JPH04774A - スクイッド素子及びその製造方法 - Google Patents
スクイッド素子及びその製造方法Info
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- JPH04774A JPH04774A JP2100476A JP10047690A JPH04774A JP H04774 A JPH04774 A JP H04774A JP 2100476 A JP2100476 A JP 2100476A JP 10047690 A JP10047690 A JP 10047690A JP H04774 A JPH04774 A JP H04774A
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- JP
- Japan
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- squid
- organic
- complex
- superconducting
- thin film
- Prior art date
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- Pending
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は新規なスクイッド素子及びその製造方法に関す
るものである。さらに詳しくいえば、本発明は、熱処理
などの高温プロセスを必要とせずとも製造しうる、有機
超電導錯体を用いて成るスクイッド素子、及びこのもの
を低温プロセスのみを用いて効率よく製造する方法に関
するものである。
るものである。さらに詳しくいえば、本発明は、熱処理
などの高温プロセスを必要とせずとも製造しうる、有機
超電導錯体を用いて成るスクイッド素子、及びこのもの
を低温プロセスのみを用いて効率よく製造する方法に関
するものである。
［従来の技術〕
スクイッド素子（Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃ目ｎｇ ｑｕ
ａｎｔｕｍｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ ｄｅｖｉｃｅ）
は、超電導材料内部に弱い結合部分（ジョセフソン接合
）、すなわちくびれ部分などを有するものであって、例
えばスクイッド磁束計やジョセフソン電圧標準装置など
に用いられる。
ａｎｔｕｍｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ ｄｅｖｉｃｅ）
は、超電導材料内部に弱い結合部分（ジョセフソン接合
）、すなわちくびれ部分などを有するものであって、例
えばスクイッド磁束計やジョセフソン電圧標準装置など
に用いられる。
従来、スクイッド素子における超電導材料としてはＰｂ
系やＮｂ系の合金が用いられていたが、現在ではＰｂ系
は酸化が進みゃすいため、Ｎｂ系が主流となっている。
系やＮｂ系の合金が用いられていたが、現在ではＰｂ系
は酸化が進みゃすいため、Ｎｂ系が主流となっている。
しかしなから、このＮｂ系合金を用いて均質な薄膜を形
成させてスクイッド素子を製造する場合、薄膜化プロセ
スにおいて、７００°Ｃ以上の高温を必要とするという
欠点がある。
成させてスクイッド素子を製造する場合、薄膜化プロセ
スにおいて、７００°Ｃ以上の高温を必要とするという
欠点がある。
また、スクイッド素子の製造に、例えばＹＢａ２Ｃｔｚ
Ｏｙ−、などの酸化物系超電導体を用いる方法が提案さ
れているが（特開平１−１２０８７９号公報）、この方
法においても９００°Ｃ以上の高温（熱処理）プロセス
を必要とするという欠点を有している。
Ｏｙ−、などの酸化物系超電導体を用いる方法が提案さ
れているが（特開平１−１２０８７９号公報）、この方
法においても９００°Ｃ以上の高温（熱処理）プロセス
を必要とするという欠点を有している。
他方、近年、電子供与体と電子受容体間の電荷移動力に
よって２種の分子が結合した電荷移動錯体は、導電性や
常磁性、電子ビームに対する感応性、湿度に対する電気
感応性などの特性を有し、例えば電子材料やレジスト材
料、あるいは電極活性物質、感湿素子、エレクトロミッ
ク表示素子などとしての応用が可能であることから注目
され、積極的な研究がなされている。
よって２種の分子が結合した電荷移動錯体は、導電性や
常磁性、電子ビームに対する感応性、湿度に対する電気
感応性などの特性を有し、例えば電子材料やレジスト材
料、あるいは電極活性物質、感湿素子、エレクトロミッ
ク表示素子などとしての応用が可能であることから注目
され、積極的な研究がなされている。
このような電荷移動錯体の中でも、特に臨界温度以下で
超電導性を示す有機超電導体は、例えばジョセフソン接
合素子や高感度磁気検知などへの利用が可能であること
から、最近注目されている。
超電導性を示す有機超電導体は、例えばジョセフソン接
合素子や高感度磁気検知などへの利用が可能であること
から、最近注目されている。
［発明が解決しようとする課題］
本発明は、熱処理などの高温プロセスを必要とせずとも
製造しうる新規なスクイッド素子を提供することを目的
としてなされｊこものである。
製造しうる新規なスクイッド素子を提供することを目的
としてなされｊこものである。
［課題を解決するための手段］
本発明者らは前記目的を達成するために鋭意研究を重ね
ｊ；結果、絶縁体基板上に、有機超電導体薄膜を設けた
ものから成るスクイ・ンド素子により、その目的を達成
しうろことを見い出し、この知見に基づいて本発明を完
成するに至った。
ｊ；結果、絶縁体基板上に、有機超電導体薄膜を設けた
ものから成るスクイ・ンド素子により、その目的を達成
しうろことを見い出し、この知見に基づいて本発明を完
成するに至った。
すなわち、本発明は、絶縁体基板上に、有機超電導体薄
膜を設けたものから成るスクイ・ンド素子を提供するも
のである。
膜を設けたものから成るスクイ・ンド素子を提供するも
のである。
本発明に従えば、前記スクイッド素子は、絶縁体基板上
に、有機超電導錯体を真空蒸着させて薄膜を形成させ、
次いでその一部を除去してくびれ部分を設けることによ
り、製造することができる。
に、有機超電導錯体を真空蒸着させて薄膜を形成させ、
次いでその一部を除去してくびれ部分を設けることによ
り、製造することができる。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明において用いられる有機超電導錯体としては、例
えばビス（エチレンジチオ）テトラチアフルバレン（Ｂ
ＥＤＴ−ＴＴＦ）を電子供与体とする電荷移動錯体、具
体的には、第１表に示すものを挙げることができる。こ
れらの中で、超電導転移温度の高さから考えて（Ｂ Ｅ
Ｄ Ｔ Ｔ Ｔ Ｆ ） ｚＣｕ（ＳＣＮ）２や（
ＢＥＤＴ−ＴＴＦ）２１３が好適である。
えばビス（エチレンジチオ）テトラチアフルバレン（Ｂ
ＥＤＴ−ＴＴＦ）を電子供与体とする電荷移動錯体、具
体的には、第１表に示すものを挙げることができる。こ
れらの中で、超電導転移温度の高さから考えて（Ｂ Ｅ
Ｄ Ｔ Ｔ Ｔ Ｆ ） ｚＣｕ（ＳＣＮ）２や（
ＢＥＤＴ−ＴＴＦ）２１３が好適である。
１）σ−（ＢＥＤＴ
第 １
表
ＴＴＦ）２１．錯体を熱処理したもの
これらの有機超電導錯体は、ビス（エチレンジチオ）テ
トラチアフルバレン（ＢＥＤＴ−ＴＴＦ）と対応する電
子受容体とを公知の方法、例えば電解結晶成長法、拡散
法、徐冷法などの結晶成長法、あるいはＢＥＤＴ−ＴＴ
Ｆに気相、液相、または固相でハロゲン元素を反応させ
る方法なとによって製造することができる。
トラチアフルバレン（ＢＥＤＴ−ＴＴＦ）と対応する電
子受容体とを公知の方法、例えば電解結晶成長法、拡散
法、徐冷法などの結晶成長法、あるいはＢＥＤＴ−ＴＴ
Ｆに気相、液相、または固相でハロゲン元素を反応させ
る方法なとによって製造することができる。
本発明において用いられる絶縁体基板としては、例えば
塩化ナトリウムや塩化カリウムなとの単結晶、ガラス、
石英ガラス、あるいはポリ塩化ビニルやポリエチレンな
どの有機物などが挙げられる。
塩化ナトリウムや塩化カリウムなとの単結晶、ガラス、
石英ガラス、あるいはポリ塩化ビニルやポリエチレンな
どの有機物などが挙げられる。
これらの絶縁体基板上に、前記有機超電導体薄膜を形成
させる方法としては、例えは真空蒸着法、スパッタリン
グ法、イオンクラスタビーム法、ＣＶＤ法などの薄膜化
法を用いることができるが、本発明方法においては、該
有機超電導錯体が分解しにくい低エネルギーの薄膜形成
法である真空蒸着法が用いられる。
させる方法としては、例えは真空蒸着法、スパッタリン
グ法、イオンクラスタビーム法、ＣＶＤ法などの薄膜化
法を用いることができるが、本発明方法においては、該
有機超電導錯体が分解しにくい低エネルギーの薄膜形成
法である真空蒸着法が用いられる。
この真空蒸着法においては、該基板と有機超電導錯体と
の距離は１０ｃｍ以内、好ましくは５ｃｍ以内に保つの
が好ましい。この距離がｌｏｃｍを超えると該超電導錯
体か分解しｔ；す、形成された薄膜の配向性が十分でな
くなるなどの傾向が生しる。
の距離は１０ｃｍ以内、好ましくは５ｃｍ以内に保つの
が好ましい。この距離がｌｏｃｍを超えると該超電導錯
体か分解しｔ；す、形成された薄膜の配向性が十分でな
くなるなどの傾向が生しる。
また真空度は通常１０ｐａ （パスカル）以下、好まし
くは１Ｏ−２Ｐａ以下の範囲で選ばれる。この真空度か
１０Ｐａを超えると超電導錯体の酸化や分解が起こる恐
れがあり好ましくない。該超電導錯体の加熱は、その温
度が通常昇華点近傍に達するように行われるが、該錯体
の種類によって加熱温度は適宜選はれる。基板の温度は
通常３０〜１５０℃の範囲で選ばれる。この温度か１５
０°Ｃを超えると該錯体が分解する傾向が生じる。
くは１Ｏ−２Ｐａ以下の範囲で選ばれる。この真空度か
１０Ｐａを超えると超電導錯体の酸化や分解が起こる恐
れがあり好ましくない。該超電導錯体の加熱は、その温
度が通常昇華点近傍に達するように行われるが、該錯体
の種類によって加熱温度は適宜選はれる。基板の温度は
通常３０〜１５０℃の範囲で選ばれる。この温度か１５
０°Ｃを超えると該錯体が分解する傾向が生じる。
次に、有機超電導体薄膜の好適な形成方法の１例を添付
図面に従って説明する。第１図は超電導体薄膜を形成す
るための真空蒸着装置の１例の概略図であって、チェン
バー１内に蒸着ポート２と、その昇華口３かも１０ｃｍ
以内の距離に基板ホルダー４が設置され、さらに蒸着ポ
ート２と基板ホルダー４との間にシャッター５が設けら
れている。
図面に従って説明する。第１図は超電導体薄膜を形成す
るための真空蒸着装置の１例の概略図であって、チェン
バー１内に蒸着ポート２と、その昇華口３かも１０ｃｍ
以内の距離に基板ホルダー４が設置され、さらに蒸着ポ
ート２と基板ホルダー４との間にシャッター５が設けら
れている。
まず、蒸着ポート２の中へ所要の有機超電導錯体を入れ
、排気弁７を介してチェンバー内を真空度１０Ｐａ以下
、好ましくは１Ｏ−２Ｐａ以下に減圧にしたのち、蒸着
ポート２を有機超電導錯体の昇華点近傍まで、通常１５
０〜２６０°Ｃの範囲に加熱し、基板ホルダー４に保持
された基板上に該錯体を蒸着させる。この際、あらかじ
めチェンバー１内をアルゴンなどの不活性ガスで置換し
たのち、減圧にしてもよい。蒸着膜の膜厚の調整は、水
晶振動子膜厚計６でモニターしながら、シャッター５の
開閉によって行われる。この方法によると、膜厚が数１
００μｍ程度まで可能であるし、また膜の大きさは蒸着
ポートの型によって制御することができる。このように
して得られた有機超電導体薄膜は基板面に対して高電気
伝導度方向が平行になるように配向し、かつ単一相から
成っている。
、排気弁７を介してチェンバー内を真空度１０Ｐａ以下
、好ましくは１Ｏ−２Ｐａ以下に減圧にしたのち、蒸着
ポート２を有機超電導錯体の昇華点近傍まで、通常１５
０〜２６０°Ｃの範囲に加熱し、基板ホルダー４に保持
された基板上に該錯体を蒸着させる。この際、あらかじ
めチェンバー１内をアルゴンなどの不活性ガスで置換し
たのち、減圧にしてもよい。蒸着膜の膜厚の調整は、水
晶振動子膜厚計６でモニターしながら、シャッター５の
開閉によって行われる。この方法によると、膜厚が数１
００μｍ程度まで可能であるし、また膜の大きさは蒸着
ポートの型によって制御することができる。このように
して得られた有機超電導体薄膜は基板面に対して高電気
伝導度方向が平行になるように配向し、かつ単一相から
成っている。
なお、（Ｂ Ｅ Ｄ Ｔ −Ｔ Ｔ Ｆ ） ２１ ｓ
については、このような方法によるとσ型（Ｂ Ｅ Ｄ
Ｔ −Ｔ Ｔ Ｆ ） ２１ ｓ（超電導を示さない
）のものも混入することがあるが、この場合は空気中で
３０−１５０℃の温度で熱処理することにより、膜の構
造をβ型などの超電導を示す相にすることができる。β
型は基板温度約７０°Ｃで生じ、θ、に、γ型はそれぞ
れ約６０°Ｃ１４０°Ｃ１３０°Ｃの温度で生じる。
については、このような方法によるとσ型（Ｂ Ｅ Ｄ
Ｔ −Ｔ Ｔ Ｆ ） ２１ ｓ（超電導を示さない
）のものも混入することがあるが、この場合は空気中で
３０−１５０℃の温度で熱処理することにより、膜の構
造をβ型などの超電導を示す相にすることができる。β
型は基板温度約７０°Ｃで生じ、θ、に、γ型はそれぞ
れ約６０°Ｃ１４０°Ｃ１３０°Ｃの温度で生じる。
このようにして形成された有機超電導体薄膜の膜厚は１
０ｎｍないし１μｍ程度がよく、薄すぎると電導性に劣
るし、厚すぎるともろくなる傾向がみられる。
０ｎｍないし１μｍ程度がよく、薄すぎると電導性に劣
るし、厚すぎるともろくなる傾向がみられる。
本発明のスクイッド素子は、このようにして絶縁体基板
上に設けられた有機超電導体薄膜の一部を除去して、く
びれ部分を形成させることにより得られる。この一部を
除去する方法としては、例えはワイヤーソーやタイヤモ
ンドカッターなどによる機械的切断法や、電子線又はレ
ーザー照射による超電導錯体の分解法などを用いること
ができるが、くびれ部分を大きくする場合は前者の方法
が適しており、逆に小さくして集積化を図る場合には後
者の方法が適している。
上に設けられた有機超電導体薄膜の一部を除去して、く
びれ部分を形成させることにより得られる。この一部を
除去する方法としては、例えはワイヤーソーやタイヤモ
ンドカッターなどによる機械的切断法や、電子線又はレ
ーザー照射による超電導錯体の分解法などを用いること
ができるが、くびれ部分を大きくする場合は前者の方法
が適しており、逆に小さくして集積化を図る場合には後
者の方法が適している。
このようにして作製された本発明のスクイッド素子は、
所望により、環境（水蒸気など）からの悪影響や機械的
強度を向上させるために、その全体をポリカーボネート
などの有機絶縁ポリマーによって包み込んでもよい。
所望により、環境（水蒸気など）からの悪影響や機械的
強度を向上させるために、その全体をポリカーボネート
などの有機絶縁ポリマーによって包み込んでもよい。
本発明のスクイッド素子は、第２図（ａ）及び第２図（
ｂ）に示すように成形することにより、ＲＦスクイッド
や、ＤＣＣスクイッドしての利用も可能である。この図
において、１１は絶縁体基板、１２は有機超電導体薄膜
、１３はくびれ部分を示す。
ｂ）に示すように成形することにより、ＲＦスクイッド
や、ＤＣＣスクイッドしての利用も可能である。この図
において、１１は絶縁体基板、１２は有機超電導体薄膜
、１３はくびれ部分を示す。
［実施例］
次に実施例により本発明をさらに詳細に説明するか、本
発明はこれらの例によってなんら限定されるものではな
い。
発明はこれらの例によってなんら限定されるものではな
い。
実施例Ｉ
ＢＥＤＴ−ＴＴＦ ［日本カーリット（株）製］及び
テトラブチルアンモニウムトリョウジド［和光紬薬（株
）製］を原料として、電解結晶成長法により（ＢＥＤＴ
−ＴＴＦ）２Ｉ３錯体を作製した。
テトラブチルアンモニウムトリョウジド［和光紬薬（株
）製］を原料として、電解結晶成長法により（ＢＥＤＴ
−ＴＴＦ）２Ｉ３錯体を作製した。
次に、第１図に示す真空蒸着装置を用い、前記錯体ｌｏ
ｍｇをるつぼ（蒸着ポート）２に入れ、るつぼ口（昇降
口）３から２ｃｍ離れた位置に３×３Ｘ０．３ｃｍ３の
塩化ナトリウム単結晶基板を基板ホルダー４に保持し、
基板温度７０°Ｃするつぼ温度２００°Ｃ１チ工ンバー
内真空度１０−’Ｐａの条件で真空蒸着を行い、基板上
に膜厚５００ｎｍの薄膜を形成させた。次いで、これを
７０°Ｃで５時間空気中でアニールし、高い超電導転移
温度を示す相に変化させた。
ｍｇをるつぼ（蒸着ポート）２に入れ、るつぼ口（昇降
口）３から２ｃｍ離れた位置に３×３Ｘ０．３ｃｍ３の
塩化ナトリウム単結晶基板を基板ホルダー４に保持し、
基板温度７０°Ｃするつぼ温度２００°Ｃ１チ工ンバー
内真空度１０−’Ｐａの条件で真空蒸着を行い、基板上
に膜厚５００ｎｍの薄膜を形成させた。次いで、これを
７０°Ｃで５時間空気中でアニールし、高い超電導転移
温度を示す相に変化させた。
このようにして得られた薄膜から、０．５Ｘｌｃ講の膜
の部分を残して、それ以外の膜をナイフによって除去し
、次いで残った膜の中心部分にワイヤーソーによりくび
れ部分を形成させ、第３図に示すような、絶縁体基板１
１上に、面積が１ ｍｍ２のくびれ部分１３を有する有
機超電導体薄膜１２が設けられた構造のスクイッド素子
を作製した。
の部分を残して、それ以外の膜をナイフによって除去し
、次いで残った膜の中心部分にワイヤーソーによりくび
れ部分を形成させ、第３図に示すような、絶縁体基板１
１上に、面積が１ ｍｍ２のくびれ部分１３を有する有
機超電導体薄膜１２が設けられた構造のスクイッド素子
を作製した。
この素子に、金ペーストを用いて電流電圧端子を取付け
、くびれ部分の電圧−電流特性を調べた。
、くびれ部分の電圧−電流特性を調べた。
第４図にこの測定系の概念図を示す。すなわち、スクイ
ッド素子１４に、金ペーストを用いて端子１５ ａ、
１５ ｂ、 １５ ｃ、 １５ ｄを取付け、電源１６
、信号処理装置１７及び１０Ωの抵抗１８を設置する。
ッド素子１４に、金ペーストを用いて端子１５ ａ、
１５ ｂ、 １５ ｃ、 １５ ｄを取付け、電源１６
、信号処理装置１７及び１０Ωの抵抗１８を設置する。
測定は、まず素子１４を液体ヘリウム温度に冷却して超
電導状態にしたのち、電源１６よりくびれ部分１３と抵
抗１８に電圧を印加し、くびれ部分１３に流れる電流を
抵抗１８の両端に発生する電圧から調べるとともに、く
びれ部分１３に発生する電圧を素子１４に取付けた電圧
端子１５ｃ及び１５ｄから調へｔ；。この両方の電圧か
ら、くびれ部分１３の電圧−電流特性を信号処理装置１
７において調べた。
電導状態にしたのち、電源１６よりくびれ部分１３と抵
抗１８に電圧を印加し、くびれ部分１３に流れる電流を
抵抗１８の両端に発生する電圧から調べるとともに、く
びれ部分１３に発生する電圧を素子１４に取付けた電圧
端子１５ｃ及び１５ｄから調へｔ；。この両方の電圧か
ら、くびれ部分１３の電圧−電流特性を信号処理装置１
７において調べた。
第５図は、くびれ部分にマイクロ波を照射した際の電圧
−電流特性曲線で、くびれ部分がスクイッド素子として
働くために必要なジョセフソン接合していることを示す
階段状の変化（シャピロステップ）が見られた。また、
この階段状ステップの電圧はマイクロ波の周波数に比例
することが確認された。
−電流特性曲線で、くびれ部分がスクイッド素子として
働くために必要なジョセフソン接合していることを示す
階段状の変化（シャピロステップ）が見られた。また、
この階段状ステップの電圧はマイクロ波の周波数に比例
することが確認された。
［発明の効果］
本発明によると、超電導材料として有機超電導錯体を用
い、真空蒸着法により絶縁体基板上に有機超電導体薄膜
を形成させたのち、その一部を除去してくびれ部分を形
成させることにより、熱処理などの高温プロセスを必要
とせず、低温プロセスのみでスクイッド素子を作製する
ことができる。
い、真空蒸着法により絶縁体基板上に有機超電導体薄膜
を形成させたのち、その一部を除去してくびれ部分を形
成させることにより、熱処理などの高温プロセスを必要
とせず、低温プロセスのみでスクイッド素子を作製する
ことができる。
このようにして得られた本発明のスクイッド素子は適当
に成形することにより、ＲＦスクイッドやＤＣＣスクイ
ッドして利用することができ、例えばスクイッド磁束計
やジョセフソン電圧標準装置などに好適に用いられる。
に成形することにより、ＲＦスクイッドやＤＣＣスクイ
ッドして利用することができ、例えばスクイッド磁束計
やジョセフソン電圧標準装置などに好適に用いられる。
第１図は本発明のスクイッド素子の製造において用いら
れる真空蒸着装置の１例の概略図、第２図（ａ）、（ｂ
）及び第３図は、それぞれ本発明のスクイッド素子の異
なった例の構造を示す概略図、第４図は本発明のスクイ
ッド素子におけるくびれ部分の電圧−電流特性を調べる
ための概念図、第５図は本発明のスクイッド素子におけ
るくびれ部分にマイクロ波を照射した際の電圧−電流特
性の１例を示すグラフである。 第１図において、符号１はチェンバー、２は蒸着ポート
、３は昇華口、４は基板ホルダー ５はシャッター、６
は膜圧針、７は排気弁であり、第２図、第３図及び第４
図において１１は絶縁体基板、１２は有機超電導体薄膜
、１３はくびれ部分、１４はスクイッド素子、１５ ａ
、 １５ ｂ、 １５ ｃ及び１５ｄは、金ペース
トで取付けられた端子、１６は電源、１７は信号処理装
置、１８は抵抗である。
れる真空蒸着装置の１例の概略図、第２図（ａ）、（ｂ
）及び第３図は、それぞれ本発明のスクイッド素子の異
なった例の構造を示す概略図、第４図は本発明のスクイ
ッド素子におけるくびれ部分の電圧−電流特性を調べる
ための概念図、第５図は本発明のスクイッド素子におけ
るくびれ部分にマイクロ波を照射した際の電圧−電流特
性の１例を示すグラフである。 第１図において、符号１はチェンバー、２は蒸着ポート
、３は昇華口、４は基板ホルダー ５はシャッター、６
は膜圧針、７は排気弁であり、第２図、第３図及び第４
図において１１は絶縁体基板、１２は有機超電導体薄膜
、１３はくびれ部分、１４はスクイッド素子、１５ ａ
、 １５ ｂ、 １５ ｃ及び１５ｄは、金ペース
トで取付けられた端子、１６は電源、１７は信号処理装
置、１８は抵抗である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 絶縁体基板上に、有機超電導体薄膜を設けたものか
ら成るスクイッド素子。 ２ 絶縁体基板上に、有機超電導錯体を真空蒸着させて
薄膜を形成させ、次いでその一部を除去してくびれ部分
を設けることを特徴とする請求項１記載のスクイッド素
子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2100476A JPH04774A (ja) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | スクイッド素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2100476A JPH04774A (ja) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | スクイッド素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04774A true JPH04774A (ja) | 1992-01-06 |
Family
ID=14274972
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2100476A Pending JPH04774A (ja) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | スクイッド素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04774A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8354591B2 (en) | 2006-04-10 | 2013-01-15 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Superconducting cable |
-
1990
- 1990-04-18 JP JP2100476A patent/JPH04774A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8354591B2 (en) | 2006-04-10 | 2013-01-15 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Superconducting cable |
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