JPH0423340A - ワイヤボンダ - Google Patents
ワイヤボンダInfo
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- JPH0423340A JPH0423340A JP2123114A JP12311490A JPH0423340A JP H0423340 A JPH0423340 A JP H0423340A JP 2123114 A JP2123114 A JP 2123114A JP 12311490 A JP12311490 A JP 12311490A JP H0423340 A JPH0423340 A JP H0423340A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- bonding
- ultrasonic
- wire
- load
- Prior art date
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
- H10W72/07141—Means for applying energy, e.g. ovens or lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07531—Techniques
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07531—Techniques
- H10W72/07532—Compression bonding, e.g. thermocompression bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
ボンディングワイヤをボンディングするためのワイヤボ
ンダに関し、 ボンディングを行う周辺の空気の動きにより温度が急激
に変化しても均一な接合状態を得ることを目的とし、 ワイヤボンディング面の温度をモニタする手段をそなえ
、該モニタされた温度の変化に応じて超音波出力、超音
波印加時間および荷重のうちの少くとも１つのパラメー
タを補正するように構成される。
ンダに関し、 ボンディングを行う周辺の空気の動きにより温度が急激
に変化しても均一な接合状態を得ることを目的とし、 ワイヤボンディング面の温度をモニタする手段をそなえ
、該モニタされた温度の変化に応じて超音波出力、超音
波印加時間および荷重のうちの少くとも１つのパラメー
タを補正するように構成される。
本発明はＩＣチップの電極などにボンディングワイヤを
ボンディングするためのワイヤボンダに関する。
ボンディングするためのワイヤボンダに関する。
通常ワイヤボンダでは、所定温度に加熱されたワークス
テージ上に載置されたＩＣチップのパッドあるいは該パ
ッドと接続される相手となるべきパッケージリード乃至
はプリント基板の所定の電極上に、該ボンディングワイ
ヤを、該ワイヤボンダに設けられたキャピラリにより所
定の荷重を印加して熱圧着することにより、該ボンディ
ングワイヤの接合が行われる。ここで該熱圧着に際し該
キャピラリに所定の超音波出力を印加して該キャピラリ
を水平方向くボンディング面と平行な方向）に微小振動
させることにより、より低温度で該ボンディングワイヤ
の接合が可能となり、このため通常は超音波併用熱圧着
方式によって該ボンディングワイヤのボンディングが行
われる。
テージ上に載置されたＩＣチップのパッドあるいは該パ
ッドと接続される相手となるべきパッケージリード乃至
はプリント基板の所定の電極上に、該ボンディングワイ
ヤを、該ワイヤボンダに設けられたキャピラリにより所
定の荷重を印加して熱圧着することにより、該ボンディ
ングワイヤの接合が行われる。ここで該熱圧着に際し該
キャピラリに所定の超音波出力を印加して該キャピラリ
を水平方向くボンディング面と平行な方向）に微小振動
させることにより、より低温度で該ボンディングワイヤ
の接合が可能となり、このため通常は超音波併用熱圧着
方式によって該ボンディングワイヤのボンディングが行
われる。
このような超音波併用熱圧着方式によってボンディング
ワイヤのボンディングを行う場合には、■超音波出力■
超音波印加時間■荷重■温度によってその接合状態が決
まる。しかしながら上記■の温度は、ボンディングを行
う周辺の空気の動きにより急激に変化する場合があり、
そのときにはボンディング条件が変っていることになり
、均一な接合状態を得ることができないという問題点が
ある。
ワイヤのボンディングを行う場合には、■超音波出力■
超音波印加時間■荷重■温度によってその接合状態が決
まる。しかしながら上記■の温度は、ボンディングを行
う周辺の空気の動きにより急激に変化する場合があり、
そのときにはボンディング条件が変っていることになり
、均一な接合状態を得ることができないという問題点が
ある。
本発明はかかる課題を解決するためになされたもので、
上記■の温度に該当するボンディング面温度（パッドあ
るいはプリント基板電極等の温度）をモニターしておき
、この温度変化に応じて上記■乃至■のパラメータを変
化させ、ワイヤボンディングにおいて常に均一な接合状
態を得ることができるようにしたものである。
上記■の温度に該当するボンディング面温度（パッドあ
るいはプリント基板電極等の温度）をモニターしておき
、この温度変化に応じて上記■乃至■のパラメータを変
化させ、ワイヤボンディングにおいて常に均一な接合状
態を得ることができるようにしたものである。
ここで上記■の温度をモニターし、それに応じて上記■
乃至■のパラメータを補正する理由は、該温度が周辺の
空気の動きなどにより急激に変化した場合、該温度を瞬
時に所定の設定温度に戻すことは困難なためである。
乃至■のパラメータを補正する理由は、該温度が周辺の
空気の動きなどにより急激に変化した場合、該温度を瞬
時に所定の設定温度に戻すことは困難なためである。
かかる課題を解決するために本発明によれば、ワイヤボ
ンディング面の温度をモニタする手段をそなえ、該モニ
タされた温度の変化に応じて超音波出力、超音波印加時
間および荷重のうちの少くとも１つのパラメータを補正
するようにしたワイヤボンダが提供される。
ンディング面の温度をモニタする手段をそなえ、該モニ
タされた温度の変化に応じて超音波出力、超音波印加時
間および荷重のうちの少くとも１つのパラメータを補正
するようにしたワイヤボンダが提供される。
上記構成によればボンディング面の温度に急激な変化が
あってもそれに応じて上記した少くとも１つのパラメー
タを補正することによって、ワイヤボンディングにおけ
る均一な接合状態をうろことができる。
あってもそれに応じて上記した少くとも１つのパラメー
タを補正することによって、ワイヤボンディングにおけ
る均一な接合状態をうろことができる。
第１図は本発明の１実施例としてのワイヤボンダと、該
ワイヤボンダによってボンディングされるボンディング
ワイヤのボンディング状態を示している。すなわちワー
クステージ１上に、所定の基板２ （例えばプリント基
板など）とＩＣチップ３とが設けられ、該ＩＣチップ３
上の所定のパッドと該パッドの相手となるべき該基板２
上の所定の電極とがボンディングワイヤ４により接続さ
れており、該ワイヤボンダ５は次のワイヤボンディング
を行うために待機している状態が示される。
ワイヤボンダによってボンディングされるボンディング
ワイヤのボンディング状態を示している。すなわちワー
クステージ１上に、所定の基板２ （例えばプリント基
板など）とＩＣチップ３とが設けられ、該ＩＣチップ３
上の所定のパッドと該パッドの相手となるべき該基板２
上の所定の電極とがボンディングワイヤ４により接続さ
れており、該ワイヤボンダ５は次のワイヤボンディング
を行うために待機している状態が示される。
該ワイヤボンダ５にはホーン６を介してキャピラリ７が
設けられており、上述したように所定のボンディング面
（例えばＩＣチップのパッドあるいはそれの相手となる
べき基板上の電極）上に該ボンディングワイヤが該キャ
ピラリ７によって圧接される。その際該ワイヤボンダ５
側に設けられた温度設定ダイアル１４と温度設定装置１
５とにより該ワークステージ１が所定の設定温度（ここ
では１Ｍとする）にまで加熱され、また設定ダイアル８
により設定された所定の超音波出力（ここではＰとする
）が超音波出力設定装置９を介してキャピラリ７に印加
され、その際該キャピラリ７に印加される超音波印加時
間（ここではＴとする）は設定ダイアル１０により超音
波印加時間設定装置１１において設定される。更に設定
ダイアル１２により設定された所定の荷重（ここではＦ
とする）が荷重設定装置１３を介して該キャピラリ７に
印加される。このようにして該キャピラリ７にはそのワ
イヤボンディング時において、所定の超音波出力が所定
時間印加され、これにより上述したように該キャピラリ
７がボンディング面に平行に微小振動しながらその下方
に向って印加された所定の荷重により該ボンディングワ
イヤを該ボンディング面に向って圧接して熱圧着する（
その際の熱は所定温度に加熱されたワークステージ側か
ら伝えられる）ことにより、上述した所謂超音波併用熱
圧着方式によるボンディングワイヤのボンディングが行
われる。なお図示していないが、該キャピラリ７の上方
からは、リールに巻かれたワイヤが該キャピラリ７に設
けられた細孔を通して供給されるようになっており、こ
のようにして順次繰り出されたワイヤによりボンディン
グが行われ、該ＩＣのパッド上とそれの相手となるべき
例えば基板電極上とのボンディングが終了した時点で該
ワイヤが図示しないクランプにより挾まれて引張り上げ
られて該ワイヤの切断がなされ、次のボンディングが行
われる。
設けられており、上述したように所定のボンディング面
（例えばＩＣチップのパッドあるいはそれの相手となる
べき基板上の電極）上に該ボンディングワイヤが該キャ
ピラリ７によって圧接される。その際該ワイヤボンダ５
側に設けられた温度設定ダイアル１４と温度設定装置１
５とにより該ワークステージ１が所定の設定温度（ここ
では１Ｍとする）にまで加熱され、また設定ダイアル８
により設定された所定の超音波出力（ここではＰとする
）が超音波出力設定装置９を介してキャピラリ７に印加
され、その際該キャピラリ７に印加される超音波印加時
間（ここではＴとする）は設定ダイアル１０により超音
波印加時間設定装置１１において設定される。更に設定
ダイアル１２により設定された所定の荷重（ここではＦ
とする）が荷重設定装置１３を介して該キャピラリ７に
印加される。このようにして該キャピラリ７にはそのワ
イヤボンディング時において、所定の超音波出力が所定
時間印加され、これにより上述したように該キャピラリ
７がボンディング面に平行に微小振動しながらその下方
に向って印加された所定の荷重により該ボンディングワ
イヤを該ボンディング面に向って圧接して熱圧着する（
その際の熱は所定温度に加熱されたワークステージ側か
ら伝えられる）ことにより、上述した所謂超音波併用熱
圧着方式によるボンディングワイヤのボンディングが行
われる。なお図示していないが、該キャピラリ７の上方
からは、リールに巻かれたワイヤが該キャピラリ７に設
けられた細孔を通して供給されるようになっており、こ
のようにして順次繰り出されたワイヤによりボンディン
グが行われ、該ＩＣのパッド上とそれの相手となるべき
例えば基板電極上とのボンディングが終了した時点で該
ワイヤが図示しないクランプにより挾まれて引張り上げ
られて該ワイヤの切断がなされ、次のボンディングが行
われる。
上述したように該キマピラリ７に印加される超音波出力
、超音波印加時間、および荷重ならびに該ワークステー
ジを加熱する温度は、当初それぞれのパラメータ設定ダ
イアル８，１０．１２および１４により最適の設定値（
Ｐ、Ｔ、Ｆおよびｔｘ）に設定されるが、該ワークステ
ージの温度（したがってボンディング面の温度）はボン
ディングを行う周辺の空気の動きにより急激に変化する
場合があり、この温度を瞬時に設定温度に戻すことは困
難である。
、超音波印加時間、および荷重ならびに該ワークステー
ジを加熱する温度は、当初それぞれのパラメータ設定ダ
イアル８，１０．１２および１４により最適の設定値（
Ｐ、Ｔ、Ｆおよびｔｘ）に設定されるが、該ワークステ
ージの温度（したがってボンディング面の温度）はボン
ディングを行う周辺の空気の動きにより急激に変化する
場合があり、この温度を瞬時に設定温度に戻すことは困
難である。
そこで本発明ではかかる温度変化があっても常に均一な
接合状態を得ることができるように、上記ボンディング
面の温度を温度センサ１６により逐次モニターしておき
、該モニターされた温度にもとづいて該ワイヤボンダ５
内に設けられたマイコン１７により上記超音波出力、超
音波印加時間および荷重のうち少くとも１つのパラメー
タを補正するようにしたものである。
接合状態を得ることができるように、上記ボンディング
面の温度を温度センサ１６により逐次モニターしておき
、該モニターされた温度にもとづいて該ワイヤボンダ５
内に設けられたマイコン１７により上記超音波出力、超
音波印加時間および荷重のうち少くとも１つのパラメー
タを補正するようにしたものである。
そのために第２図に示されるようなマツプを該ワイヤボ
ンダ５内に設けられたメモリ１８に記憶させておき、該
メモリ１８からそのときのボンディング面温度（温度セ
ンサ１６で検出された温度）に応じた補正パラメータを
マイコン１７が読比す。ここで第２図に示されるマツプ
では、通常のボンディング温度（設定温度）ｔｘに対す
る上記各パラメータ（超音波出力、超音波印加時間、荷
重）の最適値をそれぞれＰ、Ｔ、Ｆとし、該ボンディン
グ温度ｔ。を中心として該ボンディング温度がパラメー
タ補正可能下限温度１１． （これ以上ボンディング
温度が下ったらパラメータを補正しても良好な接合が補
償できない最低温度）からパラメータ補正可能上限温度
ｔ）Ｉ（これ以上ボンディング温度が上ったらパラメー
タを補正しても良好な接合が補償できない最高温度）ま
で変化する間に、上記各パラメータ（超音波出力、超音
波印加時間、および荷重）をそれぞれ（Ｐ＋α）から（
Ｐ−α）まで、（Ｔ＋β）から（Ｔ−β）まで、および
（Ｆ＋ｒ）から（Ｆ−ｒ）まで変化させる。すなわちα
、β、ｒが上記各パラメータの補正係数である。したが
って例えば上記ボンディング温度（温度センサで検出さ
れた温度）がｔＬまで下った場合には、上記超音波出力
、超音波印加時間、および荷重の各パラメータがそれぞ
れ（Ｐ＋α）。
ンダ５内に設けられたメモリ１８に記憶させておき、該
メモリ１８からそのときのボンディング面温度（温度セ
ンサ１６で検出された温度）に応じた補正パラメータを
マイコン１７が読比す。ここで第２図に示されるマツプ
では、通常のボンディング温度（設定温度）ｔｘに対す
る上記各パラメータ（超音波出力、超音波印加時間、荷
重）の最適値をそれぞれＰ、Ｔ、Ｆとし、該ボンディン
グ温度ｔ。を中心として該ボンディング温度がパラメー
タ補正可能下限温度１１． （これ以上ボンディング
温度が下ったらパラメータを補正しても良好な接合が補
償できない最低温度）からパラメータ補正可能上限温度
ｔ）Ｉ（これ以上ボンディング温度が上ったらパラメー
タを補正しても良好な接合が補償できない最高温度）ま
で変化する間に、上記各パラメータ（超音波出力、超音
波印加時間、および荷重）をそれぞれ（Ｐ＋α）から（
Ｐ−α）まで、（Ｔ＋β）から（Ｔ−β）まで、および
（Ｆ＋ｒ）から（Ｆ−ｒ）まで変化させる。すなわちα
、β、ｒが上記各パラメータの補正係数である。したが
って例えば上記ボンディング温度（温度センサで検出さ
れた温度）がｔＬまで下った場合には、上記超音波出力
、超音波印加時間、および荷重の各パラメータがそれぞ
れ（Ｐ＋α）。
（Ｔ＋β）、および（Ｆ＋γ）まで増加し、この増加し
たパラメータをマイコン１７が読み取って、第１図点線
で示される制御系を通して上記各パラメータ（超音波出
力、超音波印加時間および荷重）を上記所定値まで増加
するように各パラメータ設定装置９．１１．１３を制御
する。また逆に上記ボンディング温度がｔＨまで上った
場合には、上記各パラメータがそれぞれ（Ｐ−α）、（
Ｔ−β）および（Ｆ−７）まで減少するように上記マイ
コン１７が各パラメータ設定装置９．１Ｌ１３を制御す
る。
たパラメータをマイコン１７が読み取って、第１図点線
で示される制御系を通して上記各パラメータ（超音波出
力、超音波印加時間および荷重）を上記所定値まで増加
するように各パラメータ設定装置９．１１．１３を制御
する。また逆に上記ボンディング温度がｔＨまで上った
場合には、上記各パラメータがそれぞれ（Ｐ−α）、（
Ｔ−β）および（Ｆ−７）まで減少するように上記マイ
コン１７が各パラメータ設定装置９．１Ｌ１３を制御す
る。
なお上記第２図に示されるマツプでは上記温度センサか
ら検出された温度に応じて上記３つのパラメータ〈超音
波出力、超音波印加時間、荷重）を補正するようにして
いるが、場合によっては上記３つのパラメータのうちの
少くとも１つを補正するようにしてもよい。
ら検出された温度に応じて上記３つのパラメータ〈超音
波出力、超音波印加時間、荷重）を補正するようにして
いるが、場合によっては上記３つのパラメータのうちの
少くとも１つを補正するようにしてもよい。
第３図は上記マイコンの処理手順をフローチャートで示
すもので、ステップ２でボンディング面の温度を温度セ
ンサを介して検出し、該ボンディング面の温度がｔ。に
等しければ上述した各パラメータとしてそれぞれ所定の
設定値Ｐ、Ｔ、Ｆを出力する。（ステップ７） 一方該検出されたボンディング面の温度が１Ｍより大で
あればステップ３に進み、上記上限温度ｔ）Ｉより大か
否かが検出され、該ｔＨより犬であればステップ５でそ
のまま出力を停止させ、逆に該ｔＨ以下（すなわちｔＭ
とｔＨとの間）であればステップ６で上記所定のマツプ
に従ったパラメータ補正（Ｐ−Ｐ−α、Ｔ−Ｔ−β、Ｆ
〜Ｆ−７−の間での補正）を行って該補正された各パラ
メータを出力する（ステップ７）。他方、該検出された
ボンディング面の温度がｔＸより小であればステップ４
に進み、上記下限温度ｔＬより小であるか否かが検出さ
れ、該ｔＬより小であればステップ５でそのまま出力を
停止させ、逆にｔＬ以上（すなわち１Ｍとｔ、との間）
であればステップ６で上記所定のマツプにしたがったパ
ラメータ補正（Ｐ−Ｐ＋α、Ｔ−Ｔ＋β、Ｆ−Ｆ＋７の
間での補正）を行って、該補正された各パラメータを８
カする（ステップ７）。このようにしてすべてのボンデ
ィングが終了するまで同様の処理手順が繰返される（ス
テップ８）。
すもので、ステップ２でボンディング面の温度を温度セ
ンサを介して検出し、該ボンディング面の温度がｔ。に
等しければ上述した各パラメータとしてそれぞれ所定の
設定値Ｐ、Ｔ、Ｆを出力する。（ステップ７） 一方該検出されたボンディング面の温度が１Ｍより大で
あればステップ３に進み、上記上限温度ｔ）Ｉより大か
否かが検出され、該ｔＨより犬であればステップ５でそ
のまま出力を停止させ、逆に該ｔＨ以下（すなわちｔＭ
とｔＨとの間）であればステップ６で上記所定のマツプ
に従ったパラメータ補正（Ｐ−Ｐ−α、Ｔ−Ｔ−β、Ｆ
〜Ｆ−７−の間での補正）を行って該補正された各パラ
メータを出力する（ステップ７）。他方、該検出された
ボンディング面の温度がｔＸより小であればステップ４
に進み、上記下限温度ｔＬより小であるか否かが検出さ
れ、該ｔＬより小であればステップ５でそのまま出力を
停止させ、逆にｔＬ以上（すなわち１Ｍとｔ、との間）
であればステップ６で上記所定のマツプにしたがったパ
ラメータ補正（Ｐ−Ｐ＋α、Ｔ−Ｔ＋β、Ｆ−Ｆ＋７の
間での補正）を行って、該補正された各パラメータを８
カする（ステップ７）。このようにしてすべてのボンデ
ィングが終了するまで同様の処理手順が繰返される（ス
テップ８）。
本発明によればボンディング面の温度が急激に変化する
ようなことがあっても、それとは関係なく、均一な接合
状態でワイヤボンディングを行うことができる。
ようなことがあっても、それとは関係なく、均一な接合
状態でワイヤボンディングを行うことができる。
第１図は、本発明の１実施例としてのワイヤボンダの全
体構成を示す図、 第２図は、第１図のメモリにマツプとして記憶されたボ
ンディング温度と各種パラメータとの関係を例示する図
、 第３図は、第１図のマイコンの処理手順をフローチャー
トで示す図である。 （符号の説明） １・・・ワークステージ、 ４・・・ボンディングワイヤ、 ５・・・ワイヤボンダ、 ６・・・ホーン、 ７・・・キャピラリ、 ８・１０・１２．１４・・・パラメータ設定ダイヤル、
１６・・・温度センサ、 １７・・・マイコン、 １８・・・メモリ。 第 図
体構成を示す図、 第２図は、第１図のメモリにマツプとして記憶されたボ
ンディング温度と各種パラメータとの関係を例示する図
、 第３図は、第１図のマイコンの処理手順をフローチャー
トで示す図である。 （符号の説明） １・・・ワークステージ、 ４・・・ボンディングワイヤ、 ５・・・ワイヤボンダ、 ６・・・ホーン、 ７・・・キャピラリ、 ８・１０・１２．１４・・・パラメータ設定ダイヤル、
１６・・・温度センサ、 １７・・・マイコン、 １８・・・メモリ。 第 図
Claims (1)
- １、ワイヤボンディング面の温度をモニタする手段をそ
なえ、該モニタされた温度の変化に応じて超音波出力、
超音波印加時間および荷重のうちの少くとも１つのパラ
メータを補正するようにしたことを特徴とするワイヤボ
ンダ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2123114A JPH0423340A (ja) | 1990-05-15 | 1990-05-15 | ワイヤボンダ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2123114A JPH0423340A (ja) | 1990-05-15 | 1990-05-15 | ワイヤボンダ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0423340A true JPH0423340A (ja) | 1992-01-27 |
Family
ID=14852528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2123114A Pending JPH0423340A (ja) | 1990-05-15 | 1990-05-15 | ワイヤボンダ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0423340A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100254570B1 (ko) * | 1995-08-18 | 2000-05-01 | 모리시타 요이찌 | 반도체 조립방법 및 장치 |
| US20120111923A1 (en) * | 2010-11-05 | 2012-05-10 | Yong-Je Lee | Wire bonding apparatus and method using the same |
-
1990
- 1990-05-15 JP JP2123114A patent/JPH0423340A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100254570B1 (ko) * | 1995-08-18 | 2000-05-01 | 모리시타 요이찌 | 반도체 조립방법 및 장치 |
| US20120111923A1 (en) * | 2010-11-05 | 2012-05-10 | Yong-Je Lee | Wire bonding apparatus and method using the same |
| US8245902B2 (en) * | 2010-11-05 | 2012-08-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Wire bonding apparatus and method using the same |
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