JPH0480894B2 - - Google Patents

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JPH0480894B2
JPH0480894B2 JP57173323A JP17332382A JPH0480894B2 JP H0480894 B2 JPH0480894 B2 JP H0480894B2 JP 57173323 A JP57173323 A JP 57173323A JP 17332382 A JP17332382 A JP 17332382A JP H0480894 B2 JPH0480894 B2 JP H0480894B2
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JP
Japan
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bis
dicarboxylic acid
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phenoxy
chlorine
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JP57173323A
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JPS5962546A (ja
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Shunei Inoe
Hideo Komatsu
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Toray Industries Inc
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Toray Industries Inc
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Publication date
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  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
本発明はベンゼン核の定位置に2個または4個
の塩素または臭素原子が結合した含ハロゲン芳香
族ジカルボン酸またはそのエステルを高収率で製
造する方法に関するものである。 α,ω−ビス(2−クロルフエノキシ)エタン
−4,4′−ジカルボン酸またはそのエステルは高
弾性率のポリエステル原料として有用であり、例
えばタイヤコード、コンベアベルト、動力伝達用
ベルト、ホースのようなゴム補強材として使用で
きる。α,ω−ビス(2−クロルフエノキシ)ア
ルカン−4,4′−ジカルボン酸またはα,ω−ビ
ス(2,6−ジクロルフエノキシ)アルカン−
4,4′−ジカルボン酸またはその誘導体とアルキ
レングリコールを縮合反応せしめてなるポリエス
テルは知られている(例えば特公昭49−1795号公
報、49−1328号、特公昭49−13235号公報および
特公昭49−13236号公報)。 (ただしXは水素または塩素原子であり、Rは
水素または低級アルキル基、nは2,4または6
の整数) また、α,ω−ビス(2−ブロムノエノキシ)
アルカン−4,4′−ジカルボン酸またはα,ω−
ビス(2,6−ジブロムフエノキシ)アルカン−
4,4′−ジカルボン酸またはその誘導体とアルキ
レングリコールを縮合反応せしめてなるポリエス
テルも知られている(例えば特開昭49−52292号
公報および特公昭57−22935号公報)。 (式中のXは水素または臭素原子であり、Rは
水素原子または低級アルキル基、nは2,4また
は6の整数) 従来、上記の含ハロゲンジカルボン酸またはそ
のエステルを製造する方法としては、p−ヒドロ
キシ安息香酸またはそのエステルを塩素化または
臭素化した後に、α,ω−ジハロゲン化ポリメチ
レンと反応せしめる方法(特公昭50−11899号公
報または特開昭49−102639号公報)が知られてい
る。 (ただし式中のXは塩素、臭素または水素原子
であり、ベンゼン核に結合した2個のXの内少な
くとも1個は塩素または臭素原子を示す) しかしながら、この従来方法におけるエーテル
化反応の際、原料としてα,ω−ジブロムポリメ
チレンを使用した場合の収率は60〜75%(特公昭
50−11899実施例参照)であるが、反応時に副生
するNaBrは金属の腐食が激しく、通常のステン
レス製反応器を使用できないこと、およびα,ω
−ジブロムポリメチレンが原料として高価である
こと等の問題があつた。また一方、原料として
α,ω−ジクロルポリメチレンを使用した場合の
収率は高々40%(本願発明比較実施例参照)しか
なく、塩素化反応とエーテル化反応のトータル収
率がさらに低くなるので、工業的に実用化するに
は不利であつた。 そこで本発明者らは、着色のない高純度の含ハ
ロゲン芳香族ジカルボン酸またはそのエステルを
高収率で経済的に製造することを目的として検討
した。その結果、p−オキシ安息香酸またはその
低級アルキルエステルをアルキレンジクロライド
とともに加熱することによつてエーテル化反応を
行ないα,ω−ビス(フエノキシ)アルカン−
4,4′−ジカルボン酸、またはその低級アルキル
エステルを得、それを、特定の溶媒の存在下に塩
素または臭素と反応せしめることによつて塩素化
または臭素化反応を行なうことにより、上記目的
が効果的に達成できることを見出した。 (ただし式中のXは塩素、臭素または水素原子
であり、ベンゼン核に結合した2個のXの内少な
くとも1個は塩素または臭素原子を示す) すなわち本発明はα,ω−ビス(フエノキシ)
アルカン−4,4′−ジカルボン酸またはその低級
アルキルエステルを、炭素原子数1〜8のハロゲ
ン化炭化水素および炭素原子数1〜2のハロゲン
化炭素から選ばれた少なくとも1種の存在下に塩
素または臭素と反応せしめることを特徴とする下
記一般式で示される含ハロゲン芳香族ジカルボン
酸またはその低級アルキルエステルの製造方法を
提供するものである。 (式中Xは塩素、臭素または水素原子であり、
ベンゼン核に結合した2個のXの内少なくとも1
個は塩素または臭素原子を示す、Rは水素または
低級アルキル基を、nは2,4または6の整数を
示す) 通常、分子量の大きな複雑な化合物を塩素化す
る場合には、塩素化される部位が多種存在するた
め、副生物が多くなり、得られた目的物の純度低
下、収率低下を生じるため、通常は、従来法のご
とく、まだ分子量の小さい化合物のうちに先に塩
素化を行なうのが普通である。 しかるに本発明者らは、特定条件下にα,ω−
ビス(フエノキシ)アルカン−4,4′−ジカルボ
ン酸またはそのエステルのベンゼン環の隣接酸素
原子に対してオルト位のみを選択的にハロゲン化
することによつて、含ハロゲン芳香族ジカルボン
酸またはそのエステルの製造が可能であることを
見出した。 以下、本発明を詳細に説明する。 出資物質として用いるα,ω−ビス(フエノキ
シ)アルカン−4,4′−ジカルボン酸またはその
低級アルキルエステルは、種々の方法で製造され
たものを使用することが、p−ヒドロキシ安息香
酸またはその低級アルキルエステルとアルキレン
ジクロライドとの反応によつて得たものを用いる
のが好ましい。ここで用いるp−ヒドロキシ安息
香酸またはその低級アルキルエステルとしては、
例えば具体的にはp−ヒドロキシ安息香酸、p−
ヒドロキシ安息香酸メチル、p−ヒドロキシ安息
香酸エチル、p−ヒドロキシ安息香酸プロピル、
p−ヒドロキシ安息香酸ブチル等が挙げられる。
好ましくはp−ヒドロキシ安息香酸またはそのメ
チルエステルが用いられる。 また、アルキレンジクロライドとしては炭素原
子数2,4または6の直鎖アルキレンジクロライ
ドが用いられ、例えば具体的にはエチレンジクロ
ライド、ブチレンジクロライ、ヘキサメチレンジ
クロライド等が挙げられる。好ましくはエチレン
ジクロライドが用いられる。アルキレンジクロラ
イドの使用量はp−ヒドロキシ安息香酸またはそ
の低級アルキルエステル1モルに対して0.5〜1.5
モルが好ましい。 P−ヒドロキシ安息香酸またはその低級アルキ
ルエステルとアルキレンジクロライドとの反応温
度は80〜200℃が望ましい。反応は常圧下または
加圧下のいずれも実施可能である。好ましくは加
圧下で実施される。かくして得られたα,ω−ビ
ス(フエノキシ)アルカン−4,4′−ジカルボン
酸またはそのエステルは、例えば反応混合物を冷
却後析出した結晶を過し、低級アルコール、水
で洗浄することによつて単離、精製できる。 本発明で出発物質として使用するα,ω−ビス
(フエノキシ)アルカン−4,4′−ジカルボン酸
またはその低級アルキルエステルの具体例として
は1,2−ビス(フエノキシ)エタン−4,4′−
ジカルボン酸,1,4−ビス(フエノキシ)ブタ
ン−4,4′−ジカルボン酸、1,6−ビス(フエ
ノキシ)ヘキサン−4,4′−ジカルボン酸および
これらのジメチルエステル、ジエチルエステル、
ジプロピルエステル、ジブチルエステルなどが挙
げられる。好ましくは1,2−ビス(フエノキ
シ)エタン−4,4′−ジカルボン酸ジメチル、ジ
エチル、ジプロピル、ジブチルの各エステル、
1,4−ビス(フエノキシ)ブタン−4,4′−ジ
カルボン酸メチル、ジエチル、ジプロピル、ジブ
チルの各エステル、1,6−ビス(フエノキシ)
ヘキサン−4,4′−ジカルボン酸ジメチル、ジエ
チル、ジプロピル、ジブチルの各エステルが用い
られる。特に好ましくは1,2−ビス(フエノキ
シ)エタン−4,4′−ジカルボン酸ジメチルが用
いられる。 溶媒として用いるハロゲン化炭素水素およびハ
ロゲン化炭素としてはクロルベンゼン、ブロムベ
ンゼン、クロルトルエン、ブロムトルエン、クロ
ルキシレン、ブロムキシレン、ジクロルベンゼ
ン、ジブロムベンゼン、ジクロルトルエン、ジブ
ロムトルエン、トリクロルベンゼン、トリブロム
ベンゼン、トリクロルトルエン、トリブロムトル
エン、四塩化炭素、四臭化炭素、クロロホルム、
ブロモホルム、ジクロルエタン、ジブロムエタ
ン、ジクロルエタン、ジブロムエタン、トリクロ
ルエタン、トリブロモエタン、テトラクロルエタ
ン、テトラブロモエタンなどが挙げられ、これら
は2種以上併用できるが、なかでもクロルベンゼ
ン、ジクロルベンゼン、テトラクロルエタンが好
ましく、とくにジクロルベンゼン(とりわけオル
トジクロルベンゼン)またはテトラクロルエタン
が最も好ましく使用される。 上記溶媒の存在下に上記α,ω−ビス(フエノ
キシ)アルカン−4,4′−ジカルボン酸またはそ
のエステルと塩素または臭素を反応せしめる際の
塩素または臭素の/該ジカルボン酸またはそのエ
ステルのモル比は、ベンゼン核に1個の塩素また
は臭素を置換する際には2以上4未満が好まし
く、特に2〜3.5が好ましい。また、ベンゼン核
に2個の塩素または臭素を置換する際には4以上
が好ましく、特に4〜8が好ましい。 反応はまずジカルボン酸またはそのエステルを
上記溶媒に溶解し、これに塩素または臭素ガスを
吹き込むことにより行なわれるが、反応温度は沸
点以下、とくに本発明で好ましく用いられるジク
ロルベンゼンまたはテトラクロルベンゼンを溶媒
として用いた場合には、とくに95〜140℃の範囲
が適当である。 溶媒の使用量はジカルボン酸またはそのエステ
ルを溶解し得る量が必要であり、例えば1,2−
ビス(フエノキシ)エタン−4,4′−ジカルボン
酸ジメチルを出発物質とする際には、その約倍量
以上好ましくは2〜15倍量のオルトジクロルベン
ゼン、または1倍量以上、好ましくは1〜9倍量
のテトラクロルエタンを用いるのが好ましい。 なお、上記反応において、ルイス酸、とくに三
フツ化ホウ素、ヨウ素、硫酸、更に好ましくはヨ
ウ素を触媒して添加すれば、収率が一層向上する
場合もある。 反応は常圧、加圧、減圧下のいずれでも実施可
能であるが、工業的には常圧または微加圧が好ま
しい。 また反応は回分式、連続式、半連続式などいか
なる方式でも実施可能である。 塩素または臭素との反応が終了後、冷却せしめ
て生成物を過するか、反応物を大量の水に投入
して沈殿物を過し、洗浄、乾燥することによ
り、目的とする含ハロゲン芳香族ジカルボン酸ま
たはそのエステルが高収率で効率的に得られる。
また、本発明方法によつて得られる含ハロゲン芳
香族ジカルボン酸またはそのエステルの結晶は白
色であつた。前記従来法によつて得られる含ハロ
ゲン芳香族ジカルボン酸またはそのエステルの結
晶は、着色性微量不純物のために黄色に着色し、
しかもこの着色は通常の精製方法によつては除去
できない(このものを、例えばアルキレングリコ
ールと重縮合反応せしめると、カツ色に着色した
ポリマになる)という欠点を有していた。しかる
に本発明においたは、黄色に着色していない白色
の結晶を得ることが可能となつたのである。以下
に実施例を挙げて本発明をさらに詳述する。なお
実施例中の部数は重量部数を示す。また、b値は
色調のうち黄味を表わす単位であり(b値が高い
程、黄色であることを示す)、スガ試験機(株)製
SMカラーコンピユータを用いて測定した。 実施例 1 1,2−ビス(フエノキシ)エタン−4,4′−
ジカルボン酸ジメチル50g(0.15モル)とオルト
ジクロルベンゼン100部およびヨウ素0.2gを還流
器の付いた反応器に仕込み、攪拌下で130℃に昇
温した。 1,2−ビス(フエノキシ)エタン−4,4′−
ジカルボン酸ジメチルが完全に溶解した後、同温
度で塩素ガスを2時間で27g(0.38モル)吹込み
反応させた。 この反応物を冷却した後、白色沈殿物を別、
乾燥した。この白色沈殿物の収率は70%であり、
トルエンから再結晶して精製した(再結晶収率91
%)再結晶物の融点は200〜203℃であり色調(b
値)は2.2と良好であつた。この精製物は第1表
の元素分析値から目的の1,2−ビス(2−クロ
ルフエノキシ)エタン−4,4′−ジカルボン酸ジ
メチルであることが確認できた。
【表】 比較実施例 1 3−クロル−4−オキシ安息香酸メチル93部
(0.5モル)、ナトリウムメチラート27g(0.5モ
ル)をメタノール600gに溶解した。これにエチ
レンジクロライド25g(0.25モル)を加えて1
のオートクレーブ中で攪拌下で150℃、6時間反
応せしめた。反応物を大量の水に投入し、生成し
た白色沈殿を別、乾燥して得た1,2−ビス
(2−クロルフエノキシエタン)−4,4′−ジカル
ボン酸ジメチルの粗収率は31%と極めて低かつ
た。また色調(b値)は8.6と不良であつた。 実施例 2 1,4−ビス(フエノキシ)ブタン−4,4′−
ジカルボン酸ジメチル54g(0.15モル)、オルト
ジクロルベンゼン100gおよびヨウ素0.2gを還流
器の付いた反応器に仕込み、攪拌下で130℃に昇
温した。その後実施例1と同様に塩素ガス27g
(0.38モル)を吹込み反応させた。この反応物を
冷却した後白色沈殿物を別、乾燥した。 この白色沈殿物の収率は80%であり、酢酸エチ
ルから再結晶して精製した(再結晶収率84%)再
結晶物は融点174〜176℃で色調(b値)は2.7と
良好であつた。第2表の元素分析値から目的の
1,4−ビス(2−クロルフエノキシ)ブタン−
4,4′−ジカルボン酸ジメチルであることが確認
できた。
【表】 実施例 3 1,2−ビス(フエノキシ)エタン−4,4′−
ジカルボン酸ジメチル50g(0.15モル)とオルト
ジクロルベンゼン100gを還流器の付いた反応器
に仕込み攪拌下で130℃に昇温した。 1,2−ビス(フエノキシ)エタン−4,4′−
ジカルボン酸ジメチルが完全に溶解した後、塩素
ガスを2時間で85g(1.20モル)吹込み反応させ
た。 この反応物中のオルトジクロルベンゼンを留去
した後、白色沈殿物を別、乾燥した。 この白色沈殿物の粗収率は96%であり、エタノ
ールから再結晶して精製した(再結晶収率80%)
再結晶物の融点は198〜200℃で色調(b値)は
1.9と良好であつた。第3表の元素分析値から目
的の1,2−ビス(2,6−ジクロルフエノキ
シ)エタン−4,4′−ジカルボン酸ジメチルであ
ることが確認できた。
【表】 比較実施例 2 3,5−ジクロル−4−オキシ安息香酸メチル
111g(0.5モル)、ナトリウムメチラート27g
(0.5モル)をメタノール600gに溶解した。これ
にエチレンジクロライド25g(0.25モル)を加え
て1のオートクレーブ中で攪拌下で150℃、6
時間反応せしめた。反応物を大量の水に投入し、
生成した白色沈殿を別、乾燥して得た1,2−
ビス(2,6−ジクロルフエノキシ)エタン−
4,4′−ジカルボン酸ジメチルの粗収率は31%と
極めて低く色調(b値)は6.7と不良であつた。 実施例 4 1,2−ビス(フエノキシ)エタン−4,4′−
ジカルボン酸ジメチル50g(0.15モル)とテトラ
クロルエタン100gを還流器の付いた反応器に仕
込み攪拌下で110℃に昇温した。 1,2−ビス(フエノキシ)エタン−4,4′−
ジカルボン酸ジメチルが完全に溶解した後、臭素
ガスを2時間で36g(0.45モル)吹込み反応させ
た。 この反応物を冷却した後、白色沈殿物を別、
乾燥した。 この白色沈殿物の粗収率は71%であり、トルエ
ンから再結晶して精製した(再結晶収率82%)再
結晶物の融点は215〜216℃、色調(b値)は2.5
と良好であつた。第4表の元素分析値から目的の
1,2−ビス(2−ブロムフエノキシ)エタン−
4,4′−ジカルボン酸ジメチルであることが確認
できた。
【表】 比較実施例 3 3−ブロム−4−オキシ安息香酸メチル116g
(0.5モル)とナトリウムメチラート27g(0.5モ
ル)をメタノール600gに溶解した。これにエチ
レンジクロライド25g(0.25モル)を加えて1
のオートクレーブ中で攪拌下で150℃、6時間反
応せしめた。反応物を大量の水に投入し、生成し
た白色沈殿を別、乾燥し得られた1,2−ビス
(2ブロムフエノキシ)エタン−4,4′−ジカル
ボン酸ジメチルの粗収率は35%と極めて低く色調
(b値)は7.3と不良であつた。 実施例 5 1,2−ビス(フエノキシ)エタン−4,4′−
ジカルボン酸ジメチル50g(0.15モル)とテトラ
クロルエタン150gおよびヨウ素0.2gを還流器の
付いた反応器に仕込み攪拌下で110℃に昇温した。 1,2−ビス(フエノキシ)エタン−4,4′−
ジカルボン酸ジメチルが完全に溶解した後、塩素
ガスを2時間で27g(0.38モル)吹込み反応させ
た。 この反応物を冷却した後、白色沈殿物を別、
乾燥した。 この白色沈殿物の粗収率は91%であり、トルエ
ンから再結晶して精製した(再結晶収率90%)再
結晶物の融点は204〜205℃で、色調(b値)は
2.2と良好であつた。第5表の元素分析値から目
的の1,2−ビス(2−クロルフエノキシ)エタ
ン−4,4′−ジカルボン酸ジメチルであることが
確認できた。
【表】 実施例 6 1,2−ビス(フエノキシ)エタン−4,4′−
ジカルボン酸ジエチル54g(0.15モル)とテトラ
クロルエタン216gおよびヨウ素0.2gを還流器の
付いた反応器に仕込み、攪拌下で105〜115℃に昇
温した。 その後実施例1と同様に塩素ガス27g(0.38モ
ル)を吹込み反応させた。この反応物を冷却した
後白色沈殿物を別、乾燥した。 この白色沈殿物の収率は86%であり、キシレン
から再結晶して精製した(再結晶収率91%)再結
晶物は融点149〜153℃で、色調(b値)は2.0と
良好であつた。第6表の元素分析値から目的の
1,2−ビス(2−クロルフエノキシ)エタン−
4,4′−ジカルボン酸ジエチルであることが確認
できた。
【表】 実施例 7 1,6−ビス(フエノキシ)ヘキサン−4,
4′−ジカルボン酸ジメチル58g(0.15モル)と四
塩化炭素2000gおよびヨウ素0.2gを還流器の付
いた反応器に仕込み、攪拌下で60℃に昇温した。 その後実施例1と同様に塩素ガス27g(0.38モ
ル)を吹込み反応させた。この反応物を冷却した
後白色沈殿物を別、乾燥した。 この白色沈殿物の収率は72%であり、エタノー
ルから再結晶して精製した。再結晶物は融点82〜
84℃で色調(b値)は2.6と良好であつた。第7
表の元素分析値から目的の1,6−ビス(2−ク
ロルフエノキシ)ヘキサン−4,4′−ジカルボン
酸ジメチルであることが確認できた。
【表】 実施例 8 1,2−ビス(フエノキシ)エタン−4,4′−
ジカルボン酸ジメチル54g(0.15モル)とクロル
ベンゼン216gおよびヨウ素0.2gを還流器の付い
た反応器に仕込み、攪拌下で120〜125℃に昇温し
た。 その後実施例1と同様に塩素ガス27g(0.38モ
ル)を吹込み反応させた。この反応物を冷却した
後白色沈殿物を別、乾燥した。 この白色沈殿物の収率は90%であり、キシレン
から再結晶して精製した(再結晶収率92%)再結
晶物は融点201〜205℃で、色調(b値)は2.1と
良好であつた。第8表の元素分析値から目的の
1,2−ビス(2−クロルフエノキシ)エタン−
4,4′−ジカルボン酸ジメチルであることが確認
できた。
【表】

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 α,ω−ビス(フエノキシ)アルカン−4,
    4′−ジカルボン酸またはその低級アルキルエステ
    ルを、炭素原子数1〜8のハロゲン化炭化水素お
    よび炭素原子数1〜2のハロゲン化炭素から選ば
    れた少なくとも1種の存在下に塩素または臭素と
    反応せしめることを特徴とする下記一般式で示さ
    れる含ハロゲン芳香族ジカルボン酸またはその低
    級アルキルエステルの製造方法。 (ただし式中のXは塩素、臭素または水素原子
    であり、ベンゼン核に結合した2個のXの内少な
    くとも1個は塩素または臭素原子を示す。Rは水
    素原子または低級アルキル基を、nは2,4また
    は6の整数を示す。)
JP57173323A 1982-01-29 1982-10-04 含ハロゲン芳香族ジカルボン酸またはその低級アルキルエステルの製造方法 Granted JPS5962546A (ja)

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JP57173323A JPS5962546A (ja) 1982-10-04 1982-10-04 含ハロゲン芳香族ジカルボン酸またはその低級アルキルエステルの製造方法
EP83900438A EP0099933B1 (en) 1982-01-29 1983-01-28 Process for preparing alpha,omega-bis(2-chlorophenoxy)-alkane-4,4'-dicarboxylic acid or its lower alkyl ester
PCT/JP1983/000024 WO1983002609A1 (en) 1982-01-29 1983-01-28 PROCESS FOR PREPARING 'alpha','omega'-BIS(2-CHLOROPHENOXY)-ALKANE-4,4'-DICARBOXYLIC ACID OR ITS LOWER ALKYL ESTER
US06/537,393 US4531009A (en) 1982-01-29 1983-01-28 Process for preparing α,ω-bis(2-chlorophenoxy)alkane-4,4'-dicarboxylic acid or its lower alkyl ester
DE8383900438T DE3362750D1 (en) 1982-01-29 1983-01-28 Process for preparing alpha,omega-bis(2-chlorophenoxy)-alkane-4,4'-dicarboxylic acid or its lower alkyl ester
IT67808/83A IT1161503B (it) 1982-10-04 1983-07-27 Procedimento per la preparazione dell acido alfa omega bis (2 cloro fenossi) alcan 4-4' dicarbossilico o del suo estere alchilico inferiore

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JP57173323A JPS5962546A (ja) 1982-10-04 1982-10-04 含ハロゲン芳香族ジカルボン酸またはその低級アルキルエステルの製造方法

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JPS5962546A JPS5962546A (ja) 1984-04-10
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