JPH0479357A - リードフレーム - Google Patents
リードフレームInfo
- Publication number
- JPH0479357A JPH0479357A JP2195311A JP19531190A JPH0479357A JP H0479357 A JPH0479357 A JP H0479357A JP 2195311 A JP2195311 A JP 2195311A JP 19531190 A JP19531190 A JP 19531190A JP H0479357 A JPH0479357 A JP H0479357A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- mold
- lead frame
- frame
- leads
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、樹脂封止型パッケージで用いられるノードフ
レームに関する。
レームに関する。
従来の技術
樹脂封止型導体パッケージは、シリコンからなる半導体
チップを金属製リードフレームのダイパッド部分に固着
する。リードフレームの材質は、鉄、鉄とニッケルの合
金、銅系合金等を使用する。
チップを金属製リードフレームのダイパッド部分に固着
する。リードフレームの材質は、鉄、鉄とニッケルの合
金、銅系合金等を使用する。
半導体チップとリードフレームのダイパッドを固着させ
、半導体チップのポンディングパッドとノードフレーム
のインナーリードをワイヤーボンディング法により接続
する。
、半導体チップのポンディングパッドとノードフレーム
のインナーリードをワイヤーボンディング法により接続
する。
以上の工程を終了したリードフレームを、１６０℃〜１
９０℃に加熱された樹脂成形用金型に装着し、金型の樹
脂注入口く以下、ゲートという〉より加熱溶融した樹脂
を注入する。金型はゲート部と、所望のパッケージ外形
にするためのキャビティ一部と、キャビティー内部の空
気を抜くためのベンド部で構成されている。
９０℃に加熱された樹脂成形用金型に装着し、金型の樹
脂注入口く以下、ゲートという〉より加熱溶融した樹脂
を注入する。金型はゲート部と、所望のパッケージ外形
にするためのキャビティ一部と、キャビティー内部の空
気を抜くためのベンド部で構成されている。
樹脂がキャビティー内にセットされた半導体チップ、ダ
イパッド、インナーリード、金属ワイヤーを包み込むよ
うに注入されてくる。この樹脂の注入が完了した後、４
０秒〜１２０秒間維持し、樹脂を一次硬化する。それか
らさらに、炉内でその樹脂が持つガラス転位点以上の温
度で５〜１０時間加熱することで最終硬化を行い、半導
体チップの樹脂中への封止が完了する。この状態で、樹
脂部分から外側になるリードフレームのアウターリード
部に５〜１０μｍの半田メツキを施しインナーリードの
フォーミング加工を行い、機能確認を行った後、樹脂上
面部に製品を判別するためのマーキングをする。
イパッド、インナーリード、金属ワイヤーを包み込むよ
うに注入されてくる。この樹脂の注入が完了した後、４
０秒〜１２０秒間維持し、樹脂を一次硬化する。それか
らさらに、炉内でその樹脂が持つガラス転位点以上の温
度で５〜１０時間加熱することで最終硬化を行い、半導
体チップの樹脂中への封止が完了する。この状態で、樹
脂部分から外側になるリードフレームのアウターリード
部に５〜１０μｍの半田メツキを施しインナーリードの
フォーミング加工を行い、機能確認を行った後、樹脂上
面部に製品を判別するためのマーキングをする。
発明が解決しようとする課題
このような従来のリードフレームでは、樹脂封止型パッ
ケージの薄型、小型化が進むなかで樹脂材料も様々に品
種改良が行われ、樹脂封止時粘度の高い樹脂を使用して
形成すると、金型の樹脂注入口近傍のリードフレーム表
面に樹脂が取れずに残ることが多々ある。このリードフ
レーム表面の樹脂の残りは、後でインナーリードをフォ
ーミング加工する時に使用する金型の損傷の原因となっ
ている。
ケージの薄型、小型化が進むなかで樹脂材料も様々に品
種改良が行われ、樹脂封止時粘度の高い樹脂を使用して
形成すると、金型の樹脂注入口近傍のリードフレーム表
面に樹脂が取れずに残ることが多々ある。このリードフ
レーム表面の樹脂の残りは、後でインナーリードをフォ
ーミング加工する時に使用する金型の損傷の原因となっ
ている。
本発明は上記課題を解決するもので、金型の樹脂注入口
近傍の表面に樹脂が残らない、耐熱性。
近傍の表面に樹脂が残らない、耐熱性。
耐・酸化性のあるリードフレームを提供することを目的
としている。
としている。
課題を解決するための手段
本発明は上記目的を達成するために、リードフレームの
アウターリードを除く周辺部に耐熱性のある非酸化性の
離型剤等の薬品を塗布した構成にしたものである。
アウターリードを除く周辺部に耐熱性のある非酸化性の
離型剤等の薬品を塗布した構成にしたものである。
作用
本発明は上記構成によって、樹脂封止した時リードフレ
ームの、アウターリードを除く周辺部に塗布された離型
剤の作用により粘度の高い樹脂を使用しても金型の樹脂
注入口近傍のリードフレーム表面に樹脂が残らず、フォ
ーミング加工時にも円滑にリード曲げ加工ができ、その
時使用する金型の損傷が発生しない。
ームの、アウターリードを除く周辺部に塗布された離型
剤の作用により粘度の高い樹脂を使用しても金型の樹脂
注入口近傍のリードフレーム表面に樹脂が残らず、フォ
ーミング加工時にも円滑にリード曲げ加工ができ、その
時使用する金型の損傷が発生しない。
実施例
以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図は本発明の一実施例におけるリードフレームを示
すものである。
すものである。
本発明のリードフレームは、鉄−ニッケル合金や銅合金
で作られたリードフレーム１の周辺８２（以下、フレー
ム部２という）に耐熱性のある非酸化性の離型剤等の薬
品を塗布したものである。
で作られたリードフレーム１の周辺８２（以下、フレー
ム部２という）に耐熱性のある非酸化性の離型剤等の薬
品を塗布したものである。
次に、このような状態の本発明のリードフレーム１を用
いて半導体装置を製造する方法を示す。
いて半導体装置を製造する方法を示す。
まず、本発明のリードフレーム１に、ダイパッド３とイ
ンナーリード４の先端部の表側に、金や銀のめっき５を
１．５〜３μｍの厚さで施しておく。６はアウターリー
ドである。次に第２図に示すように、このリードフレー
ム１のダイパッド３の上に半導体チップ７を、エポキシ
系樹脂やポリイミド系樹脂に銀の粉末を混ぜた銀ペース
ト８で貼り付ける。その後、１００〜２５０℃の温度で
４〜５時間、銀ペースト８を硬化させてダイパッド３の
上に半導体チップ７を固着させる。
ンナーリード４の先端部の表側に、金や銀のめっき５を
１．５〜３μｍの厚さで施しておく。６はアウターリー
ドである。次に第２図に示すように、このリードフレー
ム１のダイパッド３の上に半導体チップ７を、エポキシ
系樹脂やポリイミド系樹脂に銀の粉末を混ぜた銀ペース
ト８で貼り付ける。その後、１００〜２５０℃の温度で
４〜５時間、銀ペースト８を硬化させてダイパッド３の
上に半導体チップ７を固着させる。
次に、この半導体チップの上のポンディングパッド９と
インナーリード４の表面のめっき５の部分を金や銅の細
線１０で熱圧着や超音波併用熱圧着のワイヤーボンディ
ング法を用いて接続する。そして樹脂封圧型金型で樹脂
成形して、樹脂封止型パッケージ１１のリード加工前の
ものを作る。
インナーリード４の表面のめっき５の部分を金や銅の細
線１０で熱圧着や超音波併用熱圧着のワイヤーボンディ
ング法を用いて接続する。そして樹脂封圧型金型で樹脂
成形して、樹脂封止型パッケージ１１のリード加工前の
ものを作る。
これを、アウターリード６に半田めっきと、リード曲げ
加工を施し、パッケージの表面に品質等のマーキングを
行って、樹脂封止型パッケージ１１は完成する。
加工を施し、パッケージの表面に品質等のマーキングを
行って、樹脂封止型パッケージ１１は完成する。
発明の効果
以上の実施例から明らかなように本発明によれば、アウ
ターリードを除く周辺部に耐熱性のある非酸化性の離型
剤等の薬品を塗布してリードフレームを構成したので粘
度の高い樹脂を使用しても金型の樹脂注入口近傍のリー
ドフレーム表面に樹脂が取れずに残るということが起ら
ず、後でり一ド曲げ加工する時に使用する金型の損傷を
起さない、耐熱性のある非酸化性のリードフレームを提
供できる。
ターリードを除く周辺部に耐熱性のある非酸化性の離型
剤等の薬品を塗布してリードフレームを構成したので粘
度の高い樹脂を使用しても金型の樹脂注入口近傍のリー
ドフレーム表面に樹脂が取れずに残るということが起ら
ず、後でり一ド曲げ加工する時に使用する金型の損傷を
起さない、耐熱性のある非酸化性のリードフレームを提
供できる。
第１図は本発明のリードフレームの平面図、第２図は同
リードフレームを用いて組み立てた樹脂封止型パッケー
ジの断面図である。 １・・・・・・リードフレーム、２・・・・・・周辺部
、６・・・・・・アウターリード。
リードフレームを用いて組み立てた樹脂封止型パッケー
ジの断面図である。 １・・・・・・リードフレーム、２・・・・・・周辺部
、６・・・・・・アウターリード。
Claims (1)
- アウターリードを除く周辺部に耐熱性のある非酸化性の
離型剤等の薬品を塗布したことを特徴とするリードフレ
ーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2195311A JPH0479357A (ja) | 1990-07-23 | 1990-07-23 | リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2195311A JPH0479357A (ja) | 1990-07-23 | 1990-07-23 | リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0479357A true JPH0479357A (ja) | 1992-03-12 |
Family
ID=16339046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2195311A Pending JPH0479357A (ja) | 1990-07-23 | 1990-07-23 | リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0479357A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2752334A1 (fr) * | 1996-07-15 | 1998-02-13 | Matsushita Electronics Corp | Dispositif a semiconducteurs muni d'un cadre de montage et son procede de fabrication |
| US7264456B2 (en) * | 2001-10-10 | 2007-09-04 | Micron Technology, Inc. | Leadframe and method for reducing mold compound adhesion problems |
-
1990
- 1990-07-23 JP JP2195311A patent/JPH0479357A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2752334A1 (fr) * | 1996-07-15 | 1998-02-13 | Matsushita Electronics Corp | Dispositif a semiconducteurs muni d'un cadre de montage et son procede de fabrication |
| US7264456B2 (en) * | 2001-10-10 | 2007-09-04 | Micron Technology, Inc. | Leadframe and method for reducing mold compound adhesion problems |
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