリコン基板の裏面の一端を台座に固定する
台座固定工程とからなるものである。 請求項２記載の発明は請求項１記載の発明において拡散
抵抗および拡散リードとなる部分を残して上記単結晶シ
リコン層をエツチング除去した後、その残留部分に不純
物を注入して拡散抵抗とするとともに注入不純物量を変
えて拡散リードを形成する拡散抵抗および拡散リード形
成工程を具備したものである。 また、請求項３記載の発明は請求項１記載の発明におい
て、上記コンタクトとなる部分の酸化層を除去し、その
全面に上記シード部に対応する部分を除いて金属層を形
成した後、配線領域を残して上記金属層を除去する配線
形成工程を具備したものである。
法は、シリコン基板の表面に凸状のシード部を形成する
シード部形成工程と、上記シリコン基板の表面に設けた
酸化層上にポリシリコン層。 窒化層を順次に堆積した後、レーザを照射、走査して前
記ポリシリコン層を溶融し再結晶化して単結晶シリコン
層を形成する再結晶化工程と、拡散抵抗となる部分を残
して上記単結晶シリコン層をエツチング除去した後、そ
の残留部分に不純物を注入して拡散抵抗を形成する抵抗
形成工程と、コンタクトとなる部分の上記酸化層を除去
して全面に金属層を形成した後、配線領域を残して上記
金属層を除去する配線形成工程と、上記コンタクト部分
以外の全面に絶縁層を形成して保護層とする保護層形成
工程と、上記拡散抵抗に対応する上記シリコン基板の裏
面を等方性マツチングして薄肉部を形成する薄肉部形成
工程、上記シリコン基板の裏面の一端を台座に固定する
台座固定工程とからなるものである。 請求項２記載の発明は請求項１記載の発明において拡散
抵抗および拡散リードとなる部分を残して上記単結晶シ
リコン層をエツチング除去した後、その残留部分に不純
物を注入して拡散抵抗とするとともに注入不純物量を変
えて拡散リードを形成する拡散抵抗および拡散リード形
成工程を具備したものである。 また、請求項３記載の発明は請求項１記載の発明におい
て、上記コンタクトとなる部分の酸化層を除去し、その
全面に上記シード部に対応する部分を除いて金属層を形
成した後、配線領域を残して上記金属層を除去する配線
形成工程を具備したものである。
請求項１記載の発明における半導体加速度センサの製造
方法は、凸状のシード部を形成したシリコン基板上に酸
化層を形成し、この酸化層上に堆積した多結晶シリコン
を上記シード部を通じて単結晶化し、この単結晶シリコ
ン層に不純物を注入して拡散抵抗を複数個形成後、この
拡散抵抗部以外の単結晶シリコン層を除去することによ
り、拡散抵抗は酸化層である絶縁層上に形成され、各拡
散抵抗の相互間は電気的に絶縁される。この結果、高温
雰囲気中でも安定して動作可能であり、性能晴度が保証
された半導体加速度センサを簡単な製法によって安価に
得ることができる。 請求項２記載の発明においては、請求項１記載の発明に
おける拡散抵抗の形成時に同時に注入不純物量を変えて
拡散リードを形成することにより、異種金属の部分が存
在しなくなるため、高温雰囲気中でも熱応力が緩和され
、温度ドリフトを減少させることができる。 また、請求項３記載の発明においては、請求項Ｉ記載の
発明におけるシード部に対応する部分に配線領域を設け
ないようにしたことにより、耐電圧性を高く維持するこ
とができ、高温雰囲気中でも安定して動作可能である。
方法は、凸状のシード部を形成したシリコン基板上に酸
化層を形成し、この酸化層上に堆積した多結晶シリコン
を上記シード部を通じて単結晶化し、この単結晶シリコ
ン層に不純物を注入して拡散抵抗を複数個形成後、この
拡散抵抗部以外の単結晶シリコン層を除去することによ
り、拡散抵抗は酸化層である絶縁層上に形成され、各拡
散抵抗の相互間は電気的に絶縁される。この結果、高温
雰囲気中でも安定して動作可能であり、性能晴度が保証
された半導体加速度センサを簡単な製法によって安価に
得ることができる。 請求項２記載の発明においては、請求項１記載の発明に
おける拡散抵抗の形成時に同時に注入不純物量を変えて
拡散リードを形成することにより、異種金属の部分が存
在しなくなるため、高温雰囲気中でも熱応力が緩和され
、温度ドリフトを減少させることができる。 また、請求項３記載の発明においては、請求項Ｉ記載の
発明におけるシード部に対応する部分に配線領域を設け
ないようにしたことにより、耐電圧性を高く維持するこ
とができ、高温雰囲気中でも安定して動作可能である。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図において、１１はＮ型シリコン基板、１２は下敷
酸化層、１３は窒化層、１４は酸化層、１５はポリシリ
コン層、１６は窒化層、１７は反射防止層、１８は高温
酸化層、１９は金属層としてのアルミニューム層、２０
は保護層としてのガラスコート層である。 次に上記実施例の製造方法について説明する。 Ｎ型シリコン（Ｓｉ）基板ｌｌ上に厚さ５００人の下敷
酸化層（ＳｉＯ□）１２を形成しく５Ｔ−１）、その下
敷酸化層上に厚さ８００人の窒化層（ＳｉＪｎ）１３を
堆積する（ＳＴ−２）。 上記シード部１１ａに対応する部分を残して、窒化層１
３、下敷酸化層１２、Ｎ型シリコン基板１１を順次にエ
ツチング除去する（ＳＴ−３〜５Ｔ５）。この場合、Ｎ
型シリコン基板１１のエツチング量Ｈ１は３５００人程
度前記る。 次いで、残留している窒化層１３上のレジスト２１を除
去後（ＳＴ−６）、熱酸化によってＮ型シリコン基板１
上に厚さＴ＝１．１μｍの酸化層１４を形成後（ＳＴ−
７）。残留している窒化Ｎ１３を除去し、引続き残留し
ている下敷酸化層上２を除去するとともに酸化層１４を
０．１μｍ程度エツチング除去して表面を平坦化する（
ＳＴ−８，５Ｔ−９）。 しかる後、上記酸化層１４上にポリシリコン層１５を厚
さ５０００人堆積しくＳＴ−１０） 、その上に窒化層
１６を厚さ５００人堆積しくＳＴ１１）、この窒化層１
６をストライプ上に残るようにレジスト２２をエツチン
グ除去して反射防止層１７を形成する（ＳＴ−１２，５
Ｔ−１３）。 次いで、上部より不図示のレーザ（アルゴンレーザ）を
照射、走査し、上記ポリシリコン層１５を溶融させた後
、単結晶に再結晶化させる（ＳＴ−１４）。この後、上
記反射防止層１７、窒化層１６を除去する（ＳＴ〜１５
）。 上記再結晶化されたポリシリコン層１５を拡散抵抗とな
る部分を残してレジスト２３とともにエツチング除去す
る（ＳＴ−１６，５Ｔ−１７）。 残留されたポリシリコン層５に不純物（例えばボロン）
を注入して複数の拡散抵抗１５ａ〜１５ｄとする（ＳＴ
−１８）。これにより、酸化層である絶縁層上に複数の
拡散抵抗を電気的に絶縁分離された状態で形成すること
ができ、この後、その拡散抵抗を覆うように酸化層１４
の全面に高温酸化層１８を堆積する（ＳＴ−１９）。 次いで、コンタクトとなる部分の高温酸化層１８をレジ
スト層２３とともにエツチング除去した後（ＳＴ−２０
）、レジスト層２３をエツチング除去する（ＳＴ−２１
）。しかる後、全面にアルミニューム層１９を形成しく
５Ｔ−２２） 、配線領域に対応する上記アルミニュー
ム層１９を残して、他の部分およびレジスト層２４をエ
ツチング除去した後（ＳＴ−２３，５Ｔ−２４）、全面
にガラスコートによる保護層２０ （ＳＴ−２５）を施
す。 しかる後、保護層２０の一部をエツチング除去して電極
パッド２９を形成するとともにＮ型シリコン基板１の裏
面研磨を行って、所望の厚さにウェハを形成し、裏面に
金（Ａｕ） ２５を形成する（ＳＴ−２６）。そして、
薄肉部となる部分の金２５およびレジスト２６を除去し
く５Ｔ−２７，５Ｔ−２８）、残った金２５をマスクと
して、Ｎ型シリコン基板１１の裏面をエツチング除去し
て薄肉部２７を形成する（ＳＴ−２９）。 ここで、上記５Ｔ−１−３Ｔ−９はシード部形成工程、
５Ｔ−１０〜５Ｔ−１５は再結晶化工程、５Ｔ−１６〜
５Ｔ−１８は拡散抵抗形成工程、５Ｔ−１９〜５Ｔ−２
５は配線形成工程、５Ｔ−２６〜５Ｔ−２９は薄肉部形
成工程をなしている。 そして、最後に台座固定工程によって、シリコン基板１
１の裏面の一端に台座３１を固定する。 また、感光を上げるために、シリコン基板１の裏面の他
端側に重り（図示せず）を設ける。 なお、上記５Ｔ−３，５Ｔ−１２，−１６，５Ｔ−２３
，５Ｔ−２７におけるレジスト層２１〜２４．２６は、
それぞれの前段階でエツチングするためのマスク合わせ
（パターン合わせ）のとき塗布する。これがエツチング
を行うときのマスクとなる。 以上の製造方法によって、半導体シリコン単結晶基板上
に形成した絶縁層上に単結晶シリコンからなる複数の拡
散抵抗を、相互に電気的に絶縁された状態で形成するこ
とができ、高温雰囲気でも安定して動作可能な半導体圧
力センサが得られる。 また、上記製造方法において、単結晶シリコンに不純物
を注入して拡散抵抗を形成するとき該単結晶シリコンに
高濃度の不純物を注入して低抵抗の拡散リード２８を第
２図、第３図に示すように形成して配線とすることによ
り、上記複数の拡散抵抗１５ａ〜１５ｄを相互ムこ接続
することができる。２９は拡散リード２８の一部に形成
したアルミ層よりなる外部リード接続用の電極パッドで
ある。 さらに、上記製造方法において、第４図、第５図に示す
ように、シード部１１ａに対応する部分の配線領域Ｉ９
としての拡散リード２８に穴３゜をあけて、シード部１
１ａに対応する部分には配線領域を設けないようにする
ことにより、耐電圧性を高く維持することができ、高温
雰囲気中でも安定して動作可能とできる。
酸化層、１３は窒化層、１４は酸化層、１５はポリシリ
コン層、１６は窒化層、１７は反射防止層、１８は高温
酸化層、１９は金属層としてのアルミニューム層、２０
は保護層としてのガラスコート層である。 次に上記実施例の製造方法について説明する。 Ｎ型シリコン（Ｓｉ）基板ｌｌ上に厚さ５００人の下敷
酸化層（ＳｉＯ□）１２を形成しく５Ｔ−１）、その下
敷酸化層上に厚さ８００人の窒化層（ＳｉＪｎ）１３を
堆積する（ＳＴ−２）。 上記シード部１１ａに対応する部分を残して、窒化層１
３、下敷酸化層１２、Ｎ型シリコン基板１１を順次にエ
ツチング除去する（ＳＴ−３〜５Ｔ５）。この場合、Ｎ
型シリコン基板１１のエツチング量Ｈ１は３５００人程
度前記る。 次いで、残留している窒化層１３上のレジスト２１を除
去後（ＳＴ−６）、熱酸化によってＮ型シリコン基板１
上に厚さＴ＝１．１μｍの酸化層１４を形成後（ＳＴ−
７）。残留している窒化Ｎ１３を除去し、引続き残留し
ている下敷酸化層上２を除去するとともに酸化層１４を
０．１μｍ程度エツチング除去して表面を平坦化する（
ＳＴ−８，５Ｔ−９）。 しかる後、上記酸化層１４上にポリシリコン層１５を厚
さ５０００人堆積しくＳＴ−１０） 、その上に窒化層
１６を厚さ５００人堆積しくＳＴ１１）、この窒化層１
６をストライプ上に残るようにレジスト２２をエツチン
グ除去して反射防止層１７を形成する（ＳＴ−１２，５
Ｔ−１３）。 次いで、上部より不図示のレーザ（アルゴンレーザ）を
照射、走査し、上記ポリシリコン層１５を溶融させた後
、単結晶に再結晶化させる（ＳＴ−１４）。この後、上
記反射防止層１７、窒化層１６を除去する（ＳＴ〜１５
）。 上記再結晶化されたポリシリコン層１５を拡散抵抗とな
る部分を残してレジスト２３とともにエツチング除去す
る（ＳＴ−１６，５Ｔ−１７）。 残留されたポリシリコン層５に不純物（例えばボロン）
を注入して複数の拡散抵抗１５ａ〜１５ｄとする（ＳＴ
−１８）。これにより、酸化層である絶縁層上に複数の
拡散抵抗を電気的に絶縁分離された状態で形成すること
ができ、この後、その拡散抵抗を覆うように酸化層１４
の全面に高温酸化層１８を堆積する（ＳＴ−１９）。 次いで、コンタクトとなる部分の高温酸化層１８をレジ
スト層２３とともにエツチング除去した後（ＳＴ−２０
）、レジスト層２３をエツチング除去する（ＳＴ−２１
）。しかる後、全面にアルミニューム層１９を形成しく
５Ｔ−２２） 、配線領域に対応する上記アルミニュー
ム層１９を残して、他の部分およびレジスト層２４をエ
ツチング除去した後（ＳＴ−２３，５Ｔ−２４）、全面
にガラスコートによる保護層２０ （ＳＴ−２５）を施
す。 しかる後、保護層２０の一部をエツチング除去して電極
パッド２９を形成するとともにＮ型シリコン基板１の裏
面研磨を行って、所望の厚さにウェハを形成し、裏面に
金（Ａｕ） ２５を形成する（ＳＴ−２６）。そして、
薄肉部となる部分の金２５およびレジスト２６を除去し
く５Ｔ−２７，５Ｔ−２８）、残った金２５をマスクと
して、Ｎ型シリコン基板１１の裏面をエツチング除去し
て薄肉部２７を形成する（ＳＴ−２９）。 ここで、上記５Ｔ−１−３Ｔ−９はシード部形成工程、
５Ｔ−１０〜５Ｔ−１５は再結晶化工程、５Ｔ−１６〜
５Ｔ−１８は拡散抵抗形成工程、５Ｔ−１９〜５Ｔ−２
５は配線形成工程、５Ｔ−２６〜５Ｔ−２９は薄肉部形
成工程をなしている。 そして、最後に台座固定工程によって、シリコン基板１
１の裏面の一端に台座３１を固定する。 また、感光を上げるために、シリコン基板１の裏面の他
端側に重り（図示せず）を設ける。 なお、上記５Ｔ−３，５Ｔ−１２，−１６，５Ｔ−２３
，５Ｔ−２７におけるレジスト層２１〜２４．２６は、
それぞれの前段階でエツチングするためのマスク合わせ
（パターン合わせ）のとき塗布する。これがエツチング
を行うときのマスクとなる。 以上の製造方法によって、半導体シリコン単結晶基板上
に形成した絶縁層上に単結晶シリコンからなる複数の拡
散抵抗を、相互に電気的に絶縁された状態で形成するこ
とができ、高温雰囲気でも安定して動作可能な半導体圧
力センサが得られる。 また、上記製造方法において、単結晶シリコンに不純物
を注入して拡散抵抗を形成するとき該単結晶シリコンに
高濃度の不純物を注入して低抵抗の拡散リード２８を第
２図、第３図に示すように形成して配線とすることによ
り、上記複数の拡散抵抗１５ａ〜１５ｄを相互ムこ接続
することができる。２９は拡散リード２８の一部に形成
したアルミ層よりなる外部リード接続用の電極パッドで
ある。 さらに、上記製造方法において、第４図、第５図に示す
ように、シード部１１ａに対応する部分の配線領域Ｉ９
としての拡散リード２８に穴３゜をあけて、シード部１
１ａに対応する部分には配線領域を設けないようにする
ことにより、耐電圧性を高く維持することができ、高温
雰囲気中でも安定して動作可能とできる。
以上のように、請求項１記載の発明によれば、凸状のシ
ード部を形成したシリコン基板上に酸化層を形成し、こ
の酸化層上に堆積した多結晶シリコンを上記シード部よ
り溶融再結晶化させて単結晶化し、この単結晶シリコン
層に不純物を注入して拡散抵抗を形成するとともにそれ
以外の単結晶シリコン層を除去することにより、酸化層
である絶縁層上にも電気的に絶縁された複数個の拡散抵
抗を形成することができる。この結果、高温雰囲気中で
も安定して動作可能であり、性能精度が保証された半導
体加速度センサを簡単な製法によって安価に得ることが
できる。 また、請求項２記載の発明によれば、絶縁層上に複数の
拡散抵抗を形成すると同時に該拡散抵抗相互間を接続す
る拡散リードを形成することにより、異種金属の部分が
存在しないため、高温雰囲気中でも熱応力が緩和され、
温度ドリフトを滅−少させることができる。 請求項３記載の発明によれば、シード部に対応する部分
に配線領域を設けないようにしたことにより、耐電圧性
を高く維持することができ、高温雰囲気中でも安定して
動作可能である等の効果が得られる。
ード部を形成したシリコン基板上に酸化層を形成し、こ
の酸化層上に堆積した多結晶シリコンを上記シード部よ
り溶融再結晶化させて単結晶化し、この単結晶シリコン
層に不純物を注入して拡散抵抗を形成するとともにそれ
以外の単結晶シリコン層を除去することにより、酸化層
である絶縁層上にも電気的に絶縁された複数個の拡散抵
抗を形成することができる。この結果、高温雰囲気中で
も安定して動作可能であり、性能精度が保証された半導
体加速度センサを簡単な製法によって安価に得ることが
できる。 また、請求項２記載の発明によれば、絶縁層上に複数の
拡散抵抗を形成すると同時に該拡散抵抗相互間を接続す
る拡散リードを形成することにより、異種金属の部分が
存在しないため、高温雰囲気中でも熱応力が緩和され、
温度ドリフトを滅−少させることができる。 請求項３記載の発明によれば、シード部に対応する部分
に配線領域を設けないようにしたことにより、耐電圧性
を高く維持することができ、高温雰囲気中でも安定して
動作可能である等の効果が得られる。
第１図は請求項１記載の発明の実施例による半導体加速
度センサの製造方法を示す説明図、第２図は請求項２記
載の発明の実施例による半導体加速度センサの製造方法
を示す要部の平面図、第３図はその断面図、第４図は請
求項３記載の発明の実施例による半導体加速度センサの
製造方法を示す要部の正面図、第５図はその断面図、第
６図は従来の半導体圧力センサの製造方法を説明する説
明図である。 １１はシリコン基板、ｌｌａはシード部、１４は酸化層
、１５はポリシリコン層、１５ａ〜１５ｄは拡散抵抗、
１９は金属層（配線）、２０はガラスコート層（保護層
）、２８は拡散リード、３０は穴、３工は台座。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 （外２名） 第１図 （￥の１） 第１図
度センサの製造方法を示す説明図、第２図は請求項２記
載の発明の実施例による半導体加速度センサの製造方法
を示す要部の平面図、第３図はその断面図、第４図は請
求項３記載の発明の実施例による半導体加速度センサの
製造方法を示す要部の正面図、第５図はその断面図、第
６図は従来の半導体圧力センサの製造方法を説明する説
明図である。 １１はシリコン基板、ｌｌａはシード部、１４は酸化層
、１５はポリシリコン層、１５ａ〜１５ｄは拡散抵抗、
１９は金属層（配線）、２０はガラスコート層（保護層
）、２８は拡散リード、３０は穴、３工は台座。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 （外２名） 第１図 （￥の１） 第１図
Claims (3)
- （１）シリコン基板の表面に凸状のシード部を形成する
シード部形成工程と、前記シリコン基板の表面に設けた
酸化層上にポリシリコン層，窒化層を順次に堆積した後
、レーザを照射，走査して前記ポリシリコン層を溶融し
再結晶化して単結晶シリコン層を形成する再結晶化工程
と、拡散抵抗となる部分を残して前記単結晶シリコン層
をエッチング除去した後、その残留部分に不純物を注入
して拡散抵抗を形成する拡散抵抗形成工程と、コンタク
トとなる部分の酸化層を除去して全面に金属層を形成し
た後、配線領域を残して前記金属層を除去する配線形成
工程と、前記コンタクト以外の全面に絶縁材よりなる保
護層を形成する保護形成工程と、前記拡散抵抗に対応す
るシリコン基板の裏面を等方性エッチングして薄肉部を
形成する薄肉部形成工程と、前記シリコン基板の裏面の
一端を台座に固定する台座固定工程とを備えた半導体加
速度センサの製造方法。 - （２）シリコン基板の表面に凸状のシード部を形成する
シード部形成工程と、前記シリコン基板の表面に設けた
酸化層上にポリシリコン層，窒化層を順次に堆積した後
、レーザを照射，走査して前記ポリシリコン層を溶融し
再結晶化して単結晶シリコン層を形成する再結晶化工程
と、拡散抵抗および配線としての拡散リードとなる部分
を残して前記単結晶シリコン層をエッチング除去した後
、その残留部分に不純物を注入して拡散抵抗とするとと
もに注入不純物量を変えて拡散リードを形成する拡散抵
抗および拡散リード形成工程と、コンタクトとなる部分
の酸化層を除去した後、そのコンタクト以外の全面に絶
縁材よりなる保護層を形成する保護形成工程と、前記拡
散抵抗に対応するシリコン基板の裏面を等方性エッチン
グして薄肉部を形成する薄肉部形成工程と、前記シリコ
ン基板の裏面の一端を台座に固定する台座固定工程とを
備えた半導体加速度センサの製造方法。 - （３）シリコン基板の表面に凸状のシード部を形成する
シード部形成工程と、前記シリコン基板の表面に設けた
酸化層上にポリシリコン層，窒化層を順次に堆積した後
、レーザを照射，走査して前記ポリシリコン層を溶融し
再結晶化して単結晶シリコン層を形成する再結晶化工程
と、拡散抵抗となる部分を残して前記単結晶シリコン層
をエッチング除去した後、その残留部分に不純物を注入
して拡散抵抗を形成する拡散抵抗形成工程と、コンタク
トとなる部分の酸化層を除去し、その全面に前記シード
部に対応する部分を除いて金属層を形成した後、配線領
域を残して前記金属層を除去する配線形成工程と、前記
コンタクト以外の全面に絶縁材よりなる保護層を形成す
る保護形成工程と、前記拡散抵抗に対応するシリコン基
板の裏面を等方性エッチングして薄肉部を形成する薄肉
部形成工程と、前記シリコン基板の裏面の一端を台座に
固定する台座固定工程とを備えた半導体加速度センサの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19129790A JPH0476956A (ja) | 1990-07-19 | 1990-07-19 | 半導体加速度センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19129790A JPH0476956A (ja) | 1990-07-19 | 1990-07-19 | 半導体加速度センサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0476956A true JPH0476956A (ja) | 1992-03-11 |
Family
ID=16272222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19129790A Pending JPH0476956A (ja) | 1990-07-19 | 1990-07-19 | 半導体加速度センサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0476956A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5336918A (en) * | 1992-09-09 | 1994-08-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor pressure sensor and method of fabricating the same |
| USRE40347E1 (en) | 1992-04-27 | 2008-06-03 | Denso Corporation | Acceleration sensor and process for the production thereof |
| CN114695249A (zh) * | 2020-12-25 | 2022-07-01 | 中国科学院微电子研究所 | 一种接触部、位线、存储节点和dram的制造方法 |
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1990
- 1990-07-19 JP JP19129790A patent/JPH0476956A/ja active Pending
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