JPH0481805B2 - - Google Patents
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- JPH0481805B2 JPH0481805B2 JP60145702A JP14570285A JPH0481805B2 JP H0481805 B2 JPH0481805 B2 JP H0481805B2 JP 60145702 A JP60145702 A JP 60145702A JP 14570285 A JP14570285 A JP 14570285A JP H0481805 B2 JPH0481805 B2 JP H0481805B2
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- layer
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は磁性薄膜を用いた薄膜ヘツドの製造方
法、特に導体コイル間およびコイルと磁性膜間の
絶縁層として無機材料を用いた場合に、該無機材
料を好適にテーパエツチング出来る薄膜磁気ヘツ
ドの製造方法に関するものである。
法、特に導体コイル間およびコイルと磁性膜間の
絶縁層として無機材料を用いた場合に、該無機材
料を好適にテーパエツチング出来る薄膜磁気ヘツ
ドの製造方法に関するものである。
（従来技術）
従来の薄膜磁気ヘツドの製造方法を第３図、第
４図及び第５図を用いて詳細に説明する。
４図及び第５図を用いて詳細に説明する。
なお、図では巻数５ターンのスパイラル構造の
薄膜ヘツドを例示しており、第４図は第３図のＣ
−C′線における断面での製造プロセスを図示して
いる。
薄膜ヘツドを例示しており、第４図は第３図のＣ
−C′線における断面での製造プロセスを図示して
いる。
まず第４図に於て、フエライト等の磁性あるい
はAl2O3，Al2O3非磁性などから成る基板１上に
アモルフアス、センダスト、パーマロイ等などか
ら成る下部磁性層２、SiO，SiO2などから成る第
１絶縁層３、CuあるいはAlなどから成るコイル
導体層４、SiOあるいはSiO2などから成る第２絶
縁層５をスパツタリングあるいは蒸着等により
夫々形成する（第４図ａ）。その後前記第２絶縁
層５上にフオトレジスト（図示せず）を厚く塗布
し、フオトレジストと前記第２絶縁層５とのエツ
チング速度が等しくなるイオンビーム入射角で平
坦化エツチングを行なう。ここでイオンビーム入
射角とは試料の法線方向とイオンビームのなす角
度を言う。その後、後述する上部磁性層９（同図
ｆ参照）を絶縁層５上に形成するが、この上部磁
性層９はコイル導体層４の形成領域を外れた端
部、即ち、ヘツドギヤツプ部Ａ及び接続部Ｂを形
成する領域に於てヘツドギヤツプ部Ａはギヤツプ
層８を介して、また、接続部Ｂは直接に下部磁性
層２と結合する構成に設けられる。そのため、前
記絶縁層３，５はその端部がテーパエツチングさ
れる。このテーパエツチングを行なうために絶縁
層５上に、この絶縁層５下方のコイル導体層４を
全て覆うような形でフオトレジスト６を形成する
（第４図ｂ）。次いで、フオトレジスト６は前記絶
縁層３，５のヘツドギヤツプ部Ａ及び上部磁性層
９と下部磁性層２との接続部Ｂに対応する領域
が、第５図に図示するようなフオトマスク７を用
いて露光される（第４図ｃ）。その後現像を行な
いパターニングした後、例えば130℃で30分間フ
オトレジストを熱処理し、イオンミリンダを用い
てテーパエツチングを行なう（第４図ｄ）。この
場合フオトレジストに熱処理を行なう理由は、イ
オンミリンダでのエツチング速度はArなどの不
活性ガスを用いた場合に、あらゆるイオンビーム
入射角度においてフオトレジストのエツチングレ
ートが絶縁層３，５であるSiO2あるいはSiOなど
よりも遅い。したがつて単純にフオトレジストを
パターニングしただけでは、フオトレジスト側壁
の角度θ1，θ2が75°〜80°と急峻であるためこのま
まイオンミリングでテーパエツチングを行なうと
フオトレジストの急峻な角度がそのまま下地にあ
る絶縁層に転写されテーパ部の角度が急峻とな
り、この上に上部磁性層９を形成した場合には、
テーパ部の膜厚減少を生じてしまい記録効率が低
下してしまう。したがつて出来るだけなだらかな
テーパ角度にするべくフオトレジストを熱処理し
フオトレジスト自体を軟化させ角度をゆるやかに
している。
はAl2O3，Al2O3非磁性などから成る基板１上に
アモルフアス、センダスト、パーマロイ等などか
ら成る下部磁性層２、SiO，SiO2などから成る第
１絶縁層３、CuあるいはAlなどから成るコイル
導体層４、SiOあるいはSiO2などから成る第２絶
縁層５をスパツタリングあるいは蒸着等により
夫々形成する（第４図ａ）。その後前記第２絶縁
層５上にフオトレジスト（図示せず）を厚く塗布
し、フオトレジストと前記第２絶縁層５とのエツ
チング速度が等しくなるイオンビーム入射角で平
坦化エツチングを行なう。ここでイオンビーム入
射角とは試料の法線方向とイオンビームのなす角
度を言う。その後、後述する上部磁性層９（同図
ｆ参照）を絶縁層５上に形成するが、この上部磁
性層９はコイル導体層４の形成領域を外れた端
部、即ち、ヘツドギヤツプ部Ａ及び接続部Ｂを形
成する領域に於てヘツドギヤツプ部Ａはギヤツプ
層８を介して、また、接続部Ｂは直接に下部磁性
層２と結合する構成に設けられる。そのため、前
記絶縁層３，５はその端部がテーパエツチングさ
れる。このテーパエツチングを行なうために絶縁
層５上に、この絶縁層５下方のコイル導体層４を
全て覆うような形でフオトレジスト６を形成する
（第４図ｂ）。次いで、フオトレジスト６は前記絶
縁層３，５のヘツドギヤツプ部Ａ及び上部磁性層
９と下部磁性層２との接続部Ｂに対応する領域
が、第５図に図示するようなフオトマスク７を用
いて露光される（第４図ｃ）。その後現像を行な
いパターニングした後、例えば130℃で30分間フ
オトレジストを熱処理し、イオンミリンダを用い
てテーパエツチングを行なう（第４図ｄ）。この
場合フオトレジストに熱処理を行なう理由は、イ
オンミリンダでのエツチング速度はArなどの不
活性ガスを用いた場合に、あらゆるイオンビーム
入射角度においてフオトレジストのエツチングレ
ートが絶縁層３，５であるSiO2あるいはSiOなど
よりも遅い。したがつて単純にフオトレジストを
パターニングしただけでは、フオトレジスト側壁
の角度θ1，θ2が75°〜80°と急峻であるためこのま
まイオンミリングでテーパエツチングを行なうと
フオトレジストの急峻な角度がそのまま下地にあ
る絶縁層に転写されテーパ部の角度が急峻とな
り、この上に上部磁性層９を形成した場合には、
テーパ部の膜厚減少を生じてしまい記録効率が低
下してしまう。したがつて出来るだけなだらかな
テーパ角度にするべくフオトレジストを熱処理し
フオトレジスト自体を軟化させ角度をゆるやかに
している。
（発明が解決しようとする問題点）
ところが、この熱処理工程において下記の様な
問題が発生した。
問題が発生した。
即ち、前記ヘツドギヤツプ部Ａ及び接続部Ｂは
前記フオトマスク７を用いて形成されるのである
が、特に接続部Ｂに対応するフオトマスク７で露
光を行つた場合は穴７１の部分が露光されレジス
トが存在しない（例えば、ポジ型のフオトレジス
トを露光する場合のフオトマスクであれば透明基
板上に部分的に光遮蔽材または光反射材が形成さ
れていない形状として設けられる）（第５図）、周
囲をフオトレジストが囲むようになつている。
前記フオトマスク７を用いて形成されるのである
が、特に接続部Ｂに対応するフオトマスク７で露
光を行つた場合は穴７１の部分が露光されレジス
トが存在しない（例えば、ポジ型のフオトレジス
トを露光する場合のフオトマスクであれば透明基
板上に部分的に光遮蔽材または光反射材が形成さ
れていない形状として設けられる）（第５図）、周
囲をフオトレジストが囲むようになつている。
従来からこの部分は、正方形あるいは長方形の
穴があいているフオトマスクを用いていた。この
様な形状になつているフオトレジストに熱処理を
加えた場合には、フオトレジストの軟化が接続部
穴の周囲で均一に生ぜず、特に穴７１の角部にお
いてはほとんどアフターベークの効果がなく、む
しろ、この角部にフオトレジストが溜る様な形と
なり、熱処理後のフオトレジスト形状が垂直にな
つてしまつた（第４図ｄのＥ部）。
穴があいているフオトマスクを用いていた。この
様な形状になつているフオトレジストに熱処理を
加えた場合には、フオトレジストの軟化が接続部
穴の周囲で均一に生ぜず、特に穴７１の角部にお
いてはほとんどアフターベークの効果がなく、む
しろ、この角部にフオトレジストが溜る様な形と
なり、熱処理後のフオトレジスト形状が垂直にな
つてしまつた（第４図ｄのＥ部）。
この様な接続部におけるフオトレジストの形状
不均一性のまま、イオンミリングなどで例えばイ
オンビーム入射角を40°程度でテーパエツチング
を行なうと接続部の角部においてはフオトレジス
トによるイオンビームのシヤドウイング
（shadowing）の効果（shadowingとはイオンビ
ームが下地全面にあたらず実質的にエツチング時
間が異なる事を言う。）を生じ、この接続部にお
いてはテーパが２段に折れまがつた様な形になる
（第４図ｅの下部）。特にテーパの下の方では約
70°位の急峻なテーパとなつてしまい、この上に
上部磁性層９を形成した場合にはこの急峻なテー
パ部で極度の膜厚減少をひきおこし（第４図ｆ）、
特に磁気飽和が生じやすくなり、記録効率が低下
する。
不均一性のまま、イオンミリングなどで例えばイ
オンビーム入射角を40°程度でテーパエツチング
を行なうと接続部の角部においてはフオトレジス
トによるイオンビームのシヤドウイング
（shadowing）の効果（shadowingとはイオンビ
ームが下地全面にあたらず実質的にエツチング時
間が異なる事を言う。）を生じ、この接続部にお
いてはテーパが２段に折れまがつた様な形になる
（第４図ｅの下部）。特にテーパの下の方では約
70°位の急峻なテーパとなつてしまい、この上に
上部磁性層９を形成した場合にはこの急峻なテー
パ部で極度の膜厚減少をひきおこし（第４図ｆ）、
特に磁気飽和が生じやすくなり、記録効率が低下
する。
本発明は上記欠点を解消せんとするものであ
り、前記接続部の磁気飽和を回避して記録効率の
優れた薄膜磁気ヘツドの製造方法を提供せんとす
るものである。
り、前記接続部の磁気飽和を回避して記録効率の
優れた薄膜磁気ヘツドの製造方法を提供せんとす
るものである。
（問題点を解決するための手段）
すなわち、本発明は、無機材料から成る絶縁層
のヘツドギヤツプ部及び上部磁性膜と下部磁性膜
との接続部をテーパエツチングする工程において
前記接続部分のフオトマスク形状を楕円状あるい
は角部に丸味をつけた形状とし、該フオトマスク
でパターニングした後前記フオトレジストに熱処
理を施した後不活性ガスを用いたイオンミリング
でテーパエツチングする事により達せられる。
のヘツドギヤツプ部及び上部磁性膜と下部磁性膜
との接続部をテーパエツチングする工程において
前記接続部分のフオトマスク形状を楕円状あるい
は角部に丸味をつけた形状とし、該フオトマスク
でパターニングした後前記フオトレジストに熱処
理を施した後不活性ガスを用いたイオンミリング
でテーパエツチングする事により達せられる。
（実施例）
以下、本発明の一実施例を図面に基づいて詳説
する。本実施例を説明する第１図においても、先
の第４図で説明した従来例と同様に、磁性あるい
は非磁性から成る基板１上にアモルフアス、セン
ダストおよびパーマロイなどから成る下部磁性層
２、さらにSiO，SiO2などから成る第１絶縁層
３、CuあるいはAlなどから成るコイル導体層４、
また第１絶縁層と同様な無機材料、例えばSiO，
SiO2などから成る第２絶縁層５がスパツタリン
グあるいは蒸着等により形成される（第１図ａ）。
その後前記第２絶縁層５上にフオトレジスト（図
示せず）を厚く塗布し、フオトレジストと前記第
２絶縁層５とのエツチング速度が等しくなるイオ
ンビーム入射角で平坦化エツチングを行なう。そ
の後平坦化エツチングを終了した絶縁層５上に下
方のコイル導体層４を全て覆う様にフオトレジス
ト６を形成し、かつヘツドギヤツプ部Ａ及び上部
磁性層２と下部磁性層９の接続部Ｂにこのフオト
レジスト６が存在しない様に第２図に図示するよ
うなフオトマスク２０を用いて露光し（第１図
ｂ）、その後現像する。この際フオトマスク２０
の接続部Ｂに対応する部分の形状は楕円状あるい
は角部に丸味をつけた透設孔２１としておく事に
より、フオトレジスト６はフオトマスク２０の形
をそのまま転写し、楕円状或いは角部に丸味がつ
いた形状にパターニングされる。このようにして
形成されたフオトレジストを例えば110℃以上200
℃未満の温度で30分程度熱処理する。この場合温
度を110℃以上としたのはフオトレジストの分解
が十分進むための温度であり、200℃未満とした
のは200℃以上でフオトレジストを熱処理すると
エツチング後のフオトレジストの剥離が溶剤だけ
では困難となるためである。
する。本実施例を説明する第１図においても、先
の第４図で説明した従来例と同様に、磁性あるい
は非磁性から成る基板１上にアモルフアス、セン
ダストおよびパーマロイなどから成る下部磁性層
２、さらにSiO，SiO2などから成る第１絶縁層
３、CuあるいはAlなどから成るコイル導体層４、
また第１絶縁層と同様な無機材料、例えばSiO，
SiO2などから成る第２絶縁層５がスパツタリン
グあるいは蒸着等により形成される（第１図ａ）。
その後前記第２絶縁層５上にフオトレジスト（図
示せず）を厚く塗布し、フオトレジストと前記第
２絶縁層５とのエツチング速度が等しくなるイオ
ンビーム入射角で平坦化エツチングを行なう。そ
の後平坦化エツチングを終了した絶縁層５上に下
方のコイル導体層４を全て覆う様にフオトレジス
ト６を形成し、かつヘツドギヤツプ部Ａ及び上部
磁性層２と下部磁性層９の接続部Ｂにこのフオト
レジスト６が存在しない様に第２図に図示するよ
うなフオトマスク２０を用いて露光し（第１図
ｂ）、その後現像する。この際フオトマスク２０
の接続部Ｂに対応する部分の形状は楕円状あるい
は角部に丸味をつけた透設孔２１としておく事に
より、フオトレジスト６はフオトマスク２０の形
をそのまま転写し、楕円状或いは角部に丸味がつ
いた形状にパターニングされる。このようにして
形成されたフオトレジストを例えば110℃以上200
℃未満の温度で30分程度熱処理する。この場合温
度を110℃以上としたのはフオトレジストの分解
が十分進むための温度であり、200℃未満とした
のは200℃以上でフオトレジストを熱処理すると
エツチング後のフオトレジストの剥離が溶剤だけ
では困難となるためである。
この様に熱処理をした後の接続部Ｂにおいて
は、フオトレジストの熱による軟化が均一に生
じ、角部のフオトレジスト側壁角のみが急峻とは
ならない。そしてこの時のフオトレジスト側壁角
度はおよそ40°程度となる。この様にして形成さ
れたフオトレジスト６を例えばArイオンを用い
てイオンビーム入射角40°でイオンミリングする
と、絶縁層３，５はフロントギヤツプ部のテーパ
角θ3及び接続部のテーパ角θ4も約40°程度のなだ
らかなテーパを有する形状に設けられる（第１図
ｄ）。なおこの場合フオトレジスト側壁角度が約
40°であるので、イオンビーム入射角度はシヤド
ウイングを受けない領域として0°〜50°まで任意
の角度をとれる。
は、フオトレジストの熱による軟化が均一に生
じ、角部のフオトレジスト側壁角のみが急峻とは
ならない。そしてこの時のフオトレジスト側壁角
度はおよそ40°程度となる。この様にして形成さ
れたフオトレジスト６を例えばArイオンを用い
てイオンビーム入射角40°でイオンミリングする
と、絶縁層３，５はフロントギヤツプ部のテーパ
角θ3及び接続部のテーパ角θ4も約40°程度のなだ
らかなテーパを有する形状に設けられる（第１図
ｄ）。なおこの場合フオトレジスト側壁角度が約
40°であるので、イオンビーム入射角度はシヤド
ウイングを受けない領域として0°〜50°まで任意
の角度をとれる。
このようにテーパエツチングを行なつた後、
SiOあるいはSiO2などから成るギヤツプ層８を形
成し、さらにアモルフアス、センダスト、パーマ
ロイなどから成る上部磁性層９をスパツタリング
などにより形成する（第１図ｅ）。このようにし
て形成することにより、特に磁気飽和が生じやす
い後部ギヤツプ部（接続部Ｂ）においてもテーパ
角度が緩やかであるため、上部磁性層９に十分な
膜厚が得られて記録効率の悪化がない薄膜磁気ヘ
ツドを得られる。
SiOあるいはSiO2などから成るギヤツプ層８を形
成し、さらにアモルフアス、センダスト、パーマ
ロイなどから成る上部磁性層９をスパツタリング
などにより形成する（第１図ｅ）。このようにし
て形成することにより、特に磁気飽和が生じやす
い後部ギヤツプ部（接続部Ｂ）においてもテーパ
角度が緩やかであるため、上部磁性層９に十分な
膜厚が得られて記録効率の悪化がない薄膜磁気ヘ
ツドを得られる。
（発明の効果）
以上本発明によれば、テーパエツチングの際の
上部磁性層と下部磁性層との接続部、すなわち後
部ギヤツプ部のフオトマスク形状を楕円状あるい
は角部に丸味をつけた形状とする事によりフオト
レジスト熱処理後のフオトレジスト側壁角を均一
にする事が出来るためテーパエツチング後の後部
ギヤツプ部のテーパ部も全体に均一でゆるやかと
なるため、上部磁性層形成後の後部ギヤツプ部で
の膜厚減少が生ぜず、記録効率が向上するという
顕著な効果を奏する。
上部磁性層と下部磁性層との接続部、すなわち後
部ギヤツプ部のフオトマスク形状を楕円状あるい
は角部に丸味をつけた形状とする事によりフオト
レジスト熱処理後のフオトレジスト側壁角を均一
にする事が出来るためテーパエツチング後の後部
ギヤツプ部のテーパ部も全体に均一でゆるやかと
なるため、上部磁性層形成後の後部ギヤツプ部で
の膜厚減少が生ぜず、記録効率が向上するという
顕著な効果を奏する。
第１図は本発明による薄膜磁気ヘツドの製造プ
ロセスを説明する図、第２図は第１図のプロセス
で使用するフオトマスクの平面図、第３図は薄膜
磁気ヘツドの平面図、第４図は従来の薄膜磁気ヘ
ツドの製造プロセスを説明する図、第５図は第４
図のプロセスで使用するフオトマスクの平面図で
ある。 １……基板、２……下部磁性層、３，５……絶
縁層、４……コイル導体層、６……フオトレジス
ト、７，２０……フオトマスク、８……ギヤツプ
層、９……上部磁性層、２１，７１……透設孔。
ロセスを説明する図、第２図は第１図のプロセス
で使用するフオトマスクの平面図、第３図は薄膜
磁気ヘツドの平面図、第４図は従来の薄膜磁気ヘ
ツドの製造プロセスを説明する図、第５図は第４
図のプロセスで使用するフオトマスクの平面図で
ある。 １……基板、２……下部磁性層、３，５……絶
縁層、４……コイル導体層、６……フオトレジス
ト、７，２０……フオトマスク、８……ギヤツプ
層、９……上部磁性層、２１，７１……透設孔。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ コイルを埋設した無機材料からなる絶縁層を
介して対向する端部に上部磁性層及び下部磁性層
が結合した接続部を形成する薄膜磁気ヘツドの製
造方法に於て、前記絶縁層上の全面にフオトレジ
ストを形成後、前記接続部と対応する領域に楕円
状または角部に丸味をつけた誘設孔を有するフオ
トマスクを前記フオトレジスト上方に配置し、こ
のフオトマスクにより前記フオトレジストを露光
現像後、さらに熱処理を施し、その後このフオト
レジストを介して前記絶縁層をイオンミリングで
テーパエツチングする事を特徴とする薄膜磁気ヘ
ツドの製造方法。 ２ 前記上部磁性層と下部磁性層との接続部端部
のフオトレジスト接触角とイオンビーム入射角と
の和が90°以下となるようなイオンビーム入射角
でテーパエツチングする事を特徴とする特許請求
の範囲第１項の薄膜磁気ヘツドの製造方法。 ３ 前記無機材料がSiOあるいはSiO2から成る事
を特徴とする特許請求の範囲第１項の薄膜磁気ヘ
ツドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14570285A JPS628321A (ja) | 1985-07-04 | 1985-07-04 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14570285A JPS628321A (ja) | 1985-07-04 | 1985-07-04 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS628321A JPS628321A (ja) | 1987-01-16 |
| JPH0481805B2 true JPH0481805B2 (ja) | 1992-12-25 |
Family
ID=15391134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14570285A Granted JPS628321A (ja) | 1985-07-04 | 1985-07-04 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS628321A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0758529B2 (ja) * | 1987-10-02 | 1995-06-21 | 富士写真フイルム株式会社 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5838851B2 (ja) * | 1978-09-28 | 1983-08-25 | シャープ株式会社 | 薄膜磁気ヘッドの作製方法 |
| JPS59117725A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄膜ヘツドの製造方法 |
| JPS60113309A (ja) * | 1983-11-22 | 1985-06-19 | Sony Corp | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
-
1985
- 1985-07-04 JP JP14570285A patent/JPS628321A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS628321A (ja) | 1987-01-16 |
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Legal Events
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