JPH0481589B2 - - Google Patents
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Description
本発明は一般式
を有する新規な1,3−ベンゾオキサチオール誘
導体及びその薬理上許容される塩並びにその製法
に関するものである。 本願発明者らは、1,3−ベンゾオキサチオー
ル誘導体の製造とその薬理活性について、長年に
亘り鋭意研究を重ねた結果、これらの化合物がす
ぐれた過酸化脂質低下作用、血小板凝集阻害作
用、SRS−A産生抑制作用及び気道抵抗抑制作用
等を有し、これらの薬理作用に基づく循環障害治
療剤または抗アレルギー剤として有用であること
を見出し、本発明を完成するに至つた。 上記式中、R1は水素原子、置換されていても
よいアルキル基、低級アルケニル基又は置換され
ていてもよいアリール基を示し、R2は水素原子、
低級アルキル基又は炭素数3乃至4個のアルケニ
ル基を示し、R3は水素原子又は低級アルキル基
を示し、R4は保護されていてもよい水酸基を示
し、R5は低級アルキル基、低級アルコキシ基、
水酸基又は低級脂肪族アシルオキシ基を示し、
R6は水素原子、低級アルキル基又は低級アルコ
キシ基を示し、nは0乃至2の整数を示す。 R1における置換されていてもよいアルキル基
のカルキル基としては、例えばメチル、エチル、
n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イソ
ブチル、n−ペンチル、イソペンチル、2−メチ
ルブチル、1−エチルプロピル、n−ヘキシル、
イソヘキシル、n−ヘプチル、イソオクチル、n
−デシル、3,7−ジメチルオクチル、4,8−
ジメチルノニル、イソトリデシル、n−ペンタデ
シル、2,6,10−トリメチルウンデシル、n−
ノナデシル、イソノナデシル、2,6,10,14−
テトラメチルペンタデシル、n−エイコシルのよ
うな炭素数1乃至20個の直鎖状若くけは分枝状の
アルキル基をあげることができ、好適には炭素数
1乃至10個のアルキル基である。R1が非置換ア
ルキル基のとき、さらに好適なものは炭素数1乃
至6個のアルキル基であり;R1が後述する置換
基を有するアルキル基のとき、さらに好適なもの
は炭素数1乃至6個のアルキル基であり、特に好
適には炭素数3乃至5個のアルキル基である。 上記アルキル基の置換基としては、例えば弗
素、塩素、臭素、沃素のようなハロゲン原子;保
護されていてもよい水酸基〔該保護基は例えばホ
ルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イ
ソブチリル、バレリルのような低級脂肪族アシル
基、置換されていてもよいベンゾイル、ナフトイ
ルのようなアリールアシル基(該置換基として
は、ハロゲン原子、メチル、エチル、n−プロピ
ル、イソプロピル、n−ブチルのような低級アル
キル基又はメトキシ、エトキシ、n−プロポキ
シ、イソプロポキシ又はn−ブトキシのような低
級アルコキシ基をあげることができる。)、メトキ
シメチル、1−メトキシエチル、エトキシメチ
ル、1−エトキシエチル、n−プロポキシメチル
のような1−低級アルコキシ低級アルキル基、テ
トラヒドロ−2−フラニル、テトラヒドロ−2−
ピラニルのような環状エーテル基、トリメチルシ
リル、トリエチルシリル、ジメチル−t−ブチル
シリルのようなトリ置換シリル基又はベンジル、
P−メトキシベンジル、P−ブロムベンジルのよ
うなアラルキル基をあげることができる。〕;置換
されていてもよいメトキシ、エトキシ、n−プロ
ポキシ、イソプロポキシ、n−ブトキシのような
低級アルコキシ基(該置換基はアミノ基又はメチ
ルアミノ、ジメチルアミノ、エチルアミノ、ジエ
チルアミノ、n−プロピルアミノのような低級ア
ルキルアミノ基である。);カルボキシ基;メトキ
シカルボニル、エトキシカルボニル、n−プロポ
キシカルボニル、n−ブトキシカルボニルのよう
な低級アルコキシカルボニル基;又はカルバモイ
ル、N−メチルカルバモイル、N,N−ジメチル
カルバモイル、N−エチルカルバモイル、N,N
−ジエチルカルバモイル、N−n−プロピルカル
バモイルのような低級アルキル基で置換されてい
てもよいカルバモイル基をあげることができる
が、好適にはハロゲン原子、保護されてもよい水
酸基又は低級アルコキシカルボニル基でありさら
に好適には、水酸基、低級脂肪族アシルオキシ基
又はベンゾイルオキシ基である。 低級アルケニル基としては、例えばビニル、ア
リル、メタアリル、3−ブテニルのような炭素数
2乃至4個のアルケニル基をあげることができ
る。 置換されてもよいアリール基のアリールとして
は、例えばフエニル、ナフチルであり、好適には
フエニル基である。 置換基としては、例えば、メチル、エチル、n
−プロピル、イソプロピル、n−ブチルのような
低級アルキル基;ハロゲン原子;保護されていて
もよい水酸基;低級アルコキシ基;カルボキシ
基;又は低級アルコキシカルボニル基をあげるこ
とができる。ハロゲン原子、保護されていてもよ
い水酸基の保護基、低級アルコキシ基及び低級ア
ルコキシカルボニル基は前記アルキル基の置換基
において例示した基と同様の基であり、好適には
水酸基又は低級脂肪族アシルオキシ基である。 R2の炭素数3乃至4個のアルケニル基として
は、例えばアリル、メタアリル又は3−ブテニル
基である。 R4の保護されていてもよい水酸基の保護基と
しては、例えば、ホルミル、アセチル、プロピオ
ニル、n−ブチリル、イソブチリル、n−バレリ
ル、イソバレリル、ヘキサノイル、オクタノイ
ル、デカノイル、トリデカノイル、ペンタデカノ
イル、ヘプタデカノイル、ノナデカノイル、3,
7,11,15−テトラメチルヘキサデカノイル、エ
イコサノイルのような炭素数1乃至21個の脂肪族
アシル基(該アシル基はカルボキシ又は低級アル
コキシカルボニル基又は置換されていてもよいア
リールオキシカルボニル基で置換されてもよ
い。);置換されていてもよいベンゾイル、ナフト
イルのようなアリールアシル基(該置換基は低級
アルキル基、ハロゲン原子、水酸基、低級脂肪族
アシルオキシ基、低級アルコキシ基、カルボキシ
基、低級アルコキシカルボニル基又はメタンスル
ホニルオキシ、エタンスルホニルオキシ、n−プ
ロパンスルホニルオキシ、ベンゼンスルホニルオ
キシ、p−トルエンスルホニルオキシのようなス
ルホニルオキシ基であるが好適には、水酸基、低
級脂肪族アシルオキシ基、カルボキシ基又は低級
アルコキシカルボニル基である。);1−低級アル
コキシ低級アルキル基;環状エーテール基;トリ
置換シリル基又はアラルキル基をあげることがで
きる。ここにおいて、低級アルキル、低級アルコ
キシ、ハロゲン等の前記R1における水酸基の保
護基と同一の表現は同様の基を示す。又、R3、
R5及びR6についても前述した表現と同一の基は
同様の基を示すが好適には、R3は低級アルキル
基であり、R5は低級アルキル基であり、R6は低
級アルキル基である。 nは好適には0である。 又、化合物()において、好適には以下の化
合物をあげることができる。 (1) R1が水素原子;ハロゲン原子、保護されて
いてもよい水酸基若しくは低級アルコキシカル
ボニル基で置換されていてもよい炭素数1乃至
10個のアルキル基;低級アルケニル基;又は置
換されていてもよいフエニル基であり、R2が
水素原子である化合物。 (2) R3、R5及びR6が低級アルキル聞である化合
物。 (3) nが0である化合物 (4) R1が水素原子;炭素数1乃至6個のアルキ
ル基;水酸基、低級脂肪族アシルオキシ基若し
くはベンゾイルオキシ基で置換された炭素数1
乃至6個のアルキル基、特に炭素数3乃至5個
のアルキル基;水酸基又は低級脂肪族アシルオ
キシ基で置換されてもよいフエニル基であり;
R2が水素原子であり、R3が低級アルキル基で
あり、R4が脂肪族アシル若しくはベンゾイル
で保護されてもよい水酸基であり、R5が低級
アルキル基であり、R6が低級アルキル基であ
り、nが0である化合物。 本発明に係る一般式()を有する新規化合物
は以下に示す方法によつて製造することができ
る。 A法 A法は化合物()において、R2が水素原子
を示す化合物(a)を製造する方法で以下の工
程により行われる。 上記式中、R1、R3、R4、R5、R6及びnは前述
したものと同意義を示し、R7は水素原子、保護
された水酸基、低級アルコキシカルボニル基若し
くは低級アルコキシ基で置換されていてもよいア
ルキル基、低級アルケニル基又は置換されていて
もよいアリール基(置換基の水酸基は保護基を有
する。)を示し、R8は保護された水酸基を示し、
R9は低級アルキル基、低級アルコキシ基、低級
脂肪族アシルオキシ基を示し、mは2乃至3の整
数を示す。 第1工程は一般式()を有するジチオ又はト
リチオ化合物を製造する工程で、不活性溶剤中、
一般式()を有するチオール化合物を酸素と反
応させることによつて達成される。 本工程の原料化合物()は公知の2−オキソ
−1,3−ベンゾオキサチオール〔例えば、ジヤ
ーナル・オブ・オルガニツク・ケミストリー33
巻、4426頁(1968年):J.Org.Chem.、33、4426
(1968)〕のアルカリ加水分解を行うことによつて
容易に得られる。 本反応に使用される不活性溶剤としては特に制
限はないが、n−ヘキサン、n−ヘプタン、n−
オクタンのような脂肪族炭化水素類、ベンゼン、
トルエン、キシレンのような芳香族炭化水素類、
メチレンクロリド、クロロホルム、四塩化炭素の
ようなハロゲン化炭化水素類、エーテル、テトラ
ヒドロフラン、ジオキサンのようなエーテル類、
ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドの
ようなアミド類をあげることができるが好適には
エーテル類またはハロゲン化炭化水素類である。 反応温度は通常0乃至100℃であり、好適には
10℃乃至40℃である。反応に要する時間は原料化
合物または反応温度により異なるが1時間乃至50
時間である。 反応に用いる酸素の使用方法としては、酸素ま
たは空気を反応液中に吹き込むか、酸素または空
気雰囲気中で反応液を撹拌する方法が選択される
ア好適な方法は空気を反応液中に吹き込む方法で
ある。 反応終了後本工程の目的化合物()は常法に
従つて反応混合物から採取される。例えば反応混
合物より有機溶剤を留去し、残留物を再結晶法ま
たはカラムクロマトグラフイーで精製することに
よつて得ることができる。 第2工程は一般式()を有するジチオまたは
トリチオ化合物を別途に製造する工程で、一般式
()を有するヒドロキシ化合物に不活性溶媒中、
触媒の存在若しくは不存在下、硫黄ハロゲン化合
物を反応させることによつて達成される。 本反応に使用される硫黄ハロゲン化合物として
は、一塩化硫黄、一臭化硫黄、二塩化硫黄等をあ
げることができるが、好適には一塩化硫黄であ
る。反応に使用される触媒としては、鉄粉、ニツ
ケル粉、コバルト粉等の金属粉をあげることがで
きるが、好適には鉄粉である。また上述の触媒が
存在しなくても、反応は進行し、目的化合物が得
られる。 反応に使用される不活性溶剤としては、アセト
ニトリルのようなニトリル類、エーテル、テトラ
ヒドロフラン、ジオキサンのようなエーテル類、
ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドの
ようなアミド類をあげることができるが、好適に
はアセトニトリルである。 反応温度は−70℃乃至30℃であるが、好適には
−30℃乃至10℃である。反応時間は使用される原
料化合物の種類または反応温度により異なるが、
1時間乃至20時間であり、好適には2時間乃至10
時間である。 また副反応を抑制するために、窒素またはアル
ゴン雰囲気で反応を行うこともでき、反応の目的
化合物は通常、ジチオ体およびトリチオ体の混合
物として得られる。 反応終了後、本工程の目的化合物()は常法
に従つて反応混合物から採取される。例えば有機
溶剤の不溶物を去して得た液から有機溶剤を
留去し、残留物を再結晶法またはカラムクロマト
グラフイーで精製することによつて得ることがで
きる。 なお、本工程の目的化合物であるジチオ体およ
びトリチオ体は分離することなく次の工程に使用
することができる。 第3工程は一般式()を有するアシルオキシ
化合物を製造する工程で、一般式(()を有す
るジチオまたはトリチオヒドロキシ化合物に不活
性溶剤中、一般式 R10CO2H () (式中、R10は前記R7から水素原子を除いた基と
同様の基を示す。)を有するカルボン酸の反応性
誘導体を反応させることによつて達成される。 反応に使用されるカルボン酸の反応性誘導体と
しては、一般式 R10COX () (式中、R10は前述したものの同意義を示し、X
は塩素、臭素、沃素のようなハロゲン原子を示
す。)を有するカルボン酸ハライドまたは一般式 (式中、R11はR10が示す基から低級アルコキシ
カルボニル基を除いた基を示す。) を有する酸無水物をあげることができるが、好適
にはカルボン酸クロリドである。 又、環状酸無水物、例えば、無水コハク酸、無
水グルタル酸を用いることもできる。この場合に
はカルボキシ基を有する化合物が製造される。 反応に使用される不活性溶剤としては、反応に
関与しないものなら特に制限はないが、n−ヘキ
サン、n−ヘプタン、n−オクタンのような脂肪
族炭化水素類;ベンゼン、トルエン、キシレンの
ような芳香族炭化水素類;塩化メチレン、クロロ
ホルムのようなハロゲン化炭化水素類;又はエー
テル、テトラヒドロフラン、ジオキサンのような
エーテル類をあげることができるが、好適には芳
香族炭化水素類またはエーテル類である。 反応を促進させるためには、脱酸剤を使用する
ことが好ましく、その脱酸剤としては例えばトリ
エチルアミン、N,N−ジメチルアニリン、N−
メチルモルホリン、ピリジン、4−(N,N−ジ
メチルアミノ)ピリジン、1,5−ジアザビシク
ロ〔4.3.0〕ノネン−5(DBN)、1,8−ジアザ
ビシクロ〔5.4.0〕ウンデセン−7(DBU)のよう
な有機塩基または水酸化ナトリウム、水酸化カリ
ウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素
ナトリウムのような無機塩基があげられるが、好
適にはトリエチルアミン、ピリジンのような有機
塩基であり、これらを過剰に使用するときは溶剤
を使用しなくてもよい。 反応温度は通常−10乃至60℃であり、好適にな
室温付近である。反応に要する時間は主に原料の
種類、反応温度によつて異なるが、通常30分間乃
至48時間であり、好適には10時間乃至30時間であ
る。 またR7が水素原子を有する化合物は化合物
()を常法に従つてビールマイヤー反応を行う
ことによつて容易に得ることができる。 反応終了後、本工程の目的化合物()は常法
に従つて反応混合物から採取される。例えば反応
混合物を氷水にあけ、有機溶剤で抽出し、有機溶
剤を留去した後、残留物を再結晶法またはカラム
クロマトグラフイーで精製することによつて得る
ことができる。 第4工程は一般式()を有する化合物を製造
する工程で、化合物()を不活性溶剤中、還元
剤と処理することによつて達成される。 反応に使用される還元剤としては塩化第一錫の
ような金属ハロゲン化物または鉄、亜鉛、錫のよ
うな金属粉末があげられるが、好適には亜鉛粉末
または鉄粉末である。 使用される不活性溶剤としては例えば水、メタ
ノール、エタノール、n−プロパノール、n−ブ
タノール、イソブタノールのようなアルコール
類、酢酸、プロピオン酸、酪酸、n−吉草酸、イ
ソ吉草酸のような脂肪酸をあげることができる
が、好適には酢酸、プロピオン酸のような脂肪酸
である。 本工程において、原料化合物()は好適には
R7が置換されていてもよいアルキル基若しくは
アリール基である。 反応温度は0℃乃至200℃であり、好適には50
℃乃至100℃である。反応に要する時間は原料、
還元剤の種類または反応温度によつて異なるが、
通常1時間乃至30時間であり、好適には3時間乃
至20時間である。 反応終了後、本工程の目的化合物()は常法
に従つて反応混合物から採取される。例えば不溶
物を別し、溶剤を留去することによつて得るこ
とができる。さらに必要なら残留物に有機溶剤を
加え、水洗し、溶剤を留去した後、再結晶法、カ
ラムクロマトグラフイーによつて精製することが
できる。 第5工程は、所望に応じて行う工程で、化合物
()においてR7、R8及び/又はR9に含まれる水
酸基の保護基を除去する反応、生じたヒドロキシ
メチル基をカルボキシ基に酸化する反応、カルボ
キシ基をエステル化する反応、R7に含まれる低
級アルコキシカルボニル基をカルボキシ基、置換
されてもよいカルバモイル基若しくはヒドロキシ
メチル基(カルボキシ基が変換する反応を含む)
に変換する反応、得られたヒドロキシメチル基を
ハロゲン化メチル基に変換する反応、得られたハ
ライドをアニオン(例えば、カルバニオン、オキ
シアニオン等)と処理する反応、ハロゲン化アル
キル基からハロゲン化水素を除去してアルケニル
基に変換する反応、チオール体をスルホキシド体
若しくはスルホン体に変換する反応及び水酸基を
保護する反応を含む。上記反応は、適宜順序を変
えて行うことができる。 水酸基の保護基を除去する反応は、保護基の種
類によつて異なるが、通常の方法に従つて除去す
ることができる。 水酸基の保護基が脂肪族若しくは芳香族アシル
基の場合には、その除去は通常の加水分解反応に
よつて行なわれる。使用される酸または塩基とし
ては一般の加水分解反応に使用される酸または塩
基が特に限定なく使用されるが、通常は例えばア
ンモニアのようなアミン類又は水酸化リチウム、
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カル
シウム、水酸化バリウムのようなアルカリ金属若
しくはアルカリ土類金属の水酸化物を用いて塩基
性条件下で好適に行なわれる。使用される溶剤と
しては加水分解反応に用いられる溶剤が特に限定
なく用いられ、例えばメタノール、エタノール、
n−プロパノール、イソプロピルアルコールのよ
うなアルコール類;エチルエーテル、テトラヒド
ロフラン、ジオキサン、ジメトキシエタンのよう
なエーテル類;ジメチルスルホキシドのようなジ
アルキルスルホキシド類およびこれらの有機溶剤
と水との混合溶剤をあげることができる。反応温
度には特に限定はなく、通常は室温付近乃至溶剤
の還流温度で行なわれる。反応時間は反応温度な
どによつて異なるが、通常は1乃至24時間であ
る。この際、アルコキシカルボニル基又はアリー
ルオキシカルボニル基が存在する場合にはカルボ
キシ基に変換される。 又、還元剤例えばリチウムアルミニウムヒドリ
ドとテトラヒドロフラン中、処理することによつ
ても保護基を除去することもできる。 水酸基の保護基が1−低級アルコキシ低級アル
キル又は環状エーテル基である場合は、相当する
化合物を酸と接触させることにより容易に達成さ
れる。使用される酸としては例えばギ酸、酢酸、
トリフルオロ酢酸、プロピオン酸、酪酸、シユウ
酸、マロン酸、メタンスルホン酸、ベンゼンスル
ホン酸、p−トルエンスルホン酸、カンフアース
ルホン酸などの有機酸;塩酸、臭化水素酸、硫酸
などの鉱酸;シリカゲル、アルミナなどの固体の
ルイス酸が好適に使用される。反応は溶剤の存在
下または不存在下で実施されるが、反応を円滑に
行なうには溶剤を使用する方が好ましく、使用さ
れる溶剤としては本反応に関与しなければ特に限
定はなく、例えば水;メタノール、エタノールな
どのアルコール類;テトラヒドロフラン、ジオキ
サンなどのエーテル類;アセトン、メチルエチル
ケトンのようなケトン類;クロロホルム、ジクロ
ロメタン、ジクロロエタン、ジブロムメタンのよ
うなハロゲン化炭化水素類またはこれらの有機溶
剤と水との混合溶剤が好適に使用される。反応温
度には特に限定はなく室温乃至溶剤の還流温度で
行なわれる。 又反応に要する時間は30分間乃至10時間であ
る。 水酸基の保護基がトリ置換シリル基の場合は水
あるいは酸または塩基を含有する水と接触させる
ことにより容易に達成される。酸または塩基を含
有する水を使用する場合に含有される酸または塩
基としては例えばギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪
酸、シユウ酸、マロン酸などの有機酸;塩酸、臭
化水素酸、硫酸などの鉱酸のような酸または水酸
化カリウム、水酸化カルシウムなどのアルカリ金
属およびアルカリ土類金属の水酸化物;炭酸カリ
ウム、炭酸カルシウムなどのアルカリ金属および
アルカリ土類金属の炭酸塩のような塩基が特に限
定なく使用される。反応は溶剤として水を使用す
れば他の溶剤は特に必要ではない。他の溶剤を使
用する場合は例えばテトラヒドロフラン、ジオキ
サンなどのエーテル類;メタノール、エタノール
などのアルコール類等の有機溶剤と水との混合溶
剤が使用される。反応温度には特に限定はないが
通常は室温で好適に行なわれる。反応に要する時
間は30分間乃至5時間である。又、テトラヒドロ
フラン、ジオキサンのようなエーテル類又は酢酸
のような脂肪酸類中、フツ化テトラブチルアンモ
ニウムで処理することによつても達成される。 水酸基の保護基がアラルキル基の場合には、水
素およびパラジウム−炭素のような接触還元触媒
または硫化ナトリウム若しくは硫化カリウムのよ
うなアルカリ金属硫化物と処理することにより除
去される。反応は溶剤の存在下で行なわれ、使用
される溶剤としては本反応に関与しないものであ
れば特に限定はないが、メタノール、エタノール
のようなアルコール類、テトラヒドロフラン、ジ
オキサンのようなエーテル類、酢酸のような脂肪
酸およびこれらの有機溶剤と水との混合溶剤が好
適である。反応温度は通常は0℃乃至室温付近で
あり、反応時間は原料化合物および還元剤の種類
によつて異なるが、通常は5分間乃至12時間であ
る。 R7に含まれる水酸基の保護基及びR8が同一の
保護基の場合には上記の保護基の除去反応により
同時に除去される。又、保護基を適宜選択するこ
とにより、選択的に脱保護することもできる。 ヒドロキシメチル基をカルボキシ基に変換する
反応は常法に従つて行われる。 使用される酸化剤としては例えば無水クロム酸
−濃硫酸−水(Jones試薬)、過マンガン酸カリ
ウム−水酸化ナトリウム若しくは炭酸ナトリウ
ム、酸化銀、重クロム酸カリウム−硫酸等をあげ
ることができる。 反応は通常アセトンのようなケトン類、水又は
水とメタノール、エタノールのようなアルコール
との混合溶剤中で行われる。 反応温度は−30℃乃至100℃であり、反応に要
する時間は通常30分間乃至5時間である。 本反応において、チア基がスルフエニル基若し
くはスルホニル基に酸化された場合には、常法に
従つて還元剤、例えばチオフエノール、亜硫酸ナ
トリウム、水素化リチウムアルミニウム等と処理
することによつてチア基に変換される。 カルボキシ基をエステル化する反応は溶剤の存
在下または不存在下でエステル化剤と接触させる
ことによつて行なわれる。使用されるエステル化
剤としては、通常のカルボキシル基をアルコキシ
カルボニル基に変換する際に使用されるエステル
化剤が特に限定なく用いられる。使用されるエス
テル化剤としては、例えばジアゾメタン、ジアゾ
エタン、ジアゾ−n−プロパン、ジアゾイソプロ
パン、ジアゾ−n−プタンなどのジアゾアルカン
類;メタノール、エタノール、n−プロパノー
ル、イソプロピルアルコール、n−ブタノールな
どのエステル基を形成するアルコール類と塩酸、
臭化水素酸若しくは硫酸などの鉱酸またはメタン
スルホン酸、ベンゼンスルホン酸若しくはp−ト
ルエンスルホン酸などの有機酸;臭化メチル、臭
化エチルのような低級アルキルハライドと水酸化
ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウムの
ような塩基が好適に用いられる。ジアゾアルカン
類を用いる場合は反応は溶剤の存在下で好適に行
なわれる。使用される溶剤としては本反応に関与
しなければ特に限定はなく例えばエチルエーテ
ル、ジオキサンなどのエーテル類が好適である。
反応温度には限定はないが副反応を抑え且つジア
ゾアルカン類の分解を防ぐため比較的低温で行な
うのが望ましく通常は氷冷下で好適に行なわれ
る。酸の存在下でアルコール類を用いる場合は通
常溶剤として過剰のアルコール類が好適に使用さ
れる。反応温度は特に限定はないが室温乃至使用
されるアルコール類の還流温度付近で好適に行な
われる。反応時間は主に反応温度、使用されるア
ルコール類の種類によつて異なるが約1時間乃至
2日間である。 R7に含まれる低級アルコキシカルボニル基を
カルボキシ基に変換する反応は前記水酸基の保護
基が脂肪族若しくは芳香族アシル基の場合の除去
反応と同様にして行われる。 低級アルコキシカルボニル基を置換されてもよ
いカルバモイル基に変換する反応は溶剤の存在下
でアミン化合物と接触させることによつて行われ
る。使用されるアミン化合物としてはエステル基
をアミド化する際使用されるものなら特に限定さ
れない。使用されるアミン化合物としては、例え
ばアンモニア又はメチルアミン、エチルアミン、
n−プロピルアミン、イソプロピルアミン、n−
ブチルアミン、アニリン、p−メチルアニリン、
ジメチルアミン、メチルエチルアミン、ジエチル
アミン、N−メチルアニリン、N−エチルアニリ
ン、N−メチル−m−メチルアニリンのような1
級若しくは2級アミンをあげることができる。使
用される溶剤は反応に関与しなければ特に限定さ
れないが、例えば水、エーテル、テトラヒドロフ
ラン、ジオキサンのようなエーテル類又はメタノ
ール、エタノールのようなアルコール類をあげる
ことができる。 反応は通常0℃乃至100℃で行なわれ、反応に
要する時間は1時間乃至7日間である。 アルコキシカルボニル基又はカルボキシ基をヒ
ドロキシメチル基に変換する反応は、相当する化
合物を不活性溶剤中、還元剤と処理することによ
つて達成される。 使用される還元剤としては、例えばリチウムア
ルミニウムヒドリド、リジウムビス(2−メトキ
シエトキシ)アルミニウムヒドリドのようなアル
ミニウム化合物をあげることができる。 使用される不活性溶剤としては、反応に関与し
なければ特に制限されないが、例えばエーテル、
テトラヒドロフラン、ジオキサンのようなエーテ
ル類又はn−ヘキサン、シクロヘキサン、ベンゼ
ン、トルエン、キシレンのような炭化水素類をあ
げることができるが、好適にはエーテル類であ
る。 反応温度は通常10℃乃至100℃であり、反応に
要する時間は30分間乃至10時間である。 ヒドロキシメチル基をハロゲン化メチル基に変
換する反応は、不活性溶剤中、ハロゲン化剤と反
応させることによつて達成される。 使用されるハロゲン化剤としては、水酸基をハ
ロゲン原子に変換させるものなら特に制限されな
いが、臭素、沃素のようなハロンゲン若しくは沃
化メチルのようなハロゲン化メタンとトリフエニ
ルホスフイン、トリフエニルホスフアイト、トリ
メチルホスフアイト、トリエチルホスフアイトの
ようなリン化合物:四塩化炭素、四臭化炭素のよ
うな四ハロゲン化炭素とトリフエニルホスフイ
ン;三塩化リン、三臭化リン、三沃化リン、五塩
化リンのようなハロゲン化リン化合物;又はチオ
ニルクロリド、チオニルプロミドのようなハロゲ
ン化硫黄化合物をあげることができるが、好適に
は臭素−トリフエニルホスフイン、沃素−トリフ
エニルホスフインである。 使用される不活性溶剤としては、反応に関与し
なければ特に制限されないが、好適にはベンゼ
ン、トルエン、キシレンのような芳香族炭化水素
類;エーテル,テトラヒドロフラン,ジオキサン
のようなエーテル類;ジクロロメタン、クロロホ
ルムのようなハロゲン化炭化水素類;ジメチルバ
ルアミド、ジメチルアセトアミドのようなアミド
類;又はジメチルスルホキシドのようなスルホキ
シド類あるいはこれらの混合溶剤をあげることが
できる。又、ハロゲンとリン化合物との反応では
上記の混合溶剤とピリジン,コリジン,ルチジン
のような複素環化合物との混合溶剤も好適であ
る。 反応温度は通常0℃乃至60℃であり、反応に要
する時間は10分間乃至3日間である。 又、相当するアルコールをピリジンのような塩
基の存在下、メタンスルホニルクロリド、ベンゼ
ンスルホニルクロリド、p−トルエンスルホニル
クロリドのようなスルホニルハライドと室温付近
で反応させ、スルホニルオキシ体に変換させた
後、エーテル、テトラヒドロフラン、塩化メチレ
ン、クロロホルムのような不活性溶剤中、沃化リ
チウム、臭化ナトリウム,沃化ナトリウムのよう
なアルカリ金属ハロゲン化物と室温付近で1時間
乃至10時間反応させることによつても、ハロゲン
化反応が行なわれる。なお、反応条件によつて
は、前段のスルホニルオキシ化の段階でも相当す
るクロライドが生成する。 さらに、得られたハライド体を他のハライド体
に変換する反応も通常に従つて行われる。例え
ば、得られたクロル体又はブロム体をエチレング
リコール中、必要に応じて、12−クラウン−4,
15−クラウン−5のようなクラウンエーテルの存
在下、カリウムフルオライドと反応させ、フルオ
ロ体を製造することができ、クロル体を沃化ナト
リウムと反応させ、又はヨード体をジメチル−t
−ブチルシリルクロリドと反応させ、それぞれヨ
ード体及びクロル体を製造することもできる。 ハライド体とアニオンとの反応は、不活性溶剤
中反応中にアニオンを製造した後、ハライド体を
反応させることによつて達成される。 使用されるアニオンとしては例えば、ジメチル
酢酸メチル、ジメチル酢酸ナトリウム塩、ジエチ
ル酢酸エチル、プロピオン酸メチル、酢酸エチル
のような酢酸誘導体から生じるカルバニオン又は
メタノール、エタノール、n−プロパノール、2
−ジメチルアミノエタノール、ジエチルアミノエ
タノールのようなジ低級アルキルアミノ基で置換
されてもよいアルコールから生じるアルコキシア
ニオンをあげることができる。 アニオンは酢酸誘導体又はアルコール体を塩基
と処理することによつて製造される。使用される
塩基としては、例えば、メチルリチウム、n−ブ
チルリチウム、t−ブチルリチウム、フエニルリ
チウムのような有機リチウム化合物;ジイソプロ
ピルアミノリチウム、ジシクロヘキシルアミノリ
チウム、イソプロピル−シクロヘキシルアミノリ
チウムのようなジアルキルアミノリチウム化合
物;又はリチウム水素、ナトリウム水素、カリウ
ム水素のようなアルカリ金属水素化物をあげるこ
とができるが、好適にはカルバニオンの発生には
有機リチウム化合物又はジアルキルアミノリチウ
ム化合物であり、アルコキシアニオンの発生には
アルカリ金属水素化物である。 使用される不活性溶剤としては反応に関与しな
ければ特に限定されないが、例えば、エーテル、
テトラヒドロフラン、ジオキサンのようなエーテ
ル類又はジメチルホルムアミド、ジメチルアセト
アミドのようなアミド類をあげることができる
が、好適にはカルバニオンの反応ではエーテル
類、アルコキシアニオンの反応ではアミド類であ
る。 反応温度は前段のアニオンの発生では、−78℃
乃至室温であり、後段のアニオンとハロゲン体と
の反応では、0℃乃至60℃であり、反応に要する
時間は前段では30分間乃至2時間であり、後段で
は1時間乃至24時間である。 又、本工程の塩基との処理によつて、ハロゲン
化アルキル体をアルケニル体に変換することもで
きる。 チア基をスルホキシド基又はスルホン基に変換
させる反応は、不活性溶剤中、相当する化合物を
酸化剤と処理することによつて行われる。 使用される酸化剤としては、過酸化水素又は過
酢酸、過安息香酸、m−クロル過安息香酸のよう
な有機過酸をあげることができる。 使用される不活性溶剤としては、反応に関与し
なければ特に制限されないが、好適には過酸化水
素を使用する場合には水であり、有機過酸を使用
する場合には、エーテル、テトラヒドロフラン、
ジオキサンのようなエーテル類又はベンゼン、ト
ルエン、キシレンのような芳香族炭化水素類、ク
ロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタンの
ようなハロゲン化炭化水素類である。 チア基からスルホキシド基に変換する場合に
は、該当モル量の酸化剤を用い、スルホン基に変
換する場合には2当モル量以上の酸化剤を用いる
ことによつて好適に行われる。 反応温度は通常室温付近であり、スルホンを得
る場合には室温乃至50℃に加熱してもよく、反応
に要する時間は30分間乃至5時間である。 水酸基を保護する反応は通常の方法に従つて行
われる。 保護基が脂肪族若しくは芳香族アシル基、1−
低級アルコキシアルキル基、シリル基又はアラル
キル基の場合には、塩基、例えばトリエチルアミ
ン、ピリジン、イミダゾール、ナトリウム水素の
存在下若しくは前処置ののち相当するハライドと
反応させることにより達成され、保護基が1−低
級アルコキシアルキル基(炭素数2乃至4個のも
の)又は環状エーテル基の場合には、酸、例えば
メタンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸、塩
酸の存在下、相当するビニルエーテル体(メチル
ビニルエーテル、ジヒドロフラン、ジヒドロピラ
ン)と反応させることにより達成される。 以上の各反応終了後、各反応の目的化合物は常
法により、反応混合物から採取される。例えば反
応混合物を氷水にあけ、必要に応じて、中和する
か不溶物を除去した後、水不混和性有機溶剤で抽
出することによつて得ることができる。さらに必
要なら、常法、例えば再結晶法、カラムクロマト
グラフイーによつて精製することもできる。 B 法 B法は化合物()において、R2が低級アル
キル基又は低級アルケニル基である化合物(
b)を製造する方法であり、以下の方法に従つて
行われる。 上記式中、R1、R3、R4、R5、R6、R7、R8、
R9及びnは前述したものと同意義を示し、R12は
低級アルキル基又は炭素数3乃至4のアルケニル
基を示す。 第6工程は一般式()を有する化合物を製造
する工程で、化合物()を不活性溶剤中、塩基
と処理し、反応液中にカルバニオンを発生させた
後、一般式 R12−Y (XI) (式中、R12は前述したものと同意義を示し、Y
は塩素、臭素、沃素のようなハロゲン原子又はメ
タンスルホニルオキシ、エタンスルホニルオキ
シ、ベンゼンスルホニルオキシ、p−トルエンス
ルホニルオキシのようなスルホニルオキシ基を示
す。) を有する化合物を反応させることによつて達成さ
れる。本工程において、R7の好適な基は置換さ
れてもよいアリール基(該置換基の水酸基は保護
基を有する)である。 使用される塩基は前記第5工程における相当す
る反応に用いられたものと同様である。 使用される溶剤としてはn−ヘキサン、n−ペ
ンタンのような脂肪族炭化水素類、ベンゼン、ト
ルエン、キシレンのような芳香族炭化水素類、エ
ーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンのよう
なエーテル類であるが、好適にはエーテル、テト
ラヒドロフランである。反応温度については前段
の反応液中にカルバニオンを発生させる反応は−
100℃乃至0℃、好適には−80℃乃至−30℃であ
り、後段のハロゲン若しくはスルホニル化合物を
反応させる反応は−80℃乃至50℃、好適には−60
℃乃至室温である。反応に要する時間は通常前段
は10分間乃至2時間であり、後段は30分間乃至5
時間である。 本反応の目的化合物()は常法に従つて反応
混合物から採取される。例えば反応液を氷水にあ
け、水と混和しない有機溶剤で抽出し、溶剤を留
去することによつて得ることができる。さらに必
要なら再結晶法、カラムクロマトグラフイーによ
つて精製することができる。 第7工程は、所望に応じて行う工程で、化合物
()において、R7、R8及び/又はR9に含まれる
水酸基の保護基を除去する反応、生じたヒドロキ
シメチル基をカルボキシ基に酸化する反応、カル
ボキシ基をエステル化する反応、R7に含まれる
低級アルコキシカルボニル基をカルボキシ基、置
換されてもよいカルバモイル基若しくはヒドロキ
シメチル基(カルボキシ基から変換する反応を含
む。)に変換する反応、得られたヒドロキシメチ
ル基をハロゲン化メチル基に変換する反応、得ら
れたハライドをアニオン(例えば、カルバニオ
ン、オキシアニオン等)と処理する反応、ハロゲ
ン化アルキル基からハロゲン化水素を除去してア
ルケニル基に変換させる反応、チオール体をスル
ホキシド体若しくはスルホン体に変換する反応及
び水酸基を保護する反応を含む。上記反応は、適
宜順序を変えて行うことができる。 本工程は前記第5工程と同様に行われる。 C 法 C法は化合物()において、nが0である化
合物(c)を一般式(a)を有するチオール
誘導体から直接製造する方法である。 上記式中、R1、R2、R3、R4、R5及びR6は前述
したものと同意義を示す。 第8工程は不活性溶剤中、酸及び脱水剤の存在
下、化合物(a)を一般式 (式中、R1及びR2は前述したものと同意義を示
す。) を有する化合物と反応させることによつて達成さ
れる。 本工程の原料化合物(XII)として好ましくは、
R1及びR2が水素原子でないケトン化合物であり、
特に好ましくはアセトン、ジエチルケトン、メチ
ルn−プロピルケトンのようなジ低級アルキルケ
トンである。 反応に使用される酸としては塩酸、硝酸、硫酸
のような鉱酸、酢酸、トリフルオロ酢酸、トリク
ロロ酢酸、プロピオン酸、安息香酸のような有機
カルボン酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン
酸、ベンゼンスルホン酸、p−トルエンスルホン
酸のようなスルホン酸をあげることができるが、
好適にはトリフルオロ酢酸、ベンゼンスルホン
酸、p−トルエンスルホン酸である。また使用さ
れる脱水剤としてはモレキユラシーブ3A、4Aが
好適である。 使用される溶剤としては、エーテル、テトラヒ
ドロフランのようなエーテル類、ベンゼン、トル
エン、キシレンのような芳香族炭化水素類をあげ
ることができるが、通常は原料化合物(XII)を過
剰に使用する。反応温度は0℃乃至200℃であり、
好適には50℃乃至150℃である。反応に要する時
間は原料化合物、酸の種類または反応温度により
異なるが、30分間乃至12時間である。また通常、
副反応を抑えるために窒素、アルゴン等の不活性
ガス雰囲気中で反応が行われる。 反応の目的化合物(c)は常法に従つて反応
混合物から採取される。例えば溶剤を留去し、残
留物に弱塩基性水溶液を加え、水と混和しない有
機溶剤で抽出し、溶剤を留去することによつて得
ることができる。さらに必要なら、再結晶法、カ
ラムクロマトグラフイーによつて精製することが
できる。 又、所望に応じて、化合物(c)を前記第5
工程の反応と同様の反応に付すこともでき、さら
に、本工程で、水酸基の保護基が除去された場合
には、保護基を常法に従つて付すこともできる。 D 法 D法は化合物(c)をチオール(a)から
別途に製造する方法である。 上記式中、R1、R2、R3、R4、R5、及びR6は前
述したものと同意義を示す。 第9工程は不活性溶剤中、塩基及び相関移動触
媒の存在下、化合物(a)を一般式 (式中、R1、R2及びXは前述したものと同意義
を示す。) を有する化合物と反応させることによつて達成さ
れる。 原料化合物(a)は好適には、R1及びR2が
同一又は異なつて水素原子又は低級アルキル基で
あり、特に好適には、水素原子、メチル基又はエ
チル基である。 使用される塩基としては、炭酸ナトリウム、炭
酸カリウムのようなアルカリ金属炭酸塩または炭
酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウムのようなア
ルカリ金属炭酸水素塩をあげることができるが、
好適にはアルカリ金属炭酸水素塩である。 使用される相関移動触媒としては、トリオクチ
ルメチルアンモニウムクロリド、トリデシルメチ
ルアンモニウムブロミド、テトラオクチルアンモ
ニウムヨーダイドのようなテトラアルキルアンモ
ニウムハライドをあげることができるが、好適に
はトリオクチルメチルアンモニウムハライドであ
る。 また反応は必要に応じて、窒素気流中で実施す
ることができる。 反応に使用される溶剤としては、反応に関与し
ないものなら特に制限はないが、例えば水;メタ
ノール、エタノールのようなアルコール類;n−
ヘキサン、n−ヘプタン、n−オクタンのような
脂肪族炭化水素類;ベンゼン、トルエン、キシレ
ンのような芳香族炭化水素類;エーテル、テトラ
ヒドロフラン、ジオキサンのようなエーテル類を
あげることができるが、好適には、過剰量の化合
物()と水の混合溶剤である。 反応温度は20℃乃至130℃であるが、好適には、
80℃乃至110℃である。 反応に要する時間は原料または反応温度により
異なるが通常2乃至20時間、好適には5乃至12時
間である。 反応終了後、常法に従つて本工程の目的化合物
(c)は反応混合物から採取される。例えば反
応混合物より有機溶剤を留去し、残留物を再結晶
法またはカラムクロマトグラフイーで精製するこ
とができる。 又、所望に応じて、化合物(c)を前記第5
工程の反応と同様の反応に付すこともでき、さら
に、本工程で、水酸基の保護基が除去された場合
には、常法に従つて保護基を付すこともできる。 本発明に係る化合物()は前述したように血
清脂質改善剤、抗血栓剤、抗アレルギー剤として
予防、治療に使用されるが、その目的のための投
与形態としては、例えば錠剤、カプセル剤、顆粒
剤、散剤、シロツプ剤、吸入剤などによる経口投
与又は静脈内注射、筋肉内注射などによる非経口
投与をあげることができるが、好適には経口投与
である。その投与量は年令、症状、投与方法等に
よつて異なるが、通常成人に対し1日1−3000mg
であり、好ましくは1日15−1000mgを1回又は数
回に分けて投与することが可能である。 次に実施例及び試験例をあげさらに本発明を具
体的に説明する。 実施例 1 2,2′−ジチオビス−(1、4−ジヒドロキシ
−3,5,6−トリメチルベンゼン) チオールを用いる方法 2−メルカプト−3,5,6−トリメチル−
1,4−ベンゼンジオール7.5gとエーテル100
mlの混合物を空気中室温で1日放置したのち溶
楳を留去し、得られた粗製品をテトラヒドロフ
ランで再結晶することにより鮮黄色結晶性の目
的物を5.5g得た。 融点 227−230 赤外線吸収スペクトル(又ジヨール): 3380、3425cm-1 一塩化イオウを用いる方法 トリメチルハイドロキノン30gを無水アセト
ニトリル1.2に溶かし、鉄粉1.4gを加え−30
℃に冷却して窒素気流下に一塩化イオウ13.3g
を無水アセトニトリル50mlに溶かして滴下し
た。滴下後室温に戻して4時間かきまぜた。反
応終了後、析出した結晶を去し、液を濃縮
して得られた残留物をシリカゲルカラムクロマ
トグラフイーで精製した。溶離剤(ベンゼン;
テトラヒドロフラン=10:0.5)で溶出する部
分から実施例1−と同じ融点および赤外線吸
収スペクトルを有する目的化合物1.0gを得た。 また反応終了後に析出した結晶より2,2′−
トリチオビス−(1,4−ジヒドロキシ−3,
5,6−トリメチルベンゼン)を17.0gを得
た。 分解点 190−193℃ 赤外線吸収スペクトル(又ジヨール): 3400cm-1 実施例 2 2,2′−ジチオビス−(1,4−ジヒドロキシ
−5,6−ジメトキシ−3−メチルベンゼン)
および2,2′−トリチオビス−(1,4−ジヒ
ドロキシ−5,6−ジメトキシ−3−メチルベ
ンゼン) 2,3−ジメトキシ−5−メチルハイドロキノ
ンと一塩化イオウを用いて実施例1−と同様に
反応および後処理後、シリカゲルカラムクロマト
グラフイー(溶離剤:ベンゼン/酢酸エチル=
9/1)で分離精製して、目的とするジチオ体と
トリチオ体を得た。 ジチオ体 融点 153−155℃ シリカゲル薄層クロマトグラフイー: Rf=0.46 (展開溶剤:ベンゼン/酢酸エチル=6/4) トリチオ体 シリカゲル薄層クロマトグラフイー: Rf=0.53(展開溶剤:ベンゼン/酢酸エチル=
6/4) 実施例 3 2,2′−ジチオビス−(3,6−ジメチル−1,
4,5−トリヒドロキシベンゼン)および2,
2′−トリチオビス−(3,6−ジメチル−1,
4,5−トリヒドロキシベンゼン) 3,6−ジメチル−1,2,4−トリヒドロキ
シベンゼンと一塩化イオウを実施例1−と同様
に反応および後処理後、シリカゲルカラムクロマ
トグラフイー(溶離剤:ベンゼン/酢酸エチル=
8/2)で分離精製して、目的とするジチオ体と
トリチオ体を得た。 ジチオ体 融点 192−194℃ シリカゲル薄層クロマトグラフイー: Rf=0.43(展開溶剤:ベンゼン/酢酸エチル=
6/4) トリチオ体 シリカゲル薄層クロマトグラフイー: Rf=0.50(展開溶剤:ベンゼン/酢酸エチル=
6/4) 実施例 4 2,2′−トリチオビス−(1,4−ジアセトキ
シ−3,5,6−トリメチルベンゼン) 2,2′−トリチオビス−(1,4−ジヒドロキ
シ−3,5,6−トリメチルベンゼン)10gをピ
リジン70mlに溶かし無水酢酸30gを加えて室温で
24時間反応させた。反応終了後反応混合物を水に
あけ析出物をクロロホルムで抽出した。抽出液を
水洗、ついで無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒
を留去した。得られた残留物をベンゼンから再結
晶して目的物を5.7g得た。 融点 187−190℃ 赤外線吸収スペクトル(又ジヨール): 1760cm-1 マススペクトル(m/e):566(M+) 実施例 5 2,2′−トリチオビス−(1,4−ジ−n−ブ
チリルオキシ−3,5,6−トリメチルベンゼ
ン) 2,2′−トリチオビス−(1,4−ジヒドロキ
シ−3,5,6−トリメチルベンゼン)とn−ブ
チリルクロリドを実施例4と同様に反応、後処理
および精製し、目的化合物を得た。 融点 153−155℃ 赤外線吸収スペクトル(又ジヨール): 1750cm-1 マススペクトル(m/e):678(M+) 実施例4もしくは5に準じて、以下の混合物を
合成した。
導体及びその薬理上許容される塩並びにその製法
に関するものである。 本願発明者らは、1,3−ベンゾオキサチオー
ル誘導体の製造とその薬理活性について、長年に
亘り鋭意研究を重ねた結果、これらの化合物がす
ぐれた過酸化脂質低下作用、血小板凝集阻害作
用、SRS−A産生抑制作用及び気道抵抗抑制作用
等を有し、これらの薬理作用に基づく循環障害治
療剤または抗アレルギー剤として有用であること
を見出し、本発明を完成するに至つた。 上記式中、R1は水素原子、置換されていても
よいアルキル基、低級アルケニル基又は置換され
ていてもよいアリール基を示し、R2は水素原子、
低級アルキル基又は炭素数3乃至4個のアルケニ
ル基を示し、R3は水素原子又は低級アルキル基
を示し、R4は保護されていてもよい水酸基を示
し、R5は低級アルキル基、低級アルコキシ基、
水酸基又は低級脂肪族アシルオキシ基を示し、
R6は水素原子、低級アルキル基又は低級アルコ
キシ基を示し、nは0乃至2の整数を示す。 R1における置換されていてもよいアルキル基
のカルキル基としては、例えばメチル、エチル、
n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イソ
ブチル、n−ペンチル、イソペンチル、2−メチ
ルブチル、1−エチルプロピル、n−ヘキシル、
イソヘキシル、n−ヘプチル、イソオクチル、n
−デシル、3,7−ジメチルオクチル、4,8−
ジメチルノニル、イソトリデシル、n−ペンタデ
シル、2,6,10−トリメチルウンデシル、n−
ノナデシル、イソノナデシル、2,6,10,14−
テトラメチルペンタデシル、n−エイコシルのよ
うな炭素数1乃至20個の直鎖状若くけは分枝状の
アルキル基をあげることができ、好適には炭素数
1乃至10個のアルキル基である。R1が非置換ア
ルキル基のとき、さらに好適なものは炭素数1乃
至6個のアルキル基であり;R1が後述する置換
基を有するアルキル基のとき、さらに好適なもの
は炭素数1乃至6個のアルキル基であり、特に好
適には炭素数3乃至5個のアルキル基である。 上記アルキル基の置換基としては、例えば弗
素、塩素、臭素、沃素のようなハロゲン原子;保
護されていてもよい水酸基〔該保護基は例えばホ
ルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イ
ソブチリル、バレリルのような低級脂肪族アシル
基、置換されていてもよいベンゾイル、ナフトイ
ルのようなアリールアシル基(該置換基として
は、ハロゲン原子、メチル、エチル、n−プロピ
ル、イソプロピル、n−ブチルのような低級アル
キル基又はメトキシ、エトキシ、n−プロポキ
シ、イソプロポキシ又はn−ブトキシのような低
級アルコキシ基をあげることができる。)、メトキ
シメチル、1−メトキシエチル、エトキシメチ
ル、1−エトキシエチル、n−プロポキシメチル
のような1−低級アルコキシ低級アルキル基、テ
トラヒドロ−2−フラニル、テトラヒドロ−2−
ピラニルのような環状エーテル基、トリメチルシ
リル、トリエチルシリル、ジメチル−t−ブチル
シリルのようなトリ置換シリル基又はベンジル、
P−メトキシベンジル、P−ブロムベンジルのよ
うなアラルキル基をあげることができる。〕;置換
されていてもよいメトキシ、エトキシ、n−プロ
ポキシ、イソプロポキシ、n−ブトキシのような
低級アルコキシ基(該置換基はアミノ基又はメチ
ルアミノ、ジメチルアミノ、エチルアミノ、ジエ
チルアミノ、n−プロピルアミノのような低級ア
ルキルアミノ基である。);カルボキシ基;メトキ
シカルボニル、エトキシカルボニル、n−プロポ
キシカルボニル、n−ブトキシカルボニルのよう
な低級アルコキシカルボニル基;又はカルバモイ
ル、N−メチルカルバモイル、N,N−ジメチル
カルバモイル、N−エチルカルバモイル、N,N
−ジエチルカルバモイル、N−n−プロピルカル
バモイルのような低級アルキル基で置換されてい
てもよいカルバモイル基をあげることができる
が、好適にはハロゲン原子、保護されてもよい水
酸基又は低級アルコキシカルボニル基でありさら
に好適には、水酸基、低級脂肪族アシルオキシ基
又はベンゾイルオキシ基である。 低級アルケニル基としては、例えばビニル、ア
リル、メタアリル、3−ブテニルのような炭素数
2乃至4個のアルケニル基をあげることができ
る。 置換されてもよいアリール基のアリールとして
は、例えばフエニル、ナフチルであり、好適には
フエニル基である。 置換基としては、例えば、メチル、エチル、n
−プロピル、イソプロピル、n−ブチルのような
低級アルキル基;ハロゲン原子;保護されていて
もよい水酸基;低級アルコキシ基;カルボキシ
基;又は低級アルコキシカルボニル基をあげるこ
とができる。ハロゲン原子、保護されていてもよ
い水酸基の保護基、低級アルコキシ基及び低級ア
ルコキシカルボニル基は前記アルキル基の置換基
において例示した基と同様の基であり、好適には
水酸基又は低級脂肪族アシルオキシ基である。 R2の炭素数3乃至4個のアルケニル基として
は、例えばアリル、メタアリル又は3−ブテニル
基である。 R4の保護されていてもよい水酸基の保護基と
しては、例えば、ホルミル、アセチル、プロピオ
ニル、n−ブチリル、イソブチリル、n−バレリ
ル、イソバレリル、ヘキサノイル、オクタノイ
ル、デカノイル、トリデカノイル、ペンタデカノ
イル、ヘプタデカノイル、ノナデカノイル、3,
7,11,15−テトラメチルヘキサデカノイル、エ
イコサノイルのような炭素数1乃至21個の脂肪族
アシル基(該アシル基はカルボキシ又は低級アル
コキシカルボニル基又は置換されていてもよいア
リールオキシカルボニル基で置換されてもよ
い。);置換されていてもよいベンゾイル、ナフト
イルのようなアリールアシル基(該置換基は低級
アルキル基、ハロゲン原子、水酸基、低級脂肪族
アシルオキシ基、低級アルコキシ基、カルボキシ
基、低級アルコキシカルボニル基又はメタンスル
ホニルオキシ、エタンスルホニルオキシ、n−プ
ロパンスルホニルオキシ、ベンゼンスルホニルオ
キシ、p−トルエンスルホニルオキシのようなス
ルホニルオキシ基であるが好適には、水酸基、低
級脂肪族アシルオキシ基、カルボキシ基又は低級
アルコキシカルボニル基である。);1−低級アル
コキシ低級アルキル基;環状エーテール基;トリ
置換シリル基又はアラルキル基をあげることがで
きる。ここにおいて、低級アルキル、低級アルコ
キシ、ハロゲン等の前記R1における水酸基の保
護基と同一の表現は同様の基を示す。又、R3、
R5及びR6についても前述した表現と同一の基は
同様の基を示すが好適には、R3は低級アルキル
基であり、R5は低級アルキル基であり、R6は低
級アルキル基である。 nは好適には0である。 又、化合物()において、好適には以下の化
合物をあげることができる。 (1) R1が水素原子;ハロゲン原子、保護されて
いてもよい水酸基若しくは低級アルコキシカル
ボニル基で置換されていてもよい炭素数1乃至
10個のアルキル基;低級アルケニル基;又は置
換されていてもよいフエニル基であり、R2が
水素原子である化合物。 (2) R3、R5及びR6が低級アルキル聞である化合
物。 (3) nが0である化合物 (4) R1が水素原子;炭素数1乃至6個のアルキ
ル基;水酸基、低級脂肪族アシルオキシ基若し
くはベンゾイルオキシ基で置換された炭素数1
乃至6個のアルキル基、特に炭素数3乃至5個
のアルキル基;水酸基又は低級脂肪族アシルオ
キシ基で置換されてもよいフエニル基であり;
R2が水素原子であり、R3が低級アルキル基で
あり、R4が脂肪族アシル若しくはベンゾイル
で保護されてもよい水酸基であり、R5が低級
アルキル基であり、R6が低級アルキル基であ
り、nが0である化合物。 本発明に係る一般式()を有する新規化合物
は以下に示す方法によつて製造することができ
る。 A法 A法は化合物()において、R2が水素原子
を示す化合物(a)を製造する方法で以下の工
程により行われる。 上記式中、R1、R3、R4、R5、R6及びnは前述
したものと同意義を示し、R7は水素原子、保護
された水酸基、低級アルコキシカルボニル基若し
くは低級アルコキシ基で置換されていてもよいア
ルキル基、低級アルケニル基又は置換されていて
もよいアリール基(置換基の水酸基は保護基を有
する。)を示し、R8は保護された水酸基を示し、
R9は低級アルキル基、低級アルコキシ基、低級
脂肪族アシルオキシ基を示し、mは2乃至3の整
数を示す。 第1工程は一般式()を有するジチオ又はト
リチオ化合物を製造する工程で、不活性溶剤中、
一般式()を有するチオール化合物を酸素と反
応させることによつて達成される。 本工程の原料化合物()は公知の2−オキソ
−1,3−ベンゾオキサチオール〔例えば、ジヤ
ーナル・オブ・オルガニツク・ケミストリー33
巻、4426頁(1968年):J.Org.Chem.、33、4426
(1968)〕のアルカリ加水分解を行うことによつて
容易に得られる。 本反応に使用される不活性溶剤としては特に制
限はないが、n−ヘキサン、n−ヘプタン、n−
オクタンのような脂肪族炭化水素類、ベンゼン、
トルエン、キシレンのような芳香族炭化水素類、
メチレンクロリド、クロロホルム、四塩化炭素の
ようなハロゲン化炭化水素類、エーテル、テトラ
ヒドロフラン、ジオキサンのようなエーテル類、
ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドの
ようなアミド類をあげることができるが好適には
エーテル類またはハロゲン化炭化水素類である。 反応温度は通常0乃至100℃であり、好適には
10℃乃至40℃である。反応に要する時間は原料化
合物または反応温度により異なるが1時間乃至50
時間である。 反応に用いる酸素の使用方法としては、酸素ま
たは空気を反応液中に吹き込むか、酸素または空
気雰囲気中で反応液を撹拌する方法が選択される
ア好適な方法は空気を反応液中に吹き込む方法で
ある。 反応終了後本工程の目的化合物()は常法に
従つて反応混合物から採取される。例えば反応混
合物より有機溶剤を留去し、残留物を再結晶法ま
たはカラムクロマトグラフイーで精製することに
よつて得ることができる。 第2工程は一般式()を有するジチオまたは
トリチオ化合物を別途に製造する工程で、一般式
()を有するヒドロキシ化合物に不活性溶媒中、
触媒の存在若しくは不存在下、硫黄ハロゲン化合
物を反応させることによつて達成される。 本反応に使用される硫黄ハロゲン化合物として
は、一塩化硫黄、一臭化硫黄、二塩化硫黄等をあ
げることができるが、好適には一塩化硫黄であ
る。反応に使用される触媒としては、鉄粉、ニツ
ケル粉、コバルト粉等の金属粉をあげることがで
きるが、好適には鉄粉である。また上述の触媒が
存在しなくても、反応は進行し、目的化合物が得
られる。 反応に使用される不活性溶剤としては、アセト
ニトリルのようなニトリル類、エーテル、テトラ
ヒドロフラン、ジオキサンのようなエーテル類、
ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドの
ようなアミド類をあげることができるが、好適に
はアセトニトリルである。 反応温度は−70℃乃至30℃であるが、好適には
−30℃乃至10℃である。反応時間は使用される原
料化合物の種類または反応温度により異なるが、
1時間乃至20時間であり、好適には2時間乃至10
時間である。 また副反応を抑制するために、窒素またはアル
ゴン雰囲気で反応を行うこともでき、反応の目的
化合物は通常、ジチオ体およびトリチオ体の混合
物として得られる。 反応終了後、本工程の目的化合物()は常法
に従つて反応混合物から採取される。例えば有機
溶剤の不溶物を去して得た液から有機溶剤を
留去し、残留物を再結晶法またはカラムクロマト
グラフイーで精製することによつて得ることがで
きる。 なお、本工程の目的化合物であるジチオ体およ
びトリチオ体は分離することなく次の工程に使用
することができる。 第3工程は一般式()を有するアシルオキシ
化合物を製造する工程で、一般式(()を有す
るジチオまたはトリチオヒドロキシ化合物に不活
性溶剤中、一般式 R10CO2H () (式中、R10は前記R7から水素原子を除いた基と
同様の基を示す。)を有するカルボン酸の反応性
誘導体を反応させることによつて達成される。 反応に使用されるカルボン酸の反応性誘導体と
しては、一般式 R10COX () (式中、R10は前述したものの同意義を示し、X
は塩素、臭素、沃素のようなハロゲン原子を示
す。)を有するカルボン酸ハライドまたは一般式 (式中、R11はR10が示す基から低級アルコキシ
カルボニル基を除いた基を示す。) を有する酸無水物をあげることができるが、好適
にはカルボン酸クロリドである。 又、環状酸無水物、例えば、無水コハク酸、無
水グルタル酸を用いることもできる。この場合に
はカルボキシ基を有する化合物が製造される。 反応に使用される不活性溶剤としては、反応に
関与しないものなら特に制限はないが、n−ヘキ
サン、n−ヘプタン、n−オクタンのような脂肪
族炭化水素類;ベンゼン、トルエン、キシレンの
ような芳香族炭化水素類;塩化メチレン、クロロ
ホルムのようなハロゲン化炭化水素類;又はエー
テル、テトラヒドロフラン、ジオキサンのような
エーテル類をあげることができるが、好適には芳
香族炭化水素類またはエーテル類である。 反応を促進させるためには、脱酸剤を使用する
ことが好ましく、その脱酸剤としては例えばトリ
エチルアミン、N,N−ジメチルアニリン、N−
メチルモルホリン、ピリジン、4−(N,N−ジ
メチルアミノ)ピリジン、1,5−ジアザビシク
ロ〔4.3.0〕ノネン−5(DBN)、1,8−ジアザ
ビシクロ〔5.4.0〕ウンデセン−7(DBU)のよう
な有機塩基または水酸化ナトリウム、水酸化カリ
ウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素
ナトリウムのような無機塩基があげられるが、好
適にはトリエチルアミン、ピリジンのような有機
塩基であり、これらを過剰に使用するときは溶剤
を使用しなくてもよい。 反応温度は通常−10乃至60℃であり、好適にな
室温付近である。反応に要する時間は主に原料の
種類、反応温度によつて異なるが、通常30分間乃
至48時間であり、好適には10時間乃至30時間であ
る。 またR7が水素原子を有する化合物は化合物
()を常法に従つてビールマイヤー反応を行う
ことによつて容易に得ることができる。 反応終了後、本工程の目的化合物()は常法
に従つて反応混合物から採取される。例えば反応
混合物を氷水にあけ、有機溶剤で抽出し、有機溶
剤を留去した後、残留物を再結晶法またはカラム
クロマトグラフイーで精製することによつて得る
ことができる。 第4工程は一般式()を有する化合物を製造
する工程で、化合物()を不活性溶剤中、還元
剤と処理することによつて達成される。 反応に使用される還元剤としては塩化第一錫の
ような金属ハロゲン化物または鉄、亜鉛、錫のよ
うな金属粉末があげられるが、好適には亜鉛粉末
または鉄粉末である。 使用される不活性溶剤としては例えば水、メタ
ノール、エタノール、n−プロパノール、n−ブ
タノール、イソブタノールのようなアルコール
類、酢酸、プロピオン酸、酪酸、n−吉草酸、イ
ソ吉草酸のような脂肪酸をあげることができる
が、好適には酢酸、プロピオン酸のような脂肪酸
である。 本工程において、原料化合物()は好適には
R7が置換されていてもよいアルキル基若しくは
アリール基である。 反応温度は0℃乃至200℃であり、好適には50
℃乃至100℃である。反応に要する時間は原料、
還元剤の種類または反応温度によつて異なるが、
通常1時間乃至30時間であり、好適には3時間乃
至20時間である。 反応終了後、本工程の目的化合物()は常法
に従つて反応混合物から採取される。例えば不溶
物を別し、溶剤を留去することによつて得るこ
とができる。さらに必要なら残留物に有機溶剤を
加え、水洗し、溶剤を留去した後、再結晶法、カ
ラムクロマトグラフイーによつて精製することが
できる。 第5工程は、所望に応じて行う工程で、化合物
()においてR7、R8及び/又はR9に含まれる水
酸基の保護基を除去する反応、生じたヒドロキシ
メチル基をカルボキシ基に酸化する反応、カルボ
キシ基をエステル化する反応、R7に含まれる低
級アルコキシカルボニル基をカルボキシ基、置換
されてもよいカルバモイル基若しくはヒドロキシ
メチル基(カルボキシ基が変換する反応を含む)
に変換する反応、得られたヒドロキシメチル基を
ハロゲン化メチル基に変換する反応、得られたハ
ライドをアニオン(例えば、カルバニオン、オキ
シアニオン等)と処理する反応、ハロゲン化アル
キル基からハロゲン化水素を除去してアルケニル
基に変換する反応、チオール体をスルホキシド体
若しくはスルホン体に変換する反応及び水酸基を
保護する反応を含む。上記反応は、適宜順序を変
えて行うことができる。 水酸基の保護基を除去する反応は、保護基の種
類によつて異なるが、通常の方法に従つて除去す
ることができる。 水酸基の保護基が脂肪族若しくは芳香族アシル
基の場合には、その除去は通常の加水分解反応に
よつて行なわれる。使用される酸または塩基とし
ては一般の加水分解反応に使用される酸または塩
基が特に限定なく使用されるが、通常は例えばア
ンモニアのようなアミン類又は水酸化リチウム、
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カル
シウム、水酸化バリウムのようなアルカリ金属若
しくはアルカリ土類金属の水酸化物を用いて塩基
性条件下で好適に行なわれる。使用される溶剤と
しては加水分解反応に用いられる溶剤が特に限定
なく用いられ、例えばメタノール、エタノール、
n−プロパノール、イソプロピルアルコールのよ
うなアルコール類;エチルエーテル、テトラヒド
ロフラン、ジオキサン、ジメトキシエタンのよう
なエーテル類;ジメチルスルホキシドのようなジ
アルキルスルホキシド類およびこれらの有機溶剤
と水との混合溶剤をあげることができる。反応温
度には特に限定はなく、通常は室温付近乃至溶剤
の還流温度で行なわれる。反応時間は反応温度な
どによつて異なるが、通常は1乃至24時間であ
る。この際、アルコキシカルボニル基又はアリー
ルオキシカルボニル基が存在する場合にはカルボ
キシ基に変換される。 又、還元剤例えばリチウムアルミニウムヒドリ
ドとテトラヒドロフラン中、処理することによつ
ても保護基を除去することもできる。 水酸基の保護基が1−低級アルコキシ低級アル
キル又は環状エーテル基である場合は、相当する
化合物を酸と接触させることにより容易に達成さ
れる。使用される酸としては例えばギ酸、酢酸、
トリフルオロ酢酸、プロピオン酸、酪酸、シユウ
酸、マロン酸、メタンスルホン酸、ベンゼンスル
ホン酸、p−トルエンスルホン酸、カンフアース
ルホン酸などの有機酸;塩酸、臭化水素酸、硫酸
などの鉱酸;シリカゲル、アルミナなどの固体の
ルイス酸が好適に使用される。反応は溶剤の存在
下または不存在下で実施されるが、反応を円滑に
行なうには溶剤を使用する方が好ましく、使用さ
れる溶剤としては本反応に関与しなければ特に限
定はなく、例えば水;メタノール、エタノールな
どのアルコール類;テトラヒドロフラン、ジオキ
サンなどのエーテル類;アセトン、メチルエチル
ケトンのようなケトン類;クロロホルム、ジクロ
ロメタン、ジクロロエタン、ジブロムメタンのよ
うなハロゲン化炭化水素類またはこれらの有機溶
剤と水との混合溶剤が好適に使用される。反応温
度には特に限定はなく室温乃至溶剤の還流温度で
行なわれる。 又反応に要する時間は30分間乃至10時間であ
る。 水酸基の保護基がトリ置換シリル基の場合は水
あるいは酸または塩基を含有する水と接触させる
ことにより容易に達成される。酸または塩基を含
有する水を使用する場合に含有される酸または塩
基としては例えばギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪
酸、シユウ酸、マロン酸などの有機酸;塩酸、臭
化水素酸、硫酸などの鉱酸のような酸または水酸
化カリウム、水酸化カルシウムなどのアルカリ金
属およびアルカリ土類金属の水酸化物;炭酸カリ
ウム、炭酸カルシウムなどのアルカリ金属および
アルカリ土類金属の炭酸塩のような塩基が特に限
定なく使用される。反応は溶剤として水を使用す
れば他の溶剤は特に必要ではない。他の溶剤を使
用する場合は例えばテトラヒドロフラン、ジオキ
サンなどのエーテル類;メタノール、エタノール
などのアルコール類等の有機溶剤と水との混合溶
剤が使用される。反応温度には特に限定はないが
通常は室温で好適に行なわれる。反応に要する時
間は30分間乃至5時間である。又、テトラヒドロ
フラン、ジオキサンのようなエーテル類又は酢酸
のような脂肪酸類中、フツ化テトラブチルアンモ
ニウムで処理することによつても達成される。 水酸基の保護基がアラルキル基の場合には、水
素およびパラジウム−炭素のような接触還元触媒
または硫化ナトリウム若しくは硫化カリウムのよ
うなアルカリ金属硫化物と処理することにより除
去される。反応は溶剤の存在下で行なわれ、使用
される溶剤としては本反応に関与しないものであ
れば特に限定はないが、メタノール、エタノール
のようなアルコール類、テトラヒドロフラン、ジ
オキサンのようなエーテル類、酢酸のような脂肪
酸およびこれらの有機溶剤と水との混合溶剤が好
適である。反応温度は通常は0℃乃至室温付近で
あり、反応時間は原料化合物および還元剤の種類
によつて異なるが、通常は5分間乃至12時間であ
る。 R7に含まれる水酸基の保護基及びR8が同一の
保護基の場合には上記の保護基の除去反応により
同時に除去される。又、保護基を適宜選択するこ
とにより、選択的に脱保護することもできる。 ヒドロキシメチル基をカルボキシ基に変換する
反応は常法に従つて行われる。 使用される酸化剤としては例えば無水クロム酸
−濃硫酸−水(Jones試薬)、過マンガン酸カリ
ウム−水酸化ナトリウム若しくは炭酸ナトリウ
ム、酸化銀、重クロム酸カリウム−硫酸等をあげ
ることができる。 反応は通常アセトンのようなケトン類、水又は
水とメタノール、エタノールのようなアルコール
との混合溶剤中で行われる。 反応温度は−30℃乃至100℃であり、反応に要
する時間は通常30分間乃至5時間である。 本反応において、チア基がスルフエニル基若し
くはスルホニル基に酸化された場合には、常法に
従つて還元剤、例えばチオフエノール、亜硫酸ナ
トリウム、水素化リチウムアルミニウム等と処理
することによつてチア基に変換される。 カルボキシ基をエステル化する反応は溶剤の存
在下または不存在下でエステル化剤と接触させる
ことによつて行なわれる。使用されるエステル化
剤としては、通常のカルボキシル基をアルコキシ
カルボニル基に変換する際に使用されるエステル
化剤が特に限定なく用いられる。使用されるエス
テル化剤としては、例えばジアゾメタン、ジアゾ
エタン、ジアゾ−n−プロパン、ジアゾイソプロ
パン、ジアゾ−n−プタンなどのジアゾアルカン
類;メタノール、エタノール、n−プロパノー
ル、イソプロピルアルコール、n−ブタノールな
どのエステル基を形成するアルコール類と塩酸、
臭化水素酸若しくは硫酸などの鉱酸またはメタン
スルホン酸、ベンゼンスルホン酸若しくはp−ト
ルエンスルホン酸などの有機酸;臭化メチル、臭
化エチルのような低級アルキルハライドと水酸化
ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウムの
ような塩基が好適に用いられる。ジアゾアルカン
類を用いる場合は反応は溶剤の存在下で好適に行
なわれる。使用される溶剤としては本反応に関与
しなければ特に限定はなく例えばエチルエーテ
ル、ジオキサンなどのエーテル類が好適である。
反応温度には限定はないが副反応を抑え且つジア
ゾアルカン類の分解を防ぐため比較的低温で行な
うのが望ましく通常は氷冷下で好適に行なわれ
る。酸の存在下でアルコール類を用いる場合は通
常溶剤として過剰のアルコール類が好適に使用さ
れる。反応温度は特に限定はないが室温乃至使用
されるアルコール類の還流温度付近で好適に行な
われる。反応時間は主に反応温度、使用されるア
ルコール類の種類によつて異なるが約1時間乃至
2日間である。 R7に含まれる低級アルコキシカルボニル基を
カルボキシ基に変換する反応は前記水酸基の保護
基が脂肪族若しくは芳香族アシル基の場合の除去
反応と同様にして行われる。 低級アルコキシカルボニル基を置換されてもよ
いカルバモイル基に変換する反応は溶剤の存在下
でアミン化合物と接触させることによつて行われ
る。使用されるアミン化合物としてはエステル基
をアミド化する際使用されるものなら特に限定さ
れない。使用されるアミン化合物としては、例え
ばアンモニア又はメチルアミン、エチルアミン、
n−プロピルアミン、イソプロピルアミン、n−
ブチルアミン、アニリン、p−メチルアニリン、
ジメチルアミン、メチルエチルアミン、ジエチル
アミン、N−メチルアニリン、N−エチルアニリ
ン、N−メチル−m−メチルアニリンのような1
級若しくは2級アミンをあげることができる。使
用される溶剤は反応に関与しなければ特に限定さ
れないが、例えば水、エーテル、テトラヒドロフ
ラン、ジオキサンのようなエーテル類又はメタノ
ール、エタノールのようなアルコール類をあげる
ことができる。 反応は通常0℃乃至100℃で行なわれ、反応に
要する時間は1時間乃至7日間である。 アルコキシカルボニル基又はカルボキシ基をヒ
ドロキシメチル基に変換する反応は、相当する化
合物を不活性溶剤中、還元剤と処理することによ
つて達成される。 使用される還元剤としては、例えばリチウムア
ルミニウムヒドリド、リジウムビス(2−メトキ
シエトキシ)アルミニウムヒドリドのようなアル
ミニウム化合物をあげることができる。 使用される不活性溶剤としては、反応に関与し
なければ特に制限されないが、例えばエーテル、
テトラヒドロフラン、ジオキサンのようなエーテ
ル類又はn−ヘキサン、シクロヘキサン、ベンゼ
ン、トルエン、キシレンのような炭化水素類をあ
げることができるが、好適にはエーテル類であ
る。 反応温度は通常10℃乃至100℃であり、反応に
要する時間は30分間乃至10時間である。 ヒドロキシメチル基をハロゲン化メチル基に変
換する反応は、不活性溶剤中、ハロゲン化剤と反
応させることによつて達成される。 使用されるハロゲン化剤としては、水酸基をハ
ロゲン原子に変換させるものなら特に制限されな
いが、臭素、沃素のようなハロンゲン若しくは沃
化メチルのようなハロゲン化メタンとトリフエニ
ルホスフイン、トリフエニルホスフアイト、トリ
メチルホスフアイト、トリエチルホスフアイトの
ようなリン化合物:四塩化炭素、四臭化炭素のよ
うな四ハロゲン化炭素とトリフエニルホスフイ
ン;三塩化リン、三臭化リン、三沃化リン、五塩
化リンのようなハロゲン化リン化合物;又はチオ
ニルクロリド、チオニルプロミドのようなハロゲ
ン化硫黄化合物をあげることができるが、好適に
は臭素−トリフエニルホスフイン、沃素−トリフ
エニルホスフインである。 使用される不活性溶剤としては、反応に関与し
なければ特に制限されないが、好適にはベンゼ
ン、トルエン、キシレンのような芳香族炭化水素
類;エーテル,テトラヒドロフラン,ジオキサン
のようなエーテル類;ジクロロメタン、クロロホ
ルムのようなハロゲン化炭化水素類;ジメチルバ
ルアミド、ジメチルアセトアミドのようなアミド
類;又はジメチルスルホキシドのようなスルホキ
シド類あるいはこれらの混合溶剤をあげることが
できる。又、ハロゲンとリン化合物との反応では
上記の混合溶剤とピリジン,コリジン,ルチジン
のような複素環化合物との混合溶剤も好適であ
る。 反応温度は通常0℃乃至60℃であり、反応に要
する時間は10分間乃至3日間である。 又、相当するアルコールをピリジンのような塩
基の存在下、メタンスルホニルクロリド、ベンゼ
ンスルホニルクロリド、p−トルエンスルホニル
クロリドのようなスルホニルハライドと室温付近
で反応させ、スルホニルオキシ体に変換させた
後、エーテル、テトラヒドロフラン、塩化メチレ
ン、クロロホルムのような不活性溶剤中、沃化リ
チウム、臭化ナトリウム,沃化ナトリウムのよう
なアルカリ金属ハロゲン化物と室温付近で1時間
乃至10時間反応させることによつても、ハロゲン
化反応が行なわれる。なお、反応条件によつて
は、前段のスルホニルオキシ化の段階でも相当す
るクロライドが生成する。 さらに、得られたハライド体を他のハライド体
に変換する反応も通常に従つて行われる。例え
ば、得られたクロル体又はブロム体をエチレング
リコール中、必要に応じて、12−クラウン−4,
15−クラウン−5のようなクラウンエーテルの存
在下、カリウムフルオライドと反応させ、フルオ
ロ体を製造することができ、クロル体を沃化ナト
リウムと反応させ、又はヨード体をジメチル−t
−ブチルシリルクロリドと反応させ、それぞれヨ
ード体及びクロル体を製造することもできる。 ハライド体とアニオンとの反応は、不活性溶剤
中反応中にアニオンを製造した後、ハライド体を
反応させることによつて達成される。 使用されるアニオンとしては例えば、ジメチル
酢酸メチル、ジメチル酢酸ナトリウム塩、ジエチ
ル酢酸エチル、プロピオン酸メチル、酢酸エチル
のような酢酸誘導体から生じるカルバニオン又は
メタノール、エタノール、n−プロパノール、2
−ジメチルアミノエタノール、ジエチルアミノエ
タノールのようなジ低級アルキルアミノ基で置換
されてもよいアルコールから生じるアルコキシア
ニオンをあげることができる。 アニオンは酢酸誘導体又はアルコール体を塩基
と処理することによつて製造される。使用される
塩基としては、例えば、メチルリチウム、n−ブ
チルリチウム、t−ブチルリチウム、フエニルリ
チウムのような有機リチウム化合物;ジイソプロ
ピルアミノリチウム、ジシクロヘキシルアミノリ
チウム、イソプロピル−シクロヘキシルアミノリ
チウムのようなジアルキルアミノリチウム化合
物;又はリチウム水素、ナトリウム水素、カリウ
ム水素のようなアルカリ金属水素化物をあげるこ
とができるが、好適にはカルバニオンの発生には
有機リチウム化合物又はジアルキルアミノリチウ
ム化合物であり、アルコキシアニオンの発生には
アルカリ金属水素化物である。 使用される不活性溶剤としては反応に関与しな
ければ特に限定されないが、例えば、エーテル、
テトラヒドロフラン、ジオキサンのようなエーテ
ル類又はジメチルホルムアミド、ジメチルアセト
アミドのようなアミド類をあげることができる
が、好適にはカルバニオンの反応ではエーテル
類、アルコキシアニオンの反応ではアミド類であ
る。 反応温度は前段のアニオンの発生では、−78℃
乃至室温であり、後段のアニオンとハロゲン体と
の反応では、0℃乃至60℃であり、反応に要する
時間は前段では30分間乃至2時間であり、後段で
は1時間乃至24時間である。 又、本工程の塩基との処理によつて、ハロゲン
化アルキル体をアルケニル体に変換することもで
きる。 チア基をスルホキシド基又はスルホン基に変換
させる反応は、不活性溶剤中、相当する化合物を
酸化剤と処理することによつて行われる。 使用される酸化剤としては、過酸化水素又は過
酢酸、過安息香酸、m−クロル過安息香酸のよう
な有機過酸をあげることができる。 使用される不活性溶剤としては、反応に関与し
なければ特に制限されないが、好適には過酸化水
素を使用する場合には水であり、有機過酸を使用
する場合には、エーテル、テトラヒドロフラン、
ジオキサンのようなエーテル類又はベンゼン、ト
ルエン、キシレンのような芳香族炭化水素類、ク
ロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタンの
ようなハロゲン化炭化水素類である。 チア基からスルホキシド基に変換する場合に
は、該当モル量の酸化剤を用い、スルホン基に変
換する場合には2当モル量以上の酸化剤を用いる
ことによつて好適に行われる。 反応温度は通常室温付近であり、スルホンを得
る場合には室温乃至50℃に加熱してもよく、反応
に要する時間は30分間乃至5時間である。 水酸基を保護する反応は通常の方法に従つて行
われる。 保護基が脂肪族若しくは芳香族アシル基、1−
低級アルコキシアルキル基、シリル基又はアラル
キル基の場合には、塩基、例えばトリエチルアミ
ン、ピリジン、イミダゾール、ナトリウム水素の
存在下若しくは前処置ののち相当するハライドと
反応させることにより達成され、保護基が1−低
級アルコキシアルキル基(炭素数2乃至4個のも
の)又は環状エーテル基の場合には、酸、例えば
メタンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸、塩
酸の存在下、相当するビニルエーテル体(メチル
ビニルエーテル、ジヒドロフラン、ジヒドロピラ
ン)と反応させることにより達成される。 以上の各反応終了後、各反応の目的化合物は常
法により、反応混合物から採取される。例えば反
応混合物を氷水にあけ、必要に応じて、中和する
か不溶物を除去した後、水不混和性有機溶剤で抽
出することによつて得ることができる。さらに必
要なら、常法、例えば再結晶法、カラムクロマト
グラフイーによつて精製することもできる。 B 法 B法は化合物()において、R2が低級アル
キル基又は低級アルケニル基である化合物(
b)を製造する方法であり、以下の方法に従つて
行われる。 上記式中、R1、R3、R4、R5、R6、R7、R8、
R9及びnは前述したものと同意義を示し、R12は
低級アルキル基又は炭素数3乃至4のアルケニル
基を示す。 第6工程は一般式()を有する化合物を製造
する工程で、化合物()を不活性溶剤中、塩基
と処理し、反応液中にカルバニオンを発生させた
後、一般式 R12−Y (XI) (式中、R12は前述したものと同意義を示し、Y
は塩素、臭素、沃素のようなハロゲン原子又はメ
タンスルホニルオキシ、エタンスルホニルオキ
シ、ベンゼンスルホニルオキシ、p−トルエンス
ルホニルオキシのようなスルホニルオキシ基を示
す。) を有する化合物を反応させることによつて達成さ
れる。本工程において、R7の好適な基は置換さ
れてもよいアリール基(該置換基の水酸基は保護
基を有する)である。 使用される塩基は前記第5工程における相当す
る反応に用いられたものと同様である。 使用される溶剤としてはn−ヘキサン、n−ペ
ンタンのような脂肪族炭化水素類、ベンゼン、ト
ルエン、キシレンのような芳香族炭化水素類、エ
ーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンのよう
なエーテル類であるが、好適にはエーテル、テト
ラヒドロフランである。反応温度については前段
の反応液中にカルバニオンを発生させる反応は−
100℃乃至0℃、好適には−80℃乃至−30℃であ
り、後段のハロゲン若しくはスルホニル化合物を
反応させる反応は−80℃乃至50℃、好適には−60
℃乃至室温である。反応に要する時間は通常前段
は10分間乃至2時間であり、後段は30分間乃至5
時間である。 本反応の目的化合物()は常法に従つて反応
混合物から採取される。例えば反応液を氷水にあ
け、水と混和しない有機溶剤で抽出し、溶剤を留
去することによつて得ることができる。さらに必
要なら再結晶法、カラムクロマトグラフイーによ
つて精製することができる。 第7工程は、所望に応じて行う工程で、化合物
()において、R7、R8及び/又はR9に含まれる
水酸基の保護基を除去する反応、生じたヒドロキ
シメチル基をカルボキシ基に酸化する反応、カル
ボキシ基をエステル化する反応、R7に含まれる
低級アルコキシカルボニル基をカルボキシ基、置
換されてもよいカルバモイル基若しくはヒドロキ
シメチル基(カルボキシ基から変換する反応を含
む。)に変換する反応、得られたヒドロキシメチ
ル基をハロゲン化メチル基に変換する反応、得ら
れたハライドをアニオン(例えば、カルバニオ
ン、オキシアニオン等)と処理する反応、ハロゲ
ン化アルキル基からハロゲン化水素を除去してア
ルケニル基に変換させる反応、チオール体をスル
ホキシド体若しくはスルホン体に変換する反応及
び水酸基を保護する反応を含む。上記反応は、適
宜順序を変えて行うことができる。 本工程は前記第5工程と同様に行われる。 C 法 C法は化合物()において、nが0である化
合物(c)を一般式(a)を有するチオール
誘導体から直接製造する方法である。 上記式中、R1、R2、R3、R4、R5及びR6は前述
したものと同意義を示す。 第8工程は不活性溶剤中、酸及び脱水剤の存在
下、化合物(a)を一般式 (式中、R1及びR2は前述したものと同意義を示
す。) を有する化合物と反応させることによつて達成さ
れる。 本工程の原料化合物(XII)として好ましくは、
R1及びR2が水素原子でないケトン化合物であり、
特に好ましくはアセトン、ジエチルケトン、メチ
ルn−プロピルケトンのようなジ低級アルキルケ
トンである。 反応に使用される酸としては塩酸、硝酸、硫酸
のような鉱酸、酢酸、トリフルオロ酢酸、トリク
ロロ酢酸、プロピオン酸、安息香酸のような有機
カルボン酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン
酸、ベンゼンスルホン酸、p−トルエンスルホン
酸のようなスルホン酸をあげることができるが、
好適にはトリフルオロ酢酸、ベンゼンスルホン
酸、p−トルエンスルホン酸である。また使用さ
れる脱水剤としてはモレキユラシーブ3A、4Aが
好適である。 使用される溶剤としては、エーテル、テトラヒ
ドロフランのようなエーテル類、ベンゼン、トル
エン、キシレンのような芳香族炭化水素類をあげ
ることができるが、通常は原料化合物(XII)を過
剰に使用する。反応温度は0℃乃至200℃であり、
好適には50℃乃至150℃である。反応に要する時
間は原料化合物、酸の種類または反応温度により
異なるが、30分間乃至12時間である。また通常、
副反応を抑えるために窒素、アルゴン等の不活性
ガス雰囲気中で反応が行われる。 反応の目的化合物(c)は常法に従つて反応
混合物から採取される。例えば溶剤を留去し、残
留物に弱塩基性水溶液を加え、水と混和しない有
機溶剤で抽出し、溶剤を留去することによつて得
ることができる。さらに必要なら、再結晶法、カ
ラムクロマトグラフイーによつて精製することが
できる。 又、所望に応じて、化合物(c)を前記第5
工程の反応と同様の反応に付すこともでき、さら
に、本工程で、水酸基の保護基が除去された場合
には、保護基を常法に従つて付すこともできる。 D 法 D法は化合物(c)をチオール(a)から
別途に製造する方法である。 上記式中、R1、R2、R3、R4、R5、及びR6は前
述したものと同意義を示す。 第9工程は不活性溶剤中、塩基及び相関移動触
媒の存在下、化合物(a)を一般式 (式中、R1、R2及びXは前述したものと同意義
を示す。) を有する化合物と反応させることによつて達成さ
れる。 原料化合物(a)は好適には、R1及びR2が
同一又は異なつて水素原子又は低級アルキル基で
あり、特に好適には、水素原子、メチル基又はエ
チル基である。 使用される塩基としては、炭酸ナトリウム、炭
酸カリウムのようなアルカリ金属炭酸塩または炭
酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウムのようなア
ルカリ金属炭酸水素塩をあげることができるが、
好適にはアルカリ金属炭酸水素塩である。 使用される相関移動触媒としては、トリオクチ
ルメチルアンモニウムクロリド、トリデシルメチ
ルアンモニウムブロミド、テトラオクチルアンモ
ニウムヨーダイドのようなテトラアルキルアンモ
ニウムハライドをあげることができるが、好適に
はトリオクチルメチルアンモニウムハライドであ
る。 また反応は必要に応じて、窒素気流中で実施す
ることができる。 反応に使用される溶剤としては、反応に関与し
ないものなら特に制限はないが、例えば水;メタ
ノール、エタノールのようなアルコール類;n−
ヘキサン、n−ヘプタン、n−オクタンのような
脂肪族炭化水素類;ベンゼン、トルエン、キシレ
ンのような芳香族炭化水素類;エーテル、テトラ
ヒドロフラン、ジオキサンのようなエーテル類を
あげることができるが、好適には、過剰量の化合
物()と水の混合溶剤である。 反応温度は20℃乃至130℃であるが、好適には、
80℃乃至110℃である。 反応に要する時間は原料または反応温度により
異なるが通常2乃至20時間、好適には5乃至12時
間である。 反応終了後、常法に従つて本工程の目的化合物
(c)は反応混合物から採取される。例えば反
応混合物より有機溶剤を留去し、残留物を再結晶
法またはカラムクロマトグラフイーで精製するこ
とができる。 又、所望に応じて、化合物(c)を前記第5
工程の反応と同様の反応に付すこともでき、さら
に、本工程で、水酸基の保護基が除去された場合
には、常法に従つて保護基を付すこともできる。 本発明に係る化合物()は前述したように血
清脂質改善剤、抗血栓剤、抗アレルギー剤として
予防、治療に使用されるが、その目的のための投
与形態としては、例えば錠剤、カプセル剤、顆粒
剤、散剤、シロツプ剤、吸入剤などによる経口投
与又は静脈内注射、筋肉内注射などによる非経口
投与をあげることができるが、好適には経口投与
である。その投与量は年令、症状、投与方法等に
よつて異なるが、通常成人に対し1日1−3000mg
であり、好ましくは1日15−1000mgを1回又は数
回に分けて投与することが可能である。 次に実施例及び試験例をあげさらに本発明を具
体的に説明する。 実施例 1 2,2′−ジチオビス−(1、4−ジヒドロキシ
−3,5,6−トリメチルベンゼン) チオールを用いる方法 2−メルカプト−3,5,6−トリメチル−
1,4−ベンゼンジオール7.5gとエーテル100
mlの混合物を空気中室温で1日放置したのち溶
楳を留去し、得られた粗製品をテトラヒドロフ
ランで再結晶することにより鮮黄色結晶性の目
的物を5.5g得た。 融点 227−230 赤外線吸収スペクトル(又ジヨール): 3380、3425cm-1 一塩化イオウを用いる方法 トリメチルハイドロキノン30gを無水アセト
ニトリル1.2に溶かし、鉄粉1.4gを加え−30
℃に冷却して窒素気流下に一塩化イオウ13.3g
を無水アセトニトリル50mlに溶かして滴下し
た。滴下後室温に戻して4時間かきまぜた。反
応終了後、析出した結晶を去し、液を濃縮
して得られた残留物をシリカゲルカラムクロマ
トグラフイーで精製した。溶離剤(ベンゼン;
テトラヒドロフラン=10:0.5)で溶出する部
分から実施例1−と同じ融点および赤外線吸
収スペクトルを有する目的化合物1.0gを得た。 また反応終了後に析出した結晶より2,2′−
トリチオビス−(1,4−ジヒドロキシ−3,
5,6−トリメチルベンゼン)を17.0gを得
た。 分解点 190−193℃ 赤外線吸収スペクトル(又ジヨール): 3400cm-1 実施例 2 2,2′−ジチオビス−(1,4−ジヒドロキシ
−5,6−ジメトキシ−3−メチルベンゼン)
および2,2′−トリチオビス−(1,4−ジヒ
ドロキシ−5,6−ジメトキシ−3−メチルベ
ンゼン) 2,3−ジメトキシ−5−メチルハイドロキノ
ンと一塩化イオウを用いて実施例1−と同様に
反応および後処理後、シリカゲルカラムクロマト
グラフイー(溶離剤:ベンゼン/酢酸エチル=
9/1)で分離精製して、目的とするジチオ体と
トリチオ体を得た。 ジチオ体 融点 153−155℃ シリカゲル薄層クロマトグラフイー: Rf=0.46 (展開溶剤:ベンゼン/酢酸エチル=6/4) トリチオ体 シリカゲル薄層クロマトグラフイー: Rf=0.53(展開溶剤:ベンゼン/酢酸エチル=
6/4) 実施例 3 2,2′−ジチオビス−(3,6−ジメチル−1,
4,5−トリヒドロキシベンゼン)および2,
2′−トリチオビス−(3,6−ジメチル−1,
4,5−トリヒドロキシベンゼン) 3,6−ジメチル−1,2,4−トリヒドロキ
シベンゼンと一塩化イオウを実施例1−と同様
に反応および後処理後、シリカゲルカラムクロマ
トグラフイー(溶離剤:ベンゼン/酢酸エチル=
8/2)で分離精製して、目的とするジチオ体と
トリチオ体を得た。 ジチオ体 融点 192−194℃ シリカゲル薄層クロマトグラフイー: Rf=0.43(展開溶剤:ベンゼン/酢酸エチル=
6/4) トリチオ体 シリカゲル薄層クロマトグラフイー: Rf=0.50(展開溶剤:ベンゼン/酢酸エチル=
6/4) 実施例 4 2,2′−トリチオビス−(1,4−ジアセトキ
シ−3,5,6−トリメチルベンゼン) 2,2′−トリチオビス−(1,4−ジヒドロキ
シ−3,5,6−トリメチルベンゼン)10gをピ
リジン70mlに溶かし無水酢酸30gを加えて室温で
24時間反応させた。反応終了後反応混合物を水に
あけ析出物をクロロホルムで抽出した。抽出液を
水洗、ついで無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒
を留去した。得られた残留物をベンゼンから再結
晶して目的物を5.7g得た。 融点 187−190℃ 赤外線吸収スペクトル(又ジヨール): 1760cm-1 マススペクトル(m/e):566(M+) 実施例 5 2,2′−トリチオビス−(1,4−ジ−n−ブ
チリルオキシ−3,5,6−トリメチルベンゼ
ン) 2,2′−トリチオビス−(1,4−ジヒドロキ
シ−3,5,6−トリメチルベンゼン)とn−ブ
チリルクロリドを実施例4と同様に反応、後処理
および精製し、目的化合物を得た。 融点 153−155℃ 赤外線吸収スペクトル(又ジヨール): 1750cm-1 マススペクトル(m/e):678(M+) 実施例4もしくは5に準じて、以下の混合物を
合成した。
【表】
【表】
【表】
【表】
実施例 20
2,2′−ジチオビス−(1,4−ジアセトキシ
−5,6−ジメトキシ−3−メチルベンゼン) 2,2′−ジチオビス−(1,4−ジヒドロキシ
−5,6−ジメトキシ−3−メチルベンゼン)と
無水酢酸を実施例4と同様に反応および後処理
後、シリカゲルカラムクロマトグラフイー(溶離
剤:ベンゼン/酢酸エチル=9/1)で精製し、
目的化合物を得た。 シリカゲル薄層クロマトグラフイー:Rf=0.45
(展開溶剤:ベンゼン/酢酸エチル=8/2) 実施例 21 2,2′−ジチオビス−(3,6−ジメチル−1,
4,5−トリアセトキシベンゼン) 2,2′−ジチオビス−(3,6−ジメチル−1,
4,5−トリヒドロキシベンゼン)と無水酢酸を
実施例4と同様に反応および後処理後、シリカゲ
ルカラムクロマトグラフイー(溶離剤:ベンゼ
ン/酢酸エチル=8/2)で精製し、目的化合物
を得た。 シリカゲル薄層クロマトグラフイー:Rf=0.59
(展開溶剤:ベンゼン/酢酸エチル=6/4) 赤外線吸収スペクトル(ヌジヨール): 1780cm-1 実施例 22 5−アセトキシ−2,4,6,7−テトラメチ
ル−1,3−ベンゾオキサチオール トリチオ体と亜鉛末を用いる方法 2,2′−トリチオビス−(1,4−ジアセト
キシ−3,5,6−トリメチルベンゼン)6.3
gを酢酸120mlに溶かし、これに亜鉛末13gを
加えて窒素気流下に10時間加熱還流した。反応
終了後、不溶部分を去し、酢酸溶液を濃縮し
て得られた粗製油をベンゼンに溶かした。ベン
ゼン溶液を水洗、ついで無水硫酸ナトリウムで
乾燥したのち、溶媒を留去し得られた残留物を
シリカゲルカラムクロマトグラフイーで精製し
た。ベンゼンで溶出する部分から目的物4.4g
を得た。n−ヘキサンで再結晶し、融点72−74
℃の純品3.5gを得た。 赤外線吸収スペクトル(ヌジヨール): 1750cm-1 マススペクトル(m/e):252(M+) トリチオ体と鉄粉を用いる方法 亜鉛末の代りに鉄粉を用いるほかは、実施例
22−と同様に反応、後処理および精製を行い
目的化合物を得た。この化合物の融点および
IRスペクトルは実施例22−で得られた化合
物の融点および赤外線吸収スペクトルに一致し
た。 ジチオ体と亜鉛末を用いる方法 2,2′−トリチオビス−(1,4−ジアセト
キシ−3,5,6−トリメチルベンゼン)の代
りに2,2′−ジチオビス(1,4−ジアセトキ
シ−3,5,6−トリメチルベンゼン)を用い
る他は実施例22−と同様に反応、後処理およ
び精製を行い、目的化合物を得た。この化合物
の融点は実施例22−で得られた化合物の融点
と一致した。実施例22−の方法に準じて、以
下の化合物を合成した。
−5,6−ジメトキシ−3−メチルベンゼン) 2,2′−ジチオビス−(1,4−ジヒドロキシ
−5,6−ジメトキシ−3−メチルベンゼン)と
無水酢酸を実施例4と同様に反応および後処理
後、シリカゲルカラムクロマトグラフイー(溶離
剤:ベンゼン/酢酸エチル=9/1)で精製し、
目的化合物を得た。 シリカゲル薄層クロマトグラフイー:Rf=0.45
(展開溶剤:ベンゼン/酢酸エチル=8/2) 実施例 21 2,2′−ジチオビス−(3,6−ジメチル−1,
4,5−トリアセトキシベンゼン) 2,2′−ジチオビス−(3,6−ジメチル−1,
4,5−トリヒドロキシベンゼン)と無水酢酸を
実施例4と同様に反応および後処理後、シリカゲ
ルカラムクロマトグラフイー(溶離剤:ベンゼ
ン/酢酸エチル=8/2)で精製し、目的化合物
を得た。 シリカゲル薄層クロマトグラフイー:Rf=0.59
(展開溶剤:ベンゼン/酢酸エチル=6/4) 赤外線吸収スペクトル(ヌジヨール): 1780cm-1 実施例 22 5−アセトキシ−2,4,6,7−テトラメチ
ル−1,3−ベンゾオキサチオール トリチオ体と亜鉛末を用いる方法 2,2′−トリチオビス−(1,4−ジアセト
キシ−3,5,6−トリメチルベンゼン)6.3
gを酢酸120mlに溶かし、これに亜鉛末13gを
加えて窒素気流下に10時間加熱還流した。反応
終了後、不溶部分を去し、酢酸溶液を濃縮し
て得られた粗製油をベンゼンに溶かした。ベン
ゼン溶液を水洗、ついで無水硫酸ナトリウムで
乾燥したのち、溶媒を留去し得られた残留物を
シリカゲルカラムクロマトグラフイーで精製し
た。ベンゼンで溶出する部分から目的物4.4g
を得た。n−ヘキサンで再結晶し、融点72−74
℃の純品3.5gを得た。 赤外線吸収スペクトル(ヌジヨール): 1750cm-1 マススペクトル(m/e):252(M+) トリチオ体と鉄粉を用いる方法 亜鉛末の代りに鉄粉を用いるほかは、実施例
22−と同様に反応、後処理および精製を行い
目的化合物を得た。この化合物の融点および
IRスペクトルは実施例22−で得られた化合
物の融点および赤外線吸収スペクトルに一致し
た。 ジチオ体と亜鉛末を用いる方法 2,2′−トリチオビス−(1,4−ジアセト
キシ−3,5,6−トリメチルベンゼン)の代
りに2,2′−ジチオビス(1,4−ジアセトキ
シ−3,5,6−トリメチルベンゼン)を用い
る他は実施例22−と同様に反応、後処理およ
び精製を行い、目的化合物を得た。この化合物
の融点は実施例22−で得られた化合物の融点
と一致した。実施例22−の方法に準じて、以
下の化合物を合成した。
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
\
*2:(枚)C19H39−; CH−CH2(−CH2−C
H2−CH−CH2)−3
/
CH3 |
CH
3
実施例 38 5−アセトキシ−6,7−ジメトキシ−2,4
−ジメチル−1,3−ベンゾオキサチオール 2,2′−ジチオビス−(1,4−ジアセトキシ
−5,6−ジメトキシ−3−メチルベンゼン)お
よび2,2′−トリチオビス−(1,4−ジアセト
キシ−5,6−ジメトキシ−3−メチルベンゼ
ン)の1対3混合物を用いて、実施例22−と同
様に反応および後処理を行つた後、シリカゲルカ
ラムクロマトグラフイー(溶離剤:ベンゼン/酢
酸エチル=10/0.5)で精製し目的化合物を得た。 赤外線吸収スペクトル(液膜): 1770cm-1 シリカゲル薄層クロマトグラフイー:Rf=0.54
(展開溶剤:ベンゼン/酢酸エチル=10/1) マススペクトル(m/e):284(M+) 実施例 39 5,6−ジアセトキシ−2,4,7−トリメチ
ル−1,3−ベンゾオキサチオール 2,2′−ジチオビス−(3,6−ジメチル−1,
4,5−トリアセトキシベンゼン)および2,
2′−トリチオビス−(3,6−ジメチル−1,4,
5,−トリアセトキシベンゼン)の等量混合物を
用いて、実施例22−と同様に反応および後処理
を行つた後、シリカゲルカラムクロマトグラフイ
ー(溶離剤:ベンゼン/酢酸エチル=10/0.5)
で精製し目的化合物を得た。 融点:82−84℃ 赤外線吸収スペクトル(ヌジヨール): 1755cm-1 シリカゲル薄層クロマトグラフイー:Rf=0.59
(展開溶剤:ベンゼン/酢酸エチル=10/1) マススペクトル(m/e):296(M+) 実施例 40 5−ヒドロキシ−2,4,6,7−テトラメチ
ル−1,3−ベンゾオキサチオール 5−アセトキシ−2,4,6,7−テトラメチ
ル−1,3−ベンゾオキサチオール2.9gをメタ
ノール30mlに溶かし、ナトリウムメトキシド1.3
gを加えて室温で3時間反応させた。反応終了
後、反応液を水にあけ酢酸を加えて中和し、析出
物をベンゼンで抽出した。抽出液を水洗、ついで
無水硫酸ナトリウムで乾燥し溶媒を留去した。得
られた粗製物をシリカゲルカラムクロマトグラフ
イーで精製し溶離剤(n−ヘキサン:
*2:(枚)C19H39−; CH−CH2(−CH2−C
H2−CH−CH2)−3
/
CH3 |
CH
3
実施例 38 5−アセトキシ−6,7−ジメトキシ−2,4
−ジメチル−1,3−ベンゾオキサチオール 2,2′−ジチオビス−(1,4−ジアセトキシ
−5,6−ジメトキシ−3−メチルベンゼン)お
よび2,2′−トリチオビス−(1,4−ジアセト
キシ−5,6−ジメトキシ−3−メチルベンゼ
ン)の1対3混合物を用いて、実施例22−と同
様に反応および後処理を行つた後、シリカゲルカ
ラムクロマトグラフイー(溶離剤:ベンゼン/酢
酸エチル=10/0.5)で精製し目的化合物を得た。 赤外線吸収スペクトル(液膜): 1770cm-1 シリカゲル薄層クロマトグラフイー:Rf=0.54
(展開溶剤:ベンゼン/酢酸エチル=10/1) マススペクトル(m/e):284(M+) 実施例 39 5,6−ジアセトキシ−2,4,7−トリメチ
ル−1,3−ベンゾオキサチオール 2,2′−ジチオビス−(3,6−ジメチル−1,
4,5−トリアセトキシベンゼン)および2,
2′−トリチオビス−(3,6−ジメチル−1,4,
5,−トリアセトキシベンゼン)の等量混合物を
用いて、実施例22−と同様に反応および後処理
を行つた後、シリカゲルカラムクロマトグラフイ
ー(溶離剤:ベンゼン/酢酸エチル=10/0.5)
で精製し目的化合物を得た。 融点:82−84℃ 赤外線吸収スペクトル(ヌジヨール): 1755cm-1 シリカゲル薄層クロマトグラフイー:Rf=0.59
(展開溶剤:ベンゼン/酢酸エチル=10/1) マススペクトル(m/e):296(M+) 実施例 40 5−ヒドロキシ−2,4,6,7−テトラメチ
ル−1,3−ベンゾオキサチオール 5−アセトキシ−2,4,6,7−テトラメチ
ル−1,3−ベンゾオキサチオール2.9gをメタ
ノール30mlに溶かし、ナトリウムメトキシド1.3
gを加えて室温で3時間反応させた。反応終了
後、反応液を水にあけ酢酸を加えて中和し、析出
物をベンゼンで抽出した。抽出液を水洗、ついで
無水硫酸ナトリウムで乾燥し溶媒を留去した。得
られた粗製物をシリカゲルカラムクロマトグラフ
イーで精製し溶離剤(n−ヘキサン:
【式】)で溶出する部分から目的物
2.0gを得た。
融点:125−127℃
赤外線吸収スペクトル(ヌジヨール):
3330cm-1
実施例40に準じて以下の化合物を合成した。
【表】
【表】
【表】
*)塩基:水酸化ナトリウム、溶媒:メタノール:テ
トラヒドロフラン=1:1
実施例 51 (実施例48の別法) 5−ヒドロキシ−2−(2,6,10,14−テト
ラメチルペンタデシル)−4,6,7−トリメ
チル−1,3−ベンゾオキサチオール 5−(3,7,11,15−テトラメチルヘキサデ
カノイルオキシ)−2−(2,6,10,14−テトラ
メチルペンタデシル)−4,6,7−トリメチル
−1,3−ベンゾオキサチオール1.5gをテトラ
ヒドロフラン15mlにとかし、リチウムアルミナム
ハイドライド100mgを窒素気流、氷冷下に加える。
15分反応後酢酸0.8gをテトラヒドロフラン10ml
にとかして、氷冷下で滴下する。室温で1時間反
応後、減圧でテトラヒドロフランを留去し、得ら
れた残査に氷水を加え、ヘキサンで抽出する。抽
出液を水洗、ついで無水硫酸ナトリウムで乾燥
し、ヘキサンを留去する。得られた粗生成物をシ
リカゲルカラムクロマトグラフイーに付し、溶離
剤(ベンゼン:ヘキサン=1:2)で溶出する部
分より、実施例48で得られたと同じRf値、赤外
線吸収スペクトルおよびマススペクトルを示す目
的化合物を得た。 実施例 52 5−o−ヒドロキシベンゾイルルオキシ−2−
o−ヒドロキシフエニル−4,6,7−トリメ
チル−1,3−ベンゾオキサチオール 5−o−アセトキシベンゾイルオキシ−2−o
−アセトキシフエニル−4,6,7−トリメチル
−1,3−ベンゾオキサチオール282mg、カセイ
カリ290mg、メタノール3mlの混合物を10℃で12
時間反応し、実施例40と同様に後処理を行い、シ
リカゲルカラムクロマトグラフイーの溶離剤(ベ
ンゼン:酢酸エチル=50:1)で溶出する部分か
ら標記化合物110mgを得た。 シリカゲル薄層クロマトグラフイーのRf値:0.12
(展開溶剤=ベンゼン) 赤外線吸収スペクトル(クロロホルム溶液):
1675cm-1 マススペクトル(m/e):408(M+) 実施例 53 5−ヒドロキシ−2−o−ヒドロキシフエニル
−4,6,7−トリメチル−1,3−ベンゾオ
キサチオール 5−o−アセトキシベンゾイルオキシ−2−o
−アセトキシフエニル−4,6,7−トリメチル
−1,3−ベンゾオキサチオール700mg、カセイ
ソーダ0.5g、メタノール10mlの混合物を1.5時間
加熱還流し、実施例52と同様に後処理および精製
をおこなつた。溶離剤(ベンゼン:酢酸エチル=
50:1)で溶出する部分より目的化合物を260mg
得た。 融点:175〜176℃ 赤外線吸収スペクトル(ヌジヨール):3520、
3360cm-1 マススペクトル(m/e):288(M+) 実施例 54 2−P−カルボキシフエニル−5−ヒドロキシ
−4,6,7−トリメチル−1,3−ベンゾオ
キサチオール 5−P−メトキシカルボニルベンゾイルオキシ
−2−P−メトキシカルボニルフエニル−4,
6,7−トリメチル−1,3−ベンゾオキサチオ
ール2.2g、カセイソーダ1.6gおよびメタノール
60mlの混合物を3時間加熱還流したのち、実施例
40と同様に後処理および精製した。ベンゼンで溶
出する部分を除き、ついで溶離剤(酢酸エチル:
メタノール=10:0.5)で溶出する部分から目的
化合物を0.5g得た。 分解点:260℃以上 赤外線吸収スペクトル(ヌジヨール): 3250、1695cm-1 シリカゲル薄層クロマトグラフイー:Rf=0.50
(展開溶剤:酢酸エチル/メタノール=9/1) マススペクトル(m/e):316(M+) 実施例 55 5−t−ブチルジメチルシリルオキシ−2−フ
エニル−4,6,7−トリメチル−1,3−ベ
ンゾオキサチオール 5−ヒドロキシ−2−フエニル−4,6,7−
トリメチル−1,3−ベンゾオキサチオール2.6
g、イミダゾール1.3gおよびt−ブチルジメチ
ルシリルクロリド2.9をジメチルホルムアミド20
mlに溶かし、室温で24時間反応させた。反応終了
後、反応混合物を水にあけ、析出物をベンゼンで
抽出した。抽出液を5%アンモニア水ついで水で
洗い、無水硫酸ナトリウムで乾燥し溶媒で留去し
た。得られた粗製物をシリカゲルカラムクロマト
グラフイーで精製し、溶離剤(シクロヘキサン:
ベンゼン=10:1)で溶出する部分から目的物を
3.1g得た。 融点 95−98℃ 実施例 56 5−t−ブチルジメチルシリルオキシ−2−フ
エニル−2,4,6,7−テトラメチル−1,
3−ベンゾオキサチオールおよび2−n−ブチ
ル−5−t−ブチルジメチルシリルオキシ−2
−フエニル−4,6,7−トリメチル−1,3
−ベンゾオキサチオール 5−t−ブチルジメチルシリルオキシ−2−フ
エニル−4,6,7−トリメチル−1,3−ベン
ゾオキサチオール3.1gを乾燥テトラヒドロフラ
ン30mlに溶かし、−60℃で15%n−ブチルリチウ
ムのn−ヘキサン溶液10mlを滴下した。滴下後−
55°〜−60℃で3時間かきまぜたのち、−60℃でヨ
ウ化メチル4.4gを滴下した。滴下後−60℃で2
時間かきまぜたのち反応混合物を水にあけ、析出
物をベンゼンで抽出した。抽出液を水洗ついで無
水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去した。得
られた粗製油をシリカゲルローバーカラムクロマ
トグラフイーで分離した。溶離液(n−ヘキサ
ン:ジクロルメタン=10:1)で最初に溶出する
部分から2−n−ブチル体を1.3g、次に溶出す
る部分から2−メチル体を1.7g得た。 2−メチル体 シリカゲル薄層クロマトグラフイー:Rf=0.60
(展開溶剤:シクロヘキサン/ベンゼン=4/
1) マススペクトル(m/e):400(M+) 2−n−ブチル体 シリカゲル薄層クロマトグラフイー:Rf=0.65
(展開溶剤:シクロヘキサン/ベンゼン=4/
1) マススペクトル(m/e):442(M+) 実施例 57 2−n−ブチル−5−tert−ブチルジメチルシ
リルオキシ−2−フエニル−4,6,7−トリ
メチル−1,3−ベンゾオキサチオール 実施例56の方法において、ヨウ化メチルの代り
にn−ブチルブロマイド4.3gを用い、他は同様
に反応、後処理および精製をおこなうと実施例56
で得たと同じ目的化合物2.1gを得た。 シリカゲル薄層クロマトグラフイー:Rf=0.65
(展開溶剤:シクロヘキサン/ベンゼン=4/
1) マススペクトル(m/e):442(M+) 実施例 58 2−アリル−5−t−ブチルジメチルシリルオ
キシ−2−フエニル−4,6,7−トリメチル
−1,3−ベンゾオキサチオール 5−t−ブチルジメチルシリルオキシ−2−フ
エニル−4,6,7−トリメチル−1,3−ベン
ゾオキサチオール4.0gを乾燥テトラヒドロフラ
ン40mlに溶かし、−60℃で15%n−ブチルリチウ
ムのn−ヘキサン溶液9.7mlを滴下した。滴下後
−55℃〜−60℃で2時間かきまぜたのち−55℃で
アリルブロマイド2.6mlを滴下した。滴下後−50
℃で2時間かきまぜたのち、実施例56と同様に後
処理ならびに精製を行つた。カラムクロマトグラ
フイー(溶離液:n−ヘキサン:ジクロメタン=
20:0.5)において、最初に溶出する部分から2
−n−ブチル体1.7gを除去し、次に溶出する部
分から目的化合物を2.9g得た。 シリカゲル薄層クロマトグラフイー:Rf=(0.46
(展開溶剤:シクロヘキサン/ベンゼン=4/
1 マススペクトル(m/e):426(M+) 実施例 59 5−ヒドロキシ−2−フエニル−2,4,6,
7−テトラメチル−1,3−ベンゾオキサチオ
ール 5−t−ブチルジメチルシリルオキシ−2−フ
エニル−2,4,6,7−テトラメチル−1,3
−ベンゾオキサチオール.3.0gをテトラヒドロ
フラン30mlに溶かし、窒素気流下に酢酸4.5gお
よびテトラ−n−ブチルアンモニウムフルオライ
ド、3水和物12.9gを加えて室温で2時間反応し
た。反応終了後反応混合物を水にあけ析出物をベ
ンゼン抽出した。抽出液を水洗ついで無水硫酸ナ
トリウムで乾燥し、溶媒を留去した。得られた粗
製油をシリカゲルカラムクロマトグラフイーに付
し、溶離剤(シクロヘキサン:ベンゼン=1:
1)で溶出する部分から目的化合物を得た。融点
80−80℃ 赤外線吸収スペクトル(ヌジヨール): 3350−3400cm-1(巾広い吸収). マススペクトル(m/e):286(M+) 実施例 60 2−n−ブチル−5−ヒドロキシ−2−フエニ
ル−4,6,7−トリメチル−1,3−ベンゾ
オキサチオール 2−n−ブチル−5−t−ブチルジメチルシリ
ルオキシ−2−フエニル−4,6,7−トリメチ
ル−1,3−ベンゾオキサチオールを用いて、実
施例59と同様の反応、後処理および精製を行い、
目的化合物を得た。 シリカゲル薄層クロマトグラフイー:Rf=0.44
(展開溶剤:ベンゼン) 赤外線吸収スペクトル(液膜): 3450−3550cm-1(巾広い吸収). および3600cm-1(鋭い吸収) マススペクトル(m/e):328(M+) 実施例 61 2−アリル−5−ヒドロキシ−2−フエニル−
4,6,7−トリメチル−1,3−ベンゾオキ
サチオール 2−アリル−5−t−ブチルジメチルシリルオ
キシ−2−フエニル−4,6,7−トリメチル−
1,3−ベンゾオキサチオールを用いて、実施例
59と同様の反応、後処理および精製を行い目的化
合物を得た。 シリカゲル薄層クロマトグラフイーRf:0.57(展
開溶剤:ベンゼン/酢酸エチル=10/0.5) 赤外線吸収スペクトル(液膜): 3600.1640cm-1 マススペクトル(m/e):312(M+) 実施例 62 5−ヒドロキシ−2,2,4,6,7−ペンタ
メチル−1,3−ベンゾオキサチオール 2−メルカプト−3,5,6−トリメチルヒド
ロキノン、4.8g、パラトルエンスルホン酸1g、
モレキユーラーシーブ4A10gおよびアセトン100
mlの混合物を窒素気流下に5時間加熱還流した。
反応終了後アセトンを留去し、残留物に炭酸水素
ナトリウム水溶液を加え、酢酸エチルで抽出し
た。抽出液を水洗ついで無水硫酸マグネシウムで
乾燥し溶媒を留去した。得られた残留物にベンゼ
ンを加え、ベンゼン不溶部を去したのちさらに
ベンゼン溶液から析出する結晶を除き、ベンゼン
易溶部を、シリカゲルカラムクロマトグラフイー
で分離した。ベンゼンで溶出する部分を石油エー
テルから再結晶して、目的化合物を0.1g得た。 融点 65−64.5℃ マススペクトル(m/e):224(M+) 実施例 63 5−(1−エトキシエトキシ)−4,6,7−ト
リメチル−1,3−ベンゾオキサチオール 5−ヒドロキシ−4,6,7−トリメチル−
1,3−ベンゾオキサチオール−2−オン、7.35
g、エチルビニルエーテル20ml、ジブロムメタン
20mlの混合物を、窒素気流下−20℃に冷却し撹拌
下にメタンスルホン酸20mgを滴下した。滴下終了
後、反応温度を徐々に室温まで上げ、室温で3時
間かきまぜた。ついで反応液に水30ml炭酸水素ナ
トリウム8.8g、アリキユエート(Aliquat)336
1.0gを加えた。この混合物を9時間加熱還流す
ると過剰のジブロムメタンは徐々に気化し、粗成
油が遊離した。これをエーテルで抽出し、抽出液
を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、ついでエーテル
を留去して、油分12gを得、これをシリカゲルカ
ラムクロマトグラフイーで精製した。溶離剤(石
油エーテル:エーテル=20:1)で溶出する部分
から目的化合物5.2gを得た。 融点:52−54℃ 赤外線吸収スペクトル(ヌジヨール): 水酸基およびカルボニル基にもとずく吸収は認
められなかつた。 実施例 64 5−ヒドロキシ−4,6,7−トリメチル−
1,3−ベンゾオキサチオール 5−(1−エトキシエトキシ)−4,6,7−ト
リメチル−1,3−ベンゾオキサチオール5.0g
をジクロルメタン20mlにとかし、シリカゲル−60
10g、10%シユウ酸水溶液1mlを加え、室温で
1.5時間反応させた。ついで、シリカゲルを去
し、ジクロメタンを留去して得られた粗生成物を
ベンゼンで抽出した。抽出液を無水硫酸ナトリウ
ムで乾燥後、ベンゼンを留去し得られた再結晶を
再結晶して目的化合物を2.8g得た。 融点:131−132℃ 赤外線吸収スペクトル(ヌジヨール): 3330cm-1 実施例 65 5−ベンゾイルオキシ−2,4,6,7−テト
ラメチル−1,3−ベンゾオキサチオール 5−ヒドロキシ−2,4,6,7−テトラメチ
ル−1,3−ベンゾオキサチオール2.0g、ベン
ゾイルクロリド1.2g、ピリジン5mlの混合物を
室温で24時間反応させたのち実施例5と同様に後
処理および精製を行い目的化合物を1.8g得た。 融点:100−102℃ 実施例 66 5−p−メトキシカルボニルベンゾイルオキシ
−2,4,6,7−テトラメチル−1,3−ベ
ンゾオキサチオール 実施例65において、ベンゾイルクロリドの代り
に、P−メトキシカルボニルベンゾイルクロリド
を用いて同様に反応、後処理および精製を行い、
目的化合物を得た。 融点:141−142℃ 実施例 67 5−o−アセトキシベンゾイルオキシ−2,
4,6,7−テトラメチル−1,3−ベンゾオ
キサチオール 実施例65において、ベンゾイルクロリドの代り
に、o−アセトキシベンゾイルクロリドを用いて
同様に反応、後処理、および精製を行い、目的化
合物を得た。 シリカゲル薄層クロマトグラフイー:Rf=0.10
(展開溶剤:ベンゼン/n−ヘキサン=3:2) 赤外線吸収スペクトル(液膜):1740、1770cm-1 マススペクトル(m/e):372(M+) 実施例 68 5−(3−メトキシカルボニルプロピオニルオ
キシ)−2,4,6,7−テトラメチル−1,
3−ベンゾオキサチオール 実施例65において、ベンゾイルクロリドの代り
に3−メトキシカルボニルプロピオニルクロリド
を用いて、同様に反応し、ついで後処理および精
製を行ない、目的化合物を得た。 融点 73−75℃ 赤外線吸収スペクトル(ヌジヨール): 1730、1745cm-1 マススペクトル(m/e):324(M+) 実施例 69 メチル3−(5−ヒドロキシ−4,6,7−ト
リメチル−1,3−ベンゾオキサチオール−2
−イル)プロピオネート メチル3−〔5−(3−メトキシカルボニルプロ
ピオニルオキシ)−4,6,7−トリメチル−1,
3−ベンゾオキサチオール−2−イル〕プロピオ
ネート4.2gをメタノール50mlと28%アンモニア
水14gの混合物に加え、室温で20時間反応する。
反応混合物を減圧で濃縮後、酢酸エチルを加え
る。酢酸エチル溶液を水洗し、ついで無水硫酸ナ
トリウムで乾燥後、酢酸エチルを減圧で留去す
る。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマとグ
ラフイーに付し、溶離剤(ベンゼン:酢酸エチル
=20:1)で溶出する部分より、標記化合物を得
た。 シリカゲル薄層クロマトグラフイーのRf値=0.55
(展開溶剤:ベンゼン:酢酸エチル=10:1) マススペクトル(m/e):282(M+) 実施例 70 3−(5−ヒドロキシ−4,6,7−トリメチ
ル−1,3−ベンゾオキサチオール−2−イ
ル)プロピオンアミド メチル3−(5−(3−メトキシカルボニルプロ
ピオニルオキシ)−4,6,7−トリメチル−1,
3−ベンゾオキサチオール−2−イル)プロピオ
ネート4.9gをメタノール60mlにとかし、28%ア
ンモニア水17gを加えて室温で5日間反応する。
反応後、溶媒を減圧留去し、残渣を酢酸エチルに
溶かし、該溶液を水洗し、無水硫酸ナトリウムで
乾燥、ついで溶媒の減圧留去を行つた。得られた
粗生成物をカラムクロマトグラフイーに付し、溶
離剤(ベンゼン:酢酸エチル=3:7)で溶出す
る部分から目的化合物を得た。 融点:160−161℃ マススペクトル(m/e):267(M+) 実施例 71 3−(5−ヒドロキシ−4,6,7−トリメチ
ル−1,3−ベンゾオキサチオール−2−イ
ル)プロピル アルコール (a) リチウムアルミナムハイドライド10gを乾燥
テトラヒドロフラン500mlに懸濁し、これに、
窒素気流、氷冷下、かきまぜながら、メチル3
−(5−(3−メトキシカルボニルプロピオニル
オキシ)−4,6,7−トリメチル−1,3−
ベンゾオキサチオール−2−イル)プロピオネ
ート32.0gをテトラヒドフラン160mlにとかし
て滴下する。滴下後、室温で1時間かきまぜた
のち、さらに4時間加熱還流する。ついで水冷
下、酢酸エチル10gとテトラヒドロフラン50ml
の混合物を滴下し、室温で1時間かきまぜ、さ
らに水性テトラヒドロフランを滴下する。反応
混合物を氷水に注ぎ、10%塩酸水溶性で酸性側
に調整し析出する生成物を酢酸エチルで抽出す
る。該抽出液を水洗し、無水硫酸ナトリウムで
乾燥、ついて溶媒の減圧留去を行なつた。得ら
れた粗生成物をカラムクロマトグラフイーに付
し、溶離剤(ベンゼン:酢酸エチル=9:1)
で溶出される部分より目的化合物を得た。 融点:116.5−117℃ 赤外線吸収スペクトル(ヌジヨール): 3360、3100cm-1 マススペクトル(m/e):254(M+) (b) (a)と同様にし、エチル3−(5−(3−エトキ
シカルボニルプロピオニルオキシ)−4,6,
7−トリメチル−1,3−ベンゾオキサチオー
ル−2−イル)プロピオネートを用いて、(a)で
示したと同じ融点、赤外線吸収スペクトル、お
よびマススペクトルを有する目的化合物を得
た。 (c) (a)と同様にし、n−ブチル3−(5−(3−n
−ブトキシカルボニルプロピオニルオキシ)−
4,6,7−トリメチル−1,3−ベンゾオキ
サチオール−2−イル)プロピオネートを用い
て、(a)で示したと同じ融点、赤外線吸収スペク
トル、およびマススペクトルを有する目的化合
物を得た。 実施例 72 5−アセトキシ−2−(3−アセトキシプロピ
ル)−4,6,7−トリメチル−1,3−ベン
ゾオキサチオール 3−(5−ヒドロキシ−4,6,7−トリメチ
ル−1,3−ベンゾオキサチオール−2−イル)
プロピルアルコール1.0g、無水酢酸1.6g、ピリ
ジン10mlの混合物を室温で24時間反応させたの
ち、実施例4と同様に後処理および精製を行な
い、目的化合物を得た。 融点:78−79℃ 赤外線吸収スペクトル(ヌジヨール): 1738、1750cm-1 マススペクトル(m/e):338(M+) 実施例 73 5−ベンゾイルオキシ−2−(3−ベンゾイル
オキシプロピル)−4,6,7−トリメチル−
1,3−ベンゾオキサチオール 実施例72において、無水酢酸の代りに、ベンゾ
イルクロリドを用いて同様に反応、後処理および
精製を行ない、目的化合物を得た。 融点:114−116℃ 赤外線吸収スペクトル(ヌジヨール): 1720、1738cm-1 マススペクトル(m/e):462(M+) 実施例 74 5−ヒドロキシ−2−(3−ヨードプロピル)−
4,6,7−トリメチル−1,3−ベンゾオキ
サチオール (a) 3−(5−ヒドロキシ−4,6,7−トリメ
チル−1,3−ベンゾオキサチオール−2−イ
ル)プロピルアルコール3.0gをベンゼン40ml
とピリジン4mlの混合溶媒にとかし、これにト
リフエニルホスフイン6.2gを加えてとかす。
溶解後ヨウ素6.0gを1時に加える。反応温度
は45℃まで上昇する。さらに室温で30分間反応
したのち反応混合物を水に注ぎ、ベンゼンで抽
出する。抽出液を水洗ついで無水硫酸ナトリウ
ムで乾燥し、溶媒を減圧留去する。得られた粗
生成物をシリカゲルローバーカラムクロマトグ
ラフイーに付しベンゼンで溶出される部分より
目的化合物を得た。 融点:72−75℃ シリカゲル薄層クロマトグラフイーのRf値:
0.39(展開溶剤:シクロヘキサン:ベンゼン
=1:4) マススペクトル(m/e):364(M+) (b) トリフエニルホスフアイト0.67gに、ヨウ化
メチル2mlを加え加熱還流下に徐々に温度を上
げ、浴温100℃で1時間反応する。室温に戻し
3−(5−ヒドロキシ−4,6,7−トリメチ
ル−1,3−ベンゾオキサチオール−2−イ
ル)プロピル アルコール0.5g、ヨウ化メチ
ル1mlおよびジメチルホルムアミド0.5mlを加
えて室温で3日間反応する。反応終了後(a)と同
様に後処理、分離操作をおこない、(a)と同じ
Rf値、マススペクトルを有する目的化合物を
得た。 (c) 2−(3−クロロプロピル)−5−ヒドロキシ
−4,6,7−トリメチル−1,3−ベンゾオ
キサチオール120mgをアセトン2mlにとかし、
これにヨウ化ナトリウム660mgを加えて10時間
加熱還流する。冷後、反応混合物を水に注ぎ、
析出物を酢酸エチルで抽出する。抽出液を水
洗、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、酢酸エチル
で減圧で留去し、得られた粗生成物を(a)と同様
にして精製し、(a)と同じRf値、マススペクト
ルを有する目的化合物を得た。 実施例 75 2−(3−ブロモプロピル)−5−ヒドロキシ−
4,6,7−トリメチル−1,3−ベンゾオキ
サチオールおよび2−(3−ブロモプロピル)−
5−ホルミルオキシ−4,6,7−トリメチル
−1,3−ベンゾオキサチオール トリフエニルホスフイン1.5gをジメチルホル
ムアミド3mlにとかし、臭素0.9gをジメチルホ
ルムアミド2mlにとかして滴下する。室温で30分
反応後、3−(5−ヒドロキシ−4,6,7トリ
メチル−1,3−ベンゾオキサチオール−2−イ
ル)プロピル アルコール0.5gを加えて、さら
に室温で20時間反応する。実施例76と同様に後処
理、生成物の分離操作をおこなう。最初に溶出さ
れる部分から2−(3−ブロモプロピル)−5−ホ
ルミルオキシ−4,6,7−トリメチル−1,3
−ベンゾオキサチオールを得た。 シリカゲル薄層クロマトグラフイーのRf値:0.55
(展開溶剤:シクロヘキサン:ベンゼン=1:
4) マススペクトル(m/e):344(M+) 次に溶出する部分から2−(3−ブロモプロピ
ル)−5−ヒドロキシ−4,6,7−トリメチル
−1,3−ベンゾオキサチオールを得た。 シリカゲル薄層クロマトグラフイーのRf値=0.36
(展開溶剤:シクロヘキサン:ベンゼン=1:
4) マススペクトル(m/e):316(M+) 実施例 76 5−ホルミルオキシ2−(3−ヨードプロピル)
−4,6,7−トリメチル−1,3−ベンゾオ
キサチオール トリフエニルホスフイン1.5gとヨウ素1.5gを
ジメチルホルムアミド5mlにとかし、室温で30分
かきまぜる。ついで3−(5−ヒドロキシ−4,
6,7−トリメチル−1,3−ベンゾオキサチオ
ール−2−イル)プロピル アルコール0.5gを
加え室温で20時間反応する。反応混合物を水に注
ぎ、ベンゼンで抽出する。抽出液を水洗、ついで
無水硫酸ナトリウムで乾燥し、ベンゼンを減圧留
去する。得られた粗生成物をシリカゲルカラムク
ロマトグラフイーに付し、溶離剤(シクロヘキサ
ン:ベンゼン=1:2)を用いて生成物の分離を
おこなう。最初に溶出される部分から標記化合物
を得た。 融点:91−93℃ マススペクトル(m/e):392(M+) 次に溶出される部分から実施例74に記載した融
点、Rf値、マススペクトルを有する5−ヒドロ
キシ−2−(3−ヨードプロピル)−4,6,7−
トリメチル−1,3−ベンゾオキサチオールを得
た。 実施例 77 2−(3−クロロプロピル)−5−ヒドロキシ−
4,6,7−トリメチル−1,3−ベンゾオキ
サチオールおよび2−(3−クロロプロピル)−
5−(p−トシルオキシ)−4,6,7−トリメ
チル−1,3−ベンゾオキサチオール 3−(5−ヒドロキシ−4,6,7−トリメチ
ル−1,3−ベンゾオキサチオール−2−イル)
プロピル アルコール500mgをピリジン5mlにと
かし、氷冷下にトシルクロリド0.41gを加え、さ
らに室温で20時間反応する。反応混合物を水に注
ぎ、酢酸エチルで抽出し、抽出液を水洗、ついで
硫酸ナトリウムで乾燥する。酢酸エチルを減圧留
去し、得られた残渣をシリカゲルローバーカラム
クロマトグラフイーで分離・精製する。 溶離剤(ベンゼン:シクロヘキサン=4:1)
で最初に溶出される部分から2−(3−クロロプ
ロピル)−5−(4−トシルオキシ)−4,6,7
−トリメチル−1,3−ベンゾオキサチオールを
得た。 シリカゲル薄層クロマトグラフイーのRf値:0.70
(展開溶剤:ベンゼン) マススペクトル(m/e):426(M+) 次に溶出する部分から、2−(3−クロロプロ
ピル)−5−ヒドロキシ−4,6,7−トリメチ
ル−1,3−ベンゾオキサチオールを得た。 シリカゲル薄層クロマトグラフイーのRf値:0.42
(展開溶剤:ベンゼン) マススペクトル(m/e):272(M+) 実施例 78 5−tert.−ブチルジメチルシリルオキシ−2−
(3−クロロプロピル)−4,6,7−トリメチ
ル−1,3−ベンゾオキサチオール 5−ヒドロキシ−2−(3−ヨードプロピル)−
4,6,7−トリメチル−1,3−ベンゾオキサ
チオール2.6g、イミダゾール0.53g、tert.−ブチ
ルジメチルシリルクロリド1.2gをジメチルホル
ムアミド2mlにとかし、室温で20時間反応すを。
反応混合物に水に注ぎ、ベンゼンで抽出する。抽
出液を水洗、ついで無水硫酸ナトリウムで乾燥
し、ベンゼンを減圧留去する。得られた残渣をシ
リカゲルローバーカラムクロマトグラフイーに付
し、溶離剤(シルロヘキサン:ベンゼン=9:
1)で溶出される部分より標記化合物を得た。 シリカゲル薄層クロマトグラフイーのRf値:0.46
(展開剤:シクロヘキサン:ベンゼン=4:1) マススペクトル(m/e):386(M+) 実施例 79 5−tert−ブチルジメチルシリルオキシ−2−
(3−ヨードプロピル)−4,6,7−トリメチ
ル−1,3−ベンゾオキサチオール (a) tert.−ブチルジメチルシリルクロリド5.2g
とイミダゾール4.6gをベンゼン80ml中50℃で
1時間加熱したのち、5−ヒドロキシ−2−
(3−ヨードプロピル)−4,6,7−トリメチ
ル−1,3−ベンゾオキサチオール6.3gをベ
ンゼン10mlにとかして加え、40乃至45℃で8時
間反応する。冷後、反応混合物を水に注ぎ、ベ
ンゼンで抽出する。抽出液を水洗、ついで無水
硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を減圧留去す
る。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマト
グラフイーに付し、溶離剤(シクロヘキサン:
ベンゼン=9:1)で溶出される部分より、目
的化合物を得た。 シリカゲル薄層クロマトグラフイーのRf値:
0.39(展開溶剤:シクロヘキサン:ベンゼン
=9:1) 赤外線吸収スペクトル(液膜):水酸基の吸収
消失 マススペクトル(m/e):478(M+) (b) 5−tert.−ブチルジメチルシリルオキシ−2
−(3−クロロプロプル)−4,6,7−トリメ
チル−1,3−ベンゾオキサチオール1.06g、
ヨウ化ナトリウム4.1g、アセトン40mlの混合
物を10時間、還流下に加熱する。冷後、(a)と同
様に処理して、(a)で示したと同じRf値、赤外
線吸収スペクトル、およびマススペクトルを有
する目的化合物を得た。 実施例 80 2,2−ジメチル−5−(5−tert.−ブチルジ
メチルシリルオキシ−4,6,7−トリメチル
−1,3−ベンゾオキサチオール−2−イル)
ペンタン酸 ジイソプロピルアミン2.4gをテトラヒドロフ
ラン60mlにとかし、窒素気流下で50%油性水素化
ナトリウム1.2gを加え、さらにイソ酪酸2.4gを
テトラヒドロフラン5mlにとかして滴下する。 水素の発生・発熱がおさまつたのち、さらに30
分加熱還流する。ついで0℃に冷却し、10%−n
−ブチルリチウムのn−ヘキサン溶液25.4mlを滴
下する。滴下終了後さらに30分間0℃に保ち、つ
いで室温で30分かきまぜる。再び0℃とし、5−
tert.−ブチルジメチルシリルオキシ−2−(3−
ヨードプロピル)−4,6,7−トリメチル−1,
3−ベンゾオキサチオール6.5gをテトラヒドロ
フラン10mlにとかして滴下する。滴下後30分間0
℃に保ち、ついで徐々に温度上げ、室温で20時間
反応する。反応混合物を、10%塩酸30mlを加えた
氷中に注ぎ、ベンゼンで抽出する。抽出液を水洗
ついで無水硫酸ナトリウムで乾燥し、ベンゼンを
減圧で留去した。得られた残渣をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフイーに付し、溶離剤(ベンゼ
ン:酢酸エチル=100:3)で溶出する部分から
目的化合物を得た。 シリカゲル薄層クロマトグラフイーのRf値=0.13
(展開溶剤:ベンゼン:酢酸エチル=20:1) マススペクトル(m/e)=438(M+) 実施例 81 2,2−ジメチル−5−(5−ヒドロキシ−4,
6,7−トリメチル−1,3−ベンゾオキサチ
オール−2−イル)ペンタン酸 2,2−ジメチル−5−(5−tert.−ブチルジ
メチルシリルオキシ−4,6,7−トリメチル−
1,3−ベンゾオキサチオール−2−イル)ペン
タン酸3.6g、フツ化テトラ−n−ブチルアンモ
ニウム 三水和物14.2g、および酢酸4.9gをテ
トラヒドロフラン50mlに溶かし、室温で20時間反
応する。反応混合物を減圧濃縮し、酢酸エチル溶
液とする。この溶液を水洗、ついで無水硫酸ナト
リウムで乾燥し、酢酸エチルを減圧で留去する。
得られた粗生物をシリカゲルカラムクロマトグラ
フイーに付し、溶離剤(ベンゼン:酢酸エチル=
9:1)で溶出する部分より目的化合物を得た。 シリカゲル薄層クロマトグラフイーのRf値:0.40
(展開溶剤:ベンゼン:メタノール=10:1) マススペクトル(m/e)=324(M+) 実施例 82 2,2−ジメチル−5−(5−ヒドロキシ−4,
6,7−トリメチル−1,3−ベンゾオキサチ
オール−2−イル)ペンチル アルコール リチウムアルミナムハイドライド0.3gをテト
ラヒドロフラン30mlに懸濁し、これに、窒素気流
下、氷冷下、2,2−ジメチル−5−(5−ヒド
ロキシ−4,6,7−トリメチル−1,3−ベン
ゾオキサチオール−2−イル)ペンタン酸1.7g
をテトラヒドロフラン5mlに溶かして滴下する。
滴下後1時間室温に保つたのち、2時間加熱還流
する。反応混合物を氷水にあけ、酢酸エチルで抽
出する。抽出後を水洗ついで無水硫酸ナトリウム
で乾燥し、酢酸エチルを減圧で留去する。得られ
た残渣をシリカゲルローバーカラムクロマトグラ
フイーに付し、溶離剤(ベンゼン:酢酸エチル=
9:1)を用いて精製し、目的化合物を得た。 シリカゲル薄層クロマトグラフイーのRf値:0.43
(展開溶剤:ベンゼン:メタノール=10:1) マススペクトル(m/e)=310(M+) 実施例 83 5−ヒドロキシ−2−(3−メトキシメトキシ
プロピル)−4,6,7−トリメチル−1,3
−ベンゾオキサチオール 3−(5−ヒドロキシ−4,6,7−トリメチ
ル−1,3−ベンゾオキサチール−2−イル)プ
ロピル アルコール5.0gをジメチルホルムアミ
ド40mlにとかし、55%油性水素化ナトリウム260
mgを室温で加え40−45℃で1時間加熱する。つい
で水冷下クロロメチルメチルエーテル1.6gをベ
ンゼン5mlに滴下し、滴下後液温を徐々に上げ50
−55℃で1時間加熱する。反応混合物を水に注
ぎ、ベンゼンで抽出し、抽出液を水洗、ついで無
水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を減圧留去す
る。得られた残渣をシリカゲルローバーカラムク
ロマトグラフイーに付し、溶離剤(ベンゼン:酢
酸エチル=100:3)で溶出する部分から標記化
合物を得た。 シリカゲル薄層クロマトグラフイーのRf値:0.35
(展開溶剤:ベンゼン:酢酸エチル=20:1) マススペクトル(m/e):298(M+) NMRスペクトル(δppm、CD Cl3):3.37(3H、
S)(OC H =3);3.60(2H、t、J=6Hz)(−
CH2−C H =2−O−);4.55(1H、S、重水添加
で消失)
トラヒドロフラン=1:1
実施例 51 (実施例48の別法) 5−ヒドロキシ−2−(2,6,10,14−テト
ラメチルペンタデシル)−4,6,7−トリメ
チル−1,3−ベンゾオキサチオール 5−(3,7,11,15−テトラメチルヘキサデ
カノイルオキシ)−2−(2,6,10,14−テトラ
メチルペンタデシル)−4,6,7−トリメチル
−1,3−ベンゾオキサチオール1.5gをテトラ
ヒドロフラン15mlにとかし、リチウムアルミナム
ハイドライド100mgを窒素気流、氷冷下に加える。
15分反応後酢酸0.8gをテトラヒドロフラン10ml
にとかして、氷冷下で滴下する。室温で1時間反
応後、減圧でテトラヒドロフランを留去し、得ら
れた残査に氷水を加え、ヘキサンで抽出する。抽
出液を水洗、ついで無水硫酸ナトリウムで乾燥
し、ヘキサンを留去する。得られた粗生成物をシ
リカゲルカラムクロマトグラフイーに付し、溶離
剤(ベンゼン:ヘキサン=1:2)で溶出する部
分より、実施例48で得られたと同じRf値、赤外
線吸収スペクトルおよびマススペクトルを示す目
的化合物を得た。 実施例 52 5−o−ヒドロキシベンゾイルルオキシ−2−
o−ヒドロキシフエニル−4,6,7−トリメ
チル−1,3−ベンゾオキサチオール 5−o−アセトキシベンゾイルオキシ−2−o
−アセトキシフエニル−4,6,7−トリメチル
−1,3−ベンゾオキサチオール282mg、カセイ
カリ290mg、メタノール3mlの混合物を10℃で12
時間反応し、実施例40と同様に後処理を行い、シ
リカゲルカラムクロマトグラフイーの溶離剤(ベ
ンゼン:酢酸エチル=50:1)で溶出する部分か
ら標記化合物110mgを得た。 シリカゲル薄層クロマトグラフイーのRf値:0.12
(展開溶剤=ベンゼン) 赤外線吸収スペクトル(クロロホルム溶液):
1675cm-1 マススペクトル(m/e):408(M+) 実施例 53 5−ヒドロキシ−2−o−ヒドロキシフエニル
−4,6,7−トリメチル−1,3−ベンゾオ
キサチオール 5−o−アセトキシベンゾイルオキシ−2−o
−アセトキシフエニル−4,6,7−トリメチル
−1,3−ベンゾオキサチオール700mg、カセイ
ソーダ0.5g、メタノール10mlの混合物を1.5時間
加熱還流し、実施例52と同様に後処理および精製
をおこなつた。溶離剤(ベンゼン:酢酸エチル=
50:1)で溶出する部分より目的化合物を260mg
得た。 融点:175〜176℃ 赤外線吸収スペクトル(ヌジヨール):3520、
3360cm-1 マススペクトル(m/e):288(M+) 実施例 54 2−P−カルボキシフエニル−5−ヒドロキシ
−4,6,7−トリメチル−1,3−ベンゾオ
キサチオール 5−P−メトキシカルボニルベンゾイルオキシ
−2−P−メトキシカルボニルフエニル−4,
6,7−トリメチル−1,3−ベンゾオキサチオ
ール2.2g、カセイソーダ1.6gおよびメタノール
60mlの混合物を3時間加熱還流したのち、実施例
40と同様に後処理および精製した。ベンゼンで溶
出する部分を除き、ついで溶離剤(酢酸エチル:
メタノール=10:0.5)で溶出する部分から目的
化合物を0.5g得た。 分解点:260℃以上 赤外線吸収スペクトル(ヌジヨール): 3250、1695cm-1 シリカゲル薄層クロマトグラフイー:Rf=0.50
(展開溶剤:酢酸エチル/メタノール=9/1) マススペクトル(m/e):316(M+) 実施例 55 5−t−ブチルジメチルシリルオキシ−2−フ
エニル−4,6,7−トリメチル−1,3−ベ
ンゾオキサチオール 5−ヒドロキシ−2−フエニル−4,6,7−
トリメチル−1,3−ベンゾオキサチオール2.6
g、イミダゾール1.3gおよびt−ブチルジメチ
ルシリルクロリド2.9をジメチルホルムアミド20
mlに溶かし、室温で24時間反応させた。反応終了
後、反応混合物を水にあけ、析出物をベンゼンで
抽出した。抽出液を5%アンモニア水ついで水で
洗い、無水硫酸ナトリウムで乾燥し溶媒で留去し
た。得られた粗製物をシリカゲルカラムクロマト
グラフイーで精製し、溶離剤(シクロヘキサン:
ベンゼン=10:1)で溶出する部分から目的物を
3.1g得た。 融点 95−98℃ 実施例 56 5−t−ブチルジメチルシリルオキシ−2−フ
エニル−2,4,6,7−テトラメチル−1,
3−ベンゾオキサチオールおよび2−n−ブチ
ル−5−t−ブチルジメチルシリルオキシ−2
−フエニル−4,6,7−トリメチル−1,3
−ベンゾオキサチオール 5−t−ブチルジメチルシリルオキシ−2−フ
エニル−4,6,7−トリメチル−1,3−ベン
ゾオキサチオール3.1gを乾燥テトラヒドロフラ
ン30mlに溶かし、−60℃で15%n−ブチルリチウ
ムのn−ヘキサン溶液10mlを滴下した。滴下後−
55°〜−60℃で3時間かきまぜたのち、−60℃でヨ
ウ化メチル4.4gを滴下した。滴下後−60℃で2
時間かきまぜたのち反応混合物を水にあけ、析出
物をベンゼンで抽出した。抽出液を水洗ついで無
水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去した。得
られた粗製油をシリカゲルローバーカラムクロマ
トグラフイーで分離した。溶離液(n−ヘキサ
ン:ジクロルメタン=10:1)で最初に溶出する
部分から2−n−ブチル体を1.3g、次に溶出す
る部分から2−メチル体を1.7g得た。 2−メチル体 シリカゲル薄層クロマトグラフイー:Rf=0.60
(展開溶剤:シクロヘキサン/ベンゼン=4/
1) マススペクトル(m/e):400(M+) 2−n−ブチル体 シリカゲル薄層クロマトグラフイー:Rf=0.65
(展開溶剤:シクロヘキサン/ベンゼン=4/
1) マススペクトル(m/e):442(M+) 実施例 57 2−n−ブチル−5−tert−ブチルジメチルシ
リルオキシ−2−フエニル−4,6,7−トリ
メチル−1,3−ベンゾオキサチオール 実施例56の方法において、ヨウ化メチルの代り
にn−ブチルブロマイド4.3gを用い、他は同様
に反応、後処理および精製をおこなうと実施例56
で得たと同じ目的化合物2.1gを得た。 シリカゲル薄層クロマトグラフイー:Rf=0.65
(展開溶剤:シクロヘキサン/ベンゼン=4/
1) マススペクトル(m/e):442(M+) 実施例 58 2−アリル−5−t−ブチルジメチルシリルオ
キシ−2−フエニル−4,6,7−トリメチル
−1,3−ベンゾオキサチオール 5−t−ブチルジメチルシリルオキシ−2−フ
エニル−4,6,7−トリメチル−1,3−ベン
ゾオキサチオール4.0gを乾燥テトラヒドロフラ
ン40mlに溶かし、−60℃で15%n−ブチルリチウ
ムのn−ヘキサン溶液9.7mlを滴下した。滴下後
−55℃〜−60℃で2時間かきまぜたのち−55℃で
アリルブロマイド2.6mlを滴下した。滴下後−50
℃で2時間かきまぜたのち、実施例56と同様に後
処理ならびに精製を行つた。カラムクロマトグラ
フイー(溶離液:n−ヘキサン:ジクロメタン=
20:0.5)において、最初に溶出する部分から2
−n−ブチル体1.7gを除去し、次に溶出する部
分から目的化合物を2.9g得た。 シリカゲル薄層クロマトグラフイー:Rf=(0.46
(展開溶剤:シクロヘキサン/ベンゼン=4/
1 マススペクトル(m/e):426(M+) 実施例 59 5−ヒドロキシ−2−フエニル−2,4,6,
7−テトラメチル−1,3−ベンゾオキサチオ
ール 5−t−ブチルジメチルシリルオキシ−2−フ
エニル−2,4,6,7−テトラメチル−1,3
−ベンゾオキサチオール.3.0gをテトラヒドロ
フラン30mlに溶かし、窒素気流下に酢酸4.5gお
よびテトラ−n−ブチルアンモニウムフルオライ
ド、3水和物12.9gを加えて室温で2時間反応し
た。反応終了後反応混合物を水にあけ析出物をベ
ンゼン抽出した。抽出液を水洗ついで無水硫酸ナ
トリウムで乾燥し、溶媒を留去した。得られた粗
製油をシリカゲルカラムクロマトグラフイーに付
し、溶離剤(シクロヘキサン:ベンゼン=1:
1)で溶出する部分から目的化合物を得た。融点
80−80℃ 赤外線吸収スペクトル(ヌジヨール): 3350−3400cm-1(巾広い吸収). マススペクトル(m/e):286(M+) 実施例 60 2−n−ブチル−5−ヒドロキシ−2−フエニ
ル−4,6,7−トリメチル−1,3−ベンゾ
オキサチオール 2−n−ブチル−5−t−ブチルジメチルシリ
ルオキシ−2−フエニル−4,6,7−トリメチ
ル−1,3−ベンゾオキサチオールを用いて、実
施例59と同様の反応、後処理および精製を行い、
目的化合物を得た。 シリカゲル薄層クロマトグラフイー:Rf=0.44
(展開溶剤:ベンゼン) 赤外線吸収スペクトル(液膜): 3450−3550cm-1(巾広い吸収). および3600cm-1(鋭い吸収) マススペクトル(m/e):328(M+) 実施例 61 2−アリル−5−ヒドロキシ−2−フエニル−
4,6,7−トリメチル−1,3−ベンゾオキ
サチオール 2−アリル−5−t−ブチルジメチルシリルオ
キシ−2−フエニル−4,6,7−トリメチル−
1,3−ベンゾオキサチオールを用いて、実施例
59と同様の反応、後処理および精製を行い目的化
合物を得た。 シリカゲル薄層クロマトグラフイーRf:0.57(展
開溶剤:ベンゼン/酢酸エチル=10/0.5) 赤外線吸収スペクトル(液膜): 3600.1640cm-1 マススペクトル(m/e):312(M+) 実施例 62 5−ヒドロキシ−2,2,4,6,7−ペンタ
メチル−1,3−ベンゾオキサチオール 2−メルカプト−3,5,6−トリメチルヒド
ロキノン、4.8g、パラトルエンスルホン酸1g、
モレキユーラーシーブ4A10gおよびアセトン100
mlの混合物を窒素気流下に5時間加熱還流した。
反応終了後アセトンを留去し、残留物に炭酸水素
ナトリウム水溶液を加え、酢酸エチルで抽出し
た。抽出液を水洗ついで無水硫酸マグネシウムで
乾燥し溶媒を留去した。得られた残留物にベンゼ
ンを加え、ベンゼン不溶部を去したのちさらに
ベンゼン溶液から析出する結晶を除き、ベンゼン
易溶部を、シリカゲルカラムクロマトグラフイー
で分離した。ベンゼンで溶出する部分を石油エー
テルから再結晶して、目的化合物を0.1g得た。 融点 65−64.5℃ マススペクトル(m/e):224(M+) 実施例 63 5−(1−エトキシエトキシ)−4,6,7−ト
リメチル−1,3−ベンゾオキサチオール 5−ヒドロキシ−4,6,7−トリメチル−
1,3−ベンゾオキサチオール−2−オン、7.35
g、エチルビニルエーテル20ml、ジブロムメタン
20mlの混合物を、窒素気流下−20℃に冷却し撹拌
下にメタンスルホン酸20mgを滴下した。滴下終了
後、反応温度を徐々に室温まで上げ、室温で3時
間かきまぜた。ついで反応液に水30ml炭酸水素ナ
トリウム8.8g、アリキユエート(Aliquat)336
1.0gを加えた。この混合物を9時間加熱還流す
ると過剰のジブロムメタンは徐々に気化し、粗成
油が遊離した。これをエーテルで抽出し、抽出液
を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、ついでエーテル
を留去して、油分12gを得、これをシリカゲルカ
ラムクロマトグラフイーで精製した。溶離剤(石
油エーテル:エーテル=20:1)で溶出する部分
から目的化合物5.2gを得た。 融点:52−54℃ 赤外線吸収スペクトル(ヌジヨール): 水酸基およびカルボニル基にもとずく吸収は認
められなかつた。 実施例 64 5−ヒドロキシ−4,6,7−トリメチル−
1,3−ベンゾオキサチオール 5−(1−エトキシエトキシ)−4,6,7−ト
リメチル−1,3−ベンゾオキサチオール5.0g
をジクロルメタン20mlにとかし、シリカゲル−60
10g、10%シユウ酸水溶液1mlを加え、室温で
1.5時間反応させた。ついで、シリカゲルを去
し、ジクロメタンを留去して得られた粗生成物を
ベンゼンで抽出した。抽出液を無水硫酸ナトリウ
ムで乾燥後、ベンゼンを留去し得られた再結晶を
再結晶して目的化合物を2.8g得た。 融点:131−132℃ 赤外線吸収スペクトル(ヌジヨール): 3330cm-1 実施例 65 5−ベンゾイルオキシ−2,4,6,7−テト
ラメチル−1,3−ベンゾオキサチオール 5−ヒドロキシ−2,4,6,7−テトラメチ
ル−1,3−ベンゾオキサチオール2.0g、ベン
ゾイルクロリド1.2g、ピリジン5mlの混合物を
室温で24時間反応させたのち実施例5と同様に後
処理および精製を行い目的化合物を1.8g得た。 融点:100−102℃ 実施例 66 5−p−メトキシカルボニルベンゾイルオキシ
−2,4,6,7−テトラメチル−1,3−ベ
ンゾオキサチオール 実施例65において、ベンゾイルクロリドの代り
に、P−メトキシカルボニルベンゾイルクロリド
を用いて同様に反応、後処理および精製を行い、
目的化合物を得た。 融点:141−142℃ 実施例 67 5−o−アセトキシベンゾイルオキシ−2,
4,6,7−テトラメチル−1,3−ベンゾオ
キサチオール 実施例65において、ベンゾイルクロリドの代り
に、o−アセトキシベンゾイルクロリドを用いて
同様に反応、後処理、および精製を行い、目的化
合物を得た。 シリカゲル薄層クロマトグラフイー:Rf=0.10
(展開溶剤:ベンゼン/n−ヘキサン=3:2) 赤外線吸収スペクトル(液膜):1740、1770cm-1 マススペクトル(m/e):372(M+) 実施例 68 5−(3−メトキシカルボニルプロピオニルオ
キシ)−2,4,6,7−テトラメチル−1,
3−ベンゾオキサチオール 実施例65において、ベンゾイルクロリドの代り
に3−メトキシカルボニルプロピオニルクロリド
を用いて、同様に反応し、ついで後処理および精
製を行ない、目的化合物を得た。 融点 73−75℃ 赤外線吸収スペクトル(ヌジヨール): 1730、1745cm-1 マススペクトル(m/e):324(M+) 実施例 69 メチル3−(5−ヒドロキシ−4,6,7−ト
リメチル−1,3−ベンゾオキサチオール−2
−イル)プロピオネート メチル3−〔5−(3−メトキシカルボニルプロ
ピオニルオキシ)−4,6,7−トリメチル−1,
3−ベンゾオキサチオール−2−イル〕プロピオ
ネート4.2gをメタノール50mlと28%アンモニア
水14gの混合物に加え、室温で20時間反応する。
反応混合物を減圧で濃縮後、酢酸エチルを加え
る。酢酸エチル溶液を水洗し、ついで無水硫酸ナ
トリウムで乾燥後、酢酸エチルを減圧で留去す
る。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマとグ
ラフイーに付し、溶離剤(ベンゼン:酢酸エチル
=20:1)で溶出する部分より、標記化合物を得
た。 シリカゲル薄層クロマトグラフイーのRf値=0.55
(展開溶剤:ベンゼン:酢酸エチル=10:1) マススペクトル(m/e):282(M+) 実施例 70 3−(5−ヒドロキシ−4,6,7−トリメチ
ル−1,3−ベンゾオキサチオール−2−イ
ル)プロピオンアミド メチル3−(5−(3−メトキシカルボニルプロ
ピオニルオキシ)−4,6,7−トリメチル−1,
3−ベンゾオキサチオール−2−イル)プロピオ
ネート4.9gをメタノール60mlにとかし、28%ア
ンモニア水17gを加えて室温で5日間反応する。
反応後、溶媒を減圧留去し、残渣を酢酸エチルに
溶かし、該溶液を水洗し、無水硫酸ナトリウムで
乾燥、ついで溶媒の減圧留去を行つた。得られた
粗生成物をカラムクロマトグラフイーに付し、溶
離剤(ベンゼン:酢酸エチル=3:7)で溶出す
る部分から目的化合物を得た。 融点:160−161℃ マススペクトル(m/e):267(M+) 実施例 71 3−(5−ヒドロキシ−4,6,7−トリメチ
ル−1,3−ベンゾオキサチオール−2−イ
ル)プロピル アルコール (a) リチウムアルミナムハイドライド10gを乾燥
テトラヒドロフラン500mlに懸濁し、これに、
窒素気流、氷冷下、かきまぜながら、メチル3
−(5−(3−メトキシカルボニルプロピオニル
オキシ)−4,6,7−トリメチル−1,3−
ベンゾオキサチオール−2−イル)プロピオネ
ート32.0gをテトラヒドフラン160mlにとかし
て滴下する。滴下後、室温で1時間かきまぜた
のち、さらに4時間加熱還流する。ついで水冷
下、酢酸エチル10gとテトラヒドロフラン50ml
の混合物を滴下し、室温で1時間かきまぜ、さ
らに水性テトラヒドロフランを滴下する。反応
混合物を氷水に注ぎ、10%塩酸水溶性で酸性側
に調整し析出する生成物を酢酸エチルで抽出す
る。該抽出液を水洗し、無水硫酸ナトリウムで
乾燥、ついて溶媒の減圧留去を行なつた。得ら
れた粗生成物をカラムクロマトグラフイーに付
し、溶離剤(ベンゼン:酢酸エチル=9:1)
で溶出される部分より目的化合物を得た。 融点:116.5−117℃ 赤外線吸収スペクトル(ヌジヨール): 3360、3100cm-1 マススペクトル(m/e):254(M+) (b) (a)と同様にし、エチル3−(5−(3−エトキ
シカルボニルプロピオニルオキシ)−4,6,
7−トリメチル−1,3−ベンゾオキサチオー
ル−2−イル)プロピオネートを用いて、(a)で
示したと同じ融点、赤外線吸収スペクトル、お
よびマススペクトルを有する目的化合物を得
た。 (c) (a)と同様にし、n−ブチル3−(5−(3−n
−ブトキシカルボニルプロピオニルオキシ)−
4,6,7−トリメチル−1,3−ベンゾオキ
サチオール−2−イル)プロピオネートを用い
て、(a)で示したと同じ融点、赤外線吸収スペク
トル、およびマススペクトルを有する目的化合
物を得た。 実施例 72 5−アセトキシ−2−(3−アセトキシプロピ
ル)−4,6,7−トリメチル−1,3−ベン
ゾオキサチオール 3−(5−ヒドロキシ−4,6,7−トリメチ
ル−1,3−ベンゾオキサチオール−2−イル)
プロピルアルコール1.0g、無水酢酸1.6g、ピリ
ジン10mlの混合物を室温で24時間反応させたの
ち、実施例4と同様に後処理および精製を行な
い、目的化合物を得た。 融点:78−79℃ 赤外線吸収スペクトル(ヌジヨール): 1738、1750cm-1 マススペクトル(m/e):338(M+) 実施例 73 5−ベンゾイルオキシ−2−(3−ベンゾイル
オキシプロピル)−4,6,7−トリメチル−
1,3−ベンゾオキサチオール 実施例72において、無水酢酸の代りに、ベンゾ
イルクロリドを用いて同様に反応、後処理および
精製を行ない、目的化合物を得た。 融点:114−116℃ 赤外線吸収スペクトル(ヌジヨール): 1720、1738cm-1 マススペクトル(m/e):462(M+) 実施例 74 5−ヒドロキシ−2−(3−ヨードプロピル)−
4,6,7−トリメチル−1,3−ベンゾオキ
サチオール (a) 3−(5−ヒドロキシ−4,6,7−トリメ
チル−1,3−ベンゾオキサチオール−2−イ
ル)プロピルアルコール3.0gをベンゼン40ml
とピリジン4mlの混合溶媒にとかし、これにト
リフエニルホスフイン6.2gを加えてとかす。
溶解後ヨウ素6.0gを1時に加える。反応温度
は45℃まで上昇する。さらに室温で30分間反応
したのち反応混合物を水に注ぎ、ベンゼンで抽
出する。抽出液を水洗ついで無水硫酸ナトリウ
ムで乾燥し、溶媒を減圧留去する。得られた粗
生成物をシリカゲルローバーカラムクロマトグ
ラフイーに付しベンゼンで溶出される部分より
目的化合物を得た。 融点:72−75℃ シリカゲル薄層クロマトグラフイーのRf値:
0.39(展開溶剤:シクロヘキサン:ベンゼン
=1:4) マススペクトル(m/e):364(M+) (b) トリフエニルホスフアイト0.67gに、ヨウ化
メチル2mlを加え加熱還流下に徐々に温度を上
げ、浴温100℃で1時間反応する。室温に戻し
3−(5−ヒドロキシ−4,6,7−トリメチ
ル−1,3−ベンゾオキサチオール−2−イ
ル)プロピル アルコール0.5g、ヨウ化メチ
ル1mlおよびジメチルホルムアミド0.5mlを加
えて室温で3日間反応する。反応終了後(a)と同
様に後処理、分離操作をおこない、(a)と同じ
Rf値、マススペクトルを有する目的化合物を
得た。 (c) 2−(3−クロロプロピル)−5−ヒドロキシ
−4,6,7−トリメチル−1,3−ベンゾオ
キサチオール120mgをアセトン2mlにとかし、
これにヨウ化ナトリウム660mgを加えて10時間
加熱還流する。冷後、反応混合物を水に注ぎ、
析出物を酢酸エチルで抽出する。抽出液を水
洗、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、酢酸エチル
で減圧で留去し、得られた粗生成物を(a)と同様
にして精製し、(a)と同じRf値、マススペクト
ルを有する目的化合物を得た。 実施例 75 2−(3−ブロモプロピル)−5−ヒドロキシ−
4,6,7−トリメチル−1,3−ベンゾオキ
サチオールおよび2−(3−ブロモプロピル)−
5−ホルミルオキシ−4,6,7−トリメチル
−1,3−ベンゾオキサチオール トリフエニルホスフイン1.5gをジメチルホル
ムアミド3mlにとかし、臭素0.9gをジメチルホ
ルムアミド2mlにとかして滴下する。室温で30分
反応後、3−(5−ヒドロキシ−4,6,7トリ
メチル−1,3−ベンゾオキサチオール−2−イ
ル)プロピル アルコール0.5gを加えて、さら
に室温で20時間反応する。実施例76と同様に後処
理、生成物の分離操作をおこなう。最初に溶出さ
れる部分から2−(3−ブロモプロピル)−5−ホ
ルミルオキシ−4,6,7−トリメチル−1,3
−ベンゾオキサチオールを得た。 シリカゲル薄層クロマトグラフイーのRf値:0.55
(展開溶剤:シクロヘキサン:ベンゼン=1:
4) マススペクトル(m/e):344(M+) 次に溶出する部分から2−(3−ブロモプロピ
ル)−5−ヒドロキシ−4,6,7−トリメチル
−1,3−ベンゾオキサチオールを得た。 シリカゲル薄層クロマトグラフイーのRf値=0.36
(展開溶剤:シクロヘキサン:ベンゼン=1:
4) マススペクトル(m/e):316(M+) 実施例 76 5−ホルミルオキシ2−(3−ヨードプロピル)
−4,6,7−トリメチル−1,3−ベンゾオ
キサチオール トリフエニルホスフイン1.5gとヨウ素1.5gを
ジメチルホルムアミド5mlにとかし、室温で30分
かきまぜる。ついで3−(5−ヒドロキシ−4,
6,7−トリメチル−1,3−ベンゾオキサチオ
ール−2−イル)プロピル アルコール0.5gを
加え室温で20時間反応する。反応混合物を水に注
ぎ、ベンゼンで抽出する。抽出液を水洗、ついで
無水硫酸ナトリウムで乾燥し、ベンゼンを減圧留
去する。得られた粗生成物をシリカゲルカラムク
ロマトグラフイーに付し、溶離剤(シクロヘキサ
ン:ベンゼン=1:2)を用いて生成物の分離を
おこなう。最初に溶出される部分から標記化合物
を得た。 融点:91−93℃ マススペクトル(m/e):392(M+) 次に溶出される部分から実施例74に記載した融
点、Rf値、マススペクトルを有する5−ヒドロ
キシ−2−(3−ヨードプロピル)−4,6,7−
トリメチル−1,3−ベンゾオキサチオールを得
た。 実施例 77 2−(3−クロロプロピル)−5−ヒドロキシ−
4,6,7−トリメチル−1,3−ベンゾオキ
サチオールおよび2−(3−クロロプロピル)−
5−(p−トシルオキシ)−4,6,7−トリメ
チル−1,3−ベンゾオキサチオール 3−(5−ヒドロキシ−4,6,7−トリメチ
ル−1,3−ベンゾオキサチオール−2−イル)
プロピル アルコール500mgをピリジン5mlにと
かし、氷冷下にトシルクロリド0.41gを加え、さ
らに室温で20時間反応する。反応混合物を水に注
ぎ、酢酸エチルで抽出し、抽出液を水洗、ついで
硫酸ナトリウムで乾燥する。酢酸エチルを減圧留
去し、得られた残渣をシリカゲルローバーカラム
クロマトグラフイーで分離・精製する。 溶離剤(ベンゼン:シクロヘキサン=4:1)
で最初に溶出される部分から2−(3−クロロプ
ロピル)−5−(4−トシルオキシ)−4,6,7
−トリメチル−1,3−ベンゾオキサチオールを
得た。 シリカゲル薄層クロマトグラフイーのRf値:0.70
(展開溶剤:ベンゼン) マススペクトル(m/e):426(M+) 次に溶出する部分から、2−(3−クロロプロ
ピル)−5−ヒドロキシ−4,6,7−トリメチ
ル−1,3−ベンゾオキサチオールを得た。 シリカゲル薄層クロマトグラフイーのRf値:0.42
(展開溶剤:ベンゼン) マススペクトル(m/e):272(M+) 実施例 78 5−tert.−ブチルジメチルシリルオキシ−2−
(3−クロロプロピル)−4,6,7−トリメチ
ル−1,3−ベンゾオキサチオール 5−ヒドロキシ−2−(3−ヨードプロピル)−
4,6,7−トリメチル−1,3−ベンゾオキサ
チオール2.6g、イミダゾール0.53g、tert.−ブチ
ルジメチルシリルクロリド1.2gをジメチルホル
ムアミド2mlにとかし、室温で20時間反応すを。
反応混合物に水に注ぎ、ベンゼンで抽出する。抽
出液を水洗、ついで無水硫酸ナトリウムで乾燥
し、ベンゼンを減圧留去する。得られた残渣をシ
リカゲルローバーカラムクロマトグラフイーに付
し、溶離剤(シルロヘキサン:ベンゼン=9:
1)で溶出される部分より標記化合物を得た。 シリカゲル薄層クロマトグラフイーのRf値:0.46
(展開剤:シクロヘキサン:ベンゼン=4:1) マススペクトル(m/e):386(M+) 実施例 79 5−tert−ブチルジメチルシリルオキシ−2−
(3−ヨードプロピル)−4,6,7−トリメチ
ル−1,3−ベンゾオキサチオール (a) tert.−ブチルジメチルシリルクロリド5.2g
とイミダゾール4.6gをベンゼン80ml中50℃で
1時間加熱したのち、5−ヒドロキシ−2−
(3−ヨードプロピル)−4,6,7−トリメチ
ル−1,3−ベンゾオキサチオール6.3gをベ
ンゼン10mlにとかして加え、40乃至45℃で8時
間反応する。冷後、反応混合物を水に注ぎ、ベ
ンゼンで抽出する。抽出液を水洗、ついで無水
硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を減圧留去す
る。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマト
グラフイーに付し、溶離剤(シクロヘキサン:
ベンゼン=9:1)で溶出される部分より、目
的化合物を得た。 シリカゲル薄層クロマトグラフイーのRf値:
0.39(展開溶剤:シクロヘキサン:ベンゼン
=9:1) 赤外線吸収スペクトル(液膜):水酸基の吸収
消失 マススペクトル(m/e):478(M+) (b) 5−tert.−ブチルジメチルシリルオキシ−2
−(3−クロロプロプル)−4,6,7−トリメ
チル−1,3−ベンゾオキサチオール1.06g、
ヨウ化ナトリウム4.1g、アセトン40mlの混合
物を10時間、還流下に加熱する。冷後、(a)と同
様に処理して、(a)で示したと同じRf値、赤外
線吸収スペクトル、およびマススペクトルを有
する目的化合物を得た。 実施例 80 2,2−ジメチル−5−(5−tert.−ブチルジ
メチルシリルオキシ−4,6,7−トリメチル
−1,3−ベンゾオキサチオール−2−イル)
ペンタン酸 ジイソプロピルアミン2.4gをテトラヒドロフ
ラン60mlにとかし、窒素気流下で50%油性水素化
ナトリウム1.2gを加え、さらにイソ酪酸2.4gを
テトラヒドロフラン5mlにとかして滴下する。 水素の発生・発熱がおさまつたのち、さらに30
分加熱還流する。ついで0℃に冷却し、10%−n
−ブチルリチウムのn−ヘキサン溶液25.4mlを滴
下する。滴下終了後さらに30分間0℃に保ち、つ
いで室温で30分かきまぜる。再び0℃とし、5−
tert.−ブチルジメチルシリルオキシ−2−(3−
ヨードプロピル)−4,6,7−トリメチル−1,
3−ベンゾオキサチオール6.5gをテトラヒドロ
フラン10mlにとかして滴下する。滴下後30分間0
℃に保ち、ついで徐々に温度上げ、室温で20時間
反応する。反応混合物を、10%塩酸30mlを加えた
氷中に注ぎ、ベンゼンで抽出する。抽出液を水洗
ついで無水硫酸ナトリウムで乾燥し、ベンゼンを
減圧で留去した。得られた残渣をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフイーに付し、溶離剤(ベンゼ
ン:酢酸エチル=100:3)で溶出する部分から
目的化合物を得た。 シリカゲル薄層クロマトグラフイーのRf値=0.13
(展開溶剤:ベンゼン:酢酸エチル=20:1) マススペクトル(m/e)=438(M+) 実施例 81 2,2−ジメチル−5−(5−ヒドロキシ−4,
6,7−トリメチル−1,3−ベンゾオキサチ
オール−2−イル)ペンタン酸 2,2−ジメチル−5−(5−tert.−ブチルジ
メチルシリルオキシ−4,6,7−トリメチル−
1,3−ベンゾオキサチオール−2−イル)ペン
タン酸3.6g、フツ化テトラ−n−ブチルアンモ
ニウム 三水和物14.2g、および酢酸4.9gをテ
トラヒドロフラン50mlに溶かし、室温で20時間反
応する。反応混合物を減圧濃縮し、酢酸エチル溶
液とする。この溶液を水洗、ついで無水硫酸ナト
リウムで乾燥し、酢酸エチルを減圧で留去する。
得られた粗生物をシリカゲルカラムクロマトグラ
フイーに付し、溶離剤(ベンゼン:酢酸エチル=
9:1)で溶出する部分より目的化合物を得た。 シリカゲル薄層クロマトグラフイーのRf値:0.40
(展開溶剤:ベンゼン:メタノール=10:1) マススペクトル(m/e)=324(M+) 実施例 82 2,2−ジメチル−5−(5−ヒドロキシ−4,
6,7−トリメチル−1,3−ベンゾオキサチ
オール−2−イル)ペンチル アルコール リチウムアルミナムハイドライド0.3gをテト
ラヒドロフラン30mlに懸濁し、これに、窒素気流
下、氷冷下、2,2−ジメチル−5−(5−ヒド
ロキシ−4,6,7−トリメチル−1,3−ベン
ゾオキサチオール−2−イル)ペンタン酸1.7g
をテトラヒドロフラン5mlに溶かして滴下する。
滴下後1時間室温に保つたのち、2時間加熱還流
する。反応混合物を氷水にあけ、酢酸エチルで抽
出する。抽出後を水洗ついで無水硫酸ナトリウム
で乾燥し、酢酸エチルを減圧で留去する。得られ
た残渣をシリカゲルローバーカラムクロマトグラ
フイーに付し、溶離剤(ベンゼン:酢酸エチル=
9:1)を用いて精製し、目的化合物を得た。 シリカゲル薄層クロマトグラフイーのRf値:0.43
(展開溶剤:ベンゼン:メタノール=10:1) マススペクトル(m/e)=310(M+) 実施例 83 5−ヒドロキシ−2−(3−メトキシメトキシ
プロピル)−4,6,7−トリメチル−1,3
−ベンゾオキサチオール 3−(5−ヒドロキシ−4,6,7−トリメチ
ル−1,3−ベンゾオキサチール−2−イル)プ
ロピル アルコール5.0gをジメチルホルムアミ
ド40mlにとかし、55%油性水素化ナトリウム260
mgを室温で加え40−45℃で1時間加熱する。つい
で水冷下クロロメチルメチルエーテル1.6gをベ
ンゼン5mlに滴下し、滴下後液温を徐々に上げ50
−55℃で1時間加熱する。反応混合物を水に注
ぎ、ベンゼンで抽出し、抽出液を水洗、ついで無
水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を減圧留去す
る。得られた残渣をシリカゲルローバーカラムク
ロマトグラフイーに付し、溶離剤(ベンゼン:酢
酸エチル=100:3)で溶出する部分から標記化
合物を得た。 シリカゲル薄層クロマトグラフイーのRf値:0.35
(展開溶剤:ベンゼン:酢酸エチル=20:1) マススペクトル(m/e):298(M+) NMRスペクトル(δppm、CD Cl3):3.37(3H、
S)(OC H =3);3.60(2H、t、J=6Hz)(−
CH2−C H =2−O−);4.55(1H、S、重水添加
で消失)
【式】
4.65(2H、S)(−O−C
H
=2−O−);
6.03(1H、t、J=6Hz)
【式】
実施例 84
5−アセトキシ−2−(3−メトキシメトキシ
プロピル)−4,6,7−トリメチル−1,3
−ベンゾオキサチオール 5−ヒドロキシ−2−(3−メトキシメトキシ
プロピル)−4,6,7−トリメチル−1,3−
ベンゾオキサチオール100mgをピリジン1mlにと
かし、無水酢酸50mgを加えて、室温で20時間反応
する。反応混合物にベンゼンを加え、ベンゼン溶
液を水洗、ついで無水硫酸ナトリウムで乾燥し、
ベンゼンを減圧で留去する。得られた残渣をシリ
カゲルカラムクロマトグラフイーに付し、溶離剤
(ベンゼン:酢酸エチル=20:1)で溶出する部
分より標記化合物を得た。 シリカゲルカラムクロマトグラフイーのRf値:
0.38(展開溶剤:ベンゼン:酢酸エチル=20:
1) マススペクトル(m/e):340(M+) NMRスペクトル(δppm;CD Cl3):2.32(3H、
s)、3.39(3H、S)(OCH3);3.60(2H、t、
J=6Hz)(−CH2−C H =2−O−);4.65(2H、
S)(−O−C H =2−O);6.11(1H、t;J=
6Hz)
プロピル)−4,6,7−トリメチル−1,3
−ベンゾオキサチオール 5−ヒドロキシ−2−(3−メトキシメトキシ
プロピル)−4,6,7−トリメチル−1,3−
ベンゾオキサチオール100mgをピリジン1mlにと
かし、無水酢酸50mgを加えて、室温で20時間反応
する。反応混合物にベンゼンを加え、ベンゼン溶
液を水洗、ついで無水硫酸ナトリウムで乾燥し、
ベンゼンを減圧で留去する。得られた残渣をシリ
カゲルカラムクロマトグラフイーに付し、溶離剤
(ベンゼン:酢酸エチル=20:1)で溶出する部
分より標記化合物を得た。 シリカゲルカラムクロマトグラフイーのRf値:
0.38(展開溶剤:ベンゼン:酢酸エチル=20:
1) マススペクトル(m/e):340(M+) NMRスペクトル(δppm;CD Cl3):2.32(3H、
s)、3.39(3H、S)(OCH3);3.60(2H、t、
J=6Hz)(−CH2−C H =2−O−);4.65(2H、
S)(−O−C H =2−O);6.11(1H、t;J=
6Hz)
【式】
実施例 85
3−(5−メトキシメトキシ−4,6,7−ト
リメチル−1,3−ベンゾオキサチオール−2
−イル)プロピル アルコール 55%油性水素化ナトリウム340mgをジメチルホ
ルムアミド20mlに加え、窒素気流、氷冷下に、3
−(5−ヒドロキシ−4,6,7−トリメチル−
1,3−ベンゾオキサチオール−2−イル)プロ
ピル アルコール2.0gを結晶のまま加える。氷
冷30分ついで室温で1時間反応後、再び氷冷し、
クロロメチルメチルエーテル630mgをベンゼン2
mlにとかして滴下した。滴下後徐々に温度を上
げ、室温でさらに20時間反応した。反応混合物を
水に注ぎ、ベンゼンで抽出し、抽出液を水洗、つ
いで無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を減圧留
去する。得られた残渣をシリカゲルローバーカラ
ムクロマトグラフイーに付し、溶離剤(ベンゼ
ン:酢酸エチル=9:1)を用いて溶出する部分
から目的化合物を得た。 シリカゲル薄層マトグラフイー:Rf値:0.41(展
開溶剤:ベンゼン:酢酸エチル=4:1) マススペクトル(m/e):298(M+) NMRスペクトル(δppm、CDCl3):1.69(1H、
S、重水添加で消失する);3.60(3H、S)(−
OCH3);3.70(2H、t、J=6Hz)(−CH2−
C H =2−O−);4.90(2H、S)(−O−C H =2−
O−);6.09(1H、t、J=6Hz)
リメチル−1,3−ベンゾオキサチオール−2
−イル)プロピル アルコール 55%油性水素化ナトリウム340mgをジメチルホ
ルムアミド20mlに加え、窒素気流、氷冷下に、3
−(5−ヒドロキシ−4,6,7−トリメチル−
1,3−ベンゾオキサチオール−2−イル)プロ
ピル アルコール2.0gを結晶のまま加える。氷
冷30分ついで室温で1時間反応後、再び氷冷し、
クロロメチルメチルエーテル630mgをベンゼン2
mlにとかして滴下した。滴下後徐々に温度を上
げ、室温でさらに20時間反応した。反応混合物を
水に注ぎ、ベンゼンで抽出し、抽出液を水洗、つ
いで無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を減圧留
去する。得られた残渣をシリカゲルローバーカラ
ムクロマトグラフイーに付し、溶離剤(ベンゼ
ン:酢酸エチル=9:1)を用いて溶出する部分
から目的化合物を得た。 シリカゲル薄層マトグラフイー:Rf値:0.41(展
開溶剤:ベンゼン:酢酸エチル=4:1) マススペクトル(m/e):298(M+) NMRスペクトル(δppm、CDCl3):1.69(1H、
S、重水添加で消失する);3.60(3H、S)(−
OCH3);3.70(2H、t、J=6Hz)(−CH2−
C H =2−O−);4.90(2H、S)(−O−C H =2−
O−);6.09(1H、t、J=6Hz)
【式】
実施例 86
5−メトキシメトキシ−2−(3−ヨードプロ
ピル)−4,6,7−トリメチル−1,3−ベ
ンゾオキサチオール 3−(5−メトキシメトキシ−4,6,7−ト
リメチル−1,3−ベンゾオキサチオール−2−
イル)プロピル アルコール1.0gをベンゼン15
mlとピリジン1.5mlの混合溶媒にとかし、室温で
トリフエニルホスフイン1.7gを加え、ついで沃
素1.7gを加える。混合物を室温で40分かきまぜ
たのち、水にあけ、ベンゼンで抽出する。抽出液
を水洗、ついで、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、
ベンゼンを留去して粗生成物を得、これをシリカ
ゲルカラムクロマトグラフイーに付し、ベンゼン
で溶離する部分から目的化合物を得た。 シリカゲル薄層クロマトグラフイー:Rf=0.59
(展開溶剤:ベンゼン) マススペクトル(m/e):408(M+) 実施例 87 2−(3−ブロモプロピル)−5−メトキシメト
キシ−4,6,7−トリメチル−1,3−ベン
ゾオキサチオール 3−(5−メトキシメトキシ−4,6,7−ト
リメチル−1,3−ベンゾオキサチオール−2−
イル)プロピル アルコール2.6gとトリフエニ
ルホスフイン4.6gをベンゼン30mlにとかし、乾
燥ピリジン3mlを加え、室温で臭素4.4gを滴下
する。温度上昇が終了したのち室温で40分かきま
ぜる。結晶が析出する。反応混合物に水を加え、
ベンゼンで抽出する。抽出液を水洗、ついで無水
硫酸ナトリウムで乾燥し、ベンゼンを減圧で留去
する。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマト
グラフイーに付し、溶離剤(シクロヘキサン:ベ
ンゼン=2:3)で溶出される部分より目的化合
物を得た。 シリカゲル薄層クロマトグラフイーのRf値:0.36
(展開剤:シクロヘキサン:ベンゼン=1:1) マススペクトル(m/e):360(M+) 実施例 88 2−〔3−(2−ジメシルアミノエトキシ)プロ
ピル〕−5−メトキシメトキシ−4,6,7−
トリメチル−1,3−ベンゾオキサチオール (a) 2−ジメチルアミノエタノール210mgをジメ
チルホルムアミド3mlにとかし、50%油性水素
化ナトリウム100mgを加えて50℃で1時間加熱
する。ついで氷冷下にかきまぜながら、5−メ
トキシメトキシ−2−(3−ヨードプロピル)−
4,6,7−トリメチル−1,3−ベンゾオキ
サチール900mgをジメチルホルムアミド2mlに
とかして滴下する。滴下後温度を徐々に上げ、
さらに50℃で2時間加熱する。反応混合物を水
に注ぎ、析出物をベンゼンで抽出する。抽出液
を水洗、ついで無水硫酸ナトリウムで乾燥し、
ベンゼンを減圧留去する。粗製油をシリカゲル
カラムクロマトグラフイーを用いて分離する。
ベンゼンで溶出する部分を除き、溶離剤(酢酸
エチル:トリエチルアミン=20:1)で溶出す
る部分をさらにシリカゲルローバーカラムクロ
マトグラフイーに付し、同溶離剤を用いて精製
し目的化合物を得た。 シリカゲル薄層クロマトグラフイーのRf値:
0.38(展開剤:酢酸エチル:トリエチルアミ
ン=20:1) マススペクトル(m/e):369(M+) (b) 2−ジメチルアミノエタノール740mgをジメ
チルスルホキサイド10mlにとかし、50%油性水
素化ナトリウム220mgを加えて50℃で1時間加
熱する。ついで氷冷下にかきまぜながら、2−
(3−ブロモプロピル)−5−メトキシメトキシ
−4,6,7−トリメチル−1,3−ベンゾオ
キサチオール1.68gをジメチルスルホキサイド
5mlにとかして滴下する。以下(a)と同様に反
応、抽出、分離操作をおこない、(a)で得られた
と同じRf値、マススペクトルを示す目的化合
物を得た。 実施例 89 2−アリル−5−メトトキシメキシ−4,6,
7−トリメチル−1,3−ベンゾオキサチオー
ル 実施例88における反応混合物の、シリカゲルカ
ラムクロマトグラフイーによる分離・精製過程に
おいて、ベンゼンで溶出する部分から標記化合物
を得た。 シリカゲル薄層クロマトグラフイーのRf値=0.60
(展開溶剤:ベンゼン) マススペクトル(m/e):280(M+) 実施例 90 2−〔3−(2−ジメチルアミノエトキシ)プロ
ピル〕−5−ヒドロキシ−4,6,7−トリメ
チル−1,3−ベンゾオキサチオール 2−〔3−(2−ジメチルアミノエトキシ)プロ
ピル〕−5−メトキシメトキシ−4,6,7−ト
リメチル−1,3−ベンゾオキサチオール330mg
を酢酸5mlにとかし、10%硫酸を駒込ピペツトで
5滴加え、70乃至75℃で5時間加熱する。酢酸溶
液を減圧濃縮し、氷水に注ぎ、炭酸カリで中和
後、酢酸エチルで抽出する。酢酸エチル溶液を水
洗、ついで無水硫酸ナトリウムで乾燥し、酢酸エ
チルを減圧で留去する。得られた残渣をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフイーに付し、溶離剤(酢
酸エチル:トリエチルアミン=20:1)で溶出す
る部分より目的化合物を得た。 シリカゲル薄層クロマトグラフイーのRf値:0.30
(展開溶剤:酢酸エチル:トリエチルアミン=
20:1) マススペクトル(m/e):325(M+) 実施例 91 2−アリル−5−ヒドロキシ−4,6,7−ト
リメチル−1,3−ベンゾオキサチオール 2−アリル−5−メトキシメトキシ−4,6,
7−トリメチル−1,3−ベンゾオキサチオール
0.9gを酢酸8mlにとかし、10%硫酸水溶液を駒
込ピペツトで3滴滴下する。得られた溶液を50℃
で30分加熱する。室温に戻したのち減圧で濃縮す
る。ベンゼンを加えてとかし、該溶液を水洗、つ
いで無水硫酸ナトリウムで乾燥する。ベンゼンを
留去し、得られた粗生成物をシリカゲルローバー
カラムクロマトグラフイーに付して精製する。ベ
ンゼンで溶出する部分より目的化合物が得られ
た。 融点:78.5−79.5℃ マススペクトル(m/e):236(M+) 実施例 92 5−ジメチル−t−ブチルシリルオキシ−4,
6,7−トリメチル−1,3−ベンゾオキサチ
オール 5−ヒドロキシ−4,6,7−トリメチル−
1,3−ベンゾオキサチオール0.84gをN,N−
ジメチルホルムアミド5mlに溶解し、イミダゾー
ル0.58g、ジメチルターシヤリーブチルシリルク
ロリド1.29gを加えて、50℃で7時間かきまぜた
後一夜室温に放置した。減圧下溶媒を留去後残渣
をベンゼンで抽出し、飽和重曹水および水で洗條
後無水硫酸ナトリウムで乾燥後溶媒を留去した。
残渣をシリカゲル40gを用いたカラムクロマトグ
ラフイーで処理し(展開溶剤ヘキサンおよびヘキ
サン−ベンゼン(10:1〜2:1))、無色油状の
目的物1.26gを得た。 シリカゲル薄層クロマトグラフイーのRf値:0.80
(展開溶剤:ベンゼン:ヘキサン=2:1) 実施例 93 5−ジメチル−t−ブチルシリルオキシ−4,
6,7−トリメチル−1,3−ベンゾオキサチ
オール−3−オキシド 実施例92で得たシリルオキシ体を塩化メチレン
100mlに溶解し、氷冷下メタクロル過安息香酸
0.99gを加え同温度で1時間かきまぜた。反応液
を飽和重曹水に注ぎ、クロロホルムで抽出し、水
洗、乾燥後溶媒を留去すると残渣は結晶化した。
この結晶を四塩化炭素で洗條すると、目的物1.30
gが得られた。 融点 100−101℃ シリカゲル薄層クロマトグラフイーのRf値:0.52
(展開溶剤:ベンゼン:酢酸エチル=1:1) マススペクトル(m/e):326(M+) 実施例 94 5−アセトキシ−4,6,7−トリメチル−2
−プロピル−1,3−ベンゾオキサチオール 5−ヒドロキシ−4,6,7−トリメチル−2
−プロピル−1,3−ベンゾオキサチオール1.6
g、無水酢酸0.8gおよびピリジン10mlの混合物
を室温で15時間反応させたのち、実施例5と同様
に後処理および精製を行ない、目的化合物(淡黄
色油状物)1.8gを得た。 シリカゲル薄層クロマトグラフイー:Rf=0.57
(展開溶剤:ベンゼン) 赤外線吸収スペクトル(液膜):1762cm-1 マススペクトル(m/e):280(M+) 実施例 95 6−t−ブチル−5−ヒドロキシ−2−メチル
−1,3−ベンゾオキサチオール 2,2′−トリチオビス−(1,4−ジアセトキ
シ−5−t−ブチルベンゼン)を実施例22−と
同様に反応させ、得られた5−アセトキシ−6−
t−ブチル−2−メチル−1,3−ベンゾオキサ
チオールを実施例51と同様に反応させ、目的化合
物を得た。 シリカゲル薄層クロマトグラフイー:Rf=0.46
(展開溶剤:ベンゼン) マススペクトル(m/e):224(M+) 実施例 96 6−t−ブチル−5−ヒドロキシ−2−プロピ
ル−1,3−ベンゾオキサチオール 2,2′−ジチオビス−(1,4−ブチリルオキ
シ−5−t−ブチルベンゼン)を実施例22−と
同様に反応させ、得られた6−t−ブチル−5−
ブチリルオキシ−2−プロピル−1,3−ベンゾ
オキサチオールを実施例5と同様に反応させ、目
的化合物を得た。 シリカゲル薄層クロマトグラフイー:Rf=0.54
(展開溶剤:ベンゼン) マススペクトル(m/e):252(M+) 実施例 97 6−t−ブチル−5−ブチリルオキシ−2−メ
チル−1,3−ベンゾオキサチオール 6−t−ブチル−5−ヒドロキシ−2−メチル
−1,3−ベンゾオキサチオールと塩化ブチリル
を用いて、実施例94と同様に反応し、目的化合物
を得た。 シリカゲル薄層クロマトグラフイー:Rf=0.24
(展開溶剤:ヘキサン/酢酸エチル=50/1) マススペクトル(m/e):294(M+) 実施例 98 6−t−ブチル−5−ブチリルオキシ−2−プ
ロピル−1,3−ベンゾオキサチオール 6−t−ブチル−5−ヒドロキシ−2−プロピ
ル−1,3−ベンゾオキサチオールと塩化ブチリ
ルを用いて、実施例94と同様に反応し、目的化合
物を得た。 シリカゲル薄層クロマトグラフイー:Rf=0.36
(展開溶剤:ヘキサン/酢酸エチル=50/1) マススペクトル(m/e):322(M+) 試験例 1 SRS−Aの産生、放出に対する抑制作用 本件目的化合物のSRS−A産生に対する作用
は、Parkerらの方法〔J.Immunol.125巻、946頁
(1980年)〕に従つて測定した。すなわち、抗原と
して卵白アルブミンを用いて感作したモルモツト
(Hartley系雄性)の肺切片に、本件目的化合物
を加えて15分間前培養をしたのち抗原を添加し、
その際産生、放出されるSRS−A量を、モルモツ
ト回腸を用いたスーパーフユジヨン法で測定し
た。その結果、表1に示すように、本件化合物
は、低濃度においてSRS−Aの産生を強力に抑制
した。
ピル)−4,6,7−トリメチル−1,3−ベ
ンゾオキサチオール 3−(5−メトキシメトキシ−4,6,7−ト
リメチル−1,3−ベンゾオキサチオール−2−
イル)プロピル アルコール1.0gをベンゼン15
mlとピリジン1.5mlの混合溶媒にとかし、室温で
トリフエニルホスフイン1.7gを加え、ついで沃
素1.7gを加える。混合物を室温で40分かきまぜ
たのち、水にあけ、ベンゼンで抽出する。抽出液
を水洗、ついで、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、
ベンゼンを留去して粗生成物を得、これをシリカ
ゲルカラムクロマトグラフイーに付し、ベンゼン
で溶離する部分から目的化合物を得た。 シリカゲル薄層クロマトグラフイー:Rf=0.59
(展開溶剤:ベンゼン) マススペクトル(m/e):408(M+) 実施例 87 2−(3−ブロモプロピル)−5−メトキシメト
キシ−4,6,7−トリメチル−1,3−ベン
ゾオキサチオール 3−(5−メトキシメトキシ−4,6,7−ト
リメチル−1,3−ベンゾオキサチオール−2−
イル)プロピル アルコール2.6gとトリフエニ
ルホスフイン4.6gをベンゼン30mlにとかし、乾
燥ピリジン3mlを加え、室温で臭素4.4gを滴下
する。温度上昇が終了したのち室温で40分かきま
ぜる。結晶が析出する。反応混合物に水を加え、
ベンゼンで抽出する。抽出液を水洗、ついで無水
硫酸ナトリウムで乾燥し、ベンゼンを減圧で留去
する。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマト
グラフイーに付し、溶離剤(シクロヘキサン:ベ
ンゼン=2:3)で溶出される部分より目的化合
物を得た。 シリカゲル薄層クロマトグラフイーのRf値:0.36
(展開剤:シクロヘキサン:ベンゼン=1:1) マススペクトル(m/e):360(M+) 実施例 88 2−〔3−(2−ジメシルアミノエトキシ)プロ
ピル〕−5−メトキシメトキシ−4,6,7−
トリメチル−1,3−ベンゾオキサチオール (a) 2−ジメチルアミノエタノール210mgをジメ
チルホルムアミド3mlにとかし、50%油性水素
化ナトリウム100mgを加えて50℃で1時間加熱
する。ついで氷冷下にかきまぜながら、5−メ
トキシメトキシ−2−(3−ヨードプロピル)−
4,6,7−トリメチル−1,3−ベンゾオキ
サチール900mgをジメチルホルムアミド2mlに
とかして滴下する。滴下後温度を徐々に上げ、
さらに50℃で2時間加熱する。反応混合物を水
に注ぎ、析出物をベンゼンで抽出する。抽出液
を水洗、ついで無水硫酸ナトリウムで乾燥し、
ベンゼンを減圧留去する。粗製油をシリカゲル
カラムクロマトグラフイーを用いて分離する。
ベンゼンで溶出する部分を除き、溶離剤(酢酸
エチル:トリエチルアミン=20:1)で溶出す
る部分をさらにシリカゲルローバーカラムクロ
マトグラフイーに付し、同溶離剤を用いて精製
し目的化合物を得た。 シリカゲル薄層クロマトグラフイーのRf値:
0.38(展開剤:酢酸エチル:トリエチルアミ
ン=20:1) マススペクトル(m/e):369(M+) (b) 2−ジメチルアミノエタノール740mgをジメ
チルスルホキサイド10mlにとかし、50%油性水
素化ナトリウム220mgを加えて50℃で1時間加
熱する。ついで氷冷下にかきまぜながら、2−
(3−ブロモプロピル)−5−メトキシメトキシ
−4,6,7−トリメチル−1,3−ベンゾオ
キサチオール1.68gをジメチルスルホキサイド
5mlにとかして滴下する。以下(a)と同様に反
応、抽出、分離操作をおこない、(a)で得られた
と同じRf値、マススペクトルを示す目的化合
物を得た。 実施例 89 2−アリル−5−メトトキシメキシ−4,6,
7−トリメチル−1,3−ベンゾオキサチオー
ル 実施例88における反応混合物の、シリカゲルカ
ラムクロマトグラフイーによる分離・精製過程に
おいて、ベンゼンで溶出する部分から標記化合物
を得た。 シリカゲル薄層クロマトグラフイーのRf値=0.60
(展開溶剤:ベンゼン) マススペクトル(m/e):280(M+) 実施例 90 2−〔3−(2−ジメチルアミノエトキシ)プロ
ピル〕−5−ヒドロキシ−4,6,7−トリメ
チル−1,3−ベンゾオキサチオール 2−〔3−(2−ジメチルアミノエトキシ)プロ
ピル〕−5−メトキシメトキシ−4,6,7−ト
リメチル−1,3−ベンゾオキサチオール330mg
を酢酸5mlにとかし、10%硫酸を駒込ピペツトで
5滴加え、70乃至75℃で5時間加熱する。酢酸溶
液を減圧濃縮し、氷水に注ぎ、炭酸カリで中和
後、酢酸エチルで抽出する。酢酸エチル溶液を水
洗、ついで無水硫酸ナトリウムで乾燥し、酢酸エ
チルを減圧で留去する。得られた残渣をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフイーに付し、溶離剤(酢
酸エチル:トリエチルアミン=20:1)で溶出す
る部分より目的化合物を得た。 シリカゲル薄層クロマトグラフイーのRf値:0.30
(展開溶剤:酢酸エチル:トリエチルアミン=
20:1) マススペクトル(m/e):325(M+) 実施例 91 2−アリル−5−ヒドロキシ−4,6,7−ト
リメチル−1,3−ベンゾオキサチオール 2−アリル−5−メトキシメトキシ−4,6,
7−トリメチル−1,3−ベンゾオキサチオール
0.9gを酢酸8mlにとかし、10%硫酸水溶液を駒
込ピペツトで3滴滴下する。得られた溶液を50℃
で30分加熱する。室温に戻したのち減圧で濃縮す
る。ベンゼンを加えてとかし、該溶液を水洗、つ
いで無水硫酸ナトリウムで乾燥する。ベンゼンを
留去し、得られた粗生成物をシリカゲルローバー
カラムクロマトグラフイーに付して精製する。ベ
ンゼンで溶出する部分より目的化合物が得られ
た。 融点:78.5−79.5℃ マススペクトル(m/e):236(M+) 実施例 92 5−ジメチル−t−ブチルシリルオキシ−4,
6,7−トリメチル−1,3−ベンゾオキサチ
オール 5−ヒドロキシ−4,6,7−トリメチル−
1,3−ベンゾオキサチオール0.84gをN,N−
ジメチルホルムアミド5mlに溶解し、イミダゾー
ル0.58g、ジメチルターシヤリーブチルシリルク
ロリド1.29gを加えて、50℃で7時間かきまぜた
後一夜室温に放置した。減圧下溶媒を留去後残渣
をベンゼンで抽出し、飽和重曹水および水で洗條
後無水硫酸ナトリウムで乾燥後溶媒を留去した。
残渣をシリカゲル40gを用いたカラムクロマトグ
ラフイーで処理し(展開溶剤ヘキサンおよびヘキ
サン−ベンゼン(10:1〜2:1))、無色油状の
目的物1.26gを得た。 シリカゲル薄層クロマトグラフイーのRf値:0.80
(展開溶剤:ベンゼン:ヘキサン=2:1) 実施例 93 5−ジメチル−t−ブチルシリルオキシ−4,
6,7−トリメチル−1,3−ベンゾオキサチ
オール−3−オキシド 実施例92で得たシリルオキシ体を塩化メチレン
100mlに溶解し、氷冷下メタクロル過安息香酸
0.99gを加え同温度で1時間かきまぜた。反応液
を飽和重曹水に注ぎ、クロロホルムで抽出し、水
洗、乾燥後溶媒を留去すると残渣は結晶化した。
この結晶を四塩化炭素で洗條すると、目的物1.30
gが得られた。 融点 100−101℃ シリカゲル薄層クロマトグラフイーのRf値:0.52
(展開溶剤:ベンゼン:酢酸エチル=1:1) マススペクトル(m/e):326(M+) 実施例 94 5−アセトキシ−4,6,7−トリメチル−2
−プロピル−1,3−ベンゾオキサチオール 5−ヒドロキシ−4,6,7−トリメチル−2
−プロピル−1,3−ベンゾオキサチオール1.6
g、無水酢酸0.8gおよびピリジン10mlの混合物
を室温で15時間反応させたのち、実施例5と同様
に後処理および精製を行ない、目的化合物(淡黄
色油状物)1.8gを得た。 シリカゲル薄層クロマトグラフイー:Rf=0.57
(展開溶剤:ベンゼン) 赤外線吸収スペクトル(液膜):1762cm-1 マススペクトル(m/e):280(M+) 実施例 95 6−t−ブチル−5−ヒドロキシ−2−メチル
−1,3−ベンゾオキサチオール 2,2′−トリチオビス−(1,4−ジアセトキ
シ−5−t−ブチルベンゼン)を実施例22−と
同様に反応させ、得られた5−アセトキシ−6−
t−ブチル−2−メチル−1,3−ベンゾオキサ
チオールを実施例51と同様に反応させ、目的化合
物を得た。 シリカゲル薄層クロマトグラフイー:Rf=0.46
(展開溶剤:ベンゼン) マススペクトル(m/e):224(M+) 実施例 96 6−t−ブチル−5−ヒドロキシ−2−プロピ
ル−1,3−ベンゾオキサチオール 2,2′−ジチオビス−(1,4−ブチリルオキ
シ−5−t−ブチルベンゼン)を実施例22−と
同様に反応させ、得られた6−t−ブチル−5−
ブチリルオキシ−2−プロピル−1,3−ベンゾ
オキサチオールを実施例5と同様に反応させ、目
的化合物を得た。 シリカゲル薄層クロマトグラフイー:Rf=0.54
(展開溶剤:ベンゼン) マススペクトル(m/e):252(M+) 実施例 97 6−t−ブチル−5−ブチリルオキシ−2−メ
チル−1,3−ベンゾオキサチオール 6−t−ブチル−5−ヒドロキシ−2−メチル
−1,3−ベンゾオキサチオールと塩化ブチリル
を用いて、実施例94と同様に反応し、目的化合物
を得た。 シリカゲル薄層クロマトグラフイー:Rf=0.24
(展開溶剤:ヘキサン/酢酸エチル=50/1) マススペクトル(m/e):294(M+) 実施例 98 6−t−ブチル−5−ブチリルオキシ−2−プ
ロピル−1,3−ベンゾオキサチオール 6−t−ブチル−5−ヒドロキシ−2−プロピ
ル−1,3−ベンゾオキサチオールと塩化ブチリ
ルを用いて、実施例94と同様に反応し、目的化合
物を得た。 シリカゲル薄層クロマトグラフイー:Rf=0.36
(展開溶剤:ヘキサン/酢酸エチル=50/1) マススペクトル(m/e):322(M+) 試験例 1 SRS−Aの産生、放出に対する抑制作用 本件目的化合物のSRS−A産生に対する作用
は、Parkerらの方法〔J.Immunol.125巻、946頁
(1980年)〕に従つて測定した。すなわち、抗原と
して卵白アルブミンを用いて感作したモルモツト
(Hartley系雄性)の肺切片に、本件目的化合物
を加えて15分間前培養をしたのち抗原を添加し、
その際産生、放出されるSRS−A量を、モルモツ
ト回腸を用いたスーパーフユジヨン法で測定し
た。その結果、表1に示すように、本件化合物
は、低濃度においてSRS−Aの産生を強力に抑制
した。
【表】
試験例 2
過酸化脂質生成抑制作用
Malvyらの方法〔Biochem.Biophys.Res.
Commun.95巻、734頁(1980年)〕に従い、ラツ
ト肝臓ミクロゾームに、本件化合物、システイン
(500μM)及び硫酸第一鉄(5μM)を添加、反応
させた時の過酸化脂質量をThiobarbituric acid
(TBA)法で測定して、本件化合物による阻害作
用を調べた。表2に示すように、本件化合物は、
低濃度において過酸化脂質の産生を強力に抑制し
た。
Commun.95巻、734頁(1980年)〕に従い、ラツ
ト肝臓ミクロゾームに、本件化合物、システイン
(500μM)及び硫酸第一鉄(5μM)を添加、反応
させた時の過酸化脂質量をThiobarbituric acid
(TBA)法で測定して、本件化合物による阻害作
用を調べた。表2に示すように、本件化合物は、
低濃度において過酸化脂質の産生を強力に抑制し
た。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式 (式中、R1は水素原子、置換されていてもよい
アルキル基、低級アルケニル基又は置換されてい
てもよいアリール基を示し、R2は水素原子、低
級アルキル基又は炭素数3乃至4個のアルケニル
基を示し、R3は水素原子又は低級アルキル基を
示し、R4は保護されていてもよい水酸基を示し、
R5は低級アルキル基、低級アルコキシ基、水酸
基又は低級脂肪族アシルオキシ基を示し、R6は
水素原子、低級アルキル基又は低級アルコキシ基
を示し、nは0乃至2の整数を示す。) を有する1,3−ベンゾオキサチオール誘導体及
びその薬理上許容される塩。 2 一般式 (式中、R3は水素原子又は低級アルキル基を示
し、R6は水素原子、低級アルキル基又は低級ア
ルコキシ基を示し、R7は水素原子、保護された
水酸基、低級アルコキシカルボニル基若しくは低
級アルコキシ基で置換されてもよいアルキル基、
低級アルケニル基又は置換されていてもよいアリ
ール基(該置換基の水酸基は保護基を有する。)
を示し、R8は保護された水酸基を示し、R9は低
級アルキル基、低級アルコキシ基又は低級脂肪族
アシルオキシ基を示し、mは2乃至3の整数を示
す。) を有するチオ化合物を還元剤として処理して、一
般式 (式中、R3、R6、R7、R8及びR9は前述したもの
と同意義を示す。) を有する化合物を製造し、所望によりR7、R8及
びR9に含まれる水酸基の保護基を除去する反応、
生じたヒドロキシメチル基をカルボキシ基に酸化
する反応、カルボキシ基をエステル化する反応、
R7に含まれる低級アルコキシカルボニル基をカ
ルボキシ基、置換されていてもよいカルバモイル
基若しくはヒドロキシメチル基に変換する反応、
得られたヒドロキシメチル基をハロゲン化メチル
基変換する反応若しくは前記ヒドロキシメチル基
の水酸基を保護する反応、ハロゲン化アルキル基
からハロゲン化水素を除去してアルケニル基に変
換する反応又はチオール体をスルホキシド体若し
くはスルホン体に変換する反応を適宜行うことに
より、一般式 (式中、R1は水素原子、置換されていてもよい
アルキル基、低級アルケニル基又は置換されてい
てもよいアリール基を示し、R3は水素原子又は
低級アルキル基を示し、R4は保護されていても
よい水酸基を示し、R5は低級アルキル基、低級
アルコキシ基、水酸基又は低級脂肪族アシルオキ
シ基を示し、R6は水素原子、低級アルキル基又
は低級アルコキシ基を示し、nは0乃至2の整数
を示す。) を有する1,3−ベンゾオキサチオール誘導体及
びその薬理上許容される塩の製法。 3 一般式 (式中、R3は水素原子又は低級アルキル基を示
し、R6は水素原子、低級アルキル基又は低級ア
ルコキシ基を示し、R7は水素原子、保護された
水酸基、低級アルコキシカルボール基若しくは低
級アルコキシ基で置換されてもよいアルキル基、
低級アルケニル基又は置換されていてもよいアリ
ール基(該置換基の水酸基は保護基を有する。)
を示し、R8は保護された水酸基を示し、R9は低
級アルキル基、低級アルコキシ基又は低級脂肪族
アシルオキシ基を示す。) を有する化合物を塩基と処理し、反応液中にカル
バニオンを発生させた後に、一般式 R12−Y (式中、R12は低級アルキル基又は炭素数3乃至
4個のアルケニル基を示す。Yはハロゲン原子又
はスルホニルオキシ基を示す。) を有する化合物を反応させ、一般式 (式中、R3、R6、R7、R8、R9及びR12は前述し
たものと同意義を示す。) を有する化合物を製造し、所望により、R7、R8
及びR9に含まれる水酸基の保護基を除去する反
応、生じたヒドロキシメチル基をカルボキシ基に
酸化する反応、カルボキシ基をエステル化する反
応、R7に含まれる低級アルコキシカルボニル基
をカルボキシ基、置換されていてもよいカルバモ
イル基若しくはヒドロキシメチル基に変換する反
応、得られたヒドロキシメチル基をハロゲン化メ
チル基に変換する反応若しくは前記ヒドロキシメ
チル基の水酸基を保護する反応、ハロゲン化アル
キル基からハロゲン化水素を除去してアルケニル
基に変換する反応又はチオール体をスルホキシド
体若しくはスルホン体に変換する反応を適宜行う
ことにより、一般式 (式中、R12は前述したものと同意義を示し、R1
は水素原子、置換されていてもよいアルキル基、
低級アルケニル基又は置換されていてもよいアリ
ール基を示し、R3は水素原子又は低級アルキル
基を示し、R4は保護されていてもよい水酸基を
示し、R5は低級アルキル基、低級アルコキシ基、
水酸基又は低級脂肪族アシルオキシ基を示し、
R6は水素原子、低級アルキル基又は低級アルコ
キシ基を示し、nは0乃至2の整数を示す。) を有する1,3−ベンゾオキサチオール誘導体及
びその薬理上許容される塩の製法。
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59060198A JPS60226873A (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | 1,3−ベンゾオキサチオ−ル誘導体及びその製法 |
| US06/716,171 US4691027A (en) | 1984-03-28 | 1985-03-26 | 1,3-benzoxathiole derivatives |
| AT85302187T ATE46156T1 (de) | 1984-03-28 | 1985-03-28 | 1,3-benzoxathiol-derivate, deren verwendung und deren herstellung. |
| CA000477744A CA1243323A (en) | 1984-03-28 | 1985-03-28 | 1,3-benzoxathiole derivatives, their use and their preparation |
| DE8585302187T DE3572814D1 (en) | 1984-03-28 | 1985-03-28 | 1, 3-benzoxathiole derivatives, their use and their preparation |
| EP85302187A EP0157603B1 (en) | 1984-03-28 | 1985-03-28 | 1, 3-benzoxathiole derivatives, their use and their preparation |
| ES541698A ES8701749A1 (es) | 1984-03-28 | 1985-03-28 | Un procedimiento para preparar nuevos derivados del 1,3-benzo-xatiol. |
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