JPS607159A - 樹脂封止型半導体装置とその製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置とその製造方法Info
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- JPS607159A JPS607159A JP58113925A JP11392583A JPS607159A JP S607159 A JPS607159 A JP S607159A JP 58113925 A JP58113925 A JP 58113925A JP 11392583 A JP11392583 A JP 11392583A JP S607159 A JPS607159 A JP S607159A
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- JP
- Japan
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- resin
- semiconductor device
- die pad
- tights
- semiconductor chip
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
- H10W74/111—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being completely enclosed
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は樹脂封止型半導体装置とその製造方法に関する
。
。
樹脂封止型半導体装置のリードフレームは、第１図に示
すように、半導体チップを固着するダイバラ＋ｙ／と、
このダイパラ）′／全支えるタイツ々−２と、グイパッ
ド／を囲むように配されたインナーリーＰ３と、このイ
ンナーリード３の延長部分で外部端子となるアウターリ
ード１．ｔヲ有しており、これらを枠ｊで支えている。
すように、半導体チップを固着するダイバラ＋ｙ／と、
このダイパラ）′／全支えるタイツ々−２と、グイパッ
ド／を囲むように配されたインナーリーＰ３と、このイ
ンナーリード３の延長部分で外部端子となるアウターリ
ード１．ｔヲ有しており、これらを枠ｊで支えている。
従来の樹脂封止型半導体装置は、第２図に示すようにこ
のリードフレームを用い、ダイパッド／に半導体チップ
１０を固着し、半導体テンプ１０上のポンディングパッ
ドとインナーリード３をそれぞれ金の極細線等のボンデ
ィングワイヤ／／により結線し、アラターリ−１−’ｕ
を残してエポキシ等の樹脂／コによりモールドし、その
後タイバー２、アウターリード弘を枠ｊより切離し、ア
ウターリード４ｔｆ曲げ成形している。
のリードフレームを用い、ダイパッド／に半導体チップ
１０を固着し、半導体テンプ１０上のポンディングパッ
ドとインナーリード３をそれぞれ金の極細線等のボンデ
ィングワイヤ／／により結線し、アラターリ−１−’ｕ
を残してエポキシ等の樹脂／コによりモールドし、その
後タイバー２、アウターリード弘を枠ｊより切離し、ア
ウターリード４ｔｆ曲げ成形している。
アウターＩＪ−Ｆ″ψを曲げ成形する場合従来は第３図
に示すように、モールドされ枠ｊより切離された半導体
装置を下金型／３に載せ、上金型／４’によりアウター
リードμの根元を押えた後上金型１３を下降して曲げ成
形している。アラターリ−Ｐ≠を曲げ成形する際に、そ
の根元を押えているのは、曲げ成形による力でインナー
リード３が引っ張られたり、樹脂／２が破壊されたりす
ることを防止するとともに、アウターリード弘の曲げの
位置を正確に定めるためである。
に示すように、モールドされ枠ｊより切離された半導体
装置を下金型／３に載せ、上金型／４’によりアウター
リードμの根元を押えた後上金型１３を下降して曲げ成
形している。アラターリ−Ｐ≠を曲げ成形する際に、そ
の根元を押えているのは、曲げ成形による力でインナー
リード３が引っ張られたり、樹脂／２が破壊されたりす
ることを防止するとともに、アウターリード弘の曲げの
位置を正確に定めるためである。
このように従来はアウターリード弘を曲げ成形する際に
押さえる部分を必要とするため、樹脂／ユの外形よりも
半導体装置全体の外形が大きくなるという問題があった
。すなわち、半導体チップの大きさに対して半導体装置
の大きさが太きいため、近年要求される高密度実装に対
して障害となっていた。
押さえる部分を必要とするため、樹脂／ユの外形よりも
半導体装置全体の外形が大きくなるという問題があった
。すなわち、半導体チップの大きさに対して半導体装置
の大きさが太きいため、近年要求される高密度実装に対
して障害となっていた。
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、半導体テ
ノゾの大きさに対して全体の外形を小さくし、高密度実
装に適した樹脂制止型半導体装置とその製造方法を提供
することを目的とする。
ノゾの大きさに対して全体の外形を小さくし、高密度実
装に適した樹脂制止型半導体装置とその製造方法を提供
することを目的とする。
この目的を達成するために本発明による樹脂封止型半導
体装置は、少なくともインナーリードおよびタイバーの
一部に、これらを相互に結合して補強する絶縁性メツシ
ュ部材を設けたことを特徴とする。
体装置は、少なくともインナーリードおよびタイバーの
一部に、これらを相互に結合して補強する絶縁性メツシ
ュ部材を設けたことを特徴とする。
またこの樹脂封止型半導体装置の製造方法は、絶縁性メ
ツシュ部材を貼り付ける工程を少なくともワイヤボンデ
ィング工程の前に設け、アラターリ−１３ヲ曲げ加工す
る工程を少なくともグイボンディング工程の前に設ける
ことを特徴とする。
ツシュ部材を貼り付ける工程を少なくともワイヤボンデ
ィング工程の前に設け、アラターリ−１３ヲ曲げ加工す
る工程を少なくともグイボンディング工程の前に設ける
ことを特徴とする。
以下図ボの一実施例に基づいて本発明を説明する。本発
明の紀／の実施例による樹脂封止型半導体装置は 第グ
図に示すように、ダイパッド／とこのダイパッド／に固
着された半導体チップＩＯと、インナーリード３とを樹
脂／コによりモールドしている。この樹脂封止型半導体
装置は、ダイパッド／とインブーリード３の下部に例え
ばポリイミド網等の絶縁性メツシュ部材Ｊを貼り付けて
補強している。絶縁性としたのはダイパッドｌとインナ
ーＩ）−１’Ｊの相互で電気的に導通するのを防止する
ためであり、メツシュにしたのはモールドしたときに樹
脂／、２がダイパッド／とインナーリー１す３の上下部
に充分入り込むようにし、上下の分１１１１ｉが発生し
ないようにするだめである。そしてアウター ＩＪ −
ｐμは従来の上りにモールドされた樹脂／ａから飛び出
すことなく形成されており、樹脂７．２の外形と半導体
装置の外形とは同じである。
明の紀／の実施例による樹脂封止型半導体装置は 第グ
図に示すように、ダイパッド／とこのダイパッド／に固
着された半導体チップＩＯと、インナーリード３とを樹
脂／コによりモールドしている。この樹脂封止型半導体
装置は、ダイパッド／とインブーリード３の下部に例え
ばポリイミド網等の絶縁性メツシュ部材Ｊを貼り付けて
補強している。絶縁性としたのはダイパッドｌとインナ
ーＩ）−１’Ｊの相互で電気的に導通するのを防止する
ためであり、メツシュにしたのはモールドしたときに樹
脂／、２がダイパッド／とインナーリー１す３の上下部
に充分入り込むようにし、上下の分１１１１ｉが発生し
ないようにするだめである。そしてアウター ＩＪ −
ｐμは従来の上りにモールドされた樹脂／ａから飛び出
すことなく形成されており、樹脂７．２の外形と半導体
装置の外形とは同じである。
絶縁性メツシュ部材２０は、第５図に示すようにダイバ
ラＰ／とタイツ々−λとインナーリード３の下面をおお
うように形成してもよいが、第を図に示すようにタイバ
ー−とインナーリー１３の一部の下面をおおうようにし
てもよい。このようにダイパッド／とその近くのインナ
ーリード３をおおわない絶縁性メツシュ部材、２０であ
れば、第７図に示すように上面に形成してもよい。
ラＰ／とタイツ々−λとインナーリード３の下面をおお
うように形成してもよいが、第を図に示すようにタイバ
ー−とインナーリー１３の一部の下面をおおうようにし
てもよい。このようにダイパッド／とその近くのインナ
ーリード３をおおわない絶縁性メツシュ部材、２０であ
れば、第７図に示すように上面に形成してもよい。
このように構成することにより、樹脂によるモールｒ前
にアウターリードを曲げることができる。
にアウターリードを曲げることができる。
これは、単に曲げただけではインナーリーＰやアウター
リードが組立て途中の搬送等で変形しやすいが、絶縁性
メツシュ部材によりそのような変形を防止できるからで
ある。モールＰ前にアウターリードを曲げ成形できれば
、樹脂の外形に対して半導体装同全体の外形が不必要に
大きくなることなく形成できる。
リードが組立て途中の搬送等で変形しやすいが、絶縁性
メツシュ部材によりそのような変形を防止できるからで
ある。モールＰ前にアウターリードを曲げ成形できれば
、樹脂の外形に対して半導体装同全体の外形が不必要に
大きくなることなく形成できる。
次にこの樹脂封止型半導体装置の製造方法を第ｒ図に示
す。まず第２図（ａ）に示すようにプレス又はｘッチン
グで成形されたリードツレ−ムラ用意する。次に第２図
色）に示すようにこのリードフレームのうちダイパッド
／とタイツ々−コとインナーリード３の下面に絶縁性メ
ツシュ部材ｍを貼り付ける。接着剤としては例えばアク
リル系接着剤、エポキシ系接着剤、ポリイミド系接着剤
を用いる。
す。まず第２図（ａ）に示すようにプレス又はｘッチン
グで成形されたリードツレ−ムラ用意する。次に第２図
色）に示すようにこのリードフレームのうちダイパッド
／とタイツ々−コとインナーリード３の下面に絶縁性メ
ツシュ部材ｍを貼り付ける。接着剤としては例えばアク
リル系接着剤、エポキシ系接着剤、ポリイミド系接着剤
を用いる。
次に第ｒ図（ｃ）に示すようにアラターリ−）１１ ｐ
を曲は加工する。絶Ｈ性メｙシュ部拐コＯによりすでに
補強されているため曲げ加工をしても問題を生じない。
を曲は加工する。絶Ｈ性メｙシュ部拐コＯによりすでに
補強されているため曲げ加工をしても問題を生じない。
次に第ｒ図（ｄ）に示すように半導体チップ１０をグイ
パッド／上にグイボンディングし、ワイヤ／／ＩｆＣて
、半導体テップ１０上のポンディングパッドとインナー
リーＦ：″３を接続する。次に第ｒ図（ｅ）に示すよう
に樹脂７．２にてモール１：″し７、枠ｊを切り離し、
最終的に妃ｆ ［１２１（ｆ）に示すようになり半導体
装置が完成する。
パッド／上にグイボンディングし、ワイヤ／／ＩｆＣて
、半導体テップ１０上のポンディングパッドとインナー
リーＦ：″３を接続する。次に第ｒ図（ｅ）に示すよう
に樹脂７．２にてモール１：″し７、枠ｊを切り離し、
最終的に妃ｆ ［１２１（ｆ）に示すようになり半導体
装置が完成する。
なお、絶縁性メッシュ部材、２／ｌｌを貼り付けて補強
する工程娃１、アラターリ−Ｐを曲げた後でもよいし、
グイマウント後でもよい。要は組立て途中の搬送等によ
るｆｉ１撃や振動がおきる可能性のある工程の前であれ
ば、この絶＃Ｅｐ性メツシュ部イオコ０を貼り付けるこ
とｋｌ： 治効で、男るからである。
する工程娃１、アラターリ−Ｐを曲げた後でもよいし、
グイマウント後でもよい。要は組立て途中の搬送等によ
るｆｉ１撃や振動がおきる可能性のある工程の前であれ
ば、この絶＃Ｅｐ性メツシュ部イオコ０を貼り付けるこ
とｋｌ： 治効で、男るからである。
甘たアラクーリードグを曲げ成形する工程は、絶縁性メ
ツシュ部材ノＯを貼り付ける前でもよく、要はグイポン
ディング工程前でル〕れはよい。
ツシュ部材ノＯを貼り付ける前でもよく、要はグイポン
ディング工程前でル〕れはよい。
なお、樹脂をモールｌ゛する方法としては、樹脂を加圧
加熱しながら溶融してキャビティ内に移送充填するトラ
ンスファ、：ＴニールＰ法でもよいし、窪みに溶融した
樹脂を入れて成形するキースティン（７） グ法でもよいし、真中部分に中空部分のある中空封止法
でもよい。１だ、以上の実施例はＤ工Ｐについてであっ
たが、リードの曲げ加工を必要とする樹脂封止型のフラ
ノトパッヶー、ジに（適用できるのはいうまでも々い。
加熱しながら溶融してキャビティ内に移送充填するトラ
ンスファ、：ＴニールＰ法でもよいし、窪みに溶融した
樹脂を入れて成形するキースティン（７） グ法でもよいし、真中部分に中空部分のある中空封止法
でもよい。１だ、以上の実施例はＤ工Ｐについてであっ
たが、リードの曲げ加工を必要とする樹脂封止型のフラ
ノトパッヶー、ジに（適用できるのはいうまでも々い。
以上の通り本発明によれば半導体装置全体の外形を、樹
脂外形の大きさとほぼ同じにすることができる。したが
って半導体装置全体の大きさに対して、より大きな半導
体チップを塔載することができ、高密度実装に適した半
導体装置を得ることができる。
脂外形の大きさとほぼ同じにすることができる。したが
って半導体装置全体の大きさに対して、より大きな半導
体チップを塔載することができ、高密度実装に適した半
導体装置を得ることができる。
第１図は樹脂封止型半導体装置に用いられるリードフレ
ーＪの刺視図、第２図は従来の樹脂封止型＃渚体装檻の
断面図、第３図は同樹脂封止型半導体装置の金型を示す
断面図、 第グ図は本発明の一実施例による樹脂封止型半導体装置
の断面図、第５図、第６図、第７図はそ（，１’） れぞれ同樹脂封止型半導体装置に用いられる絶縁性メツ
シュ部制の具体例を示す斜視図、ｇｚ図（ａ）。 （ｂ） 、（ｃ） 、 ＋ｄ１− （ｅ） 、（ｆ）け
同樹脂封止型半導体装置の製造方法の工程図である。 ／・・ダイバラ１．２・・・タイツクー１３山インナー
リード、弘・・アラターリ−１？、ｊ・・・枠、１０・
・・半導体ナツツ、／／・・・ワイヤ、／コ山樹脂、／
３・・・下金型、／グ、／！；・・・止金型、Ｉ・・・
絶縁性メツシュ部材。 出願人代理人 猪 股 清 区 区 −Ｎ 輪 Ｃ 図 Ｎ １寸 毅 鯛
ーＪの刺視図、第２図は従来の樹脂封止型＃渚体装檻の
断面図、第３図は同樹脂封止型半導体装置の金型を示す
断面図、 第グ図は本発明の一実施例による樹脂封止型半導体装置
の断面図、第５図、第６図、第７図はそ（，１’） れぞれ同樹脂封止型半導体装置に用いられる絶縁性メツ
シュ部制の具体例を示す斜視図、ｇｚ図（ａ）。 （ｂ） 、（ｃ） 、 ＋ｄ１− （ｅ） 、（ｆ）け
同樹脂封止型半導体装置の製造方法の工程図である。 ／・・ダイバラ１．２・・・タイツクー１３山インナー
リード、弘・・アラターリ−１？、ｊ・・・枠、１０・
・・半導体ナツツ、／／・・・ワイヤ、／コ山樹脂、／
３・・・下金型、／グ、／！；・・・止金型、Ｉ・・・
絶縁性メツシュ部材。 出願人代理人 猪 股 清 区 区 −Ｎ 輪 Ｃ 図 Ｎ １寸 毅 鯛
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体チップと、この半導体チップを載せるダイパ
ッドと、このダイパッドを支えるタイツ々−と、前記ダ
イパッドとほぼ同一平面にあって前記ダイパッドを囲む
ように配され、前記半導体チップのポンディングパッド
とそれぞれワイヤで電気的に接続される複数のインナー
リードと、これらインナーリードの延長部分であって外
部端子と力る複数のアウターリードとを備え、これら半
導体チップとダイパッドとタイツ々−とインナーリーＰ
とを樹脂封止して形成された樹脂封止型半導体装置にお
いて、 少々くとも前記インナーリードおよび前記タイツ々−の
一部に、前記インナーリード相互間およびタイ・々−を
結合して補強する絶縁性メソシュ部材を設けたことを特
徴とする樹脂側止型半導体装置。 ２、リードフレームの外枠からタイツ々−で支えられて
いるダイパッドに半導体チップをグイボンディングする
グイボンディング工程と、前記外枠からのアラタリーＰ
の延長部分であるインナーリードと前記半導体チップの
ポンディングパッドとをワイヤボンディングするワイヤ
ボンディング工程と、これら半導体チップとダイパッド
とタイツ９−とインナーリードとを樹脂制止する樹脂封
止工程とを有する、樹脂封止型半導体装置の製造方法に
おいて、 絶縁性メツシュ部材を少なくとも前記インナーリーｒお
よび前記タイツ々−の一部に貼り付ける工程を少なくと
も前記ワイヤボンディング工程の前に設け、前記アウタ
ーリードを曲げ加工′する工程を少々くとも前記グイボ
ンディング工程の前に設けることｆ：特徴とする、樹脂
封止型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58113925A JPS607159A (ja) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | 樹脂封止型半導体装置とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58113925A JPS607159A (ja) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | 樹脂封止型半導体装置とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS607159A true JPS607159A (ja) | 1985-01-14 |
Family
ID=14624624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58113925A Pending JPS607159A (ja) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | 樹脂封止型半導体装置とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS607159A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5084753A (en) * | 1989-01-23 | 1992-01-28 | Analog Devices, Inc. | Packaging for multiple chips on a single leadframe |
| JP2008545278A (ja) * | 2005-06-30 | 2008-12-11 | サンディスク コーポレイション | 非対称なリードフレームコネクションを有するダイパッケージ |
-
1983
- 1983-06-24 JP JP58113925A patent/JPS607159A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5084753A (en) * | 1989-01-23 | 1992-01-28 | Analog Devices, Inc. | Packaging for multiple chips on a single leadframe |
| JP2008545278A (ja) * | 2005-06-30 | 2008-12-11 | サンディスク コーポレイション | 非対称なリードフレームコネクションを有するダイパッケージ |
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